Relatrio da Prtica 4

Curvas Caractersticas do Transistor TBJ

Bancada: 01.
Equipe:

Hallison Lima Aguiar...................356269

Rodrigo Oliveira Gomes..............345419

Professor: Ren Pastor Torrico Bascop

Turma: (Tera-feira 14h 16h)

Fortaleza - Cear
14/04/2015

SUMRIO

1. Objetivos...............................................................................................................................

03
2. Introduo............................................................................................................................

03
3. Material Utilizado.................................................................................................................

04
4.

Anlise Computacional..........................................................................................................

05
5. Procedimento Experimental .................................................................................................

06
6. Questionrio..........................................................................................................................

07
6. Concluso..............................................................................................................................

11
7. Bibliografia...........................................................................................................................

12

1. Objetivos
O objetivo principal desta prtica levantar e traar as curvas caractersticas
de um transistor de TBJ na configurao emissor-comum mediante simulao e
experimentao.
2. Introduo
Os dispositivos semicondutores de trs terminais so muito mais utilizados
que os de dois terminais (diodos) porque podem ser usados em vrias aplicaes,
desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos digitais de memria. O
princpio bsico de operao de dispositivos de trs terminais o uso de uma tenso
entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. A tenso
de controle pode ser tambm usada para fazer com que a corrente no terceiro
terminal varie de zero at um valor significativo, comportando-se como uma chave,
elemento bsico de circuitos digitais. O TBJ constitui-se de 3 regies
semicondutoras: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C), cada um ligado a um
terminal metlico para acesso externo. No transistor npn a base do tipo p e as
outras regies so do tipo n. No transistor pnp, a base do tipo n e as outras regies
so do tipo p. O transistor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base (JEB)
e a juno coletor-base (JCB). Dependendo da condio de polarizao de cada
juno, so obtidos diferentes modos de operao para o transistor. Logo abaixo
encontra-se uma tabela sobre os modos de funcionamento do transistor.
Tabela 01 Modos de Funcionamento do TBJ

Modo de
Funcionamento
Corte
Ativo
Saturao

Polarizao JEB

Polarizao JCB

Inversa
Direta
Direta

Inversa
Inversa
Direta

O modo ativo aquele em que o transistor usado para funcionar como

amplificador.
A corrente de coletor e a corrente de base esto relacionadas por:
I C = I B
J a corrente de coletor e a corrente de emissor esto relacionadas por:
I C = I E
sendo:
I E =I C + I B

Ento, das equaes anteriores, o relacionamento entre as correntes de

emissor e base:
I E =(1+ ) I B
importante frisar que depende da largura da regio da base e das
dopagens relativas das regies da base e do emissor.
Logo abaixo seguem as curvas que descrevem o comportamento do
componente na configurao npn polarizado como emissor comum.
Figura 01: Curvas para o transistor npn polarizado como emisso comum.

Fonte: [1]
0

3. Material Utilizado
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc = 0 a 15 [V] [Tenso contnua aplicada ao circuito de sada];
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes consideraes:
Ibb = 20 a 80 [uA] [Corrente de base contnua aplicada a o circuito de
entrada];
Q1 BC546 [Transistor NPN utilizado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prtica so listados a seguir:
Voltmetro (1);
Ampermetro (2);
Fonte de tenso CC (2)

5. ANLISE COMPUTACIONAL
Abaixo segue o esquemtico do circuito utilizado na simulao do OrCAD.
Figura 02: TBJ

R C
100
1B

R B

VBB

Q 1

1B

VC C
0Vdc
BC 546A

100k

0Vdc

Fonte: Prpria

Segundo as especificaes do projeto,

VCC = 0 a 15 [V]
IBB = 20 a 80 [A]
Para o lao base-emissor, determinamos
VBB = RB*IBB + VBE
1 CASO (IBB = 20 F):
VBB = 100*(10^3)*20*(10^-6) + 0,7
VBB = 2,7 [V]
2 CASO (IBB = 40 F):
VBB = 100*(10^3)*40*(10^-6) + 0,7
VBB = 4,7 [V]
3 CASO (IBB = 60 F):
VBB = 100*(10^3)*60*(10^-6) + 0,7
VBB = 6,7 [V]
4 CASO (IBB = 80 F):
VBB = 100*(10^3)*80*(10^-6) + 0,7
VBB = 8,7 [V]
5

Portanto,
VBB = 2,7 a 8,7 [V]
Alm disso, podemos notar que o passo da fonte VBB de 2 V. Para a fonte
VCC, quanto menor o passo maior a preciso da curva caracterstica obtida por
simulao. Neste procedimento, consideramos um passo de 0,01 V para esta fonte.
Figura 03: Curvas do TBJ
20mA

15mA

10mA

5mA

0A
0V

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

8V

9V

10V

11V

12V

13V

14V

15V

IC(Q1)
V(Q1:c)

Fonte: Prpria

Onde, de baixo para cima temos as curvas correspondentes IBB = 20 F,

IBB=40F, IBB = 60 F e IBB = 80 F.
A partir dos dados obtidos pela simulao foi possvel preencher a tabela
abaixo.
Tabela 02 Resultados simulados

VCE (V)

Corrente no coletor medida IC (mA)

IBB (F)
20
40
60
0,5
3,9415
7,7775
11,380
1
3,9561
7,8097
11,424
3
4,0178
7,9319
11,602
5
4,0796
8,0541
11,780
10
4,2341
8,3597
12,226
15
4,3884
8,6629
12,728

80
14,756
14,812
15,044
15,275
15,853
16,458

6. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
Aps a realizao da anlise computacional, seguido do preenchimento da
Tabela 02, o circuito experimental proposto foi montado na bancada. A partir das
instrues dadas no Manual de Prticas, foi possvel determinar os valores
experimentais para os parmetros j determinados anteriormente atravs da
simulao.
6

16V

Tabela 03 Resultados experimentais

Corrente no coletor medida IC (mA)

IBB (F)
20
40
60
0,5
4,57
12,12
16,80
1
4,61
11,88
18,92
3
4,69
7,56
10,10
5
4,67
7,60
10,60
10
4,87
8,28
11,23
15
5,00
8,88
11,90

VCE (V)

80
22,90
25,80
14,50
15,10
17,20
18,30

7. QUESTIONRIO
a)

Traar a curva de sada IC = f(VCE) de um TBJ: experimental e simulada.

IC = f(VCE)
Experimental
30.00
20.00
IC [mA] 10.00
0.00
0.5

10

15

10

15

VCE [V]
IBB = 20 [uA]
IBB = 60 [uA]

IBB = 40 [uA]
IBB = 80 [uA]

IC = f(VCE)
Simulada

IC [mA]
0.5

VCE [V]
IBB = 20 [uA]
IBB = 60 [uA]

IBB = 40 [uA]
IBB = 80 [uA]

As diferenas notadas entre as curvas experimental e simulada pode ser

explicada pela dificuldade encontrada na montagem do circuito. Tal erro
7

pode ser ainda proveniente da leitura do multmetro, que, durante a prtica,

por diversas vezes contrariou o resultado obtido na simulao. De modo
geral, porm, a curva experimental condiz com o procedimento realizado e
est dentro da margem de erro esperada para o resultado prtico.
b) Determine o ganho de corrente () para as curvas traadas em (a) item (7).
Utilizando-se dos resultados da curva simulada, pode-se calcular os valores
de beta para cada valor de IB, assim:
=

IC
IB

1=

I C1 4 m
=
=200
I B1 20

2=

I C2 7,7 m
=
=192,5
I B2 40

3=

I C3 11 m
=
=183,33
I B3 60

4=

I C4 15 m
=
=187,5
I B 4 80

c) Comente detalhadamente a respeito das curvas traadas em (a) item (7)

explorando os seguintes tpicos: funcionamento na configurao emissorcomum, curvas de caracterstica de entrada e sada, ganho de corrente e
limites de operao.
Diz que a confugurao do circuito que originou as curvas do item (a)
emissor comum porque o emissor comum aos terminais de entrada e sada.
A curva de sada pode ser visualizada atravs da Figura 03, a qual mostra a
corrente de coletor em funo da tenso de coletor-emissor. J na curva de
entrada, a corrente de base ser funo da tenso no terminal base-emissor.
Como esse TBJ est no modo ativo, ento h um ganho de corrente. Seu
limite de 15 mA para a corrente de saturao e de 15 V para a tenso
mxima que pode ser aplicado ao TBJ.
d) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prtica, comente a
respeito das principais caractersticas de operao, bem como as limitaes
de operao.
Visto que a folha de dados representa o elo de comunicao entre o
fabricante e o usurio, muito importante que as informaes fornecidas
8

sejam reconhecidas e corretamente compreendidas. Observa-se que na lista

de valores mximos permitidos que VCEmx = VCEO = 65 V com
I Cmx
= 100 mA. Sendo PCmx = 500 mW.
e) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silcio e suas aplicaes.
Atualmente, h no mercado uma boa variedade de transistores de potncia
fabricados com SiC sendo especialmente popular o MOSFET com tenso de
bloqueio de 1,2 kV. Isto um bom indicativo do progresso feito nos
dispositivos baseados em SiC. O transistor MOSFET de SiC um dos
dispositivos no qual se deposita uma grande esperana especialmente para
aplicaes de potncia elevada, devido sua menor resistncia em estado de
conduo, em relao ao MOSFET Si, sua maior velocidade de comutao e
sua capacidade de operao em temperaturas elevadas. Estas caractersticas
tambm o convertem no melhor sucessor do IGBT de silcio, pois trabalha na
faixa de tenso de bloqueio de 1,2 kV at 6,5 kV. Para a fabricao do JFET
foram desenvolvidas duas estruturas, dependendo do arranjo dos contatos do
dispositivo: a lateral e a vertical, sendo esta ltima a mais usada para
aplicaes de potncia. Alm disso, existe outra classificao complementar
base ada na posio do canal: vertical e horizontal. O IGBT o dispositivo
em silcio com maior presena no mercado para aplicaes de potncia,
tendo um circuito disparo controlado por tenso bas- tante simples, baixas
perdas de comutao e frequncia de operao elevada. O IGBT de SiC
vertical pode ser de canal tipo n ou canal tipo p. No entanto, os p-IGBT no
tm demonstrado bom rendimento, pelas dificuldades existentes em seu
processo de fabricao. Alm disso, umas das caractersticas a ressaltar nos
n-IGBT de SiC que podem ser dispostos em paralelo, j que possuem um
coeficiente positivo de temperatura da resistncia de conduo. No entanto,
teoricamente, tanto os n-IGBT quanto os p-IGBT tm quedas de tenso direta
similares. O transistor disparado por MOS (MOS-gated transistor) um
dispositivo em que um transistor bipolar em configurao Darlington
controlado por um MOSFET. Esta configurao favorece um ganho de
corrente elevado e uma grande rea de operao segura, pois possui uma
base estreita, em relao do IGBT. Alm disso, seu tempo de bloqueio pode
ser reduzido mediante a incluso de outro transistor MOSFET, de forma
monoltica, nesta ultima variante usou-se 6H-SiC, mas seu desenvolvimento parece ter estacionado. Nas aplicaes de alta e mdia tenso usa-se,
prioritariamente, tiristores devido sua capacidade de manipular correntes e
tenses elevadas com encapsulamento relativamente pequeno. Considerando
as caractersticas dos semicondutores de banda larga e as necessidades do
setor, existem as oportunidades de realizar mudanas tecnolgicas em grande
escala. Muitas das limitaes que do silcio no manejo de potncia podem ser
resolvidas atravs do uso do SiC, que apresenta um maior campo de ruptura
Ec do que o Si. Isto permitiria reduzir o nmero de dispositivos conectados
em srie para nveis de tenso elevados, melhorando caractersticas como a
densidade de potncia, a viabilidade e a eficincia.
9

7. Concluso
10

Logo de incio pde-se perceber a grande utilidade dos dispositivos de trs

terminais, uma vez que eles podem ser usados para amplificao de sinais ou, at
mesmo, para projetos de circuitos digitais de memria. Viu-se tambm que o
controle de corrente no terceiro terminal desses dispositivos pode ser realizado pela
tenso entre dois terminais, sendo esse o princpio bsico de funcionamento desses
dispositivos. Dessa forma, notou-se que a tenso de controle pode fazer com que a
corrente no terceiro terminal possa variar de zero at algum valor significativo,
concluindo-se, dessa forma, que o dispositivo pode comportar-se como uma chave.
Viu-se que o transistor TBJ faz parte dessa classe de dispositivos, ou seja, possui trs
terminais, entre eles, coletor, emissor e base. Viu-se tambm que, dependendo do
modo como o TBJ est polarizado, ele pode funcionar de trs modos diferentes, ou
seja, em corte, ativo ou saturao. Dessa parte, frisou-se tambm algumas relaes
matemticas importntes entre as corrente em cada terminal. Notou-se que a
corrente de emissor ser composta pela corrente de base e pela corrente coletor e que
existe uma relao bastante importnte entre corrente de coletor e corrente de base,
sendo essa relao expressa pela letra graga beta. Da mesma forma a relao entre
a corrente de coletor com a corrente de emissor, que expressa por alfa.
Durante o procedimento da anlise computacional, montou-se o circuito do
TBJ, pedido na prtica, no OrCAD e traou-se as curvas da corrente de coletor
versus tenso coletor-emissor, sendo isso feito para quatro valores de corrente de
base. Sendo depois todos os resultados tabelados. As concluses dessa etapa podem
ser obtidas diretamente pelos resultados da Tabela 02 e pela Figura 03. Durante o
procedimento experimantal, montou-se o circuito proposto na bancada e
determinou-se todos os valores exigidos pela Tabela 03. As concluses dessa etapa
podem ser obtidas por uma anlise direta dos dados da tabela.
Durante a etapa do questionrio, logo no item (a) foi traado duas curvas,
uma simulada e outra experimental, e nota-se que h um diferena entra as duas.
Talvez os motivos pelos quais levaram a esse erro podem ser explicados pela
dificuldade encontrada na montagem so circuito ou tambm ser proveniente da
leitura do multmetro. Durante a etapa (b), foi feito o clculo de beta de cada curva
simulada da parte (a), as concluses dessa parte podem ser obtidas diretamente pela
leituras dos clculos realizados. Durante a parte (c) foi feita uma breve explicao
sobre o circuito emissor comum, suas curvas caracteristicas de entrada e sada e
tambm sobre o ganho de corrente. Foi feita tambm uma pequena anlise do limite
de operao do TBJ da prtica. Durante a parte (d), foi exposto um pouco dos limites
de operao do TBJ da prtica. Durante a etapa (e), pesquisou-se sobre os
transistores feitos apartir do carboneto de silcio e suas aplicaes, e viu-se que esses
dispositivos tem melhor rendimento em relao ao manuseio de tenso e potncia,
reduo de perdas, ao incremento da velocidade de comutao. Sendo que essas
melhoras so baseadas no fato que os semicondutores de banda larga tm uma
menor concentrao de portadores intrnsecos, maior campo eltrico de ruptura,
maior condutividade trmica e maior velocidade de deriva de eltrons saturados do
que o silcio. E viu-se que os MOSFET, JFET, IGBT, MGT e os Tiristores, so todos
feitos apartir do carbonato de silcio.
8. Bibliografia
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[1] PASTOR, R. OLIVEIRA, D. SHIGUEMOTO, G. Roteiro de Aulas Prticas N

04 Curvas Caractersticas do Transistor TBJ. Fortaleza: DEE-UFC, 2014.
[2] BOYLESTAD, ROBERT L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos 11
edio So Paulo : Pearson Education do Brasil, 2013.
[3] DIEGO A. ACEVEDO BUENO, EDISON R. CABRAL DA SILVA.
Dispositivos de Carboneto de Silcio na Eletrnica de Potncia: Uma Reviso.

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