MASA EFECTIVA:

En la fsica del estado slido, la masa efectiva de una partcula es la masa que parece tener en un
cristal segn el modelo semiclsico de transporte. Parece ser que, bajo ciertas condiciones, los
electrones y los huecos de un cristal se comportan a campos magnticos y elctricos como si
estuvieran libres en el vaco pero con una masa diferente. Generalmente no es igual que la masa del
electrn libre. Esta masa se suele expresar como una constante por la masa del electrn.
RED CRISTALINA:
La mayor parte de los slidos de la naturaleza son cristalinos lo que significa que los tomos,
molculas o iones que los forman se disponen ordenados geomtricamente en el espacio. Esta
estructura ordenada no se aprecia en muchos casos a simple vista porque estn formados por un
conjunto de microcristales orientados de diferentes maneras formando una estructura
policristalina, aparentemente amorfa. Este "orden" se opone al desorden que se manifiesta en los
gases o lquidos. Cuando un mineral no presenta estructura cristalina se denomina amorfo.
Si formamos una red espacial apilando estas redes planas, slo existen catorce posibles formaciones
que representan las formas ms sencillas en que puede descomponerse la materia cristalina sin que
por ello pierdan sus propiedades originales, son las llamadas redes de Bravas.
NIVEL DE FERMI:
El "Nivel de Fermi" es el trmino utilizado para describir la parte superior del conjunto de niveles de
energa de electrones a la temperatura de cero absoluto. Este concepto proviene de las estadsticas
de Fermi-Dirac. Los electrones son fermiones y por el principio de exclusin de Pauli no pueden
existir en estados de energas idnticas. En el cero absoluto, estos se encuentran en los niveles ms
bajos de energa disponibles de los estados de energa de electrones, constituyendo el llamado "mar
de Fermi" "lquido de Fermi". El nivel de Fermi es la superficie de ese mar en el cero absoluto,
donde no hay electrones que tengan suficiente energa para elevarse por encima de esa superficie
CONCETRACIN DE PORTADORES DE CORRIENTE O PORTADORES INTRINSECOS:
La concentracin de portador intrnseco se refiere a los electrones (huecos) presentes en la banda
de conduccin (banda de valencia) de un semiconductor puro. La concentracin de portador
intrnseco depende de la banda de separacin y de la temperatura as como de los detalles de las
masas del borde la banda.
La concentracin de portador se incrementa a medida que la banda de separacin disminuye.
PORTADORES DE CORRIENTE:
A bajas temperaturas, el semiconductor puro ofrece una resistencia muy alta al transporte de
corriente. A medida que la temperatura aumenta, la funcin de distribucin de fermi se esparce, y
se emiten algunos electrones de la banda de valencia a la banda de conduccin. Ahora existen
electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia que pueden conducir
corriente. Sin embargo tales electrones portadores de corriente producidos al elevar la
temperatura, conocidos como portadores intrnsecos, no son tiles en los dispositivos
semiconductores.

ADULTERACIN CON MODULACIN:

El propsito detrs de la adulteracin de los semiconductores es cambiar de manera controlable la
densidad de portador libre en el semiconductor. Esto requiere que el adulterante sea ionizado.
Cuando el donador se ioniza, un ion cargado positivamente est presente en el cristal. Este centro
fijo cargado produce dispersin para el electrn libre y la dispersin de impurezas ionizadas es un
importante mecanismo de dispersin. La dispersin produce un deterioro en las propiedades de
transporte de los electrones.
INYECCIN DE CARGA:
La presencia de polarizacin incrementa o decremento el campo elctrico en la regin de
agotamiento. Sin embargo bajo polarizacin externa moderada, el campo elctrico en la regin de
agotamiento es siempre mayor que el camp para saturacin de velocidad de portadores. De esta
forma el cambio en el campo elctrico no altera la parte de deriva de la corriente de electrones o
huecos en la regin de agotamiento. Sin considerar la polarizacin, los electrones o huecos que
llegan a la regin de agotamiento son barridos y contribuyen a la misa corriente independiente del
campo. La situacin es bastante diferente para la corriente de difusin. Como el perfil de potencial
se altera a en gran medida por la polarizacin aplicada, el perfil de portador cambia de acuerdo con
esto, y afecta en gran manera la corriente de difusin
En polarizacin directa la barrera de potencial la cual corresponde a la diferencia entre el potencial
interconstruido y el potencial aplicado disminuye de modo que se puede inyectar ms cambio a
travs de la barrera. En el caso de la polarizacin inversa la barrera se incrementa de manera que
menos carga puede ser inyectada.
Para la corriente neta solo es necesario considerar los electrones y huecos inyectados.
DISPERSIN EN SEMICONDUCTORES:
En los semiconductores reales, debido a las imperfecciones tales como;
Impurezas ionizadas: debidas a adulterantes en los semiconductores
Fonones: debidas a vibraciones de red a temperaturas finitas.
Aleacin: fluctuacin aleatorias de potencial en semiconductores de aleacin.
Asperezas de la interfaz: importante en dispositivos de heteroestructuras.
Impurezas qumicas: debidas a impurezas no intencionales con potencial de rango corto.
Ocurre dispersin. Si se considera a un haz de electrones que se mueve inicialmente con el mismo
momento, entonces, debido a proceso de dispersin, el momento y la energa perdern
gradualmente coherencia con respecto a los valores de estado iniciales. El tiempo promedio que
toma perder la coherencia o memoria de las propiedades de estado inicial se denomina tiempo de
relajacin o tiempo de dispersin.

El proceso de dispersin y los tiempos de relajacin estn relacionados con las propiedades
microscpicas de los electrones en el semiconductor y el potencial de dispersin de la imperfeccin.
RUPTURA POR AVALANCHA:
TIPOS DE REDES CRISTALINAS:
Una red cristalina es un patrn repetitivo de puntos matemticos que se prolonga en el espacio. Hay 14 tipos
generales de esos patrones. En funcin de los parmetros de la celda unitaria, longitudes de sus lados y ngulos
que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos. Para determinar completamente la estructura cristalina
elemental de un slido, adems de definir la forma geomtrica de la red, es necesario establecer las posiciones
en la celda de los tomos o molculas que forman el slido cristalino; lo que se denomina puntos reticulares.
Las alternativas son las siguientes:
La red cubica simple (sc, de simple cubic) tiene un punto de red en cada vrtice de un arreglo cubico.
La red cbica centrada en la cara (fcc, de face-centered cubic) es como la cbica simple, pero con un
punto de red adicional en el centro de cada cara del cubo.
La red cbica centrada en el cuerpo (bcc, de body-centered cubic) es como la cbica simple, pero con un
punto de red adicional en centro de cada cubo.
La red hexagonal compacta tiene capas de punto de red en arreglo hexagonal, y cada hexgono est formado
por seis tringulos equilteros.
La red cbica centrada por base, es como la red simple cbica pero adicionalmente tiene un tomo en cada
base.
Combinando los 7 sistemas cristalinos con las disposiciones de los puntos de red mencionados, se obtendran
28 redes cristalinas posibles. En realidad, como puede demostrarse, slo existen 14 configuraciones bsicas,
pudindose obtener el resto a partir de ellas. Estas estructuras se denominan redes de Bravas.

RED:
Representa un conjunto de puntos en el espacio que forman una estructura peridico. Cada punto
tiene exactamente el mismo entorno. Un bloque de construccin de tomos denominado base se
adjunta luego a cada punto de la red, lo que produce la estructura cristalina.
Funcin de distribucin de Maxwell-Boltzman: