Sunteți pe pagina 1din 6

MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

Lucrare de laborator nr.2


Electronica

A efectuat:
st. gr. TI
A verificat:
Luchia Mihail

Chiinu 2015

Lucrare de laborator nr.2


1

Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare


Scopul lucrrii: Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului
bipolar n conexiune cu baza comun (BC) i cu emitor comun (EC) i
calcularea parametrilor h pentru semnalele mici.
Noiuni
teoretice:
Tranzistorul
bipolar
prezint
n
dispozitiv
semiconductor cu dou jonciuni electron-gol (n-p), formate printr-o
succesiune de trei regiuni p-n-p sau n-p-n. Aceste structuri dispun de
proprieti de amplificare a semnalului electric.
Zona de mijloc a tranzistorului se numete baz (B) i are urmtoarele
caracteristici: este foarte ngust i are dotare cu impuriti mult mai mic
dect a celor laterale. O zon extrem cu cea mai mare concentraie de
dopare cu impuriti se numete emitor (E), cealalt zon extrem se
numete colector (C). Pe fiecare din aceste regiuni se realizeaz cte un
contact ohmic, pe care se sudeaz conductoarele terminale.

Fig.1. Schema electric pentru trasarea experimental a caracteristicilor


statice a tranzistorului bipolar n conexiune BC

Fig.2. Schema electric pentru trasarea experimental a caracteristicilor


statice a tranzistorului bipolar n conexiune EC
Rezultatele obinute:
Tabelul1. Datele de intrare pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale
tranzistorului bipolar n conexiune BC.
UEB [mV]
IE
[mA]

UCB=0
UCB=-5
[V]

20

40

60

80

100

0,0
1
0,0
1

0,0
2
0,0
3

0,0
6
0,0
7

0,1
3
0,1
5

0,2
7
0,3

12
0
0,8

140

0,6

1,0
4

0,9

16
0
1,5

200

220

250

3,3

4,5

1,8

3,9
5

5,4
8

6,8
5
8,9

Tabelul2. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieire


ale tranzistorului bipolar n conexiune BC.
UCB [V]
IC
IE=5
[m
[mA]
A]
IE=10
[mA]

0
4,63

2
4,65

4
4,66

6
4,67

8
4,69

10
4,71

12
4,74

14
4,77

9,27

9,34

9,39

9,42

9,51

9,53

9,55

9,6

Tabelul3. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de


intrare ale tranzistorului bipolar n conexiune EC.
UBE [mV]
IB
[mA]

2
0
0

UCE = 0
UCE =-5
[V]

40

60

80

100

120

140

160

200

220

250

0,0
1
0

0,0
3
0

0,0
9
0

0,1
5
0,0
2

0,2
3
0,0
4

0,3
6
0,0
6

0,5
2
0,1
5

0,8
3
0,2
3

1,0
2
0,3

1,3
4
0,4
5

Tabelul4. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieire


ale tranzistorului bipolar n conexiune EC.
UCE [V]
IC
IB=200
[mA]
[A]
IB=300
[A]

0
0,1
3
0,2

0,5
2,9
5
4,8

1
3,1
1
5

1,5
3,1
5
5,1

2
3,1
8
5,3

3
3,2
9
5,5

4
3,3
9
5,7

6
3,
6
6,
2

8
3,
8
6,
5

10
4
6,
7

12
4,2
5
6,9
5

9
8
7
6
5
IE [mA]

U(CB) = 0

U(CB) = -5V

2
1
0
20

40

60

80 100 120 140 160 180 200 220 240


UEB [mV]

Fig.3. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului bipolar n conexiune BC.

10
9
8
7
6
IC [mA]

5
I(E) = 5mA

I(E) = 10mA

3
2
1
0
0

9 10 11 12 13 14

-UCB [V]

Fig.4. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului bipolar n conexiune BC.

1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
IE [mA]

0.7
0.6

U(CE) = 0

0.5

U(CE) = -5V

0.4
0.3
0.2
0.1
0
20

40

60

80 100 120 140 160 180 200 220 240


UBE [mV]

Fig.5. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului bipolar n conexiune EC.

7
6
5
4
IC [mA]

I(B)=200A

I(B)=300A
2
1
0
0

10

11

12

UCE [V]

Fig.6. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului bipolar n conexiune EC.


Determinarea parametrilor hibrizi h11B, h12B, h21B i h22B ale tranzistorului
bipolar n conexiune BC:
h11 B=

U EB 15 103 V
=
=12.5 [ ]U CB =const .
I E 1.2 103 A

h12 B =

U EB 15 103 V
=
=3 103 I E=const .
U CB
5V

h21 B =

I c 4.67 103 A
=
=0.934U CB=const .
IE
5 103 A

I 'C 0.33 103 A


5
1
h22 B =
=
=2.3 10 [ ]I E =const .
U CB
14 V
Determinarea parametrilor hibrizi h11B, h12B, h21B i h22B ale tranzistorului
bipolar n conexiune EC:
h11 E=

U BE 94 103 V
=
=113.25 []U CE =const .
I B 0.83 103 A

h12 E =

U BE 94 103 V
=
=18.8 103I E=const .
U CE
5V
5

I c 2.2 103 A
h21 E =
=
=22U CE =const .
I B 0.1 103 A
I 'C 1.3 103 A
h22 E =
=
=0.16 103 [1 ]I E =const .
U CE
8V
Calculul parametrilor hibrizi h11B, h12B, h21B i h22B ale tranzistorului bipolar n
conexiune EC:
h11 E=

h11 B
12.5
=
=7.5[]
1+h21 B 10.934

h12 E =

h11B h22 B 12.5 2.3 105


=
=4.35 103
1+h21 B
10.934

h21 E =

h21 B
0.934
=
=14.15
1+ h21 B 10.934

h22 E =

h22 B
2.3 105
=
=0.35 103 [1 ]
1+ h21 B 10.934

Concluzie: Analiznd rezultatele obinute putem constata faptul c, chiar


dac rezultatele sunt n aceeai regiune de mrimi, totui, n urma
determinrii experimentale este inevitabil o eroare, fie din rotunjirea
calculelor, fie din analiza i determinarea parametrilor din graficele
caracteristicilor tranzistorului bipolar.
n urma lucrrii de laborator am analizat diferena dintre tranzistorul
bipolar cu baz comun i tranzistorul bipolar cu emitor comun, i am
observat c tranzistorul bipolar cu baz comun nu este cea mai bun
alegere pentru amplificarea curentului , deoarece parametrul de transfer al
curentului este foarte mic, iar tranzistorul bipolar cu emitor comun are un
parametru de transfer al curentului mult mai mare, din aceasta cauz el se
folosete la amplificarea curentului.