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Chapitre 4
Transistor Bipolaire

1. Description et symbole :
Le transistor bipolaire est un composant lectronique discret constitu de trois lectrodes
Reprsentant la succession de trois semi-conducteurs, respectivement de type P-N-P ou N-P-N. Il
s'agit, dans le premier cas, d'un transistor NPN, et dans le deuxime cas, d'un transistor PNP.

E C E C
P N P

B B

C C
B B

E E

Figure IV-1 transistor NPN et PNP

B : Base,
E : Emetteur,
C : Collecteur

Par construction, les jonctions base - metteur et base - collecteur ne sont pas identiques. Le
transistor ne fonctionne pas de manire symtrique :
- Le collecteur et l'metteur ont des dopages trs diffrents.
- L'metteur est beaucoup plus dop que la base.
- La base est plus mince.
- La flche qui repre l'metteur indique le sens passant de la jonction base - metteur.

2. Effet Transistor :
L'effet transistor apparat lorsqu'on polarise la jonction base - metteur en direct et la jonction
base - collecteur en inverse.

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2.1. Fonctionnement courant de base nul :

Alimentons un transistor NPN comme indiqu la figure IV-2. Le courant IC est le courant
inverse de la jonction base - collecteur, de l'ordre du nA et indpendant de VCB, nous le noterons
ICOB

E C IC = ICOB

B VCC

Figure IV-2

2.2. Fonctionnement courant de base constant :

Fonctionnement collecteur ouvert :

C E

Figure IV-3

Alimentons un transistor NPN comme indiqu la figure IV-3. la jonction base - metteur est
polarise en direct, VBE =0,7V (pour le silicium) Le courant de base est donn par :
EB 0, 7 EB
IB =
RB RB
Ce courant ne dpend que des lments extrieurs et est indpendant du transistor. La
caractristique IB=f(VBE) est celle d'une diode polarise en direct. Le courant de collecteur est nul
IC =0 .

Fonctionnement collecteur ferm

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Considrons le schma de la figure IV-4

B
VCC

IE

Figure IV-4
La jonction base - metteur est polarise en direct. Des trous sont injects de la base vers
l'metteur alors que des lectrons passent de l'metteur vers la base. Cette diffusion donne
naissance un courant IE. Ce courant est essentiellement d aux lectrons injects de l'metteur
(plus dop que la base). D'autre part, on a : VCB = VCC VBE VCC est positive, donc, la jonction

base - collecteur est polarise en inverse.

Par construction, le collecteur capte un nombre d'lectrons (courant IC) beaucoup plus
EB
important que la base. Le courant de base, I B , est indpendant du transistor. Il est
RB
ncessaire pour maintenir la concentration de trous dans la base.

Conclusion : L'effet transistor consiste contrler, l'aide du courant de base IB, relativement
faible, un courant de collecteur IC, beaucoup plus important.

Mise en quation :
Considrons le schma de la figure IV-5. La jonction base-collecteur est polarise en inverse.
La jonction base-metteur est polarise en direct.

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IC IE

VCB EB
IB

RB

Figure IV-5

Le courant IC rsulte :
- du courant de fuite en base commune ICOB qui intervient sur le schma de la figure IV-2
- du courant IE provenant des lectrons injects par l'metteur, 0,9 0,995
soit,
IC = I E + IC 0 B
Et
I E = IC + I B
De ces deux quations, on tire :
I
IC = I B + C0B
1 1
Que l'on crit sous la forme :
IC = I B + IC 0 E
Avec :

= : c'est le gain en courant en metteur commun
1
IC 0 B
I COE = : C'est le courant de fuite en metteur commun.
1

2.3. Caractristiques du transistor :

Pour caractriser compltement le fonctionnement d'un transistor, il faut dterminer six
grandeurs : IC, IB, IC, ICE, VBE et VBC .

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On considre le transistor comme un quadriple dont une lectrode est commune l'entre et
la sortie. Trois montages sont donc envisager :
- base commune utilis en haute frquence,
- collecteur commun utilis en adaptation d'impdance,
- metteur commun utilis en amplification et le plus commun.
Le montage metteur commun (figure IV-6) :

Figure IV-6
Les bornes d'entre du tri ple sont la base et l'metteur; les grandeurs d'entre sont : IB et VBE.
La sortie se fait entre le collecteur et l'metteur; les grandeurs correspondantes sont IC et VCE.

2.3.1. Montage pour le relev des caractristiques:

Pour procd au relev des caractristiques on utilise le montage ci-dessous (figure IV-7) . Les
paramtres d'entre IB et VBE sont maintenus constants et on mesure IC lorsque VCE varie.

Figure IV-7

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2.3.2. Rseaux de caractristiques :

On tudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium la
tension de seuil de la jonction base-metteur est voisine de 0,7V.

Rseau de sortie
C'est le rseau I C = F (VCE ) I B = Cte . Dans ce rseau on distingue trois zones :

- VCE: faible (infrieure 0,7V), la jonction base - collecteur est polarise en directe. Le
courant IC varie linairement avec VCE.
- VCE : grand, il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par avalanche.
Selon les transistors la tension de claquage varie de 30V 250V.
- VCE intermdiaires, le courant collecteur est donn par la
relation : I C = I B + I C 0 E + kVCE

Il y a une lgre croissance de IC avec VCE. En pratique on utilise la relation simplifie :

IC = I B

est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain varie avec le courant collecteur, la tension
VCE , et la temprature (terme ICEO ).

IB, tant fois plus faible que Ic. On peut considrer que la puissance dissipe dans le
transistor est :

P = VCE.IC

Rseau de transfert en courant :

C'est le rseau IC = f(IB) 0 VCE =Cte . La courbe est linaire et passe par le point IB =0 et
ICEO. C'est la courbe reprsentative de 1'equation :

IC = I B + IC 0 E

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Figure IV-8

Rseau d'entre :
C'est le rseau IB = f(VBE) VCE =Cte . Ds que VCE 0, 7V , toutes les courbes sont

pratiquement confondues. La courbe est identique la caractristique d'une diode (jonction base-
metteur). Pour un transistor au silicium VBE varie trs peu et reste voisin de la tension seuil de la
jonction base-metteur, soit 0,7V.

Rseau de transfert en tension :

C'est le rseau VBE = f(VCE) IB = Cte. On constate que les variations de la tension de sortie
sont sans effet sur la tension d'entre.

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2.3.3. Rgimes de fonctionnement du transistor :

Considrons le schma de la figure IV-9

Figure IV-9
Nous allons chercher dterminer la valeur du courant IC et de la tension VCE en fonction des
lments du montage. Nous disposons de deux quations :
- lune provenant du transistor, donne par le rseau de caractristiques IC = f(VCE) IB =Cte
- 1'autre rsultant de la loi des mailles : E = RC I C + VCE

La droite reprsentative de cette quation est appele droite de charge statique. Traons cette
droite dans le systme d' axes IC = f (VCE ). Figure IV-10.

Figure IV-10

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Les valeurs de IC et de VCE sont les coordonnes du point d'intersection de la droite de charge
statique et de la caractristique IC = f(VCE) correspondant la valeur de IB impose par le rseau
d'entr.

Nous distinguons trois positions remarquables correspondant trois fonctionnement

particulier du transistor :
- le point A dans la partie linaire et horizontale des caractristiques. Ce point correspond
un fonctionnement linaire en amplification.
- Le point S dans la partie montante des caractristiques. Le transistor est satur. VCE 0

(quelques diximes de volt). Toute augmentation de IB est pratiquement sans effet sur la
valeur de IC. Le transistor se comporte, entre collecteur et metteur, comme un
interrupteur ferm. On note : VCE VCEsat

- Le point B pratiquement sur 1'axe des VCE. IC est trs faible. Le transistor est bloqu. II se
comporte, entre collecteur et metteur, comme un interrupteur ouvert.

Dtermination de la condition de saturation :

Idalisons la caractristique IC = f(VCE), correspondant un courant IB comme indiqu la
figure IV-11. Le courant de base est fixe par le rseau d'entre.

Figure IV-11

Pour que le transistor soit satur (point de fonctionnement en S), il faut que son courant de
collecteur IC soit infrieur I B , soit : I C I B

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Exemple :

Figure IV-12

Calculons les lments du dispositif de la figure IV-12 afin d'obtenir la saturation du

transistor. Nous supposons que la tension d'alimentation est trs suprieure 0,6volt, c'est trs
grande par rapport VBESat et VCESat. A partir des quations :
E VBESat E
IB =
RB RB

E VCESat E
IC =
RC RC
la condition de saturation s'crit :
E E

RB RC
Soit :
RB RC

3. Rfrences des diodes et des transistors :

Exemples: la 1N4148 est une diode, le 2N2222A est un transistor a faible gain. La norme Pro
Electron impose un codage comportant trois informations: une premire lettre dsigne le

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matriau semi-conducteur utilise, une deuxime lettre renseigne sur la nature du composant, puis
vient un groupe de trois chiffres (pour les produits "grand public") ou deux chiffres et une lettre
(produits industriels).

Exemple:
A: diode, signal
C: transistor, low power, audio frequency
D: transistor, power, audio frequency 100 999
B: silicium F: transistor, low power, high frequency ou
R: switching device, low power (e.g. thyristor) 10 99 + lettre
U: transistor, power switching
Y: diode, rectifier

Exemples:
la BA159 est une diode signal, le BC547 est un transistor faible puissance, le BD135 est un
transistor de puissance.

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