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A ltima equao pode ser integrada nos limites das temperaturas envolvidas. Chamaremos aqui a temperatura mais baixa de e a
temperatura mais alta de .
( /) =
1
(
) = 2
() ( )
1 1
= ( )
1 1
(
) = ( )
() ( )
1 1
=
+ ( )
() =
1 1
( ) + ( )
06) (Similar ao 05) Estime a energia livre de Gibbs padro da reao N2 + 3H2 2NH3 a (a) 500 K (b) 1000 K, a partir
do seu valor a 298 K. Dados: (298) = 16,45 kJ mol1.
07) (Similar ao 05) A 298 K, a entalpia-padro de combusto da sacarose 5797 kJ mol-1 e a energia de reao 6333 kJ mol-1. Estime o trabalho extra (diferente do de expanso) que se pode aproveitar pela elevao da
temperatura at a temperatura do sangue, 37C. (Sugesto: encontre a diferena entre a energia livre de Gibbs a
37C e a 25C).
08) (Resolvido) O ponto de ebulio normal do fluoreto de hidrognio 19,5C e sua presso de vapor em 0,0C
359 Torr. Calcule (a) a entalpia padro de vaporizao do fluoreto de hidrognio; (b) a entropia padro de
vaporizao do fluoreto de hidrognio; (c) a presso de vapor do fluoreto de hidrognio, em 8,50C.
Resoluo:
=
/
=
/
=
=
2
ln
1
=
1
1
=
( )
Rearranjando temos:
ln
1 1
=
( )
O problema fornece a temperatura de equilbrio entre as fases ao dizer que o ponto de ebulio normal do HF (i.e. na presso padro de 1 bar
= 760 atm) 19,5C e a 0 C (273 K) a sua presso de vapor, que corresponde presso quando as fases lquida e vapor esto em equilbrio
igual a 359 torr. Substituindo essas informaes na equao temos:
ln
760
1
1
=
(
)
359 8,314 1 1 (273,15) (19,5 + 273,15)
25,55 kJ mol1
= 87,3 J mol1 K 1
292,65 K
25,55 kJ mol1
1
1
=
(
)
1
1
359 8,314
273 281,15
09) A presso de vapor da propanona (CH3COCH3, mais comumente conhecida como acetona) 67 Torr em 0,0C e
222 Torr em 25C. Calcule (a) a entalpia padro de vaporizao; (b) a entropia padro de vaporizao; (c) a energia
livre padro de vaporizao; (d) o ponto de ebulio da propanona.
10) O ponto normal de ebulio do trissilano, Si3H8, 52,9C e sua presso de vapor, em 0,0C 96 Torr. Calcule (a) a
entalpia padro de vaporizao do trissilano; (b) a entropia padro de vaporizao do trissilano; (c) a presso de
vapor do trissilano, em 35,0C.
11) Arsina, AsH3, um composto muito txico usado na indstria eletrnica para produo de semicondutores. Sua
presso de vapor 35 Torr, em -111,95C, e 253 Torr, em -83,6C. Use esses dados para calcular (a) a entalpia
padro de vaporizao; (b) a entropia padro de vaporizao; (c) a energia livre padro de vaporizao; (d) o ponto
de ebulio de arsina.
12) A presso de vapor do Dixido de Cloro, ClO2, 155 Torr, em -22,75C, e 485 Torr, em 0,0C. Calcule (a) a
entalpia padro de vaporizao; (b) a entropia padro de vaporizao; (c) a energia livre padro de vaporizao; (d) o
ponto de ebulio de ClO2.
Composto
CO(g)
CH3OH(l)
CH3COOH(l)
C(grafite)
O2(g)
N2(g)
H2
CO2 (g)
H2O (l)
fH / kJ mol
-110,53
-238,66
-484,5
0
0
0
0
-393,51
-285,83
0
-1
0
m
-1
-1
/ J K mol
197,67
126,8
159,8
5740
205,138
191,61
130,684
213,74
69,91