Sunteți pe pagina 1din 5

Biletul nr.6,ntrebrile nu sunt n ordine!

2-3 ntrebri nu-mi aduc aminte bine,n rest totul ok )))


succes ^^

1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
11
1
2
1
3
1
4

Pentru doparea siliciului cu impuriti donoare se utilizeaz materiale


din grupa
La conectarea anodului diodei a unei tensiuni negative, jonciunea se
polarizeaz
La conectarea anodului diodei unei tensiuni pozitive, jonciunea se va
polariza
Conductibilitatea electric a semiconductorilor este asigurat de
Amplificatoare de curent continuu sunt
n funcie de care tipuri de purttori de sarcin sunt majoritari, se
disting dou tipuri de semiconductori extrinseci
Jonciunea p-n se formeaz
n vecintatea imediat a jonciunii se formeaz o zon srcit de
sarcini majoritare numit
Intensitatea curentului invers de saturaie a diodei este de ordinul

Formula
descrie
Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu caracteristica voltamperic a diodei este
Principalii parametri ai unei diode Zener sunt

V
Invers
Direct
Electroni i goluri
Tranzistor compus Darlington
n i p
ntr-un semiconductor eterogen format
din 2 regiuni una dopat n i una dopat
p
Zona de trecere
Zeci de microAmperi
Caracteristica volt-amperic a diodei in
portiunea directa
Punct static de funcionare
Tensiunea de stabilizare, curentul invers
maximal, rezistena diferenial(intern)

Pentru a nu avea loc strpungerea termic a diodei Zener, n serie cu ea


se conecteaz

O rezisten
Factorul de stabilizare al diodei Zener

Formula
reprezint
n desenul alturat este prezentat nsemnarea convenional a
tranzistorului

1
5

p-n-p

1
6

Pentru a exista o conducie electric ntre Emitor i Colector

1
7

Cerinele fa de construcia Bazei tranzistorului bipolar

1
8
1
9

Coeficientul de multiplicare al curentului de baz se noteaz cu


n figura alturat este reprezentat conexiunea tranzistorului bipolar

Jonciunea emitoare polarizat direct,


jonciunea colectoare polarizat invers
Trebuie s aib o lime mai mic ca 10
m i de o puritate nalt

Baz Comun

2
0

Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul de saturaie

Jonciunea emitoare polarizat direct,


jonciunea colectoare polarizat direct

n schema de polarizare a tranzistorului bipolar n curent continuu,


stabilizarea termic a tranzistorului bipolar este asigurat de

2
1

RE

2
2

Influena temperaturii asupra caracteristicilor tranzistorului bipolar. La


creterea temperaturii, curentul Colectorului

2
3

Punctul static de funcionare a tranzistorului bipolar conectat ntr-un


etaj de amplificare cu emitor comun se ia la

2
4
2
5
2
6
2
7
2
8

Se dau parametrii hibrizi ai tranzistorului bipolar. h11 reprezint


Tiristorul este un dispozitiv comandat
Structura intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou structuri
complementare de tip tranzistor
La aplicarea unui curent pe poarta tiristorului, tensiunea de amorsare a
lui
Stingerea tiristorului se face prin

Crete
Intersecia dintre dreapta de sarcin n
curent continuu i caracteristica de ieire
corespunztoare unui curent de baz
prestabilit
Impedana de intrare cu ieirea n scurt
circuit
n curent
Suprapuse astfel nct jonciunile
colectoare s fie comune
Scade
Deconectarea tensiunii anod-catod

n desenul alturat este reprezentat simbolul

2
9

3
0

Triac

n schema alturat este prezentat

Schema de aprindere a triacului

Desenul alturat reprezint diagrama tensiunilor redresorului

3
1

Dubl alternan

n desenul alturat este prezentat redresorul

3
2

Monofazat dubl alternan n punte de


dioda

n desenul alturat este reprezentat redresorul

3
3

Trifazat

3
4

Stabilizatorul are funcia predefinit de

Micoreaz variaiile tensiunii de ieire,


att cele produse de variaia tensiunii de
intrare, ct i cele produse de variaia
curentului prin sarcin

3
5
3

Elementul principal al unui etaj de amplificare este elementul activ


care are funcia
n dependen de poziia punctului de repaos i amplificarea

De amplificare
Tranzistorul lucreaz n zona activ mai

semnalului, se deosebesc 3 clase de funcionare: A,B,C, i clasa mixt


AB. Clasa C se caracterizeaz prin

3
7

Parametrii etajului de amplificare sunt

3
8

Se definete banda de trecere (sau banda de frecvene) a unui


amplificator ca

3
9

La frecvene nalte, banda de trecere este limitat de

4
0

La frecvene joase, banda de trecere este limitat de

puin dect o jumtate de perioad a


semnalului aplicat la intrare. Clasa C
presupune funcionare profund
neliniar
Factorul de amplificare, banda de trecere
i gama dinamic
Fiind diferena dintre frecvena la care
factorul de amplificare scade la 1 (-3 dB)
din valoarea maxim
Capacitile interne ale curentului active,
dar i de capacitile parazite ale
montajului propriu zis
Capacitile condensatorului de separare
a semnalului variabil de cel continuu

41. Amplificatoare conexiune emitor comun: schema de conectare,(0.5p) descrierea


modului de amplificare a schemei de conexiune n emitor comun(1.5p)

Un amplificator cu tranzistor bipolar conexiune emitor comun se construiete foarte uor pornind
de la schema de polarizare n curent continuu cu divizor de tensiune n baz. Valorile rezistenelor
de polarizare se calculeaz n funcie de parametrii tranzistorului folosit i de clasa de funcionarea
dorit. Dac dorim amplificarea unor semnale mici sinusoidale, care la ieire s fie tot sinusoidale,
punctul static de funcionare se va alege astfel nct amplificatorul s lucreze n clas A.Tranzistorul
va fi supus simultan aciunii a dou semnale, semnalul continuu (static) care stabilete punctul
static de funcionare i semnalul variabil n timp (dinamic) care va fi amplificat. De aceea se poate
vorbi despre dou regimuri de funcionare, regimul static, analizat n capitolul precedent i regimul
dinamic.

S-ar putea să vă placă și