Tranzistoare

3. Transconductana de semnal mic a unui tranzistor MOS saturat este

de 500S la un curent de dren de 60A. Calculai transconductana
pentru un curent de 40A considernd Vod identic.
2. S se determine rezistena baz-emitor de semnal mic a unui
tranzistor bipolar la 300K pentru un curent de colector de 100A i
amplificarea de 100.
1. Rezistena colector-emitor de semnal mic a unui tranzistor bipolar
este de 100k la un
curent de colector egal cu 50A. Calculai rezistena rCE la 80A.
2. S se calculeze tensiunea Vod a unui tranzistor MOS polarizat n
saturaie pentru Cox=75A/V2, W/L=5m/1 i ID=40A.
3. Rezistena dren-surs de semnal mic a unui tranzistor MOS saturat
este 100k. Determinai variaia curentului furnizat de sursa simpl de
curent construit cu acest tranzistor dac tensiunea la bornele sursei
variaz cu 1V.
1. Rezistena dren-surs de semnal mic a unui tranzistor MOS saturat
este de 120k pentru un curent de dren egal cu 70A. Calculai
rezistena dren-surs pentru un curent de 100A.
2. tiind c tensiunea Vod a unui tranzistor MOS saturat este de 240mV
pentru ID=60A i
W/L=4m/1m, s se calculeze Vod pentru ID=40A i W/L=2m/1m.
3. Transconductana de semnal mic a unui tranzistor bipolar la
temperatura 320K i un curent de colector de 80A este de 1mS.
Calculai transconductana la acelai curent i 250K.
1. Pentru un tranzistor bipolar cu IS=10-15A i VBE=0.65V, s se
calculeze curentul de colector la temperatura 300K.
2. Curentul de dren al unui tranzistor MOS saturat este de 30A
pentru un raport W/L=4m/1m. Pentru ce raport W/L curentul devine
45A prespunnd c Vod rmne identic?
1. S se calculeze rezistena echivalent n regim liniar a unui
tranzistor MOS n condiiile n care Cox=75A/V2, W/L=10m/1, i
Vod=500mV.
5. Considernd tensiunea Early de 100V pentru un tranzistor bipolar,
calculai rezistena echivalent colector-emitor pentru un curent egal
cu 50A.
Surse de curent

3. Calculai rezistena de ieire a sursei de curent cu degenerare

rezistiv tiind curentul
furnizat egal cu 40A, Vod al tranzistorului egal cu 200mV, rezistena

dren-surs a tranzistorului de 100k i rezistena pasiv de 10k.

3. Calculai tensiunea minim la ieirea unei surse de curent cu un
singur tranzistor MOS
tiind curentul furnizat egal cu 50A i transconductana de semnal
mic de 500S.
4. Calculai valoarea rezistenei de ieire a sursei de curent cascod
dac pentru toate tranzistoarele transconductana de semnal mic este
de 1mS, iar rezistena dren-surs de 100k.
3. Rezistena dren-surs de semnal mic a unui tranzistor MOS saturat
este 100k. Determinai variaia curentului furnizat de sursa simpl de
curent construit cu acest tranzistor dac tensiunea la bornele sursei
variaz cu 1V.
4. Determinai tensiunea minim admis la ieirea unei surse de curent
cascod dac toate tranzistoarele au transconductana de semnal mic
egala cu 500S, iar curentul furnizat este egal cu 25A.
5. Considernd sursa de curent cascod cu rezisten de ieire mrit,
la care A=10, transconductana tanzistoarelor este 500S, iar
rezistenele dren-surs sunt de 150k, calculai rezistena de ieire.
6. Deducei pe baza schemei de semnal mic expresia Rout a sursei de
curent cu rezisten de ieire mrit.
Oglinzi de curent
5. Curentul de intrare a oglinzii de curent cascod cu tranzistoare MOS
este 100A, iar Vod pentru toate tranzistoarele este 180mV. Calculai
rezistena de intrare a oglinzii.
5. Curentul de intrare a unei oglinzi cascod cu tranzistoare MOS este
50A, iar raportul de reflexie este unitar. tiind c tensiunea de prag a
tranzistoarelor este 500mV, iar transconductanele sunt 1mS, calculai
tensiunea minim la ieirea oglinzii.
4. tiind c pentru toate tranzistoarele Cox=75A/V2, W/L=10m/1,
iar curentul prin ramura de intrare a unei oglinzi de curent cascod de
joas tensiune este de 40A, calculai rezistena de intrare.
5. Curenii n ramurile unei oglinzi cascod de joas tensiune sunt
50A, iar transconductanele tranzistoarelor sunt de 500S.
Determinai tensiunea minim admis la ieirea oglinzii.
4. Raportul de reflexie al unei oglinzi de curent simple cu tranzistoare
MOS este de 2.5. Calculai rezistena de intrare a oglinzii dac
tensiunile Vod ale tranzistoarelor sunt 250mV, iar curentul la ieire este
100A.
5. Considernd gm=500uS i rDS=150k, calculai rezistena de ieire a
oglinzii de curent
cascod.

6. Deducei pe baza schemei de semnal mic expresia Rin a oglinzii de

curent cascod.
6. Deducei pe baza schemei de semnal mic expresia Rin a oglinzii de
curent cascod de joas tensiune.
6. Deducei pe baza schemei de semnal mic expresia Rout a oglinzii de
curent cascod de joas tensiune.
Amplificator operational
6. Se d circuitul din figur.
a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=50MHz, CL=4pF i SR=45V/s;
b). Determinai valoarea SR dac raportul W/L al tranzistoarelor M3 i
M5 se
dubleaz;
c). Calculai rezistena R3 dac raportul de reflexie al oglinzii de curent
M2-M5 este
3:2, iar tensiunea furnizat de referin este de 1,25V;
d). Dac raportul R1/R2 este 15, calculai raportul dintre ariile
tranzistoarelor Q1 i Q2
vezi IIA-2008B

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=25MHz, CL=4pF m=60, SR=30V/s i fzp=10GBW;
b). Determinai valoarea GBW dac raportul W/L al tranzistoarelor M4 i
M5 se
dubleaz;
c). Considernd rezistena R3 de 5k i tensiunea generat de referin
de 1,2V,
calculai raportul de reflexie al oglinzii de curent M2-M3-M8-M9;
d). tiind c raportul dintre ariile tranzistoarelor bipolare Q1 i Q2 este
egal cu 4,
calculai raportul rezistenelor R2/R1.
vezi IIA-2008C

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=15MHz, CL=7pF m=50, SR=20V/s i fzp=9GBW;
b). Determinai valoarea SR dac raportul W/L al tranzistoarelor M10 i

M11 se
dubleaz;
c). Calculai rezistena R3 dac raportul de reflexie al oglinzii M8-M11
este 2:1, iar
tensiunea generat de referin se consider 1,2V;
d). tiind c raportul rezistenelor R2/R1 este egal cu 10, calculai
raportul dintre ariile
tranzistoarelor bipolare Q1 i Q2.
vezi IIA-2008A

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=60MHz, CL=3pF i SR=55V/s;
b). Determinai valoarea GBW dac raportul W/L al tranzistoarelor M10
i M11 se
dubleaz;
c). tiind valoarea rezistenei R3 de 6k i tensiunea furnizat de
referin de 1,2V,
calculai raportul de reflexie al oglinzii de curent M2-M5;
d). Dac raportul R1/R2 este 8, calculai raportul dintre ariile
tranzistoarelor Q1 i Q2.
vezi IIA-2008D

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=20MHz, CL=5pF, SR=35V/s, fzp=10GBW, m=50;
b). Determinai valoarea marginii de faz n cazul n care se dubleaz
SR, iar celelalte
specificaii se pstreaz;
c). Calculai W/L pentru tranzistoarele M1M12 considernd rapoartele
de reflexie din
schem, asociate oglinzilor de curent;
d). Dac rezistena R are valoarea de 1.1k, calculai raportul ariilor
pentru tranzistoarele
bipolare Q1 i Q2.
vezi IIB-2008A

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=50MHz, CL=4pF i SR=45V/s;
b). Determinai valoarea SR dac raportul W/L al tranzistoarelor M13 i
M14 se

dubleaz;
c). Calculai W/L pentru tranzistoarele M1M12 considernd rapoartele
de reflexie din
schem, asociate oglinzilor de curent;
d). Dac rezistena R se consider independent de temperatur,
calculai variaia
curentului furnizat de referin dac temperatura crete cu 50.
vezi IIB-2008B

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=15MHz, CL=7pF, SR=25V/s, fzp=8GBW, m=45;
b). Determinai valoarea SR n cazul n care se dubleaz GBW, iar
celelalte specificaii
se pstreaz;
c). Calculai W/L pentru tranzistoarele M1M12 considernd rapoartele
de reflexie din
schem, asociate oglinzilor de curent;
d). Dac raportul ariilor pentru tranzistoarele bipolare Q1 i Q2 este 4,
calculai
rezistena R.
vezi IIB-2008C

6. Se d circuitul din figur.

a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru
urmtoarele specificaii:
GBW=60MHz, CL=2pF i SR=65V/s;
b). Determinai valoarea GBW dac raportul W/L al tranzistoarelor M13
i M14 se
dubleaz;
c). Calculai W/L pentru tranzistoarele M1M12 considernd rapoartele
de reflexie din
schem, asociate oglinzilor de curent;
d). Dac rezistena R se consider independent de temperatur,
calculai pentru ce
variaie a temperaturii curentul furnizat de referin crete cu 20%.
vezi IIB-2008D

7. vezi IIB-2009A
7. vezi IIB-2009B

7. vezi IIB-2009C
7. vezi IIB-2009D
7. vezi IIB-2010A
7. vezi IIB-2010B
7. vezi IIB-2010D
7. vezi IIB-2010C
Amplificator diferential

7. Se d amplificatorul diferenial din figur

a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=20MHz,
CL=8pF, M:N=2:3, Vod=200mV pentru toate tranzistoarele MOS, =0,05V-1,
VT=25mV, VEA=50V, capacitatea parazit n nodul oglinzii M3-M4 este
Cx=20fF,
CBC1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare dac CL se dubleaz;

7. Se d amplificatorul diferenial din figur

a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=30MHz,
CL=5,3pF, M:N=1:2, Vod=200mV pentru toate tranzistoarele MOS, =0,05V-1,
VT=25mV, VEA=50V, capacitatea parazit n nodul oglinzii M3-M4 este
Cx=20fF,
CBC1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare daca Iref se dubleaz;

7. Se d amplificatorul diferenial din figur

a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=25MHz,
CL=6,3pF, R=92k, Vod=200mV pentru toate tranzistoarele MOS, =0,05V-1,
VT=25mV, VEA=50V, capacitatea parazit n nodul oglinzii M3-M4 este Cx=20fF,
CBC1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare daca N se dubleaz;

7. Se d amplificatorul diferenial din figur

a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=35MHz,
CL=4,5pF, R=58k, Vod=200mV pentru toate tranzistoarele, =0,05V-1, VT=25mV,
VEA=50V, capacitatea parazit n nodul oglinzii M3-M4 este Cx=20fF,
CBC1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare dac W5/L5 se njumtete;

7. Se d amplificatorul diferenial din figura 2.

a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=20MHz,
CL=2pF, M:N=2:3, Vod=200mV, =0,05V-1, capacitatea parazit n
nodul oglinzii M3M4 este Cx=20fF, iar CGD1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare;
c). Cum se modific caracteristica de amplificare dac CL se dubleaz.
vezi IIA-2010A
7. Se d amplificatorul diferenial din figura 2.
a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=15MHz,
CL=2,65pF, M:N=1:2, Vod=200mV, =0,05V-1, capacitatea parazit n
nodul oglinzii
M3-M4 este Cx=20fF, iar CGD1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i

desenai caracteristica de amplificare;

c). Cum se modific caracteristica de amplificare dac Iref se dubleaz.
vezi IIA-2010B
7. Se d amplificatorul diferenial din figura 2.
a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=25MHz,
CL=1,6pF, R=94k, Vod=200mV, =0,05V-1, capacitatea parazit n
nodul oglinzii
M3-M4 este Cx=20fF, CGD1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare;
c). Cum se modific caracteristica de amplificare dac N se dubleaz.
vezi IIA-2010C
M
I W/L
Vod
VThn=|VThp|
NMOS 50A 5/1 240mV 500mV
PMOS 50A 15/1 257mV 500mV

Referinta bandgap

6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din

figura 1 este o
referin de tip bandgap.
vezi IIA-2010D

7. Se d amplificatorul diferenial din figura 2.

a). Dimensionai amplificatorul pentru urmtoarele specificaii:
GBW=10MHz,
CL=4pF, R=58,75k, Vod=200mV, capacitatea parazit n nodul oglinzii
M3-M4 este
Cx=20fF, CBC1=10fF;
b). Determinai ctigul de joas frecven A0, frecvenele polilor i
zerourilor i
desenai caracteristica de amplificare;
c). Cum se modific caracteristica de amplificare dac W5/L5 se
njumtete.
vezi IIA-2010D

6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din

figur este o
referin de tip bandgap.
vezi IIB-2009A

6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din

figura 1 este o
referin de tip bandgap.

6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din

figura 1 este o
referin de tip bandgap.

6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din

figura 1 este o
referin de tip bandgap.

6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din

figura1 este o
referin de tip bandgap.
vezi IIA-2010A
6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din
figura 1 este o
referin de tip bandgap.
vezi IIA-2010B
6. Deducei expresia tensiunii de ieire Vout i demonstrai c circuitul din
figura 1 este o

referin de tip bandgap.

vezi IIA-2010C