Teorema superpoziiei exemplu de calcul

S se determine curenii prin circuitul din figura 1.4.a.

i 1 R1
u0

i 1a
iS

i2
R2

a)

R1

i 1b R1
i2a

u0

Intrerupere

R2

i2b

iS

Scurtcircuit

R2

c)

b)

Fig. 1.4. Exemplu de aplicare a teoremei superpoziiei: a) Circuitul complet; b) Circuitul cu sursa de curent
pasivizat; c) Circuitul cu sursa de tensiune pasivizat.

Pentru rezolvarea circuitului se calculeaz rspunsul fiecrei surse considerate separat,

presupunnd cealalt surs pasivizat (anulat) i apoi se nsumeaz efectele.
a) Se anuleaz sursa de curent; sursa de curent se nlocuiete cu o ntrerupere de circuit (se
pasivizeaz) i circuitul se simplific conform figurii 1.4.b. Cele dou rezistene nseriate sunt
u0
i1a = i2a =
parcurse de acelai curent:
.
R1 + R2
b) Pentru cazul cu sursa de tensiune anulat, circuitul rezultat este cel din figura 1.4.c, adic
un divizor de curent. Conform regulii divizorului de curent aplicat succesiv celor dou ramuri
R2
R1
de circuit rezult:
i1b =
i S , i2b =
iS .
R1 + R2
R1 + R2
n final prin suprapunerea efectelor se obin valorile totale ale curenilor prin rezistene:
i1 = i1a + i1b =

u 0 i S R2
,
R1 + R2

i 2 = i2a + i 2 b =

u 0 + i S R1
.
R1 + R2

Verificarea rezultatelor obinute prin aplicarea direct a teoremelor lui Kirchhoff se propune
ca tem; se vor obine aceleai rezultate cu un efort de calcul mai mare (prin rezolvarea unui
sistem de dou ecuaii cu dou necunoscute).
Problem de analiz redresor cu filtru capacitiv
Dac tensiunea de intrare este: ui =30 sin100 t (V)
i componentele redresorului din figur se presupun ideale:

ui

a) s se determine tensiunea pulsatorie i

tensiunea medie de ieire precum i factorul de ondulaie;

iO

C
220 F

uO

300

b) s se redimensioneze cond. de filtrare pentru a obine un factor de ondulaie de 1%.

Rezolvare: Frecvena tensiunii ui este de 50Hz i perioada T=20 ms.
Punctul a) presupune aplicarea direct a relaiilor (2.32) i (2.33). Astfel tensiunea
ondulatorie vrf la vrf i efectiv este:
U r _ vv U vf

U r _ vv
T
20m
= 30
= 30 0,15 = 4,5 V , U r =
= 1,3 V,
2 RC
2 300 220
2 3
1

iar tensiunea de ieire i factorul de ondulaie sunt:

T

0,15
UO = U vf 1
= 30 1
= 27,7V ,
2
4RC

Ur
1. 3
=
= 0,047 = 4,7% .
UO 27.7

Punctul b) este n fapt o problem de proiectare. Capacitatea care conduce la un

anumit factor de ondulaie se calculeaz din formula (2.33) prin explicitarea lui C din formul.
Se va utiliza indicele b pentru valorile specifice punctului b.

Cb =

T
1
1+
4R
3 b

1
= 20m 1 +
= 16,7 58,7 = 979F 1000 F .
4 300
3
0
,
01

O metod mai expeditiv, cu un grad de aproximaie rezonabil, se bazeaz pe

proporionalitatea (aproximativ) dintre capacitile de filtrare i inversele factorilor de
ondulaie:

Cb = C

4,7
= 220
1000 F .
b
1

Verificarea metodei:

Rezultatele obinute prin simularea circuitului

(din figura alturat) difer destul de mult de
cele calculate. Astfel la punctul a) valoarea vrf
la vrf a tensiunii ondulatorii este de 3,6V fa
de 4,5V ct a rezultat din calcul. n procente
aceast diferen este:
U r _ vv (calc) U r _ vv (sim)
U r _ vv (sim)

100 =

0,9
= +25%
3,6

Motivul pentru aceast diferen este c la deducerea relaiilor (utilizate n problem)

s-a neglijat durata de conducie a diodelor i s-a presupus c timpul de descrcare al
condensatorului (ntre dou ncrcri succesive) este jumtate din perioada semnalului de
intrare, T/2 =10ms. Pentru a demonstra c acesta este motivul erorii, se va corecta calculul
innd seama de durata de conducie a diodelor, care este de circa 1,6ms (conform
simulrii). Durata descrcrii condensatorului ntr-o semiperioad este de 8,4ms (restul
semiperioadei); tensiunea de ondulaie vrf la vrf corectat este:
U r _ vv (cor) = U r _ vv (calc)

tC ( sim)
T 2

= 4,5

8,4m
= 3,8 V = U r _ vv(sim) + 5%
10m

Concluzia care se impune este c rezultatele obinute conform metodei de calcul

prezentate pot avea o eroare relativ mare (25% n acest caz). Rezultatele sunt ns
ntotdeauna acoperitoare, n sensul c ondulaia calculat este mai mare dect cea
realizat, deoarece la calcule se consider durata de descrcare maxim posibil. Practic,
alegerea unui condensator mai mare dect cel necesar conduce la ondulaii mai reduse
(dect cele calculate) ceea ce este mai convenabil. Un calcul mai exact nu se justific practic
datorit tolerantelor mari ale condensatoarelor de filtrare.

Problem de analiz limitator de tensiune cu diode

Pentru circuitul din figura 2.18.a se consider UD =0.6V i U 1 =3V.

a) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic tensiunea de ieire pentru o tensiune de
intrare sinusoidal: u i = 2 U i sin t = 6 sin(100 t ) V .

D2

U1

iA1

uO

a) Schema de principiu,

uI

UD R
1

R2 iR2 =0 iO =0
uA
uO
uM
U1
+

Fig. 2.18.

R1

uI

iO =0

R2

D1

b) Schema echivalent cu D1 n
conducie i D2 blocat

b) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer uO (uI ) a

circuitului;
Rezolvare:

Primul pas este analiza problemei. Circuitul este compus dintr-un redresor
monoalternan, D1-R1 i un limitator cu tensiune de prag, R2-D2-U1. Se noteaz cu uM
tensiunea median, dintre cele dou circuite. Varianta propus va analiza circuitul n
ansamblu n funcie de strile posibile ale diodelor.
O observaie util pentru nelegerea funcionrii se refer la relaiile cauz-efect din
circuit; cauza apariiei curenilor n circuit sunt sursele de tensiune. n acest caz este vorba
de sursa de tensiune care se presupune c exist implicit la intrare, chiar dac nu este
figurat ca atare. Sursa U1 este o surs pasiv datorit diodei D2; aceasta nseamn c U1
nu poate furniza curent dect atunci cnd o surs extern (uI ) deschide dioda D2. La ieirea
circuitului, notaia uO semnific denumirea care permite identificarea respectivei tensiuni (se
poate imagina un voltmetru ideal care msoar respectiva tensiune).
Deoarece circuitul conine dou diode i fiecare diod poate avea dou stri (blocat
sau n conducie) sunt posibile patru variante. Dac ambele diode sunt blocate, curentul prin
acestea este nul, iA 1=iA 2=0. Sursa U1 nu poate furniza curent prin dioda D2 blocat.
Curentul spre ieire este i el nul conform datelor iniiale ale problemei (circuitul lucreaz n
gol). Din aceste motive, ct timp D1 este blocat curentul prin R1 este nul: iR 2 = iO + iA 2 = 0,
iR 1 = iA 1 iR 2 = 0 i tensiunea median este nul: uM = R 1 . iR 1 = 0. Pe de alt parte curentul
prin R2 fiind nul i tensiunea de ieire va fi nul: uO = uM R 2 . iR 2 = 0. D1 este blocat pentru
uA 1 <UD , adic uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI <UD .
La limita intrrii n conducie a diodei D1, curentul prin diod este nc nul i cderea
de tensiune pe R1 este nul: uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI =UD . Pentru uI >UD , D1 intr n conducie,
uA 1 =UD i tensiunea median uM = uI uA 1 devine uM = uI UD . Limitatorul cu tensiune de
prag, R2-D2-U1, are tensiunea uM la intrare i uO la ieire i funcioneaz conform relaiilor
(2.38). Pragul de conducie al diodei D2 este la tensiunea uM = U1 +UD = uI UD adic
uI = U1 +2UD . Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile:

uO = u M = 0

uO = uI U D
u = U + U
D
1
O

dac
dac
dac

; ambele diode sunt blocate

uI < U D
U D uI < 2 U D + U1 ; conduce D1, D2 este blocat
; conduc ambele diode
u I 2 U D + U1

Cea de-a patra combinaie principial posibil, D1 blocat i D2 n conducie nu se

poate realiza n cazul acestui circuit; pentru D1 blocat, uM =0, situaie n care i D2 este
blocat.
Caracteristica static este descris analitic de ecuaiile:
uO = 0

uO = uI 0,6 V
u = 3,6 V
O

dac

uI < 0,6 V

dac

0,6V uI < 4,2V

dac

uI 4,2V

Reprezentarea grafic a caracteristicii de transfer a circuitului din figura 2.19.a este de

fapt o reprezentare grafic a acestui sistem de ecuaii (o funcie matematic descris pe
poriuni).
Forma analitic a tensiunii de ieire se obine nlocuind tensiunea uI , n sistemul de
ecuaii anterior, conform enunului. Unghiurile de deschidere ale diodelor i respectiv
momentele de timp la care diodele se deschid sunt:
u i 1 = 6 sin 1 = 6 sin (100 t1 ) = 0,6 1 = arcsin
u i 2 = 6 sin 2 = 6 sin (100 t 2 ) = 4,2 2 = arcsin

uO

0,1
0,6
= 0,1 rad , t1 =
= 0,32 ms
6
100
0,78
4,2
0,78 rad , t 2
= 2,5 ms
6
100

(V)

(V)
4,2

3,6

uO

uI

45o

0 0,6

4,2

(V)

0,6

2,5

10

6V

20

0,32

6V

(ms
)

ui

Fig. 2.19. a) Caracteristica de transfer,

b) Reprezentarea grafic a tensiunii de ieire

Formele de und ale tensiunilor sunt reprezentate n figura 2.19.b. Tensiunea de ieire
poate fi obinut prin translatarea tensiunii de intrare cu 0,6V n jos i tierea valorilor
negative i a celor care depesc 3,6V. Tensiunea rezultat are o form aproximativ
trapezoidal.

Exemplu de proiectare stabilizator de tensiune cu dioda Zener

iR

iO
iZ

uI

a)

uZ

uO

uI
RL

b)

iR

iO
iZ

UZ

uO

IZm< iZ < IZM

Fig. 2.34. Stabilizatorul parametric; schema de principiu i schema echivalent simplificat.

a) S se determine parametrii (UZ 0 i rZ ) unei diode stabilizatoare pentru care s-au msurat:
UZ1 = 6,3V la IZ1 = 50mA i UZ2 = 6,4V la IZ2 =100mA.
b) Utiliznd aceast diod s se proiecteze un stabilizator parametric care s funcioneze
corect pentru uI =1215V i iO = 2080mA. Se admite IZm = 5mA, PD adm = 1W i rZ 0.
c) S se determine limitele extreme ale tensiunii de ieire. Se consider rZ de la punctul a.
Rezolvare: a) Schema echivalent a diodei zener din figura 2.33.c conduce la relaia
(2.72). Pentru a calcula parametrii diodei, UZ 0 i rZ , (considerai ca fiind constante), se scrie
relaia (2.72) de dou ori succesiv pentru cele dou puncte (de pe caracteristica diodei) din
enun:
U Z1 = U Z 0 + r Z I Z1

U Z 2 = U Z 0 + r Z I Z 2

Cele dou ecuaii sunt un sistem de ecuaii cu necunoscutele UZ 0 i rZ . Rezult:

rZ =

U Z 2 U Z1 6,4 6,3
=
= 2 ,
I Z 2 I Z1
0,1 0,05

U Z 0 = U Z1 rZ I Z1 = 6,2V .

b) Prin proiectarea stabilizatorului se nelege determinarea componentelor

stabilizatorului parametric cu schema din figura 2.34.a, adic aflarea valorii i a puterii
disipate de rezistorul R. Deoarece se neglijeaz rZ , calculele se pot face pe schema
echivalent din figura 2.34.b.
Pentru ca stabilizatorul s funcioneze corect, curentul prin diod trebuie s fie mai
mare dect curentul minim pentru orice valoare a tensiunii de intrare i a curentului de ieire:
u UZ0
i Z = i R iO = I
i O I Zm .
R
Cele mai defavorabile condiii n ecuaia precedenta apar pentru o valoare minim n
stnga inegalitii, adic pentru tensiunea de intrare minim i curentul de ieire maxim, UIm
i IOM :
UI m U Z 0
IOM I Zm
R

UI m U Z 0
12 6,2
=
68 .
(80 + 5 )m
I O M + I Zm

Puterea disipat de rezisten este maxim pentru o tensiune de intrare maxim:

PdRM =

(U IM

U Z 0 )2 (15 6,2 )2
=
= 1,14 W .
R
68

Se poate alege un rezistor de 68/2W. n final se verific dac puterea maxim disipat n
dioda zener este mai mic dect puterea maxim admisibil:
UI M U Z 0

15 6,2
PdZM = U Z
IOm = 6,2
0,02 = 0,68 W < 1W = PDadm .
R

68

c) Pentru a determina limitele tensiunii de ieire trebuie s se ia n considerare i rZ

prin utilizarea schemei echivalente din figura 2.33.c n locul diodei. n circuitul echivalent
rezultat astfel, figura 2.34, se calculeaz tensiunea de ieire i apoi se consider cazurile
extreme:
12

15

u
U Z 0 + rZ I iO 6,2 + 2 0,08 L 0,02

68
68
=
R
= 6,21K 6,413 V .
uO =
1 + rZ R
1 + 2 68

iR

iO
iZ
rZ
+

uI

UZ0

uO

Fig. 2.34. Stabilizatorul parametric: schema

echivalent utilizat pentru determinarea
variaiilor tensiunii de ieire.

Calculul simplificat se poate face conform urmtoarei metode: se calculeaz curentul

prin dioda zener fr a considera rezistena diferenial a diodei (aproximaie posibil
deoarece rZ << R i iZ < iR ) i apoi se determin tensiunea de ieire considernd i rezistena
rZ n circuit:
u UZ0

uO = U Z 0 + rZ i Z U Z 0 + rZ I
iO .
R

n acest caz limitele extreme ale tensiunii de ieire vor fi:

12 6,8
15 6,8

0,08 L
0,02 = 6,211K 6,419 V .
uO 6,2 + 2
68

68
Se poate constata o diferen nesemnificativ ntre rezultatele celor dou metode de
calcul; calculul aproximativ este preferabil n practic deoarece este mai simplu.
Inversorul cu tranzistor bipolar exemplu

uI

uBE

uI

UBE

iB

a)
b)
Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu,
b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.

RC

iC
+

UCC

uO

RB iB

iB

uO

RB

i C RC

UCC

S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer a inversorului din

figura 3.7.a pentru: RC =1k , RB =10k , uI =05V i UCC =5V. Se consider modelul din fig.
3.4.b cu UB E (=UD ) =0,7V, =100 i UCEsat =0,2V.
Rezolvare: n blocare: i B 0, u BE = u I R B i B u I . Tranzistorul este blocat dac dioda
baz-emitor este blocat: uB E <UD adic uI <UD . Dac tranzistorul este blocat, iC 0 i rezult:
u O = U CC RC iC U CC = 5V , pentru u I < 0,7 V .
Pentru uI >0,7V dioda baz-emitor este n conducie i tranzistorul poate fi n RAN sau n
saturaie. Dac uO >0,2V, tranzistorul este n RAN i caracteristica de transfer este:
u O = 5 1k 100

u I 0,7
= 12 10 u I [V] , pt. 12 10 u I > 0,2 u I < 1,18V .
10k

n saturaie, conform: uO =0,2V pentru uI >1,18V relaia.

Caracteristica de transfer a circuitului pentru ntreg domeniul de variaie a tensiunii de
intrare este reprezentat grafic n figura 3.8. Pentru comparaie, s-a reprezentat cu linie ntrerupt
caracteristica obinut prin simulare.
Caracteristica de transfer este descris analitic de funcia liniarizat pe poriuni:
pentru u I < 0,7 V
uO = 5 V

u O = 12 10 u I V pt. 0,7 u I < 1,18 V

u = 0,2 V
pentru u I 1,18 V
O

Blocare

RAN

0,2
0

Saturaie

uO [V]

Fig. 3.8. Caracteristica de transfer a inversorului

cu tranzistor ; cu linie ntrerupt este schiat
caracteristica de transfer obinut prin simulare.

uI [V]
0,7 1 1,18

Problem de proiectare
a) S se dimensioneze circuitul inversor din figura 3.9,
RC

astfel nct s realizeze:

-

uO UCC pentru uI =01V,

R1

uO =UCEsat 0 pentru uI = 25V.

Parametrii tranzistorului se consider

UD 0 =0,5V, UB E =0,7V i =100.
b) S se determine tensiunea de intrare
de la care tranzistorul intr n saturaie dac =300.

1k

uI

+UCC
+5V

iC
iB

uO

R2 uBE

Fig. 3.9. Inversor logic cu tranzistor

Rezolvare:
a) Dimensionarea circuitului se reduce la aflarea valorilor rezistenelor R 1 i R 2 . Pentru
tranzistorul blocat, divizorul de tensiune lucreaz n gol (iB 0) i deci:
u BE = u I

R2
sau
R1 + R2

uI
R
= 1+ 1 .
u BE
R2

La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE =UD 0 =0,5V i trebuie ca uI =1V
(conform enunului). Din relaia precedent rezult:
R1
u
1
= I 1 =
1 = 1
0,5
R2 u BE

R1 = R2 .

La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul de baz este:

iB

U CC
5
=
= 0,05 mA .
RC 100 1k

i R1 = i R 2 + i B =

Curentul necesar prin R 1:

se poate determina i din legea lui Ohm:

iR1 =

U BE
u U BE
,
+ iB = I
R2
R2

R2 =

U BE
+ i B , obinut din T1K,
R2

u I U BE
. Pentru R 1 =R 2 , rezult:
R1
uI 2U BE 2 2 0,7
=
= 12k
0,05m
iB

b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:
iB

U CC
5
=
= 0,0167 mA ,
RC 300 1k

iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate calcula din:
u I U BE U BE
=
+ iB
R1
R2

u I = R1i B + 2U BE = 12k 0,0167 m + 2 0,7 = 1,6V .

n concluzie circuitul analizat poate fi utilizat ca inversor logic. Intervalele de tensiuni

corespunztoare nivelelor logice la intrare sunt:

pentru 0 logic : uI =01V depinde de tensiunea de deschidere a tranzistorului UD 0 i

de raportul rezistenelor de la intrare (nu depinde de );

pentru 1 logic : uI = 25V pentru =100 i uI = 1,65V pentru =300 depinde de

factorul de amplificare n curent al tranzistorului. Pentru ca circuitul s funcioneze cu orice
tranzistor care are 100, se va considera intervalul de tensiuni care asigur saturarea
tranzistorului pentru minim, deci uI = 25V, saturarea tranzistoarelor care au mai mare
fiind asigurat implicit.

Circuit de comand al unui releu cu tranzistor bipolar exemplu de proiectare

+UCC

S se calculeze R 1 pentru ca releul s cupleze

la acea iluminare pentru care fotorezistena are
RFR = 5k, dac UCC =12V, UBE =0,7V, =100.
Rezistena releului este RRel = 1k iar tensiunea de
prag (la care cupleaz releul) este UP =6V.

Rel.
D

R1
iB

iC

FR uBE

La ce valoare a FR va cupla releul dac =200?

Fig. 3.11. Releu optic

Rezolvare:

Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu. Curentul prin

releu este curentul de colector al tranzistorului. Curenii prin tranzistor sunt:
i
U
6m
6
= 6mA , i B = C =
= 0,06mA .
iC = P =
100
RRel 1k
Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin
fotorezisten i rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea succesiv a
legii lui Ohm:

iFR =

U BE
U U BE 11,3
= 0,14mA , iR1 = iB + iFR = 0,2mA , R1 = CC
=
56k
RFR
0,2m
iR1

Dac

factorul de amplificare crete, curentul necesar n baz scade, curentul prin R 1 nu se

modific i deci cuplarea releului se va produce pentru o alt valoare a fotorezistenei:
i FR1 = i R1

iC

= 0,2m

6m
= 0,17 mA ,
200

RFR1 =

U BE
0,7
=
= 4,12k .
i FR1 0,17 m

Observaie: Pentru aplicaia propus modificarea fotorezistenei de la 5k la circa

4k este acceptabil; declanarea releului optic se va produce la un nivel de iluminare
ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al tranzistorului este mai mare.

Exemplu de proiectare stabilizator de tensiune cu tranzistor

a) S se determine rezistorul R astfel nct stabilizatorul de tensiune din figura 3.14.a s

funcioneze corect i ncrcarea diodei zener s fie minim dac uI =1215V i iO = 00,5A.
Pentru dioda zener (de tip DZ6V8) se consider UZ = 6,8V, IZm = 5mA i IZM = 70mA iar
pentru tranzistor 100 i UBE = 0,7V.
Pentru R = 470 s se determine: b) puterea maxim disipat de tranzistor i de dioda zener dac
limitele uI i iO sunt cele de la punctul precedent i c) puterea maxim disipat de tranzistor n
cazul unui scurtcircuit la ieire dac =50 (pentru IC = 1 2 A; scade la creterea IC ).

 iB

UZ

uO

uI

RL

uI

UBE

iR iB
iZ

UZ

iO
+

iO

uO

RL

a)
b)
Fig. 3.14. Stabilizatorul de tensiune serie cu tranzistor i diod Zener:
a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru iZ >IZm ).

Rezolvare

a) Determinarea rezistorului R presupune aflarea valorii rezistenei i a puterii disipate maxime.

Rezistena trebuie astfel dimensionat nct cel mai mic curent prin dioda zener s fie cel
puin egal cu IZm :
iZ = i R i B =

u I U Z iO
;
R

i Z min =

u Imin U Z iO max

I Zm .
R
min

Din relaia anterioar rezult rezistena maxim (pentru care stabilizatorul funcioneaz
corect i ncrcarea diodei zener este minim):
R

u I min U Z
12 6,8
= 0,52k = 520 .
=
I Zm + iO max min 5m + 500m 100

Puterea disipat de rezistor i valoarea maxim a acesteia sunt:

PdR =

(u I

U Z )2
,
R

PdR max =

(u I max U Z )2 (15 6,8)2

=
R

520

0,13W .

Se verific dac dioda zener suport curentul maxim care poate s apar:
i Z max =

u I max U Z iO min 15 6,8

=
0 16mA < I ZM (= 70mA ) .
R
520

b) Puterea maxim disipat de tranzistor se calculeaz particulariznd relaia (3.35):

PdT max = (u I max U O ) iO max = [15 (6,8 0,7 )] 0,5 = 4,45W .
Puterea maxim disipat de dioda zener se calculeaz cu ajutorul curentului maxim care
poate s apar prin dioda zener (calculat cu rezistena R de la punctul b):
U Z iO min
u

PdZ max = U Z i Z max = U Z I max

15 6,8

= 6,8
0 0.12 W .
470

c) n cazul unui scurtcircuit la ieire tensiunea pe tranzistor este egal cu tensiunea de intrare i
curentul prin tranzistor crete foarte mult:
u CEsc = u I u O = u I 0 = u I ,

iCsc = i Bsc =

u I U BE
R

ceea ce determin o cretere apreciabil a puterii disipate pe tranzistor:

U BE
15 0,7
u

PdT max sc = u I max I max

= 15 50
= 15 1,52 = 22,8W .
R
470

10

S-a utilizat valoarea mai mic a factorului de amplificare deoarece curentul prin tranzistor are
o valoare mare (1,5A), valoare la care factorul scade (conform enunului).
Observaii: 1. Circuitul se dimensioneaz astfel nct curentul prin dioda zener s fie mai
mare dect curentul minim admisibil, ct timp tensiunea de intrare i curentul de ieire se menin
n limitele prestabilite.
2. Pentru stabilizatorul serie, tranzistorul este componenta de circuit care preia diferena de
putere dintre intrare i ieire. n cazul unui scurtcircuit la ieire, puterea disipat de tranzistor
crete foarte mult (de circa 5 ori la circuitul analizat) i pentru a prentmpina distrugerea
tranzistorului, n circuitele reale trebuie prevzut un mecanism de limitare a curentului de
scurtcircuit.
Exemplu de analiz- Circuit de polarizare cu RE i cu divizor n baz

S se determine limitele de variaie ale psf {IC, UCE} pentru circuitul din figura 3.20.c
dac se consider UBE = 0,60,7V i =100300. Valorile rezistenelor din circuit sunt:
R1 =30k, R2 =10k, RC = 2k, RE =1k i tensiunea de alimentare este UCC =12V.
+UCC

RC
iC

+UCC

RC

+UCC
R1
iB B

RB iB B

UBB
a)

UCC

RB
+

RC

iB

RB

R1

R2

RE

RE

b)

RE

R2

uB

UBB

c)

uB
A

d)

Fig. 3.20. Circuite de polarizare cu RE; Schema principial: a) cu dou surse, b) cu surs
unic; c) Schema practic d) echivalarea divizorului de polarizare a bazei (pt. cazul c).

Rezolvare: Parametrii sursei echivalente Thvenin, de polarizare a bazei, sunt:

U BB = UCC

R2
10k
= 12
= 3V ,
R1 + R 2
30k + 10k

R B = R1 || R 2 =

30k 10k
= 7,5k .
30k + 10k

Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.33) innd seama de limitele extreme:

IC =

100 (3 0,7 ) 300 (3 0,6 )

L
= 2,12 K 2,33mA
7,5k + 101 1k 7,5k + 301 1k

Se observ c pentru o variaie foarte mare a lui , (-50%+50% fa de media valorilor),

variaia IC este mult mai mic: 5%+3,5%. Influena variaiei tensiunii UBE este oricum
foarte mic deoarece numrtorul relaiei (3.34) este mult mai mare dect aceast variaie:
2,3V>>0,05V (s-a considerat variaia fa de media tensiunilor UBE).
Conform cu relaia (3.35) limitele tensiunii UCE sunt:
UCE = 12 (2k + 1k ) (2,12K 2,33 )m = 5,64 K5,01V .

11

Calculele cu inecuaii i estimarea erorilor sunt o necesitate n practica inginereasc

datorit variaiilor inerente ale componentelor de circuit (mai ales a dispozitivelor
semiconductoare).
Se observ c rezultatele obinute cu relaia aproximativ de calcul (3.34) sunt
acceptabile:
IC

U BB U BE 3 0,65
=
= 2,35mA ,
RE
1k

UCE = 12 3k 2,35m = 4,95 V ,

curentul obinut este ceva mai mare dect cel din circuit (ca pentru = ). innd seama de
precizia cu care sunt cunoscute valorile componentelor n circuitele practice, acest calcul
este de obicei satisfctor.
Exemplu de proiectare - dimensionarea circuitului de polarizare

S se dimensioneze circuitul de polarizare al tranzistorului bipolar din figura 3.20.c

astfel nct s se obin: IC = 3mA, UCE = UCC /3, pentru UBE = 0,6V, 200 i UCC =9V. Se
sugereaz alegerea IDiv 0,1IC i UE UCC /3.
Rezolvare: Rezistenele din circuit pot fi dimensionate utiliznd legea lui Ohm:
RE =

UE UE
3

=
= 1k ,
IE
IC
3m

RC =

UCC UCE U E 9 3 3
=
= 1k
IC
3m

Curentul prin divizor se alege conform sugestiei:

IDiv = 0,1IC = 0,3 mA

i cu acest curent se pot determina rezistoarele de polarizare a bazei:

R2

U
U BE U E
U BE + U E 0,6 + 3
=
= 12k , R1 = CC
= 18k
0,3m
I Div
I Div

La rezolvarea problemei nu s-a utilizat explicit factorul al tranzistorului; s-a

considerat implicit >>1 presupunnd un curent unic prin tranzistor IC IE , conform (3.39).
Exemplu de calcul determinarea psf la circuitele cu mai multe tranzistoare

Tranzistoarele din schema alturat au 300.

n psf se cunosc UBE 1 = 0,55V i UBE 2 = 0,6V. S se
determine psf {IC, UCE} pentru cele dou tranzistoare.
Rezolvare:
Se va aplica metoda simplificat
de calcul propus anterior. Mai mult, se vor presupune
iniial curenii de baz neglijabili fa de curenii de
colector chiar i pentru tranzistoare diferite,
presupunere care va trebui verificat nainte de
finalizarea calculelor.

R C1

+UCC

R C2

15k

+9V

2,2k
T2
T1

RB
RE1

600

50k

RE2

300

T1K se poate scrie n trei noduri (de obicei curentul care intr n masa montajului nu
trebuie calculat i deci T1K nu se aplic n nodul de mas). Scrierea T1K n nodul de
alimentare (+UCC ) nu prezint interes la aceast problem, iar neglijarea curenilor de baz
12

fat de cei de colector face inutil T1K n colectorii tranzistoarelor sau mai exact T1K se
reduc la:
I RC1 = IC1 + I B 2 IC1 pentru I B 2 << IC1 ;

I R E 2 = I E 2 + I B1 IC 2 pentru I B1 << IC 2 .

Dac se ocolesc tensiunile UCE i UCB (care nu se cunosc iniial) mai rmn trei bucle
pe care se poate scrie T2K:
-

+UCC RC1 UBE2 RE2 mas;

mas RE2 RB UBE1 RE1 mas;

+UCC RC1 UBE2 RB UBE1 RE1 mas.

Primele dou bucle exprim relaiile cauzale din circuit; curentul de polarizare a bazei
tranzistorului T2 este furnizat de sursa de alimentare (prin RC1), iar rezistena din emitorul lui
T2 (de valoare mic) acioneaz ca o surs de polarizare a bazei lui T1 (prin RB). Cea de-a
treia bucl este de fapt o combinaie a primelor dou. Pentru a determina curenii prin
tranzistoare (dou necunoscute) este necesar un sistem de dou ecuaii; pentru a rezolva
circuitul se pot utiliza ecuaiile scrise pe oricare dou bucle dintre cele trei artate mai sus.
Conform T2K exprimat gravitaional (tensiunea ntre dou linii este aceeai pe orice
cale) pe primele dou bucle rezult:
UCC = RC1IC1 + U BE 2 + RE 2IC 2

RE 2IC 2 = RB (IC1 ) + U BE1 + RE1IC1

( a)
( b)

n (b) s-a inut seama c IC1 = IB1. Dac se substituie (b) n (a) se obine:
UCC = RC1IC1 + U BE 2 + RB (IC1 ) + U BE1 + RE1IC1
Se observ c aceast relaie reprezint de fapt T2K scris pe bucla a 3-a i are o
singur necunoscut, curentul prin T1:
IC1 =

UCC U BE 2 U BE1
9 0,6 0,55
7,85
=
=
= 0,5mA
15k + 0,6k + 50k 300 15,67k
RC1 + RE1 + RB

Curentul IC2 se poate calcula din oricare dintre ecuaiile sistemului. Din (a) rezult:
IC 2 =

UCC RC1IC1 U BE 2 9 15k 0,5m 0,6 0,9

=
=
= 3mA
300
0,3k
RE 2

Presupunerile iniiale se dovedesc a fi corecte:

I
3m
IB2 = C 2 =
= 10A << IC1 = 500A ,
300

I
0,5m
I B1 = C1 =
= 1,67A << IC1 = 3mA .
300

Tensiunile pe tranzistoare UCE se calculeaz din T2K aplicat pe buclele de ieire ale
tranzistoarelor, care includ tensiunile respective:
UCE 2 UCC IC 2 (RC 2 + RE 2 ) = 9 3m 2,5k = 1,5 V ,
UCE1 UCC IC1(RC1 + RE1 ) = 9 0,5m 15,6k = 1,2V .

13

Ambele tranzistoare se afl n RAN deoarece UCE >UBE . Circuitul analizat este
cunoscut sub numele de schem cu polarizare automat, deoarece tranzistoarele vor fi
polarizate n RAN (de exemplu UCE1 2UBE ) pentru limite largi ale tens. de alimentare UCC.
Exemplu Etaj de amplificare cu un tranzistor n conexiune EC

1. n condiii de semnal mic la intrare, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug pentru

amplificatorul cu emitor comun din figura 3.27 dac: =100, IC =1mA, RC =5k,
RB (= R1 ||R2 ) =10k, Rg =6k.
2. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru o rezisten de sarcin RL =500 cuplat
capacitiv la ieire.
3. Ct este amplitudinea semnalului la ieire pentru o amplitudine la generator
Ug_vf =20mV?
Se consider UT =25mV i condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca.
RC

R1

uo

CB

Rg

ug

+UCC
CC

ui

RE

R2

RL

CE

uo

Rg

Ri

ui

Fig. 3.27. Schema amplificatorului cu un

tranzistor discret n conexiune EC.
- Tranzistorul este polarizat cu divizor
n baz i rezisten n emitor.
- Condensatoarele din circuit se
consider scurtcircuite n ca.

R ib

R1

R2

RC

a)

ug

ui

RB

g m ube

r
e

ube

( R B = R 1|| R 2)

Ro i
o

ic

ib

RC u o

RL

b)

Fig. 3.28. Scheme echivalente de ca ale amplificatorului n conexiunea EC:

a) C i U CC nlocuite cu scurtcircuite, b) TB liniarizat, n condiii de semnal mic.

1. Se calculeaz parametrii de semnal mic ai TB cu (3.48) i (3.52):

I
I
mA
,
g m = C = C = 40IC = 40 1m = 40
25m
V
UT

r =

gm

100
= 2,5k
40m

Parametrii amplificatorului se calculeaz conform (3.62 3.57), cu R L = :

Au 0 = g m RC = 40m 5k = 200 ,
Ro = RC = 5k ,

R i = R B || r = 10k || 2,5k = 2k
Ri
2k
= 200
= 200 0,25 = 50
Aug 0 = Au 0
Ri + Rg
2k + 6k

2. Sarcina fiind cuplat capacitiv la ieire, nu influeneaz psf. Prin urmare parametrii
tranzistorului i ai amplificatorului nu se modific la conectarea sarcinii. Amplificrile n
tensiune n prezena sarcinii se calculeaz conform (3.58) i (3.65):
14

Au = Au 0

RL
500
1
= 200
= 200 = 18,2
500 + 5k
11
RL + Ro

Aug = Au 0

Ri
RL
1 1
= 200
4,5
4 11
R i + Rg RL + Ro

Aceste relaii au fost determinate folosind modelul amplificatorului de tensiune din figura 3.26
i innd seama de cele dou divizoare de tensiune care apar n schema respectiv.
3. Se verific iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.44). Astfel,
valoarea maxim a tensiunii baz-emitor este amplitudinea semnalului n baz (de intrare n
amplificator), calculat innd seama de divizorul de tensiune de la intrare, conform relaiei
(3.60):
Ri
2k
1
= 20m
= 20m = 5mV < 10mV .
U be_ vf = U i _ vf = U g _ vf
2k + 6k
4
Ri + Rg
Amplitudinea semnalului la ieire se determin innd seama de valorile amplificrilor
n tensiune:
U o 0_ vf = Au 0U i _ vf = 200 5m = 1V ,

U o_ vf = Au U i _ vf 18,2 5m = 91mV ;

cu indicele 0 s-a notat tensiunea n gol (fr RL ). Amplificrile s-au considerat n modul,
deoarece defazajul dintre semnalul de ieire i semnalul de intrare nu are importan la
calculul amplitudinii, iar o valoare negativ a amplitudinii nu are sens.
Concluzii: Amplificarea n tensiune obinut cu un singur tranzistor este mare. Rezistena
de intrare relativ mic i cea de ieire relativ mare conduc la apariia a dou efecte de
divizare a tensiunii semnalului de la intrare i la ieire (cu un factor 1/4=0,25 la intrare,
respectiv cu un factor 1/110,091 la ieire). De aceea amplificarea global se reduce de 44
de ori n exemplul dat, de la 200 la circa 4,5.

Prin urmare, rezistena de intrare a i amplificatorului (relativ mic fa de Rg ) i

rezistena de ieire (relativ mare fa de RL ), conduc la reducerea apreciabil a amplificrii.
Exemplu repetorul pe emitor

1. Pentru repetorul pe emitor din figura 3.29.a, s se calculeze curentul static de colector IC
dac UCC =10V, RE =5k, RB = 430k, =100 i UBE =0,7V.
2. Pentru Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0.
3. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru o rezisten de sarcin RL =500 cuplat
capacitiv la ieire i s se compare cu factorul de transfer obinut prin conectarea direct
a generatorului de semnal cu sarcina.
4. Ct este amplitudinea semnalului pe sarcin dac amplitudinea la generator este
Ug_vf =100mV?
Se consider UT =25mV i condensatoarele scurtcircuite n ca.

15

+UCC

RB
Rg

Rg

CB
ui

R ib
b

CE
ug

Ri

RE

ug

uo

a)

ui

ic c

ib
ib

RB

RL

Roe

ioe

Ro

RE u o

RL

b)

Fig. 3.29. Repetorul pe emitor: a) schema de principiu; b) schema echivalent de ca cu

tranzistorul liniarizat (ca SIcI), n condiii de semnal mic.

1. Curentul de colector se calculeaz cu (3.33), pentru UBB =UCC :

IC =

(UCC U BE ) 100 (10 0,7 )

=
= 0,995m 1mA .
RB + ( + 1)RE 430k + 101 5k

2. Parametrii de semnal mic ai TB se determin cu (3.48) i (3.52):

I
1m
mA
gm = C =
= 40
,
UT
25m
V

r =

gm

100
= 2,5k
40m

Amplificarea n tensiune fr sarcin se determin cu (3.67):

Au 0 =

1
1
1
=
=
= 0,995
2,5k
r
1,00495
1+
1+
101 5k
( + 1)RE

Rezistena de intrare se determin cu (3.70) pentru RL =:

Rib = r + ( + 1)RE = 2,5k + 101 5k = 507,5k ;

Ri = RB || Rib = 430k || 507,5k = 233k

Rezistena de ieire se determin cu (3.72) i (3.73):
Roe =

r + RB || R g
2,5k + 430k || 6k
=
= 83,3 ,
+1
101

Ro = RE || Roe = 83,3 || 5k = 82 .

Cu (3.74) se calculeaz amplificarea global fr sarcin:

Aug 0 = Au 0

Ri
233k
= 0,995
= 0,995 0,975 = 0,97 .
233k + 6k
Ri + Rg

3. n prezena sarcinii, rezistena de emitor n ca devine:

Re = RE || R L = 5k || 500 = 454,6 ;
iar parametrii tranzistorului nu se schimb pentru c sarcina este cuplat capacitiv i nu
influeneaz psf. Amplificarea n tensiune devine:
Au =

1
1
1
=
= 0,948 .
=
2,5k
r
1,0545
1+
1+
101 0,455k
( + 1)Re

Pentru calcularea amplificrii globale n tensiune se recalculeaz iniial rezistena de

intrare:
16

R ib = r + ( + 1) R e = 2,5k + 101 455 = 45,9k ,

Aug = Au

R i = RB || R ib = 43,5k ,

Ri
43,5k
= 0,948
= 0,948 0,89 = 0,84 .
43,5k + 6k
Ri + Rg

Factorul de transfer direct dintre generator i sarcin rezult din regula divizorului de
tensiune aplicat circuitului din figura 3.30.a:
u
RL
500
1
=
=
= 0,077 = 7,7 % .
K ug = o =
u g RL + R g 500 + 6k 13
Fa de cuplajul direct, amplificarea obinut prin intermediul repetorului pe emitor este
de Aug /Kug =0,84 / 0,077 =11 ori mai mare.
re

Rg

ug

RL
a)

uo

R g ||R B

ug +1

R oe

ui u be

Rg
Re uo

ug

ui

b)

Ri

RB

R ib r

( +1) Re

uo

c)

Fig. 3.30. a) Cuplajul direct al generatorului cu sarcina. Scheme echivalente

de ca ale repetorului pe emitor obinute prin reflectare: b) n emitor, c) n baz.

4. Pentru a calcula amplitudinea tensiunii pe sarcin se verific mai nti dac

tensiunea de intrare ndeplinete condiia de semnal mic relaia (3.60), pe baza circuitului
din figura 3.30.b:
re
25
= 100
4,6mV< 10mV
U be_ vf = U g _ vf
R g || RB
455 + 25 + 59
R e + re +
+1
i apoi se calculeaz amplitudinea tensiunii la ieire cu ajutorul amplificrii globale cu
sarcin, A ug :
U o_ vf = Aug U g _ vf = 0,84 100m = 84mV .

Concluzii:
- Amplificarea n tensiune a repetorului pe emitor este subunitar i apropiat de unitate,
mai ales n cazul amplificatorului fr sarcin (A ug0 , A u0 1).

Rezistena de intrare este mare i depinde de rezistenele din emitor, iar rezistena de
ieire este mic i depinde de rezistenele din baz. De aceea, cuplarea n tensiune este
mult mai bun n cazul utilizrii repetorului pe emitor dect n cazul cuplrii directe a
generatorului cu sarcina.

Calcularea circuitului se face fie dinspre ieire spre intrare (caz n care se include sarcina
n rezistena de emitor), fie dinspre intrare spre ieire (caz n care se ine seama de
rezistena intern a generatorului conectat la intrare). Metoda cea mai convenabil de
calcul utilizeaz schema echivalent obinut prin reflectarea rezistenelor (din circuitul
bazei n emitor sau din circuitul emitorului n baz).

17

Problem de analiz - Etaj de amplificare cu rezisten nedecuplat n emitor

1. Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze

curentul static de colector IC dac =100 i UBE =0,7V
2. Dac rezistena intern a generatorului este: Rg =6k,
s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0, pentru:
a) Re =1k respectiv b) Re =100. (practic, n primul
caz comutatorul este deschis: Re =RE , respectiv n al u g
doilea caz este nchis: Re = RE ||RE1)

RB

+10V

5k

820k

CB

Rg

+UCC

RC

CC

K CE

RE

ui

RE1

uo

110

1k

3. Ct este amplitudinea la ieire dac amplitudinea la generator este Ug_vf =50mV?

Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:

1. Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53), la care se consider UBB =UCC :

IC =

(U CC U BE ) 100 (10 0,7 )

=
= 1,01m 1mA .
RB + ( + 1)RE 820k + 101 1k

2. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67), (3.76) i prin

explicitarea factorului din relaia (3.7):
gm =

IC
mA
1m
=
= 40
,
U T 25m
V

re =

gm

1
1
=
= 25 ,
g m 40m

+1

= 0,99 .

Amplificarea n tensiune (fr sarcin) se determin cu relaia (3.98):

Au 0 =

RC
uo
=
:
ui
re + Re

a ) Au 0( a ) =

0,99 5k
= 4,83 ,
25 + 1k

b) Au 0(b ) =

0,99 5k
= 39,6 .
25 + 100

Calculul amplificrii cu relaia aproximativ (3.101):

Au 0 =

RC
:
Re

a ) Au 0( a )~ =

5k
= 5 ,
1k

b) Au 0(b )~ =

5k
= 50 ,
100

conduce la o eroare:
=

Au 0~ Au 0
100 [%] :
Au 0

a =

5 4,83
= 3,5 % ,
4,83

b =

50 39,6
= 26 % ,
39,6

acceptabil (de ordinul procentelor, mai mic de 5%) n primul caz; n cazul al doilea eroarea
este apreciabil, deoarece inegalitatea (3.100) nu este de fapt ndeplinit:

Re ( a )
Re ( a ) = 1000 >> 25 = re ,
= 40 ;

re

Re (b )
Re (b) = 100 ,
= 4 < 10 .

re

Rezistena de intrare se determin cu relaia (3.95):

Rib = ( + 1 )(re + Re ) :

Ri = RB || Rib :

Rib ( a ) = 101 (25 + 1k ) = 103,5k , Rib (b ) = 101 (25 + 100 ) = 13,6k ,

Ri ( a ) = 103,5k || 820k = 91,9k ,

Ri (b) = 13,6k || 820k = 13,4k .

Rezistena de ieire nu depinde de Re i se determin cu relaia (3.97): Ro = RC = 5k .

18

Cu relaia (3.80): Aug =

Aug ( a ) = 4,83

uo uo ui
Ri
=
= Au 0
se determin amplificarea global:
u g ui u g
Ri + R g

103,5k
4,6 ,
103,5k + 6k

Aug (b) = 39,6

13,6k
= -39,6 0,694 27,5 .
13,5k + 2,5k

Se observ c amplificarea mai mic obinut n cazul a) se modific mai puin la conectarea
generatorului (deoarece rezistena de intrare a amplificatorului este mai mare).
3. Se determin iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Pentru aceasta se
determin tensiunea ube cu ajutorul relaiilor (3.103) i (3.80):
u be =

re
re
Ri
ui =
ug .
re + Re
re + Re Ri + R g

Amplitudinea tensiunii ube n cele dou cazuri este:

U be _ vf ( a ) =

25
91,9k
50m = 0,024 0,94 50m = 1,15mV < 10mV ,
25 + 1k 91,9k + 6k

U be _ vf (b) =

25
13,4k
50m = 0,2 0,69 50m = 6,9mV < 10mV .
25 + 100 13,4k + 6k

Amplitudinea tensiunii la ieire se determin cu amplificarea global calculat anterior:

U o _ vf = Aug U g _ vf :

U o _ vf ( a ) = 4,6 50m = 230mV,

U o _ vf (b) = 27,5 50m = 1,375V .

Semnul negativ al amplificrii semnific un semnal de ieire n antifaz cu cel de intrare. La

calcularea amplitudinii la ieire s-a considerat amplificarea n modul, ntruct amplitudinea unui
semnal este o mrime pozitiv (indiferent de defazajul semnalului).

Exemplu de analiz Amplificator de tensiune cu TEC-MOS

C

RD
iG=0

ui

RG

iD
uO uo

UDD

Fig. 4.11. Amplificator de tensiune cu

TEC-MOS cu canal iniial de tip n.
RG asigur un potenial nul n gril,
C asigur separarea componentei de
ca la ieire.

Pentru amplificatorul din figura 4.11 cu UDD =12V i RG =1M, tranzistorul MOS cu canal
iniial de tip n cu parametrii: IDSS =10mA i UP = 3V, funcioneaz n saturaie.
a) S se determine rezistena de dren pentru care psf este centrat la ieire (n dren).
b) Dac semnalul la intrare are o amplitudine Ui_vf = |UP /3| = 1V s se determine limitele
tensiunii de ieire i amplitudinea celor dou alternane la ieire, cu RD de la punctul a.
c) S se calculeze amplificarea n tensiune a circuitului n condiii de semnal mic, cu RD de la
punctul a i cu rezistena de dren maxim. Ct este amplitudinea semnalului la ieire n cele dou
cazuri, dac amplitudinea semnalului de la intrare este Ui_vf = 0,1V?

19

Rezolvare: a) Pentru a centra psf n dren trebuie ca tensiunea de dren s fie media
tensiunilor de blocare i de ieire din saturaie a TEC, conform (*4.30):
RD =

U DD + U P
12 3
=
= 0,45k = 450 .
2 I DSS
2 10m

Punctul static de funcionare al TEC este definit de mrimile de cc:

UGS = RG IG =0, ID = IDSS =10mA i U DS = U DD R D I DSS = 12 0,45k 10m = 7,5V .
b) Curentul de dren n cele dou situaii limit: uGS = Ui_vf = |UP /3| , se calculeaz cu
relaia (*4.11), innd seama de rezultatul de la punctul a: RD IDSS =(UDD +UP )/2, iar limitele
tensiunii de ieire rezult din T2K aplicat pe bucla de ieire.
- Pentru alternana pozitiv la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:

U P
i D = I DSS 1
3 U P
u DS = U DD

16
= I DSS = i D max = 17,8 mA i
9

U
16
8
8
I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = DD U P = uO min = 4V .
9
9
9
9

Deoarece uO min > UP , condiia de saturaie este ndeplinit i deci calculul este corect.
- Pentru alternana negativ la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:

UP
i D = I DSS 1
3 U P
u DS = U DD

4
= I DSS = i D min = 4,44mA i
9

4
2
7
2
I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = U DD U P = uO max = 10V .
9
9
9
9

Amplitudinile semnalului la ieire pot fi calculate ca diferene ntre valorile limit i

valoarea din psf a tensiunii de ieire:

U o( +_) vf = u o max U O = 2,5V

U o( _) vf = U O u o min = 3,5V .

Semnalul de ieire este distorsionat deoarece amplitudinile acestuia sunt inegale. Eroarea
este cauzat de nivelul prea mare al semnalului i poate fi apreciat cu diferena dintre
amplitudini i media acestora, raportat la medie:
U o( +_) vf + U o( _) vf
U o _ med =
= 3V ,
2

U o( _) vf U o _ med
U o _ med

0,5
= 0,167 = 16,7% .
3

Eroarea calculat reprezint de fapt coeficientul de distorsiuni al semnalului la ieire.

c) Amplificarea n tensiune se poate calcula cu (*4.34). Pentru RD = 0,45k rezult:
Au =

2 I DSS
2 10m
RD =
0,45k = 3 .
UP
3

Valoarea negativ a amplificrii arat faptul c semnalul de ieire este n antifaz cu cel de
la intrare. Se remarc valoarea mic a modulului amplificrii (comparativ cu cea a unui
amplificator identic echipat cu tranzistor bipolar). Astfel, la un amplificator cu TB n condiii
echivalente: IC =10mA i RC = 0,45k, rezult din (3.82): Au = 40IC RC =180, o amplificare

20

de 60 de ori mai mare (n modul). Pe de alt parte, amplificatorul cu TEC are o rezisten de
intrare Ri = RG =1M mult mai mare fa de amplificatorul cu TB, a crui rezisten de intrare
este mai mic de 1k, (de cel puin 1000 de ori mai mare).
Rezistena de dren maxim se obine la limita ieirii din saturaie a TEC, conform (*4.36),
iar amplificarea corespunztoare rezult din (*4.34):
RD =

U DD + U P 12 3
=
= 0,9k ,
I DSS
10m

Au =

2 I DSS
2 10m
RD =
0,9k = 6 .
UP
3

Amplificarea maxim obinut, n condiiile unei tensiuni statice de ieire la limita saturaiei:
U DS = U DD R D I DSS = 12 0,9k 10m = 3V ( = UP ). este dubl fa de amplificarea
calculat anterior
Condiia de semnal mic (*4.33) fiind ndeplinit:

Ui_vf (=0,1V)<< | UP |(=3V),

amplitudinea tensiunii la ieire este:

U o _ vf = | Au | U i _ vf = 3 0,1 = 0,3V pentru RD =0,45k,

respectiv Uo_vf = 0,6V pentru RD =0,9k.

Tensiunea la ieire n al doilea caz variaz n jurul valorii din psf (UDS ) astfel:
uO =UDS Uo_vf =3V 0,6V=2,43,6V. Tranzistorul iese din saturaie (uO < UP ) pentru
semialternana negativ a semnalului de ieire. n aceast situaie, pe de o parte, relaia de calcul
a amplificrii nu mai este corect i pe de alt parte, apar distorsiuni suplimentare ale semnalului
de ieire (deoarece curentul de dren va depinde i de tensiunea de ieire). Pentru a obine o
amplificare ct mai mare fr distorsiuni, se ridic tensiunea static de ieire (n acest caz la:
UDS > UP + Uo_vf =3,6V), prin reducerea corespunztoare a rezistenei de dren: RD =(UDD
UDS )/IDSS (RD < 0,84k, n acest caz).

21