Sunteți pe pagina 1din 15

SISTEM MICROELECTROMECANIC (MEMS): dispozitiv sau ansamblu de dispozitive

miniaturizate, compus din elemente mecanice i electrice ce este fabricat utiliznd tehnologii
specifice circuitelor integrate.
MINIATURIZARE (SCALARE): reducerea dimensiunilor unui (micro)sistem n lungime
suprafa sau volum. Odat cu miniaturizareaare loc o modificare a comportamentului global
a sistemului datorat influenei unor fenomene fizice. Ex: odat cu miniaturizarea frecarea
devine mult mai important dect masa structurii sistemului; devin importante tensiunea
superficial, forele de atracie molecular, prezena nsemnata tensiunilor remanenten
toatestraturile subini micro i nanometrice etc.
STRAT SUBIRE: stratde material cu o grosime cuprins ntre civa nanometri pn la
civa microni.
DOPAREA: procedeul tehnologic prin care seadaug o cantitatede impuriti n
stratulsuperficial al unui material semiconductor.Are drept scop modificareacaracteristicilor
electrice ale materialului.
DIFUZIE: proces tehnologic de redistribuire a ionilor dopani. Const n migrarea fluxului de
ioni din zonele de concentraie ridicat ctre zonele de concentraie mai sczut.
IMPLANTARE IONIC: procedeul tehnologic prin care este bombardat cu un fascicul de
ioni suprafaa materialului semiconductor (plachetei). Tehnica de bombardare const n
deplasarea fascicului de-alungul plachetei n timp ceaceasta execut omicarede rotaie.
Combinareacelor doumicri asigur o depunere uniform.
OXIDAREA PLACHETEI DE SILICIU: procedeul tehnologic de depunere chimic pe
suprafaa plachetei de siliciu a unui strat de oxid n condiii deosebite de calitate.
OXIDARE LOCAL: procedeu tehnologicde depunere selectiv a stratului de oxid.
CIRCUITUL INTEGRAT (CI): dispozitiv electronic alctuit din mai multe componente
electrice i electronice, active i pasive, interconectate electric inseparabil. Aceste
componente sunt plasate cu mare densitate n volumul sau pe suprafaa unei plcue de
material semiconductor, n nod curent din siliciu.. n curent, dispozitivul electronic
esteintrodus ntr-o capsul etan prevzut cu elemente de conexiune electric spre exterior,
numite terminale sau pini (piciorue). CI este caracterizat ca fiind o construcie unitar din
punct de vedere al prezentrii, denumirii, testrii i exploatrii.
CIP, cipuri: bucat mic de material semiconductor (plcu semiconductoare) pe caresunt
plasate unul sau mai multe circuite integrate.

MICROCIPUL sau seringa microcip (transporter):


este un dispozitiv electronic, de
dimensiuni reduse ( aproximativ cat un bob de orez ), care contine un cod unic ce poate fi
citit cu ajutorul unui scanner special. Microcipul este incapsulat intr-o sticla biocompatibila,
rezistenta la apa, vibratii sau socuri, cu sistem antimigrare.
TEHNOLOGIA PLANAR: tehnologie specific prelucrrii plachetelor de siliciu. Const
n efectuarea de operaii/impuriti controlate numai pe o singur fa a plachetei de siliciu
(plachetei semiconductoare) folosind tehnica litografic i ecranarea suprafeei plachetei cu
ajutorul unor straturi protectoare.
SENZOR: microsistem (dispozitiv) care preia informaii utile de la mediul nconjurtor i
furnizeaz una sau mai multe variabile de ieire ctre un instrument de msurare.
SENZOR INTELIGENT: senzor prevzut cu sisteme electronice de control. Acestea sunt
integrate sau ambalate mpreun cu dispozitivele mecanice.
ACTUATOR: microsistem (dispozitiv) care are rolul de a genera o for care are sarcina
de a deplasa nsi dispozitivul, sau alte dispozitive mecanice, n scopul realizrii unor
funciuni specifice.
STRAT STRUCTURAL: strat de material care conine unul sau mai multe dispozitive
mecanice.
STRAT DE SACRIFICIU: strat de material situat ntre straturile structurale, n scopul
separrii i izolrii mecanice. Acest strat este eliminat la finalul procesului tehnologic, pentru
a elibera straturile structurale i a permite dispozitivelor mecanice s se deplaseze n raport cu
substratul.
RAPORT VERTICAL DE FORM: raportul dintre nlimea unei structuri micromecanice,
perpendicular pe substrat, i limea minim a dispozitivului care o include.

PLACHETE DE SILICIU
Plachetele de siliciu se livreaz la dimensiuni standard (diametru i grosime); n situaii
speciale pot fi realizate la cerere, plachete nestandardizate.
n Fig. 1 se prezint un exemplu de desen de execuie pentru o plachet de siliciu, avnd
prevzute condiiile de precizie dimensional i calitate a suprafeelor pe care aceasta trebuie
s le ndeplineasc.

Fig.1 Placheta de siliciu:


Flat-ul principal are rol tehnologic, de orientare mecanic a plachetelor, cu ajutorul
sistemelor automate, n dispozitivele de lucru.
Flat-ul secundar servete la identificarea vizual rapid a orientrii cristalografice i a tipului
de conductibilitate a materialului.
REALIZAREA PLACHETEI DESILICIU
Realizarea plachetei desiliciu conform documentaiei de execuie presupune parcurgerea
urmtoarelor etape tehnologice de prelucrare:
05. Eliberare semifabricat + CTC (Fig. 2);

Fig.2. Semifabricat tip bar de siliciu monocristalin, avnd diametrul 312 inches i lungimea de
civa metri
10. lefuire cilindric exterioar (de rotunjire) la diametrul necesar. are ca scop obinerea
diametrului prevzut n desenul de execuie. Se realizeaz pe principiul rectificrii
cilindrice exterioare, cu sau fr materializarea centrelor, utiliznd ca scul un disc diamantat.
Tolerana la diametrul prelucrat este T 1,5mm ;
15. Prelucrarea, prin lefuire plan, a flaturilor n lungul cilindrului. Const ntr-o
lefuire plan realizat cu o scul diamantat, pe principiul rectificrii suprafeelor plane.
Operaia de lefuire a flat-urilor alterneaz cu cea de control al poziiei fa de reeaua
cristalin (controlul este realizat prin difracie electronic, cu ajutorul unui goniometru cu raze
X) i de orientare n dispozitivul de prindere. Tolerana la lime a flat-urilor este limitat la
Tl 1,5mm.;
20. Debitarea lingoului de siliciu n plachete. Se utilizeaz un disc diamantat prin
galvanostegie. Lingoul este blocat cu rin epoxidic pe un suport de grafit iar n timpul
procesului de debitare se urmrete orientarea cristalografic a suprafeei plachetei cu ajutorul
unui sistem cu raze X. n timpul prelucrrii, att lingoul ct i scula sunt rcite n permanen
cu un jet de ap. Lichidul de rcire are dou roluri: de a evita supranclzirea local i de a
ndeprta reziduurile rezultate n urma tierii.
25. lefuirea plan-paralel. Operaia se execut n mai multe scopuri:
- reducerea grosimii plachetei pn la valoarea nscris pe desenul de execuie i
ncadrarea ei ntr-un anumit interval de toleran ;
- ndeprtarea stratului ecruisat n timpul operaiei precedente (debitare);
- obinerea condiiilor de paralelism dintre suprafeele plachetei, nscrise pe desenul
de execuie;
- obinerea unei planeiti uniforme a suprafeelor plachetei, n limitele a 3-5 mm;
- asigurarea preciziei i acurateei suprafeelor prin eliminarea defectelor de
suprafa zgrieturi care ar reprezenta imperfeciuni nedorite n placheta de siliciu;
30. lefuirea pe contur;
35. Degresare-decapare;
40. Corodare chimic. ;

45. Polisare mecano-chimic;


50. Deblocarea plachetelor i curirea chimic;
55. Control tehnic;
60. Acoperire cu un strat protector;
65. Ambalare sub vid;

LITOGRAFIA
n funcie de tipul de radiaie la care rezistul este sensibil, deci n funcie de
modul n care de face expunerea, se folosesc mai multe metode de litografie:
a) fotolitografia expunere cu radiaie luminoas;
b) electronolitografia expunere cu fascicuol de electroni;
c) roentgenolitografia expunere cu radiaie X;
d) ionolitografia expunere cu fascicol de ioni.
FOTOLITOGRAFIA
Indiferent de modul de expunere i de metoda deradiaie aleas, procesul
litografic seefectueaz prin parcurgerea urmtoarelor etape:
1) acoperirea direct a plachetei de siliciu cu un strat subire strat de rezist; sau
acoperirea pe un alt strat depus pe plachet;
2) aplicarea unui tratament termic de recoacere pentru a se asigura adeziunea
stratului cu suprafaa rezistului;
3) expunerea la tipul de radiaie la care este sensibil rezistul;
4) developarea plachetei ntr-o soluie.

n practic seunt folosite trei metode litografice:


a) fotolitografia de contact,
b) fotolitografia de apropiere (proximitate);
c) fotolitografia prin proiecie.
a) Fotolitografia de contact presupune presarea mtii direct pe substrat. n
urma procesului se obin rezoluii sub 1 mm. Principalul dezavantaj al metodei l
constituie faptul c masca este supus unei presiuni mecanice puternice n
timpul expunerii i poate fi cu uurin distrus de particulele de praf aflate n
mediul nconjurtor care se pot depune pe ea. Prin urmare, procedeul nu este
recomandat pentru producia de mas.
b) Fotolitografia de apropiere (proximitate) presupune existena unui
strat de aer de grosime g = 20 50 mm, ntre masc i plachet. Ca urmare, se
reduce sarcina asupra mtii, procedeul fiind dezvoltat tocmai n idea eliminrii
dezavantajului introdus de litografia de contact. Ca principal dezavantaj se

menioneaz pericolul apariiei fenomenului de difracie a luminii, ceea ce


limiteaz rezoluia procesului la 2 mm. Aceast metod a fost utilizat cu succes
la nceputul perioadei de dezvoltare a tehnologiei circuitelor integrate ns la ora
actual este nlocuit tot mai des de fotolitografia prin proiecie.

Metode de baz pentru expunerea litografic


Fotolitografia prin proiecie presupune utilizarea proieciei optice n locul
copiilor de contact simple. Masca este proiectat pe plachet folosind un sistem
de reducere cu lentile de rezoluie nalt (de obicei se nregistreaz reduceri de
5:1 sau 10:1). Acest aspect prezint o serie de avantaje. n primul rnd, masca
poate fi desenat iniial la o scar mrit, ceea ce simplific procesul de
elaborare a configuraiilor geometrice. n al doilea rnd, datorit reducerii
practicate, la un moment dat poate fi expus numai o poriune din plachet. De
regul, regiunea expus reprezint un circuit integrat complet, astfel nct este
posibil realizarea n acest fel a circuitelor integrate cu dimensiuni ntre 1 i 1,5
cm. Pentru expunerea ntregii plachete, aceasta este deplasat,dup fiecare
expunere secvenial, astfel nct n zona de proiecie s fie adus urmtorul cip.
Dei costurile echipamentelor sunt deosebit de ridicate, fiind necesar asigurarea
unei precizii deosebite n ceea ce privete proiecia i poziionarea, metoda
prezint avantajul net al obinerii unei rezoluii mult mbuntite fa de
cazurile precedente (de ordinul a 0,5 mm). Aceasta se datoreaz n primul rnd
faptului c alinierea se realizeaz local, pentru fiecare cip n parte.
Indiferent de metoda de fotolitografiere utilizat, n procesul de transfer a
configuraiilor de pe masc n rezist pot aprea erori sistematice. n cadrul
proceselor de expunere i dezvoltare a microstructurii pot aprea mriri sau

micorri ale configuraiei, ceea ce determin ca poriunile din rezist rmase pe


plachet n urma developrii s nu corespund exact celor de pe masc.
TEHNICA SOFT
Tehnica litografic denumit soft . s-a dezvoltat relativ recent. Spre
deosebire de fotolitografia tradiional, ea utilizeaz pentru transferul de
configuraii o matri dintr-un material polimerizat (tehnic asemntoare
tampilrii). Matria este obinut prin turnarea unui cauciuc siliconic, PDMS
polidimetilsiloxan, ntr-o form (obinut prin litografie tradiional sau eroziune
chimic) ce are configuraia dorit.
Piesele turnate sunt scoase din forme, fiind utilizate ca dispozitive flexibile de
transfer a configuraiilor, mai ales pentru microstructurile spaiale. Ele sunt
acoperite cu materialul ce urmeaz a fi transferat pe suprafaa plachetei (de
obicei un strat subire de material organic), apoi sunt presate pe suprafaa dorit,
astfel realizndu-se transferul configuraiei de pe form pe suprafaa de
prelucrat. Dezvoltarea din ultimul timp a tehnicilor de prototipare rapid pune la
dispoziie metode competitive de realizare a formelor. Prin urmare, dei metoda
este de abia la nceput, litografia soft promite s devin o alternativ viabil
pentru tehnologia de fabricaie a microsistemelor.

Tehnica lift-off
O tehnologie aparte, demn de menionat deoarece se utilizeaz cu succes n
industria microelectronic, o constituie tehnica lift-off. Aceasta are la baz
procedeul litografic, combinat cu procedeul de depunere a straturilor subiri i
eroziunea chimic.

Tehnica const n depunerea unui strat de rezist pe substratul de siliciu i


structurarea acestuia printr-una din metode litografice n continuare are loc
depunerea materialului de structurare propriu-zis, care sunt, de cele mai multe
ori, metale rezistente la coroziune (de exemplu platina, aurul, titanul). Aceast
tehnic este utilizat n mod special pentru obinerea straturilor bune
conductoare de electricitate. n sfrit, n ultima etap a procesului tehnologic
are loc ndeprtarea rezistului printr-un proces lift-off (solventulutilizat este
acetona), eliminndu-se, odat cu acesta, i materialul de structurare depus
deasupra lui. Rezultatul procesului l constituie structura metalic depus pe
substrat, ntr-o configuraie invers celei a rezistului.

Literatura de specialitate prevede o serie de aplicaii ale tehnicii lift-off, ntre


care se remarc fabricarea condensatoarelor interdigitale utilizate n construcia
microsenzorilor biochimici

Litografia n nuane de gri


Litografia reprezint la ora actual un procedeu accesibil pentru fabricarea microstructurilor.
Prin urmare, sunt justificate preocuprile cercettorilor pentru mbuntirea performanelor
procesului. n aceast direcie se nscrie i litografia n nuane de gri.

Este o metod relativ nou, care folosete n timpul expunerii o fotomasc raster cu
ecranare gradat. Transparena mtii se schimb de-a lungul lungimii sale, fie continuu, fie n
pai discrei. Acest fenomen se poate obine prin diverse tehnici: schimbarea grosimii stratului
de crom (depus pe masc prin pulverizare) sau plasarea precis n acest strat a unor guri
mici. Astfel, diferite pri din suprafaa rezistului sunt expuse la diferite intensiti luminoase,
ceea ce permite ca dup developare s se obin diferite profile ale stratului de rezist rmas.
n pasul urmtor, se supune eroziunii chimice, prin corodare n plasm ntreaga suprafa
neacoperit, iar profilul rezistului se transfer substratului de siliciu de dedesupt

Electronolitografia
Electronolitografia este procedeul litografic ce utilizeaz un fascicol de electroni care poate fi
baleiat electromagnetic astfel nct configuraia generat s fie transferat ntr-un rezist
sensibil la acest mod de expunere

Fascicolul de electroni obinut de la surs un catod de wolfram cu emisie termoionic este


focalizat sub forma unui punct, cu ajutorul unui sistem de lentile condensatoare. Diametrul
spotului poate varia, n funcie de tipul echipamentului utilizat, ntre civa nanometri i un
micron. Armturile de ntrerupere a spotului i bobinele de deflexie sunt comandate cu
ajutorul unui sistem computerizat. Deflexia are rolul de a direciona fascicolul de electroni
focalizat n orice loc din cmpul de baleiere de pe substrat. Baleierea maxim posibil are loc
n limitele a un milimetru; pentru valori mai mari se obin erori inacceptabile. Deplasarea
substratului n vederea configurrii se face cu ajutorul unor dispozitive comandate i
controlate prin interferometrie laser. Acestea permit realizarea de precizii de poziionare a
mesei de pn la 10 nm. Coreciile necesare prin poziionarea mesei i a fascicolului sau
pentru diametrul fascicolului se realizeaz cu ajutorul unui detector de electroni care sesizeaz
electronii respini de ctre plachet.
n urma procesului se obin rezoluii ridicate, superioare fotolitografiei (~ 0,5 mm) i precizii
de aliniere mari (~ 0,2 mm). Dintre dezavantaje se menioneaz eficiena relativ sczut (~ 5
plachete/or) i costul ridicat al instalaiei. innd cont de performanele procesului de
electronolitografie, acesta se recomand pentru fabricaia fotomtilor

Microprelucrarea n volum
Microprelucrarea n volum reprezint o tehnic de microfabricaie care permite obinerea de
structuri tridimensionale n substratul de siliciu. Procedeul are la baz fenomenul de eroziune
chimic selectiv a substratului de siliciu monocristalin i presupune parcurgerea
urmtoarelor etape:
1 preprocesarea substratului prin fotolitografie, n scopul structurrii rezistului care
reprezint, n continuare, masca rezistent la agentul coroziv;
2 eroziunea chimic propriu-zis, cu selectivitate la rezist, a substratului de siliciu
monocristalin.
Materialele utilizate n cadrul microprelucrrii siliciului (materialul de structurare) n volum
sunt: dioxidul de siliciul, nitrura de siliciu, aurul, cromul, tantalul, molibdenul, respectiv fotoi electronoreziti pentru realizarea mtilor; nitrura de siliciu, siliciul dopat cu bor pentru
stratul de stopare a eroziunii chimice.
Procedeul permite realizarea de elemente mobile din componena microsistemelor,
membrane, poduri, console, canale, caviti, orificii, etc.
Pentru exemplificare, se consider tehnologia de execuie a unei membrane de siliciu din
alctuirea unui senzor de presiune.

Etapele de prelucrare sunt urmtoarele:

1 Saturare suprafeei substratului cu atomi de bor pn cnd se atinge concentraia dorit


(1020 cm-3), rezult un strat de stopare a eroziunii chimice;
2 Depunerea celui de-al doilea strat de siliciu, peste stratul de stopare;
3 Oxidarea ambelor fee ale piesei de prelucrat;
4 Structurarea stratului de SiO2 (dioxid de siliciu) obinut prin fotolitogafie (sau alt procedeu
litografic);
5 - Aplicarea eroziunii chimice selective pe ambele fee; n urma procesului, stratul dopat cu
atomi de bor rmne pentru a forma membrana dorit.
Utiliznd aceeai tehnic se pot obine microstructuri de tip consol, poduri, elemente
suspendate de tipul microcontactelor, pensete electrostatice, arcuri spirale sau lamelare, etc.

Microprelucrarea pe suprafa
Dac prelucrarea n volum a siliciului se aplic cu preponderen n cazul siliciului
monocristalin, microprelucrarea pe suprafa utilizeaz ca i substrat siliciul policristalin.
Tehnica, utilizat pentru prima dat la jumtatea deceniului ase al secolului trecut implic
structurarea planar a suprafeei substratului i const n depunerea succesiv a mai multor
straturi de materiale diferite, urmat de structurarea i eroziunea chimic a acestora.
Rezultatul procesului se materializeaz n obinerea unor structuri planare complexe, cu
grosime de ordinul micronilor. De asemenea, metoda permite obinerea structurilor plane
libere, neancorate (de tipul consolelor, membranelor), formate direct la suprafaa substratului
de siliciu.
Datorit tehnologiei specifice, microprelucrarea pe suprafa a siliciului este cunoscut i
sub denumirea de tehnica straturilor de sacrificiu.

Microprelucrarea pe suprafata