Dispositivos de tres terminales

Zonas de Funcionamiento

bipolares de juntura (BJT)

Circuitos
Bsicos

Modelos de gran seal

Transistores

Modelos de pequea seal

de efecto de campo (FET)

JFET

Modelos para anlisis en frecuencia

IGFET

Limitaciones
Potencia Mxima

Dispositivos que regulan un flujo de corriente

mediante una cantidad pequea de energa
(vara la conductividad entre dos terminales
actuando sobre un tercer terminal de control)

Tensiones de Ruptura

Dependencia de la Temperatura

Datos fabricante

N
NP

Dos tipos
de
portadores

TRANSISTOR
BIPOLAR
DE JUNTURA

iC
VCB

Flujo electrones

n
huecos

electrones
Dispositivos de 3
terminales con dos
uniones p
- n
enfrentadas entre s

PNP

N
P
N

ICO

B
p

NPN
El flujo ms importante est
constituido por electrones
que van del emisor (emite)
al colector (recoge)
Funcionamiento
asimilable al de una
fuente de corriente
controlada por corriente

iB

recombinacin

VBE n
E

iE

iC = - t iE + ICO = -
iE +ICO

C
B

vCB
_

P
N
P

Flujo huecos

C
B
E

vCB + vBE= vCE

iC + iB + iE = 0

iC
+

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

vCE
+ iB
_
vBE
_ E iE

Transistores de efecto
de campo de juntura

JFET - MESFET
Transistores de Efecto de
Campo de Compuerta Aislada

IGFET o MOSFET

iD

TRANSISTORES
DE EFECTO
DE CAMPO
Dispositivos
unipolares y
simtricos

Funcionamiento asimilable al
de una fuente de corriente
controlada por tensin

v DS

vGS

La tensin puerta
- fuente (vGS)
modula el ancho del canal y
controla la conduccin entre
drenaje y fuente

El campo el
elctrico
generado por la tensi
tensin
aplicada al terminal de
puerta controla la
corriente drenaje - fuente

canal N
canal P

La diferencia entre drenaje

y fuente est determinada
por el sentido de
circulacin de corriente
(el drenaje es el terminal por

El terminal de control (puerta)

no maneja corriente salvo
pequeas corrientes de fuga
(IG 0)

donde ingresa la corriente)

JFET

transistor de efecto de campo de juntura

Opera con la juntura

puerta
- canal polarizada
inversamente.

2a

2b(x)

2a
S

vGS controla conduccin

Zona depleccin
con VGS grande

puerta P+
G

drenaje
- fuente

canal N

JFET canal N

N-JFET
D

NJFET
Si v G S > VP i D =0
ten
s
del in de
c an
al o contra
c
de
pin cin
choff

FE
PJ

VP < 0

IG=0

i D = f (vGS ,vDS ) > 0

Puerta polarizada inversamente

D P-JFET

MESFET
transistor de efecto de campo de juntura metal-semiconductor

vGS 0

VP > 0

n+

ArGa

S
n+

Canal:
semiconductor compuesto (ArGa)
Puerta: metal
Interfase puerta canal:
unin Schottky

Dispositivos de alta velocidad

Si v GS > VP i D = 0
Si 0 < vGS < VP

Electrones
con alta
movilidad

D
G

G
S

Si vG S < VP

JFET canal P VP 0

Flujo
electrones

JFET canal N vGS 0

V P< 0

NJFET

i D = f (vGS ,vDS ) < 0

Funcionamiento similar a JFET

Conduce con vGS=0

VT entre 3V y 0,3V

MOS de enriquecimiento
Transistores de Efecto de Campo
de Compuerta Aislada

MOSFET
empobrecimiento

NMOS

IGFET o MOSFET

empobrecimiento

enriquecimiento

normalmente
en conduccin

normalmente
abiertos

NMOS

MOSFET enriquecimiento

Normalmente
cortado

NMOS VT > 0

PMOS VT < 0

Sustrato p

canal

Campo
elctrico
fuente

vista superior
puerta

drenaje

NMOS

PMOS

canal