2.

DIODA
n acest capitol va fi prezentat, pe scurt, componenta activ numit dioda. Se ncepe cu
prezentarea materialele semiconductoare folosite i cu structura fundamental care este
jonciunea p-n.

2.1. Materialele semiconductoare i jonciunea p-n

2.1.1 Structura materialelor semiconductoare
Materialele semiconductoare au conductivitatea electric intermediar ntre materialele
izolante si materialele bune conductoare. Sunt utilizate pentru construcia dispozitivelor
semiconductoare, iar cel mai folosit este siliciul. Un atom de siliciu are 4 electroni pe ultimul
nveli i siliciul n stare pur (numit i material intrinsec), din motive de stabilitate, este
structurat n aa fel nct un atom este legat de nc 4 atomi vecini cu fiecare cumulnd cte doi
electroni, unul propriu, altul vecin, ajungnd la un total de 8 (figura 2.1., reprezentnd doar
nucleul i ultimul nveli). ntreaga structur este neutr electric, motiv pentru care s-a figurat i
sarcina pozitiva corespondent din nucleu.

Fig.2.1 Structura siliciului pur.

Fig. 2.2. Generarea perechilor electron liber-gol

Siliciul este stabil i ntre particule sunt legturi puternice. Cu toate acestea, o dat cu
creterea temperaturii sau n urma iradierii, unii electroni se desprind din legturi, devenind
electroni liberi.
Concomitent (figura 2.2.) zona prsit rmne ncrcat pozitiv, se poate deplasa (din
aproape n aproape) i se numete gol. Electronii liberi i golurile (generate n perechi) pot da
natere curenilor electrici. Similar cu procesul de generare, exist i un proces invers, numit
recombinare. Numrul purttorilor rmne ns mic, materialul intrinsec fiind mai apropiat de
materialele izolante.

2.1.2 Materiale semiconductoare p i n

Numrul purttorilor liberi poate fi mrit n mod artificial printr-un proces de impurificare
realizat n dou variante. n prima variant se introduc n structura siliciului un numr de atomi ai
unui element din grupa a 5-a (arsen, stibiu), cu 5 electroni pe ultimul nveli. Acest atom se
fixeaz n structura siliciului, la fel ca atomul de siliciu, cu 4 dintre electronii de pe ultimul
nveli, cel de-al 5-lea devenind electron liber (fig. 2.3.). Zona prsit de acesta rmne ncrcat
pozitiv dar nu mai este mobil. Prin impurificarea de acest tip se obine materialul semiconductor
tip n, care se poate reprezenta electric (fig. 2.4.a) printr-o structura de sarcini pozitive fixe,

dublat de un numr egal de electroni liberi. Acetia sunt numii i purttori majoritari deoarece
concomitent exist i un numr, mult mai mic, de goluri rezultate din procesul de generare
termic, numii purttori minoritari.

Fig. 2.3. Material semiconductor n.

Analog, prin impurificare cu atomi ai unui element din grupa a 3-a (aluminiu, indiu), se
obine materialul semiconductor tip p, care se poate reprezenta electric (fig. 2.4.b) printr-o
structura de sarcini negative fixe, dublat de un numr egal de goluri. Materialele
semiconductoare tip n i p se numesc i materiale extrinseci.

a) Material tip n.
b) Material tip p.
Fig. 2.4. Reprezentarea simplificat a materialelor semiconductoare.

2.1.3 Cureni n materiale semiconductoare

Existena purttorilor liberi, majoritari i minoritari, permite, n anumite condiii,
deplasarea acestora, adic apariia curenilor electrici. Dup mecanismul generator exist cureni
de cmp i cureni de difuzie.
Curentul de cmp apare cnd materialul este supus unui cmp electric i are densitatea
. Curentul de difuzie apare atunci cnd densitatea purttorilor este neomogen i are loc
fenomenul de difuzie, adic deplasarea purttorilor din zonele cu densitate mai mare spre zonele
cu densitate mai mic pn cnd distribuia purttorilor devine omogen. n figura 2.5. este
ilustrat fenomenul de difuzie prezentnd o seciune a unui material semiconductor n dou
momente de timp. Iniial exist o distribuie neomogen a purttorilor, apare un curent de difuzie
iar n final distribuia este omogen i curentul se anuleaz. Dac exist un mecanism de generare
continu a purttorilor ntr-o zon anumit, cum e de exemplu generarea prin iluminare, se poate
asigura un curent permanent aa cum este cazul fotocelulelor.

Fig.2.5. Fenomenul de difuzie.

2.1.4 Jonciunea p-n

Tehnologii speciale permit alturarea intim a celor dou tipuri de materiale
semiconductoare p i n, desprite de o zon ngust de trecere i formnd o structur denumit
jonciunea p-n (fig. 2.6.). Jonciunea p-n are proprieti speciale i st la baza majoritii
dispozitivelor semiconductoare i implicit a electronicii moderne.

Fig.2.6. Jonciunea p-n.

n momentul iniial distribuia de purttori liberi este accentuat neuniform, cu multe
goluri n zona p i muli electroni liberi n zona n. Tendina natural a purttorilor liberi, fie ei
electroni liberi sau goluri, corespunztoare fenomenului de difuzie, este s se deplaseze din
zonele unde sunt n exces spre zonele srace. Golurile se vor deplasa din zona p spre zona n iar
electronii liberi n sens contrar. De fapt ncepe un proces de recombinare i perechi de purttori
dispar ncepnd de la suprafaa de separaie. Se creeaz o zon fr purttori liberi, marcat pe
figur i denumit zon de sarcin spaial, fiind format din dou straturi ncrcate cu sarcin de
semn contrar. Se creeaz concomitent un cmp electric intern cu sensul din figur, cmp ce se
opune difuziei i recombinrii n continuare i se atinge o stare de echilibru.

2.1.5 Jonciunea p-n cu tensiune exterioar (polarizat)

O tensiune continu pate fi aplicat jonciunii p-n prin intermediul a doi electrozi
conectai la capete. Aciunea este denumit curent polarizare i exist dou situaii distincte,
polarizare invers (fig. 2.7.) cnd plusul este la zona p i polarizare direct, cu plusul la zona n.

Fig. 2.7. Jonciunea p-n.

Cnd jonciunea este polarizat invers, sursa de tensiune creeaz n jonciune un cmp
electric extern care are acelai sens cu cel intern. Cmpul total este suma lor i duce la lrgirea
zonei de sarcin spaial, zon fr purttori liberi, cu rezistivitate mare. Nu exist circulaie de
purttori majoritari i curentul este practic zero. n realitate exist o circulaie de purttori
minoritari i n consecin un curent, foarte mic, denumit i curent invers. Atunci cnd este
polarizat direct, sursa de tensiune creeaz n jonciune un cmp electric extern care are sens
contrar celui intern, favorizeaz deplasarea purttorilor majoritari i conduce la apariia unui
curent direct important.

2.2. Dioda semiconductoare

2.2.1. Prezentare general.
Dioda semiconductoare este cel mai simplu dispozitiv semiconductor. Dioda
semiconductoare este un dispozitiv cu dou terminale, furnizat de ctre productori sub diverse
forme, una din cele mai uzuale fiind prezentat n Figura 1.
Cele dou terminale ale diodei au denumiri diferite i anume anod, respectiv catod.
Pentru a utiliza corect dioda n circuit, catodul este indicat pe capsula diodei prin intermediul
unui inel desenat, ca n Fig.2.8.
Proprietatea principala a unei diode este aceea ca permite circulaia curentului intr-un
singur sens, fiind un dispozitiv unidirectional

Fig.2.8. Dioda semiconductoare.

n circuitele electronice, dioda semiconductoare este simbolizat ca n Fig.2.9.

Fig.2.9. Simbolul electronic al diodei semiconductoare.

La nivelul diodei apar 2 mrimi electrice: curentul prin diod, notat iA, care prin convenie
are sensul de la anod spre catod, respectiv tensiunea pe diod, notat vA, care prin convenie are
referina de la anod spre catod (Fig.2.10).

Fig.2.10. Mrimile electrice ale diodei semiconductoare.

2.2.2. Funcionarea diodei

Funcionarea diodei este descris prin intermediul unui grafic denumit caracteristic de
funcionare (Fig.2.11). Aceasta furnizeaz informaii despre modul n care curentul prin diod
variaz n funcie de tensiunea care apare ntre terminalele acesteia.

Fig.2.11. Caracteristica de funcionare a diodei semiconductoare.

n cazul n care tensiunea pe diod este pozitiv, se spune c aceasta funcioneaz n
conducie direct, iar n cazul n care tensiunea pe diod este negativ, se spune c aceasta
funcioneaz n conducie invers.
n conducie direct: se observ o tensiune de prag (notat V D); dac valoarea tensiunii pe
diod este sub prag, prin diod nu trece curent electric; dac valoarea tensiunii pe diod atinge
pragul, atunci prin diod trece curent electric acesta crete exponenial n funcie de tensiunea
pe diod se remarc faptul c tensiunea rmne la o valoare apropiat de valoarea VD. Valoarea
tensiunii de prag este cuprins ntre 0,5V0,7V. Curentul prin diod nu trebuie s depeasc o
anumit valoare maxim, notat n cataloagele de diode I F, impus de puterea maxim pe care o
poate disipa dioda fr a se distruge termic. Limitarea curentului prin diod la o valoare mai mic
dect valoarea IF se realizeaz n circuitul n care este utilizat dioda, de obicei, prin intermediul
unui rezistor.
n conducie invers: se observ o tensiune specific denumit tensiune de strpungere,
(notat VBR) a crui valoare este de ordinul zecilor-sutelor de voli; dac valoarea n modul a
tensiunii pe diod este mai mic dect valoarea VBR, curentul electric nu trece prin diod; dac
valoarea tensiunii pe diod atinge valoarea VBR, atunci prin diod curentul electric crete
necontrolat acest fenomen se numete strpungerea diodei; n acest caz, se spune c dioda
funcioneaz n regiunea de strpungere. Din acest motiv, n circuitul n care este montat, este
necesar s se limiteze tensiunea negativ pe diod la valoare mai mic n modul dect valoare
VBR.
Din punct de vedere analitic, funcionarea diodei semiconductoare este descris de
ecuaia de funcionare a diodei semiconductoare. Aceasta furnizeaz relaia matematic dintre
curentul prin diod i tensiunea de la terminalele sale i este reprezentat de relaia:

v
i A I S exp A 1
VT

unde: IS reprezint curentul de saturaie al diodei, care este aproximativ egal cu curentul ce trece
prin diod n conducie invers (10-1610-14A);
VT reprezint tensiunea termic, care este direct proporional cu temperatura de lucru;
vA i iA sunt tensiunea, respectiv curentul total.
Din expresia de mai sus se poate observa c funcionarea diodei depinde de temperatura la
care lucreaz. La creterea temperaturii de lucru, curentul prin diod crete (n special curentul
invers prin diod).
Tot din relaia de mai sus se observ c dioda este un element de circuit neliniar i prin
urmare circuitul care o conine devine un circuit neliniar.

2.2.3 Influena temperaturii

Temperatura influeneaz mult funcionarea diodelor, ca de altfel a tuturor dispozitivelor
semiconductoare. Temperatura de 200C este o valoare limit maxim pentru dispozitivele
semiconductoare pe Si.
Temperatura diodelor se modific att ca urmare a variaiei temperaturii mediului ct i ca
urmare a pierderilor prin efect Joule. Acestea din urm cresc odat cu creterea valorii curentului
sau a frecvenei de funcionare.
Cnd puterile de pierderi sunt mari diodele sunt meninute sub limita temperaturii maxim
admisibile prin montarea lor pe radiatoare cu suprafa radiant mare care permite disiparea n
mediul exterior a cldurii rezultate prin efect Joule. n numeroase situaii se utilizeaz
suplimentar rcirea forat a radiatoarelor, fie cu ventilatoare, fie cu circuit de rcire cu lichid.
Creterea temperaturii are un dublu efect asupra diodelor, care este prezentat n figura
2.12. n primul rnd se mrete curentul invers. Acesta se dubleaz la fiecare cretere de
aproximativ 10 grade a temperaturii. Al doilea efect este micorarea tensiunii pe dioda n
conducie. Micorarea este de aproximativ 0,002 V/C i este uneori utilizat pentru msurarea
temperaturii, dioda fiind folosit drept senzor de temperatur.

Fig.2.12. Influena temperaturii asupra diodelor.

2.2.4 Modelarea diodei.

Pentru calculul circuitelor cu diode se poate utiliza relaia analitic de mai sus sau se
poate utiliza metoda grafic, folosind caracteristica grafic curent-tensiune a diodei. Metodele de
mai sus sunt rar utilizate, fiind complicate sau chiar inoperante n cazul circuitelor cu mai multe
elemente. Din acest motiv cea mai utilizat metod este liniarizarea diodei, adic nlocuirea

acesteia cu o schem echivalent format cu elemente liniare. n funcie de precizia dorit a

calculelor, dioda poate fi echivalat cu o schem mai simpl sau mai complicat.
Dup nlocuirea diodei cu schema echivalent, calculul urmeaz cursul obinuit pentru
circuitele liniare.
Sunt utilizate trei nivele de aproximare liniar a diodelor. n fig.2.13 sunt prezentate att
modelele ct i caracteristica grafic a acestora.
Cel mai simplu i mai folosit model este un comutator, K (2.13.a). Acesta este deschis,
cnd se aplic o tensiune invers i este nchis, cnd se aplic o tensiune direct mai mare dect
zero. Un al doilea model ine cont de tensiunea de deschidere a diodei, U D0,7V (2.13.b).
Modelul cel mai precis (2.13.c) ine cont i de rezistena diodei n zona de conducie, R d, iar panta
caracteristicii grafice este mai mic de 90 grade.

a)

b)
Fig.2.13. Modele liniare pentru diode.

c)

Modelele prezentate pn acum sunt utilizate atunci cnd diodele sunt n regim de curent
continuu sau n regim de curent alternativ de frecven mic, de exemplu la 50 Hz, frecvena
reelei. Cnd diodele sunt utilizate n regim de curent alternativ cu amplitudine mic i frecven
mai mare, se folosete un model al diodei, denumit model dinamic de semnal mic, care ine cont
de capacitatea electric a jonciunii p-n, dioda fiind echivalat cu rezistena dinamic (diferit
pentru zona de conducie sau de blocare) n paralel cu capacitatea total a jonciunii (Fig.2.14).

Fig. 2.14. Model de semnal mic.

2.2.5 Dioda n regim de comutaie

Un dispozitiv electronic este n regim de comutaie atunci cnd tensiunile la borne i
implicit curenii se modific cu vitez foarte mare. ntr-un astfel de regim au importan timpii de
tranziie sau de comutaie i nu pot fi utilizate schemele echivalente simplificate prezentate
anterior.
Comutaia direct este atunci cnd dispozitivul trece din starea de blocare n starea de
conducie.
Comutaia invers este atunci cnd dispozitivul trece din starea de conducie n starea
deblocare.
La comutaia direct curentul prin diod nu creste instantaneu (tensiunea U de comand
fiind presupus ideal, cu timp de comutaie zero), ci ntr-un timp numit timp de comutaie
direct, td sau ton. Similar evolueaz tensiunea la bornele diodei.
La comutaia invers curentul prin diod ajunge aproape de valoarea zero dup un interval
de timp numit timp de comutaie invers, ti sau toff. Fenomenul de comutaie invers cuprinde i

un interval de timp, numit timp de revenire, n care exist un curent invers prin diod. Simultan
tensiunea invers la bornele diodei are o supracretere accentuat, uiM, care depinde de panta
iniial di/dt cu care revine curentul invers la zero. Dac panta de revenire a curentului este mare
atunci avem comutaie hard, cu supratensiuni foarte mari, dac panta de revenire a curentului este
mic atunci avem comutaie soft, cu supratensiuni mai mici. Aceste supratensiuni pot distruge
dioda. Pentru limitarea acestora sunt utilizate elemente de protecie, cel mai des un grup
rezistent-condensator (grup RC) conectat la bornele diodei (Fig.2.15).

Fig. 2.15 Protecia diodei la supratensiuni.

Diodele sunt diode lente dac timpii de comutaie sunt de ordinul microsecunde i sunt
diode rapide dac aceti timpi sunt de ordinul nanosecunde.

2.2.6. Polarizarea diodelor.

Aa cum s-a prezentat anterior, o diod poate funciona n 2 regimuri diferite i anume n
conducie direct, respectiv invers. Prin noiunea de polarizare a unei diode se nelege stabilirea
tipului de conducie n curent continuu. Astfel, dac dioda funcioneaz n curent continuu n
conducie direct, se spune c aceasta este polarizat direct. Analog, dac dioda funcioneaz n
curent continuu n conducie invers, se spune c aceasta este polarizat invers.
Funcionarea n curent continuu a unei diode este complet caracterizat de ctre valoarea
curentului continuu care trece prin acesta i de tensiunea continu ntre terminalele diodei.
Perechea de mrimi electrice compus din curentul continuu prin diod i de tensiunea continu
pe diod se numete Punct Static de Funcionare, prescurtat PSF.
Punctul Static de Funcionare furnizeaz ntotdeauna informaii despre regimul n care
funcioneaz dioda. Aceast observaie este valabil i pentru celelalte tipuri de dispozitive
semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizat prin intermediul unui circuit special, numit circuit de
polarizare. Circuitul de polarizare conine ntotdeauna o surs de alimentare (o surs de tensiune
continu sau o surs de curent continuu), care se mai numete i surs de polarizare i o rezisten
de polarizare care are rolul de a limita curentul prin diod astfel nct aceasta s nu se distrug.

2.2.7. Tipuri de diode.

Exist variante diverse de diode care se deosebesc prin particulariti funcionale i
destinaie. Principalele categorii sunt prezentate n continuare.
Diode redresoare
Sunt diode destinate utilizrii n circuite redresoare pentru reeaua de c.a. Parametrii
principali sunt curentul maxim, IM i tensiunea invers maxim, UM. Plaja de valori ale acestor
parametrii este:
- amperi-zeci de mii de amperi, pentru IM;
- zeci voli - zeci de mii de voli pentru UM.

Diodele de cureni mari sunt construite n aa mod nct s le poat fi ataate radiatoare de
rcire. Diodele de cureni mici sunt nchise n capsule de plastic sau ceramic i au catodul
marcat cu o band alb sau neagr.
Diode de comutaie
Sunt diode destinate utilizrii n circuite funcionnd n comutaie sau la frecvene
ridicate. Parametrii principali sunt timpii de comutaie.
Diode Schottky
Sunt diode realizate ntr-o tehnologie special, de tip metal-semiconductor i au simbolul
prezentat n Fig.2.16.a. Avantajele acestor diode sunt:
- tensiune mic n conducie, aproximativ 0,3 V;
- timpi de comutaie foarte mici.
Dezavantajul principal: - tensiune invers maxim mic (zeci de voli).
Dioda varicap
Denumirea diodei vine de la expresia capacitate variabil. Simbolul este prezentat n
Fig.2.16.b. Dioda este utilizat n polarizare invers i proprietatea principal este c se comport
n aceast situaie ca un condensator cu capacitate variabil, dependent de tensiunea la borne.
Toate diodele au aceast proprietate dar diodele varicap sunt construite astfel nct dependena
capacitate-tensiune s aib un profil optim. Zona de variaie este n intervalul 1...100 picofarazi.
Domeniul principal de utilizare sunt radiocomunicaiile, mai precis acordul circuitelor oscilante
din emitoare i receptoare.
a)
b)
Fig.2.16. a) Dioda Schottky. b) Dioda varicap.
Dioda Zener
Este o diod construit pentru a fi utilizat n zona de strpungere invers. Simbolurile
utilizate pentru dioda Zener i caracteristica grafic sunt prezentate n Fig.2.18. n polarizare
direct este similar diodelor redresoare. n polarizare invers dioda se strpunge la o tensiune
numit tensiune Zener, UZ, constant pentru o anumit diod. n zona de strpungere curentul
crete pn la o valoare maxim admisibil, iM dar tensiunea rmne aproape constant. Rezistena
dinamic rZ n zona de strpungere este foarte mic.. Proprietatea de a menine contant tensiunea
pe o plaj mare de cureni face ca dioda s fie utilizat ndeosebi n circuitele stabilizatoare de
tensiune.

Fig.2.17. Dioda Zener

LED Diod electroluminiscent
La fel ca i dioda, LED-ul permite trecerea curentului doar n conducie direct, iar
trecerea curentului electric prin LED este semnalizat prin aprinderea acestuia.

a)
b)
Fig.2.18. a) LED-ul sau dioda electroluminiscent; b) Simbolul electronic al LED-ului
LED-ul este furnizat de ctre productori sub diverse forme, prezentate n Fig.2.18. n
circuitele electronice, simbolul LED-ului este simbolizat ca n Fig.2.18.b. Spre deosebire de
dioda semiconductoare, LED-ul are o tensiune de prag VLED de aproximativ 1,6V.