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DIRECCIN DE MECATRNICA
REA DE AUTOMATIZACIN
UNIDAD IlI
ACTIVIDAD:
INVESTIGACION
CARRERA:
T.S.U MECATRNICA Y AUTOMATIZACIN.
GRADO:
4
GRUPO:
D
UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE CAMPECHE
DIRECCIN DE MECATRNICA
REA DE AUTOMATIZACIN
INDICE
Germanio
Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante
material semiconductor utilizado en transistores y foto detectores. A
diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una
pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma
eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja
intensidad.
Boro
Debido a que es trivalente, comparte con el Carbono
(tetravalente) la capacidad de formar redes moleculares
mediante enlaces covalentes. No se encuentra libre en la
naturaleza. En la naturaleza se encuentran dos istopos de boro,
11B (80,1%) y 10B (19,9%).
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Galio
El galio es un metal blando, grisceo en estado lquido y
plateado brillante al solidificar, slido deleznable a bajas
temperaturas que funde a temperaturas cercanas a la de la
ambiente (como cesio, mercurio y rubidio) e incluso cuando se lo
agarra con la mano por su bajo punto de fusin (28,56 C). El
rango de temperatura en el que permanece lquido es uno de los
ms altos de los metales y la presin de vapor es baja incluso a
altas temperaturas. El metal se expande un 3,1% al solidificar y
flota en el lquido al igual que el hielo en el agua.
Carbono
El comportamiento del carbono en millones de compuestos
corresponde a cuatro electrones desapareados, sin que ninguno
de ellos tenga preferencia o mayor capacidad de reaccin que
los otros tres.
Semiconductor tipo n:
Es el que est impurificado con
impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el
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nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios".
Semiconductor tipo p:
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptores", que son impurezas
trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres
son los minoritarios.
Tipo N:
Tanto el material tipo N
como el tipo P se forma
mediante la adicin
mediante un numero
predeterminado de tomos e impurezas al germanio o al silicio. El tipo n se
crea atravez de la introduccin de elementos de impurezas que poseen
cinco electrones de valencia (pentavalentes).
A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencias les llama
tomos donadores.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas
o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da
algunos de sus electrones.
Tipo P:
Un Semiconductor
tipo P se obtiene
llevando a cabo un
proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar
el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el
caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la
tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus
cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est
asociado con un Ion cercano cargado negativamente, por lo que el
semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No
obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del
tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como
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una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los
diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un
ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Principio de funcionamiento
La estructura fsica base de los miembros de la familia de los tiristores est
formada por cuatro capas de semiconductores P y N como se ilustra en la
figura.
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El efecto Meissner:
Si un superconductor se refrigera por debajo de su temperatura crtica en
el seno de un campo magntico, el campo rodea al superconductor, pero
no penetra en l. Este fenmeno se conoce con el nombre de Efecto
Meissner y fue descubierto en 1933. Sin embargo, si el campo magntico
es demasiado intenso, el superconductor vuelve a su estado normal
incluso estando a una temperatura inferior a su temperatura crtica.
La densidad de corriente
Aplicar un campo magntico intenso no es la nica manera de destruir la
superconductividad, una vez que el material ha sido refrigerado por debajo
de su temperatura crtica. El paso de una corriente intensa a travs de un
superconductor tambin puede hacer que ste pierda sus propiedades. La
cantidad de corriente que un superconductor puede soportar manteniendo
nula su resistencia se denomina densidad de corriente, la cual se mide en
amperios por unidad de rea. Un valor tpico de la densidad de corriente
en un hilo superconductor es de 100.000 amperios por centmetro
cuadrado. Si pasara una corriente ms densa por el hilo, ste ofrecera
resistencia.
El efecto Josephson
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Otra propiedad interesante de los superconductores es el efecto
Josephson, que est basado en otro fenmeno que recibe el nombre de
efecto tnel. En una unin formada por una delgada barrera de xido
colocada entre dos superconductores, se puede producir efecto tnel. Las
caras externas de los dos superconductores se unen entre s y se mide la
corriente que pasa a travs de la unin. Cuando la unin se expone a
campos magnticos o radiacin, el flujo de corriente debido a que algunos
electrones atraviesan la barrera de xido (efecto tnel). Este efecto puede
emplearse en circuitos de computadores, y para detectar campos
magnticos muy dbiles. Estudios muy recientes han demostrado que el
efecto Josephson puede producirse a temperaturas muy superiores a las
temperaturas crticas del material superconductor.
3.3 Describir la estructura cristalina de los materiales superconductores.
BIBLIOGRAFIA:
https://ticircuitosanlogicos.wordpress.com/fundamentos-de-
electricidad-y-magnetismo/estructura-atomica-de-elementos-
semiconductores/
http://todoesquimica.blogia.com/2012/030504-
semiconductores.php
http://es.slideshare.net/victoreus/los-semiconductores-intrnsecos-
y-los-semiconductores-dopados-13926892
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Pagin
as/Pagina6.htm
http://materialesextricitostiponyp.blogspot.mx/
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tipos.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/pnjun.html
http://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/
electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
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http://www.equiposylaboratorio.com/sitio/contenidos_mo.php?
it=5570
http://coitt.es/res/revistas/04c%20Superconductores.pdf
http://www3.icmm.csic.es/superconductividad/fisica-cuantica-y-
transiciones/fisica-cuantica/solidos-cristalinos/