Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Captulo 2
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Figura. Mayor planta fotovoltaica construida en Asia. Corea del Sur, 2008.
25
26
27
21.540 MW
54.600.000 MWh (54.6 TWh)
41.800 millones de $
200.000 puestos de trabajo
154 millones de toneladas de CO2
32.7 millones de toneladas de CO2
630.000 MW
1.573 TWh
5%
28
29
Figura. Planta DGV (Generacin Directa de Vapor) con agua-vapor. Se elimina el aceite trmico.
Trabajo Fin de Mster
30
Figura. Diagrama de AndaSol: configuracin del campo solar, sistema de almacenamiento y ciclo
de vapor en el proyecto AndaSol-1, en el sur de Espaa.
Tabla. Comparativa de tecnologas de energa elctrica termosolares.
31
32
33
Rgimen especial. Produccin de energa elctrica realizada en instalaciones cuya potencia instalada no supera
los 50 MW, a partir de cogeneracin u otras formas de produccin de electricidad asociadas a actividades no
elctricas, siempre que supongan un alto rendimiento energtico, o en grupos donde se utilicen como fuente de
energa primaria alguna de las energas renovables no consumibles, biomasa o cualquier tipo de biocarburante, o
residuos no renovables o procedentes de los sectores agrcola, ganadero y de servicios, con una potencia instalada
igual o inferior a 25 MW, cuando supongan un alto rendimiento energtico. La produccin en rgimen especial
est acogida a un rgimen econmico singular.
34
35
36
37
38
39
40
41
Potencia entre 10 MW y 50 MW
42
43
44
45
Nombre
Parque Fotovoltaico
Puertollano
Parque Fotovoltaico
Olmedilla de Alarcn
Planta sola fotovoltaica
La Magascona y La
Magasquilla
Planta Solar Arrend
Planta Solar Osa de la
Vega
Parque Solar SPEX
Mrida/Don lvaro
Parque Fotovoltaico
Casas de Los Pinos
Planta Solar Fuente
lamo
Planta Fotovoltaica
de Lucaina de las Torres
Parque Fotovoltaico
Abertura Solar
Parque Solar Hoya de Los
Vicentes
Huerta Solar Almaraz
Localizacin
Ciudad Real
Notas
Noviembre 2009
Cuenca
Septiembre 2008
Cceres
2008
La Rioja
Cuenca
Octubre 2008
2008
Badajoz
Septiembre 2008
Cuenca
2008
Murcia
Agosto 2008
Almera
Agosto 2008
Cceres
2008
Murcia
Enero 2008
Cceres
Septiembre 2008
46
El sobrecoste de la energa fotovoltaica en nuestro pas rond los 2.000 millones de euros
en 2009. El coste total de la energa del sistema elctrico espaol ascendi a 7.755 millones de
euros en dicho ao.
47
48
49
50
51
52
53
Tecnologa
50
50
50
50
20
11
1.4
Concentrador solar
Concentrador solar
Concentrador solar
Concentrador solar
Central solar de torre
Central solar de torre
Reflector de Fresnel
Nombre
Andasol
Andasol
Puertollano
Alvarado I
PS20
PS10
Puerto Errado I
Localizacin
Granada
Granada
Ciudad Real
Badajoz
Sevilla
Sevilla
Murcia
Notas
Nov. 2008
2009
Mayo 2009
Julio 2009
Abril 2009
Marzo 2007
Abril 2009
54
Por sus explicaciones sobre el efecto fotoelctrico y sus numerosas contribuciones a la fsica terica, en 1921
obtuvo el Premio Nobel de Fsica.
55
56
57
Puede situarse en 1954 el inicio del uso de clulas y paneles fotovoltaicos para producir
electricidad, al estar incorporados en los primeros satlites artificiales.
58
Lentes de Fresnel. Permiten concentrar hasta 500 veces los rayos del sol.
59
60
I = I ph I o e ko (V + Rs I ) 1
V
RSH
FF =
I MPP VMPP
Pmx = FF I SC VOC
I SC VOC
E generada
E recibida
I MPP VMPP
I Sol S celula
Donde:
ISol es la irradiancia sobre la placa.
Scelula es la superficie de la clula.
Trabajo Fin de Mster
61
V
C V
I = I sc 1 C1 e 2 oc 1
Donde
I
C1 = 1 MPP
I SC
VMPP
C2 Voc
V
C2 = MPP
Voc
I MPP
1 ln 1
I SC
62
63
64
65
66
67
h
tg (61 latitud )
68
69
70
71
72
73
74
75
Entre las principales aplicaciones de los sistemas conectados a la red elctrica son los
tejados de vivienda. Son sistemas modulares de fcil instalacin donde se aprovecha la superficie
de tejado existente para sobreponer los mdulos fotovoltaicos. El peso de los paneles sobre el
tejado no supone una sobrecarga para la mayora de los tejados existentes. Una instalacin de unos
3 kWp que ocupa cerca de 30 metros de tejado inyectara a la red la energa necesaria para una
pequea vivienda. El mantenimiento se reduce a la limpieza de los paneles, cuando se detecte
suciedad solidificada.
76
77
78
Figura. Bateras de gel. Tambin son estacionarias. El electrodo est gelificado, de modo que no
precisan mantenimiento y pueden funcionar colocadas en cualquier posicin.
79
80
81
2.8 El inversor.
Se denominan inversores a los convertidores de corriente continua (Direct Current, DC) a
corriente alterna (Alternating Current, AC). La funcin de un inversor es cambiar una tensin de
entrada de DC a una tensin simtrica de salida de AC, con la magnitud y frecuencia deseadas.
Las formas de onda de la tensin de salida de los inversores prcticos no son senoidales y
contienen ciertas armnicas. En aplicaciones de potencia baja e intermedia se pueden aceptar
tensiones de onda cuadrada o de onda casi cuadrada, y para aplicaciones con alta potencia se
requieren formas de onda senoidal con poca distorsin. Con la disponibilidad de los dispositivos
semiconductores de potencia de alta velocidad, se pueden minimizar los contenidos de armnicos
en la tensin de salida, o al menos reducirlos de forma importante, mediante tcnicas de
conmutacin.
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
Figura. (a) Mxima (~nF) y (b) mnima (~pF) capacidad a tierra de un mdulo FV.
93
Figura. Sistemas FV conectados a red con (a) inversor de medio puente con fijador
de nivel por diodos de tres niveles y (b) inversor de medio puente con fijador
de nivel por diodos de cinco niveles
La conexin a tierra del sistema FV en su punto medio supone una clara ventaja, ya que
elimina las corrientes capacitivas a tierra y su influencia negativa en la compatibilidad
electromagntica del circuito.
Entre sus desventajas pueden apuntarse el elevado nmero de dispositivos
semiconductores requeridos y la necesidad de un diseo cuidadoso de cada subconjunto FV para
asegurar la mxima transferencia de energa desde cada uno de ellos, ya que la carga del
subconjunto 1 y 4 difiere del subconjunto central 2 y 3.
Ya que actualmente hay disponibles mdulos FV que operan alrededor de 17 V, se
requieren un gran nmero de mdulos para conseguir un tamao mnimo de aproximadamente 3
kW.
94
Figura. Sistemas FV conectados a red con (a) inversor de puente completo con fijador de nivel por
interruptores y (b) inversor de puente completo con fijador de nivel con diodos
Un sistema FV sin transformador con similares caractersticas puede ser realizado con un
inversor de puente completo con fijador de nivel con diodos (ver figura anterior). En ambas
topologas los subconjuntos FV estn simtricamente cargados.
2.8.1.1.3 Cascada.
Para la conversin de energa DC a AC se muestra a continuacin un sistema FV
conectado a red sin transformador con un inversor en cascada (cascaded inverter). La topologa se
compone de dos puentes completos con sus salidas AC conectadas en serie. Cada puente puede
crear tres niveles diferentes de tensin AC, permitiendo generar una salida de tensin global de
cinco niveles. La ventaja de esta topologa es su carcter modular. En la bibliografa especializada
este concepto se sugiere en sistemas con una tensin de 40 V en cada bus DC, adems de en
aplicaciones de alta potencia.
95
2.8.1.1.4 Paso.
Un convertidor de paso (step converter) conmuta subconjuntos FV de diferentes tensiones
para obtener una tensin AC de salida. J. Mller, en su artculo Assesment and Optimisation of StepInverters for Photovoltaic Systems, expone una topologa compuesta por cinco mdulos con tensiones
nominales de 11 V, 22 V, 44 V, 88 V y 176 V para un sistema FV conectado a red como se
muestra en la siguiente figura:
96
97
HFn =
V0 n
V01
n >1
98
THD =
1
V02n
V01 n =02, 3, ...
1
2
1
DF =
V01
V0 n 2
2
n = 2, 3, ... n
DF =
V0 n
V01 n 2
99
100
101
102
103
104
105
a0
f (t ) = + [a m cos( mwt ) + bm sen( mwt ) ]
2 m =1
donde
am =
bm =
f (t ) cos(mwt ) dwt
m = 0,1, ...
f (t ) sen(mwt ) dwt
m = 1, 2, ...
Para una mejor comprensin, se muestra la siguiente figura, donde una seal peridica es
suma de dos funciones seno:
106
A00
f ( x, y ) =
+ [A0 n cos(ny ) + B0 n sen(ny )] + [Am 0 cos(mx) + Bm 0 sen( mx)]
2 n =1
m =1
[A
m =1 n =
( n0)
mn
donde
Amn =
Bmn =
1
2 2
1
2 2
107
A00
f (t ) =
+ [ A0 n cos(n[ w0 t + 0 ]) + B0 n sen( n[ w0 t + 0 ])]+
2 n=1
DC Offset
Armni cos de la componente fundamental de la onda senoidal
[A
m =1 n =
( n0 )
mn
0)
108
M=
Ar
Ac
109
T1 ENCENDIDO ,
Vaz = Vdc
T3 APAGADO
Vref < Vtri ,
T3 ENCENDIDO,
Vaz = Vdc
T1 APAGADO
Igualmente, para los interruptores T2 y T4 se obtiene la tensin Vbz desfasada 180 de Vaz:
T2 ENCENDIDO,
Vbz = Vdc
T4 APAGADO
Vref <Vtri ,
T2 ENCENDIDO,
Vbz = Vdc
T4 APAGADO
110
111
Vdc
mJ
m =1 n =
m M sen [ m + n] cos( m wc t + n w0 t )
2
2
Vdc
mJ
m =1 n =
m M sen [ m + n] cos( m wc t + n [ w0 t ])
2
2
Vdc
2m J
m =1 n =
2 n 1
Esta expresin muestra que los armnicos impares y de banda laterales presentes en la
tensin de fase debidos a la seal triangular, son completamente cancelados en le tren de pulsos de
la tensin de lnea de salida. En ella quedan sin embargo los trminos impares (2n-1) debidos a la
seal de referencia y los trminos pares (2m) de la seal triangular.
Fsicamente, dicha cancelacin puede observarse detallada en la figura anterior, ya que la
frecuencia de activacin de la tensin de lnea es dos veces la frecuencia de la seal triangular.
La siguiente figura ilustra el espectro frecuencial de las tensiones de fase y de lnea de salida
expuestas anteriormente:
112
Figura. Espectro armnico terico de un inversor monofsico modulado por PWM: (a) Fase a y
(b) Tensin de lnea de salida, M=0.9, fc/fo=21.
113
114
p=
fc m f
=
2 f0
2
V0 = Vs m
m =1
2p
1
2
115
Figura. Perfil de armnicos con modulacin por ancho de pulso senoidal modificado.
Trabajo Fin de Mster
116
fc
= 6q + 3
fo
117
118
119
120
Figura. Rizado de corriente de salida como una funcin del ndice de modulacin.
La forma de onda de la tensin de salida bajo modulacin delta es similar a la generada
mediante PWM bipolar.
121
122
I p = I ph I o exp ( KV c / N s )
donde Ip es la corriente fotovoltaica de salida, Iph es la corriente generada por la irradiacin, Io es la
corriente de saturacin y K es un parmetro dependiente de la temperatura. La potencia de salida
del conjunto de mdulos fotovoltaicos puede ser dada por:
Pp = Vc I p = Vc (I ph I o exp ( KVc / N s ) )
El cambio de potencia de salida del sistema fotovoltaico bajo una perturbacin de tensin
puede ser dado por:
Pp =
dPp
dVc
Pc =
Wc C1 Vc V
=
T
T
donde Vc es la tensin en C1 y T es el periodo MPPT. La precisin del MPPT puede ser mejorada
disminuyendo el paso de tensin o aumentado el periodo MPPT. Estas medidas , sin embargo,
disminuyen la velocidad de respuesta del MPPT.
En la siguiente figura se muestra una curva P-I de un sistema fotovoltaico compuesto por
8 mdulos de 130 Wp en serie bajo condiciones de radiacin solar 750 W/m2, 1.5 masa de aire y
25 C de temperatura. Adems, se representa PC, Pp y la curva de cambio de potencia en el bus
DC Pi(Pp- PC ), con paso de tensin 1.56 V y periodo MPPT de 160 ms.
123
MPPT =
PA
x 100 %
Pm
124
La precisin del MPPT puede ser mejorada con alimentacin hacia delante de la potencia
del condensador del filtro. El algoritmo MPPT puede ser dado como sigue,
Vc = Vc ( k 1) + V (k 1)sign ( Pi + Pc )
donde Vc(k-1) es la tensin fotovoltaica en el ltimo periodo, V(k-1) es la perturbacin de
tensin en el ltimo periodo, Pi es el cambio de potencia de entrada al convertidor entre dos
periodos, y Pc es la potencia de entrada del condensador C1.
125
126
v o
2
v = 3
v
1
2
1
0
1
2
2 v
a
1
1
v b
2
2
v
3
3 c
2
2
1
127
v a
v = 2
b
3
vc
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
0
v o
3
v
2
v
3
Igualmente, las intensidades instantneas de lnea pueden ser transformadas a los ejes o,
esto es:
io
2
i = 3
i
1
2
1
0
1
1
2
2
1
1
2
2
3
3
2
2
ia
ib
ic
y su transformada inversa:
ia
i = 2
b
3
ic
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
0
io
3
i
2
i
3
128
1
v
2
v =
3
0
1
1
v a
2
2
vb
3
3
v
2
2 c
1
v a
v = 2 1
b
3 2
vc
1
2
3 v
2 v
p o v o
p = 0
q 0
0
v
v
129
v
v
i
1
i = 2
2
v + v
v p
v q
Figura. Esquema de variables elctricas que forman parte del control pq.
130
131
132
133
134
135
IQ = 0
Como se ha expuesto, la funcin del OVP/UVP se basa en la monitorizacin de la
amplitud de la tensin en el punto de acoplamiento comn, y compararla con los umbrales de
tensin definidos en el IEEE Std. 1547.
Antes de la desconexin de la red, se tiene:
PLOAD = P + P
QLOAD = Q + Q
136
I=
Z LOAD
P
V
V2
V2
=
=
P + P + j (Q + Q )
P + P + j Q
137
'
V ' = I Z LOAD
I Z LOAD =
V
P Q
1 +
+
P P
P Q V
1 +
+
=
P P V '
La zona de no deteccin del mtodo OVP/UVP para DG controlada por corriente es:
Vmax
P Q V
1 +
+
P
P
Vmin
2
Sabemos de la norma IEEE Std. 1547 que la tolerancia respecto a la amplitud normal de
tensin es 88 % ~ 110 %:
Vmin = 0.88 V
Vmax = 1.10 V
138
P Q
2
0.91 1 +
+
1.14
P P
Figura. NDZ del mtodo OVP/UVP para sistemas DG controlados por corriente.
NDZ del mtodo pasivo OFP/UFP con control por corriente.
Antes de la desconexin de la red, las potencias activa y reactiva de la carga pueden
escribirse como sigue:
139
V2
PLOAD =
= P + P
R
1
QLOAD = Q = V 2
2fC
2fL
f'=
1
2 LC
Q
C
1
=R
f
LC
PLOAD
L 2f LC
Y sustituyendo:
1
Q
Q P
=
1 +
=Qf
PLOAD
P
P
f' f
f '
f
Qf = R
140
C
L
f
f
Q f min
f min
f
f
Q P
f
1 +
Q f max
P
P
f max
donde fmax y fmin son los valores predeterminados del umbral de frecuencias antes mencionado. De
la norma IEEE Std. 1547, conocemos que la tolerancia de frecuencia de la tensin normal es 98.83
%~100.83 %, considerando una red de 50 Hz, tenemos
f min = 49.4 Hz
f max = 50.4 Hz
Q P
0.024 * Q f
1 +
0.016 * Q f
P
P
141
Figura. NDZ del mtodo OFP/UFP para sistemas DG controlados por corriente.
De la inegualdad anterior y de la propia figura podemos ver que, bajo un esquema de
control de corriente constante, la NDZ de OFP/UFP est relacionada con el factor de calidad Q y
el intercambio de energa reactiva entre la red y la carga, Q. El intercambio de potencia activa
entre la red y la carga, sin embargo, tiene poco efecto en la NDZ de OFP/UFP. Un mayor factor
de calidad Qf genera una mayor NDZ.
Tabla. Requerimientos para la deteccin en isla segn IEEE 929-2000.
Tiempo de disparo
10 ciclos
10 ciclos
10 ciclos
2 seg
P 50 %
Fdp carga aislada <0.95
P 50 % + Fdp carga aislada <0.95
P < 50 % + Fdp carga aislada > 0.95
142
143
1
2 C R 2 I 2
2
= w R C = R = R C
Qf =
0
2
R I / w0
w0 L
L
144
donde
w0 = 2f 0 =
1
LC
Z LOAD =
1
1 1
wL
R 2 wL
R
f
f
1 + Q f 0
f0
f
f
1 w 2 LC
f
= tan 1 Q f 0
LOAD = tan R
wL
f 0
f
1
Cabe destacar, en primer lugar, que la magnitud de la impedancia de carga cambia muy
poco para cargas con Qf < 2.5. Por otra parte, debido a que el margen de frecuencias de operacin
es relativamente pequeo, 59.4 Hz a 60.5 Hz, impuesto, entre otras, por la norma IEEE Std. 9292000, se asume que la magnitud de tensin no vara con la frecuencia del sistema.
El ngulo de fase de la carga LOAD (LOAD=-LOAD) frente a la frecuencia caracteriza las
curvas de cargas con diferentes factores de calidad y frecuencias de resonancia en la siguiente
figura:
145
Figura. Variacin del ngulo de fase de una carga RLC con la frecuencia para diferentes valores de
frecuencia de resonancia (fo) y factor de calidad (Qf)
Las curvas muestran que a medida que aumenta el factor de calidad Qf, hay una mayor
variacin del ngulo de fase de la carga LOAD en torno a la frecuencia del sistema. Adems, la
interseccin de las curvas, ngulo de fase cero, tiene lugar en la frecuencia de resonancia fo. Por
otra parte, es interesante hacer notar que una carga cuya frecuencia de resonancia sea menor que la
frecuencia de la red (fo<fg) se muestra como una red capacitiva, ya que la corriente adelanta a la
tensin (LOAD>0). Igualmente, una carga con fo>fg es una red inductiva a la frecuencia de la red.
146
147
Figura. Forma de onda de salida del inversor usando el mtodo SMS: (a) fase de adelanto de la
intensidad, (b) fase de atraso de la intensidad.
148
Figura. Marcos.
149
Figura. Esquema SRF-PLL (Synchronous Reference Frame PLL.). Este esquema es simple
y usado en casi todas las tcnicas PLL para sistemas trifsicos.
150
SMS = M sen
2 fm f g
d LOAD
df
<
f = fg
d SMS
df
f = fg
LOAD
fm f g
12 Q f
donde Qf es el valor mximo para el cual la condicin de isla ha de ser detectada, y fm-fg es tomada
normalmente como 3 Hz.
Trabajo Fin de Mster
151
tan 1 Q f
f fg
f o f is
= M sen is
2 f f
f
f
o
m
g
is
Por tanto,
f o2
f is tan ( SMS ( f is ) )
f o f is2 = 0
Qf
152
Figura. IPV para AFD (a) hacia arriba (drift up) y (b) hacia abajo (drift down).
La relacin entre el tiempo cero, tz, y la mitad del periodo de la onda de tensin, TVutil/2, se
denomina fraccin de corte (chopping fraction, cf):
cf =
2tz
TVutil
153
Vis2
PLOAD ,is =
R
Vis2
QLOAD ,is =
X c,g
f 2
o 1 = Qinv
f is
154
ik = 2 I sen (2 ( f vk 1 + f ) t )
En rgimen permanente y bajo condiciones de funcionamiento en isla, el ngulo de fase del
inversor INV puede ser aproximado por
t z / 2 AFC
=
TV
2
donde
tz =
1 1 1
1
f
=
=
fV f i f f + f f ( f + f )
El ngulo de fase del inversor para el mtodo de deteccin en isla AFD es:
AFC = f t z =
155
f
f + f
tan 1 Q f
f o f is
f
=
f is f o f is + f
Por tanto,
f o2
f is tan ( AFD ( f is ) )
f o f is2 = 0
Qf
La siguiente figura muestra la NDZ de un AFD IDM (method detection islanding) para
diferentes valores de f:
156
Puede apreciarse, en la figura anterior, que la NDZ se desplaza hacia menores valores de
frecuencia de resonancia cuando f crece. Para Qf=2.5 y f=0.5 Hz, el mtodo falla en la
deteccin de funcionamiento en isla para cargas con 58.99 Hz fo 60.19 Hz. Para cargas con
factores de calidad por encima de 2.5 este mtodo activo no presenta ninguna mejora con respecto
a la proteccin pasiva UFP/OFP, ya que la capacidad de desplazamiento de la frecuencia es
significativamente reducida. Adems, para cargas capacitivas (fo<60 Hz) puede incurrir en fallos de
deteccin en isla, como se observa en la figura. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que este
mtodo es bastante efectivo para cargas inductivas.
Conviene decir, por otra parte, que bajo estas condiciones de anlisis (P=0 y Q=0,
Vis=Vg) el modo de control del inversor, por corriente constante o por potencia constante, no
tiene impacto sobre la NDZ.
cf = cf 0 + k ( f f g )
Donde cfo es la fraccin de corte cuando no hay un error de frecuencia y k es una ganancia
de aceleracin. Si la fraccin de corte aumenta, la frecuencia del inversor fotovoltaico se
incrementa, provocando la actuacin del rel de salida del inversor.
Para cfo=0.05, la distorsin armnica total (Total Harmonic Distortion, THD) de la corriente
del inversor es igual a un 5 % de la frecuencia nominal.
Este mtodo posee una de las ms pequeas zonas de no deteccin de todos los mtodos
de deteccin en isla activos. Adems, no pierde efectividad si es empleado por mltiples inversores
en isla, y puede ser extremadamente efectivo si es implementado en combinacin con el mtodo
Cambio Sandia de la Tensin (Sandia Voltage Shift, SVS).
Sin embargo, con este mtodo la calidad de la energa elctrica de salida del inversor DG se
reduce ligeramente. Tambin, la forma de onda de referencia puede ser estimulada por ruido o
armnicos.
157
SFS ( f ) =
wt z cf ( f )
=
2
2
La NDZ de SFS IDM en el espacio Qf-fo se desprende de la expresin del criterio de fase
(LOAD =SFS):
tan 1 Q f
f o f is
= [cf o + k ( f is f o )]
f is f o 2
Por tanto,
f o2
f is tan ( SFS ( f is ) )
f o f is2 = 0
Qf
A continuacin se muestra grficamente el resultado del clculo de la NDZ del SFS IDM.
158
Q f _ A& P =
Qf
1 PIDM
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169