Universitatea Politehnica din Bucureti

Facultatea de Electronic,Telecomunicaii i Tehnologia

Informaiei

Senzori inteligenti pe SiC pentru medii ostile

bazati pe dispozitive semiconductoare

Raport 1

Conductor tiinific: Doctorand:

Acad. Dan DASCALU Razvan PASCU

Anul 2013
 Introducere

Cercetarile teoretice si experimentale efectuate in domeniul microtehnologiei au cunoscut,

intr-un ritm alert, progrese deosebite. Introducerea tehnologiei carburii de siliciu (SiC) ca
alternativa de inlocuire a siliciului (Si) reprezinta un argument evident in realizarea
dispozitivelor pentru aplicatii de inalta temperatura, functionare in medii ostile, datorita
proprietatilor deosebite ale acesteia.
Acest raport reprezinta o sinteza teoretica privind proprietatile SiC si functionarea
dispozitivelor semiconductoare bazate pe acest material. Astfe, raportul este structurat pe doua
capitole.
Capitolul 1 pune accent pe proprietile materialului semiconductor folosit, i anume SiC.
Se pleaca de la structura cristalina, dupa care urmeaza a fi prezentate principalele politipuri
existente si descrierea structurala a acestora. Atat proprietatile electrice cat si cele termice sunt
descrise in detaliu, aratand o clara superioritate fata de semiconductorul uzual, Si.
Capitolul 2 cuprinde date teoretice privind functionarea a doua dispozitive ce actioneaza
ca senzori inteligenti: dioda Schottky avand rol de senzor de temperatura si capacitorul MOS ca
detector de gaz. Capitolul incepe cu descrierea diodei Schottky plecand de la calculul analitic al
barierei Schottky. Se continua cu analiza curentului electric produs de fluxul de purtatori atat
dinspre semiconductor spre metal, cat si invers, conform teoriei emisiei termionice. In ceea ce
priveste tehnologia de fabricatie a acestor structuri, sunt prezentate diverse configuratii in scopul
obtinerii unor parametri optimi de functionare. Este demonstrat faptul ca o configuratie cu un
profil rampa in oxid asigura o distributie uniforma a densitatii de curent si o tensiune de
strapungere aproape de cea ideala. In continuare se prezinta pe larg un senzor de temperatura cu
diode pe Si, termocuplul si caracteristicile unui senzor rezistiv. Un alt dispozitiv prezentat in
acest capitol este capacitorul MOS. Se pleaca de la structura acestuia unde se evidentiaza atat
stratul de oxid cu cele patru tipuri de sarcina, cat si tipul metalului care se doreste a fi unul
sensibil pentru detectarea anumitor gaze. Un parametru electric important pentru un capacitor
MOS este tensiunea de benzi netede, importanta acesteia fiind descrisa analitic in acest capitol.
Sunt descrise cele 3 regimuri de functionare pentru un capacitor MOS: acumulare, golire si
inversie. Atunci cand un capacitor MOS functioneaza ca detector de gaz, o analiza foarte
importanta privind mecanismele de detectie atat la temperaturi joase, cat si la temperaturi inalte,
joaca un rol crucial. Astfel, se descriu atat mecanismele, cat si principiul de detectie a anumitor
molecule. In finalul capitolului se evidentiaza importanta tipului de metal folosit in realizarea
unui astfel de dispozitiv si influenta cresterii temperaturii in timpul functionarii acestuia.
In final se vor trage principalele concluzii privind utilizarea acestor dispozitive ca senzori
inteligenti.
 Capitolul 1

SiC este un material cu band interzis larg, cu un cmp electric de strpungere de

valoare mare, viteza de saturatie a electronilor i conductivitate termic mari. De asemenea, SiC,
la fel ca Si, are un oxid nativ i stabil, SiO 2 [1,2]. Acest amnunt este deseori prea uor trecut cu
vederea, ns el reprezint cheia oricrei tehnologii semiconductoare, att din perspectiva
procesrii ct i din cea a posibilitii realizrii dispozitivelor metal-oxid-semiconductor (MOS)
pe SiC.

1.1 STRUCTURA CRISTALIN A CARBURII DE SILICIU

Unitatea structural de baz a SiC este un tetraedru format din patru atomi de carbon n
coluri i unul de siliciu n centru, ca n Fig.1. Mai exist i un alt tip de unitate structural, rotit
cu 180 fa de primul. Distana ntre un atom de carbon i unul de siliciu este de 1,89 i
distana ntre doi atomi de carbon este de 3,08. Cristalele de carbur de siliciu se construiesc
din aceste uniti structurale unite la coluri.

Fig. 1 Unitatea structural a SiC : patru atomi de carbon sunt legai covalent cu un atom de
siliciu n centru. Exist dou structuri: cea din dreapta este rotit cu 180 fa de axa C a celei din
stnga.[3]

1.2 POLITIPURI

Carbura de siliciu prezint polimorfism bidirecional numit politipism. Toate politipurile

au un cadru hexagonal de straturi de SiC. Cadrul hexagonal trebuie privit ca straturi de sfere de
aceeai raz i cu razele tangente, cum este ilustrat n Fig. 2
Straturile sunt la fel pentru toate planurile reelei cristaline. Totui, poziia relativ a
planurilor este puin deplasat n sus sau n jos pentru a se potrivi cu vile straturilor adiacente
n acest aranjament puternic mpachetat. De aici rezult dou poziii neechivalente pentru
straturile adiacente.
 Fig. 2 Ilustrarea mpachetrii strnse a 3 straturi de sfere: primul strat de atomi pe poziia A,
urmat de un al doilea pe poziia B i de un al treilea pe poziia C, peste cele dou. Structura rezultant
este, n acest caz, 3C-SiC [3]

Refereniind posibilele poziii ca A, B i C, se pot construi politipurile prin aranjarea

straturilor ntr-o ordine repetitiv specific. Astfel, singurul politip cubic al SiC este 3C-SiC, care
are secvena de aezare ABCABC... , prezentat n Fig. 3a. Cea mai simpl structur hexagonal
construibil este 2H, cu secvena ABAB... Dou politipuri importante sunt 4H-SiC (prezentat n
Fig. 3b) i 6H-SiC (prezentat n Fig. 3c), cu secvenele de aezare ABCBABCB... respectiv
ABCACBABCACB...
Numrul din notaia cristalului determin numrul de straturi nainte de repetiia
structurii i litera reprezint structura rezultant a cristalului: C pentru cubic, H pentru
hexagonal i R pentru romboedric. Exist 70 de structuri hexagonale, 170 romboedrice i doar
una cubic.

(a) (b) (c)

Fig. 3 Structura cristalin a politipurilor 3C-SiC (a), 4H-SiC(b) i 6H-SiC (c) [3]
 Toate politipurile de SiC conin proporii egale de atomi de siliciu i carbon, dar din
cauza diferenelor de aranjare a straturilor, proprietile electrice i optice sunt diferite.
Prin observarea cristalului SiC din lateral, secvena de suprapunere este cea din Fig. 4, n
care sunt ilustrate politipurile 4H, 6H i 3C-SiC. Cnd secvena de suprapunere poate fi redata n
aceast manier, descrie in fapt modelul n zig-zag. Zonele vecine pentru fiecare poziie nu arat
la fel pentru toate politipurile. n Fig. 4, poziia A are vecini diferii fa de poziia B i C.
Aceast poziie se numete poziia hexagonal h, este caracterizat ca fiind punctul de
ntoarcere al modelului zig-zag ce arat simetria hexagonal. Celelalte dou poziii (B i C) sunt
numite poziiile cubice - k1 i k2 i arat simetria cubic. Se observ c politipul 4H are att o
poziie hexagonal (h), ct i una cubic (k).
ntruct creterea cristalului ncepe de la marginea spiralei, atomii care se aeaz pe
suprafa n timpul creterii lor vor fi influenai att de atomii fundamentali ct i de atomii din
prile laterale ale spiralei.

Fig. 4 - Cele mai comune trei politipuri SiC vzute n planul [1120]. Cu k i h s-au notat simetriile
cristalului cubic i respectiv hexagonal [3]

1.4 PROPRIETILE CARBURII DE SILICIU

Pentru o tensiune de blocare de 5000V, carbura de siliciu are nevoie de un strat subire de
drift de 40m, n schimb, o diod realizat pe siliciu necesit un strat de drift de 500m pentru
aceeai tensiune de blocare. Deci, SiC prezinta un avantaj foarte mare din acest punct de vedere.
Cmpul electric mare de strpungere al carburii de siliciu ajut la o bun func ionare n
comutaie a dizpozitivelor de putere, deoarece cmpul critic de strpungere la puterea a treia este
invers proporional cu rezistena specific n conducie. Dispozitivele de putere pe SiC au
rezisten specific n conducie de 100 200 ori mai mic dect cele realizate pe siliciu, fapt ce
se poate desprinde i din graficul de mai jos [4]:
 Fig.5 Rezistena specific n conducie n raport cu tensiunea de blocare pentru dioda Schottky
pe SiC, GaN i Si [4]

Dispozitivele bazate pe acest nou material pot avea tensiuni de strapungere de mii de
voli, deoarece are valori mari ale cmpului critic, iar densitile de putere sunt foarte mari.
Dispozitivele pe SiC sunt mai greu de fabricat, tehnicile de procesare fiind mult mai complexe
dect n cazul siliciului, acest lucru ducnd la o cretere a preului la aceste dispozitive.
Tensiunea de blocare a crescut cu 75%, atingnd valori de 10kV, pentru aceste
dispozitive.
SiC este un material semiconductor foarte dur, cu modulul lui Young de 424 GPa. De
asemenea, carbura de siliciu nu se topete la nicio presiune. Este inert din punct de vedere chimic
i reacioneaz extrem de slab cu orice material cunoscut la temperatura camerei. Mai mult, nu
are faz lichid i sublimeaz la temperaturi peste 1800C. Singurul coroziv la temperaturi
moderate (400 600C) este KOH.

1.4.1 Proprieti electrice

a) Banda interzisa

Reprezint o zon dintr-un material semiconductor cu anumite energii pe care electronii

nu le pot avea. Ea separ nivelele energetice permise ale electronilor, banda de valen i banda
de conducie. Lrgimea acestei benzi interzise (EG) variaz n funcie de temperatur, n
majoritatea lucrrilor pe carbur de siliciu preferndu-se relaia Bennett-Wilson pentru
modelarea acestei dependene: [5]

EG(T) = EG(0) + T [eV]

(1)
 Unde:

T [K] temperatura

EG(0) limea benzii interzise la T = 0K

coeficientul de temperatur pentru T cuprins n intervalul 300 700 K.

Fiecare politip are o banda interzis diferit, de la 2,39 eV pentru 3C SiC pn la 3,33
eV pentru 2H SiC. Cel mai folosit politip este 4H SiC, a crui band interzis are valoarea de
3,265 eV. Banda interzis larg face posibil operarea la temperaturi foarte ridicate, pentru c
ionizarea termic a electronilor din banda de valen n cea de conducie, care era limitarea
primar a dispozitivelor bazate pe siliciu, nu mai este o problem pentru dispozitivele pe carbur
de siliciu. [6]

b) Campul de strapungere (EB)

Reprezint cmpul electric critic la care se declaneaz procesul de multiplicare n
avalan ce determin strpungerea. La SiC, la aceeai dopare, EB are valori de cteva ori mai
mari dect cel din Si, ns tensiunea de blocare nu crete de tot attea ori. Pentru o tensiune de
1kV cmpul maxim ntr-un dispozitiv pe Si e de numai 0.2 MV/cm, iar n SiC cre te pn la
2.49MV/cm.
c) Viteza de saturaie (vs)
Viteza de saturaie a electronilor n SiC e de peste dou ori mai mare dect n Si.
Densitatea maxim de curent prin dispozitiv este dubl fa de Si, ceea ce recomand SiC pentru
aplicaii n microunde la frecvene nalte n general.
d) Conductivitatea termic
SiC are o conductivitate comparabil cu cea a metalelor. Pe un cristal de SiC fr
defecte s-a msurat la temperatura camerei o valoare de 5 W/cmK. Pentru compara ie, Cu are
numai 4W/cmK, iar Ag are 4.18 W/cmK. Valorile ridicate ale acestui parametru arat c la
dispozitivele de putere pe SiC se elimin sau reduce necesitatea unor sisteme de rcire.
e) Mobilitatea
Este un parametru electric de care depinde viteza de lucru a dispozitivului. Toate
politipurile SiC au, la aceeai temperatur i dopare, mobiliti mai mici dect Si sau alte
semiconductoare de band larg. 4H-SiC are cea mai mare mobilitate att pentru electroni ct i
pentru goluri dintre toate politipurile.
n tabelul de mai jos putem observa, i n cifre, proprietile electrice ale celor mai
importani semiconductori de band larg, n comparaie cu semiconductorul uzual, siliciul. [7]
 Si GaAS 4H SiC GaN Diamant UM

Banda interzis 1.12 1.43 3.3 3.5 5.5 eV

Constanta dielectric 11.9 13.1 10.1 9 5.7 -

Campul electric maxim 0.41 0.48 3 5 10 MV/cm

Mobilitatea electronilor 1450 8600 900 2000 4500 cm2/Vs

Mobilitatea golurilor 480 130 120 200 3800 cm2/Vs

Viteza de saturaie 0.86 0.72 2 2.5 2.7 (x107) cm/s

Conductivitatea termic 1.5 0.46 5 1.3 20 W/cmK

Tabelul 1 Proprieti electrice ale Si si semiconductorilor de band larg [7]

1.4.2 Proprieti termice

Cteva din proprietile termice ale acestui material se prezint n tabelul 2:

Parametru Politip Valoare Observaii

Temperatur de 4H-SiC
310340K La 35 atm
topire 6H-SiC

3C-SiC
Cldur Se folosete de obicei valoarea
4H-SiC 0,69 Jg-1C-1
specific pentru 6H-SiC
6H-SiC

3C-SiC 3,6 W cm-1C-1

Conductivitate
4H-SiC 3,7 W cm-1C-1 La T = 300K
termic
6H-SiC 4,9 W cm-1C-1

3C-SiC 1,6 cm2s-1

Difuzibilitatea
4H-SiC 1,7 cm2s-1
termic
6H-SiC 2,2 cm2s-1
 = 3,810-6 C-1 300K

= 2,4710-6 C-1 3C-SiC policristal

= 3,810-6 C-1 500K, 3C-SiC, monocristal

3C-SiC
= 4,310-6 C-1 600K, 3C-SiC monocristal
Expansivitate
= 4,810-6 C-1 900K, 3C-SiC monocristal
termic liniar
= 5,510-6 C-1 1500-2100K, 3C-SiC monocristal

= 1,210-6 C-1 100K

6H-SiC = 4,310-6 C-1 300K, perpendicular pe axa c

= 4,710-6 C-1 Paralel cu axa c

Tabelul 2 Proprieti termice generale ale politipurilor SiC [8]

Capitolul 2

2.1 Senzori inteligenti pe SiC

 Din punct de vedere al functionarii la temperaturi inalte, senzorii pe Si au o comportare
aproape similara cu cei bazati pe SiC, pana la o temperatura de 130C. Senzorii bazati pe SiC
sunt inerti din punct de vedere chimic, au o rezistenta mecanica inalta si sunt capabili sa
functioneze la temperaturi mai inalte datorita benzii interzise mari a SiC, a concentratiei
intrinseci de purtatori scazuta si a conductivitatii termice inalte. De aceea, SiC este un foarte bun
semiconductor pentru realizarea de dispositive electronice si senzori care sa lucreze in medii
ostile.
Astfel, in acest raport se vor prezenta date teoretice privind functionarea a doua dispozitive
ce actioneaza ca senzori inteligenti:
1) Dioda Schottky avand rol de senzor de temperatura;
2) Capacitorul MOS ca detector de gaz.

Dioda Schottky (DS) este un dispozitiv electronic ce are la baza o jonciune metal-
semiconductor. O proprietate importanta a acestui dispozitiv o reprezinta lipsa purtatorilor
minoritari, curentul direct constand din purttori majoritari injectai din semiconductor n metal.
Acest fapt nseamn c DS comuta mult mai rapid fata de o diod cu jonciune p-n. Datorit
benzii interzise de valoare mare, DS pe SiC sunt capabile sa funcioneze la o temperatur mult
mai nalt fata de dispozitivele pe Si.

a) Bariera Schottky

Diagrama energetica a jonctiunii metal-semiconductor este aratata in Fig. 6. Nivelul Fermi,

EF este orizontal pentru ca nu este aplicata nici o tensiune pe jonctiune. In partea din dreapata
jonctiunii, se afla diagrama benzilor de energie pentru un semiconductor de tip n. In stanga se
afla diagrama benzilor de energie a metalului cu stari de energie sub EF, deasupra nivelului Fermi
neexistand stari energetice. Cea mai importanta proprietate a acestei diagrame o reprezinta
bariera de potential la interfata metal-semiconductor. Este denumita ca fiind Inaltimea Barierei
Schottky (IBS) si depinde atat de metal cat si de semiconductorul folosit.
 Fig.6 Diagrama benzilor de energie a contactului metal-semiconductor. Inaltimea barierei Schottky
depinde atat de tipul metalului cat si de materialul semiconductor. (a) Bn este bariera de potential dintre
metal si un semiconductor de tip n; (b) Bp este bariera de potential dintre metal si un semiconductor de
tip p [9]

In ambele figuri (a si b) exista o zona de golire adiacenta cu interfata metal-

semiconductor, unde EF este mai aproape de Ec, respectiv Ev.
O remarca importanta este aceea ca suma dintre qBn si qBp reprezinta banda interzisa a
semiconductorului, asa cum este aratat si in Fig. 7.

Bn + Bp = Eg (2)
Unde : Eg este banda interzisa a semiconductorului
 Fig.7 (a) Un contact metal-semiconductor ideal si (b) un contact metal-semiconductor real [9]

Bariera de potential creste cu lucrul mecanic de iesire al metalului conform relatiei:

Bn = M - semiconductor (3)

unde: M reprezinta lucrul mechanic de iesire al metalului si semiconductor reprezinta

afinitatea pentru electroni a semiconductorului.

Din punct de vedere al tehnologiei de fabricatie a diodelor Schottky, un contact optim

(Schottky sau ohmic) este conditionat de un tratament termic post-metalizare. Astfel, metalul
reactioneaza cu interfata SiC (avand ca prim strat Si) la o anumita temperatura ridicata
formandu-se o siliciura care este mult mai stabila decat contactul metal-semiconductor fara
tratament termic.
b) Teoria emisiei termionice

Fig. 8 prezinta diagrama benzilor de energie pentru un contact Schottky atunci cand este
aplicata o tensiune V pe metal. In cele ce urmeaza vom analiza curentul electric produs de fluxul
de purtatori dinspre semiconductor spre metal, JS->M.
In teoria emisiei termionice, nivelul Fermi este acelasi pana in varful barierei de
potential, concentratia de electroni la interfata fiind:

N=Nce-q(B-V)/kT=2[2mnkT/h2]3/2e-q(B-V)/kT (4)

Fig. 8 Diagrama benzilor de energie a unui contact Schottky cu o tensiune de polarizare V

aplicata intre metal si semiconductor [9]

JS->M depinde de diferenta B-V, aceasta diferenta determinand cati electroni cu energie
suficienta pot trece de bariera pentru a patrunde in metal

c) Functionarea diodei Schottky

La polarizare 0, curentul prin dioda este nul, deoarece un numar egal de electroni atat din
metal cat si din semiconductor pot traversa bariera dintr-o parte in alta. Probabilitatea ca un
electron sa se gaseasca la anumite stari inalte de energie este e -(E-Ec)/kT = e-qB/kT. Cu alte cuvinte, IS-
>M = I0 si IM->S = - I0, unde IS->M si IM->S reprezinta curentul produs de fluxul de electroni dinspre

semiconductor spre metal, respectiv curentul produs de fluxul de electroni dinspre metal spre
semiconductor.
 Fig. 9 Explicatia caracteristicilor I-V a diodei Schottky [9]

Conform teoriei emisiei termionice:

I0 = AKT2e-qB/kT (5)

Unde:

- A este aria diodei

- K = 4qmnk2/h3 constanta lui Richardson

 In Fig. 8(b) o tensiune pozitiva de polarizare este aplicata pe metal. I M->S ramane
neschimbat, -I0, pentru ca bariera dinspre metal catre semiconductor este neschimbata la B. Pe
de alta parte, IS->M este imbunatatit cu eqV/kT pentru ca bariera este mai mica cu qV. Astfel,

IS->M = AKT2e-(qB- qV)/kT = AKT2e-qB/kT eqV/kT = I0 eqV/kT (6)

I= IS->M + IM->S = I0 eqV/kT I0 = I0(eqV/kT-1) (7)

Pentru tensiuni negative mari, I= I0, iar Fig. 9c explica de ce IS->M este anulat de o bariera
foarte mare, in timp ce IM->S ramane neschimbat la valoarea -I0.

d) Tehnologii de fabricatie pentru structuri Schottky

Senzorii sunt in multiple situatii diode Schottky sau pn planare [10-12]. In tehnologia
planara exista mai multe metode de obtinere a structurilor de inalta eficienta in ceea ce priveste
atat densitatea de curent cat si tensiunea de strapungere a dispozitivului. Astfel, vom descrie
cateva tehnologii de fabricatie a diodelor Schottky si eficienta acestora.
In dispozitivele reale, tensiunea de strapungere este intotdeauna mai mica decat valoarea
sa teoretica datorita defectelor din material, aparand efecte de margine prin aglomerari ale
campului electric. Pentru a ocoli acest fenomen nedorit se folosesc tehnologii ce presupun
realizarea unor terminatii de camp. [13] Exista o varietate de structuri ce contin astfel de
terminatii: inele de garda[14,15], terminatii de camp (field plate - FP) [16-19], structuri mesa
[20], extensie a terminatiei jonctiunii (JTE) [21,22] sau cateva combinatii din acestea [23-25].
Multe din aceste terminatii de margine sunt intalnite la jonctiunile pn, si anume: inele de garda,
FP si JTE.
Tehnica FP este probabil cea mai simpla tehnologie care implica astfel de terminatii.
Aceasta consta in depunerea unui metal peste un strat de oxid ce asigura o netezire a liniilor de
camp la periferia contactului. In Fig 10(a) este ilustrat un singur pas in ceea ce priveste structura
cu terminatia de camp (FP). Terminatia are 2 parametri: grosimea oxidului si lungimea
terminatiei.
 O solutie mai precisa consta in realizarea unei structuri care contine 3 astfel de terminatii
suprapuse. (Fig. 10(b)). Procesul de fabricatie devine mai complicat, insa performantele electrice
se imbunatatesc simtitor. [26]

Aceasta varianta are 6 parametri care pot fi ajustati astfel incat dispozitivul sa functioneze
in conditii optime: grosimea celor 3 rampe de oxid (TF1, TF2, tox) si lungimea celor 3 terminatii
(XF1, XF2, FP).
Terminatia din Fig.10(c) a fost testata cu succes atat pe Si cat si pe SiC pentru dispozitive
de putere [26,27] si se bazeaza pe o terminatie cu profil rampa in oxid peste care se depune un
metal pentru a forma un contact Schottky. Aceasta metoda este recunoscuta ca fiind cea mai
eficienta in ceea ce priveste tensiunea de strapungere si densitatea de curent a dispozitivului.[28]
Fig. 10 (a) terminatie de camp cu un singur pas; (b) terminatie de camp in 3 pasi; (c) terminatie de camp
cu profil rampa in oxid [28]

Performanta unei terminatii se evalueaza comparand tensiunea de strapungere a unei

structuri ideale cu una realizata tehnologic. Pentru o dioda Schottky ideala, tensiunea de
strapungere este egala cu campul electric de strapungerea a substratului, in timp ce dispozitivele
reale se strapung intotdeauna mai repede datorita efectelor de margine.

2.1.1 Senzori de temperatura

Senzorii de temperatur comerciali cu semiconductori sunt realizai n variant integrat,

au deci dimensiuni foarte reduse, sunt simplu de fabricat, cu comportament liniar, precis, iar
costul de fabricaie este redus. Se bazeaz pe dependena de temperatura a caracteristicii curent-
tensiune. Temperatura este mrimea ambiental msurat cel mai des n aplicaii. Acest fapt este
de ateptat deoarece majoritatea fenomenelor de natur fizic, electric, chimic, mecanic i
biologic sunt afectate de temperatur. Unele procese funcioneaz corespunztor doar ntr-o
gam restrns de temperaturi; anumite reacii chimice, procese biologice, sau chiar circuite
electronice funcioneaz optim doar dac sunt ndeplinite condiii stricte de control ale
temperaturii [29,30].
Tehnologia senzorilor a nregistrat o migrare ctre semiconductori de band larg ce
produc dispozitive cu o mare toleran la temperatur. De aceea, conductivitatea termic ridicat
a carburii de siliciu SiC (de trei ori mai mare ca a siliciului pur) permite att o disipare mai
bun a cldurii ct i o gestionare mai bun a temperaturii [31-34]. Avand in vedere faptul ca
acesti senzori vor functiona in medii mai putin prietenoase (mediu coroziv, gaze toxice,
umezeala, temperaturi uzuale peste 100C), timpul de viata al senzorilor curenti (pe Si) nu
depaseste 3 luni. In continuare se vor prezenta cateva tipuri de senzori de temperatura:
n Fig.11 este prezentat un senzor cu diode din Si. Acest tip de senzori sunt recomandai n
aplicaii ce nu depesc gama de -25C 200C, ofer precizia necesar la un cost mult redus
fa de cellalte opiuni, avnd i avantajul unei interfari mult mai uoare cu circuitele
electronice de prelucrare si amplificare a semnalului dat de senzorul propiu-zis. [35]

Fig. 11 Senzor de temperatura bazat pe diode

Termocuplele sunt perechi de fire din metale diferite unite la cel puin un capt, aa cum
este ilustrat n Fig.12. Acest ansamblu genereaz o tensiune termo-electric ntre capetele
separate, conform diferenei de temperatur dintre ele, a coeficientului Seebeck i a uniformitii
perechii.

Fig.12 Termocuplu [36]

Senzorii rezistivi de temperatur sunt dispozitive din fire bobinate sau straturi subiri cu
coeficient pozitiv de variaie cu temperatura al rezistenei electrice. Acest tip de senzor este cel
mai rspndit datorit cvasi-liniaritii dependenei rezisten-temperatur pe o gam larg de
temperaturi precum i a timpului foarte mic de rspuns. De asemenea, precizia acestora este
printre cele mai bune, avnd rezoluii de msur de ordinul a 0,1C. De obicei,
termorezistenele sunt ncapsulate n sonde de temperatur cu indicator extern [37,38].

Capacitorul MOS

Microsenzorii pe capacitor MOS sunt utilizai pe scar larg pentru detecia de hidrogen.
Dac semiconductorul este carbura de siliciu (SiC), senzorii pot funciona n medii ostile, la
temperaturi nalte. Aceast capabilitate este datorat benzii interzise mari i rezistentei chimice a
carburii de siliciu [39]. Procesele care implic hidrogenul necesit microsenzori pentru
monitorizarea distribuiei de gaz i detecia de scurgeri. Aceste procese supun microsenzorii la
funcionri n medii ostile de nalt temperatur. n plus, microsenzorii trebuie s prezinte
sensibilitate i fiabilitate ridicate, timp de rspuns scurt i trebuie de asemenea s poat detecta
un domeniu larg de concentraii de gaz.
a) Structura MOS

Structura MOS (Fig. 13) are forma unui condensator cu armturi plane paralele i este
format din trei straturi: metal (poart), oxid (izolator) i semiconductor (substrat).

Fig. 13 Structura capacitorului MOS

O structura ideala de capacitor MOS are un izolator cu rezistivitatea infinita, sarcina

prezenta numai in metal si semiconductor, iar lucrul mecanic de extractie al metalului este egal
cu cel al semiconductorului (nivele Fermi egale).
Intr-un capacitor MOS real apar o serie de neidealitati datorate diferentei dintre lucrul
mecanic de extractie al metalului si semiconductorului. Prezenta sarcinilor in oxid reprezinta
deasemenea un alt inconvenient in realizarea unui capacitor MOS.
n cazul n care metalul i semiconductorul au lucrul mecanic de extracie diferit, apare un
transfer de sarcin ntre cele dou regiuni pentru a atinge condiii de echilibru (nivelul Fermi este
acelai n metal i semiconductor). n cazul unei structuri MOS cu semiconductor de tip p, n
care lucrul mecanic de extracie al metalului este mai mic dect cel al semiconductorului,
transferul de sarcin din semiconductor produce o regiune de golire la interfaa cu oxidul.
Diferena dintre lucrul mecanic de extracie al metalului i cel al semiconductorului este MS
[40].

qMS = qB + q0 (qS + Ei + qB) (8)

Unde: B este nimea barierei de potenial dintre metal i oxid, 0 este afinitatea electronilor
pentru oxid, S este afinitatea electronilor pentru semiconductor, Ei este nivelul de energie
intrinsec, iar B este diferena de potenial dintre nivelurile de energie intrinsec i Fermi din
semiconductor.

Sarcinile prezente in oxid la un capacitor MOS real se pot clasifica in [40]:

sarcin ionic mobil;
sarcin fix n oxid;
sarcin captat n oxid;
sarcin la interfa.
Primele trei tipuri de sarcini (QOX) sunt pozitive i nu se modific pe durata funcionrii normale
a structurii MOS. Sarcinile de la interfaa oxid-semiconductor (Q IC) sunt cauzate de terminarea
brusc a structurii periodice a semiconductorului. Aceast regiune conine stri de energie n
banda interzis, denumite stri de suprafa. Sarcinile se pot transfera ntre semiconductor i
strile de suprafa. Sarcina net din strile de suprafa depinde de poziia nivelului de energie
Fermi, deci de tensiunea de polarizare aplicat pe poarta structurii MOS [41,42].

b) Tensiunea de benzi netede(VFB flat-band)

Tensiunea de benzi netede reprezinta tensiunea necesara aplicata pe poarta pentru a

egaliza nivelele Fermi (metal-semiconductor). [41]

VFB = MS (QOX + QIC)/COX (9)

Unde: COX este capacitatea specifica a oxidului

Din ecuatia (9) se poate observa c n cazul unei structuri MOS ideale, n care lucrul
mecanic de extracie al metalului i cel al semiconductorului sunt egale, iar n oxid nu exist
sarcini captate, tensiunea flat-band este nul. n cazul structurii MOS reale de tip p, n care lucrul
mecanic de extracie al metalului este mai mic dect cel al semiconductorului, iar sarcina fix n
oxid i cea din strile de suprafa sunt pozitive, tensiunea flat-band este negativ.

c) Caracteristici C-V

Vor fi descrise cele 3 regimuri de functionare pentru un capacitor MOS cu semiconductor

de tip p. Astfel, daca se aplic un potenial negativ pe electrodul porii, golurile mobile sunt
atrase din volumul semiconductorului spre interfaa oxid-semiconductor. Acest regim de
funcionare este denumit acumulare. O mic variaie n tensiunea aplicat pe structura MOS
cauzeaz o modificare att n sarcina de pe electrodul metalic, ct i n sarcina golurilor
acumulate la interfa. n consecin, capacitatea structurii MOS din regimul de acumulare este
egal cu capacitatea oxidului [41]:

Cacumulare = COX = ox/tox (10)

Unde: COX este capacitatea specific a oxidului, ox este permitivitatea electric a oxidului
i tox este grosimea oxidului. Atunci cnd se aplic un potenial pozitiv pe poart se formeaz o
regiune de golire la interfaa semiconductorului, deoarece golurile sunt mpinse departe de
interfaa oxid-semiconductor. Acest regim de funcionare este denumit golire. Aplicarea unui
semnal AC peste tensiunea pozitiv DC de pe poart produce modificarea limii regiunii golite
i n consecin, a sarcinii negative din aceast zon [41].
Astfel, capacitatea structurii MOS n condiiile de golire este egal cu gruparea serie
format din capacitatea oxidului i capacitatea regiunii golite din semiconductor [41]:

1/Cgolire = 1/COX + 1/CS (11)

Unde: CS este capacitatea specific a regiunii de golire din semiconductor si este data de expresia

CS = s/xd (12)

Unde: s este permitivitatea electric a semiconductorului, xd este limea regiunii golite din
semiconductor).
Pe msur ce potenialul pozitiv pe poart crete, limea regiunii golite din
semiconductor se mrete, scznd astfel capacitatea structurii MOS. Atunci cnd regiunea golit
atinge limea maxim se formeaz un strat de inversiune la interfaa oxid-semiconductor. n
acest caz, capacitatea structurii MOS atinge valoarea minim [41]:

Cmin = ox/[tox + (ox/ s) xd,max] (13)

Unde: xd,max reprezinta latimea maxima a regiunii de golire.

Dup ce limea regiunii golite atinge valoarea maxim, orice cretere a tensiunii DC
aplicate structurii MOS produce o cretere a sarcinii de electroni din stratul de inversiune. Acest
regim de funcionare este denumit inversie.
Aplicarea unui semnal AC de mic frecven (pn la sute de Hz) cauzeaz o modificare
de sarcin numai n stratul de inversiune. n consecin, capacitatea structurii MOS devine din
nou egal cu capacitatea oxidului si invariabila cu tensiunea de polarizare[41]:

CINV = COX = ox/tox (14)

n cazul aplicrii unui semnal AC de mare frecven (ordinul MHz) schimbarea de

sarcin apare datorit modificrii limii zonei de golire a semiconductorului [41]. n consecin,
capacitatea structurii MOS n condiii de inversiune este egal cu Cmin (ec. 13). Caracteristicile C-
V de frecven mic i mare pentru structura MOS ideal sunt ilustrate n Fig. 14. De obicei
msurarea caracteristicii C-V se face la frecvene nalte [41].

Fig.14 Caracteristica C-V de mare i mic frecven a structurii MOS ideale [41]
 n cazul unei structuri MOS reale, sarcinile pozitive fixe din oxid i valoarea negativ a
diferenei dintre lucrul mecanic de extracie al metalului i cel al semiconductorului reduc
tensiunea de benzi netede conform ecuaiei (9). Acest fapt determin o deplasare a caracteristicii
C-V ctre tensiuni negative fr a-i schimba forma [41]. Strile de suprafa diminueaz
dependena sarcinii din regiunea golit a semiconductorului de tensiunea de polarizare. n
consecin, este nevoie de un interval de tensiune mai mare pentru a trece structura MOS din
acumulare n inversiune. Acest interval mrit produce o alungire a caracteristicii C-V a structurii
MOS [41]. Curba C-V de mare frecven a structurii MOS reale este ilustrat n Fig. 15 [41].

Fig. 15 Caracteristica C-V de mare frecven a structurii MOS reale [41]

2.1.2 Senzor de hidrogen bazat pe capacitor MOS

Mecanismul de detectie a senzorilor de gaz

Mecanismul de detectie este independent de tipul dizpozitivului, intrucat reactiile chimice
responsabile pentru raspunsul la gaz sunt definite de tipul materialului catalitic procesat pe
dispozitiv si temperatura de functionare. Chiar si la o temperatura de 600C, reactiile chimice au
loc pe suprfata metalului catalitic cu o rata de cateva milisecunde, care este mai mica decat rata
raspunsului in timp al dispozitivelor.

a) Mecanismul de detecie la temperaturi joase

Atunci cnd un capacitor MOS este expus ntr-un mediu cu hidrogen, moleculele de gaz
disociaz n contact cu electrodul metalic la temperaturi de minim 150C. O parte din atomii de
hidrogen rmm la suprafaa metalului, iar o alt parte difuzeaz prin metal pn cnd ajung la
interfaa metal-oxid. Exist un echilibru ntre numrul de molecule absorbite la suprafaa
metalului i numrul de molecule absorbite la interfaa metal-oxid. Atomii de hidrogen de la
interfaa metal-oxid sunt polarizai i creeaz un strat bipolar. Acest strat bipolar scade lucrul
mecanic de extracie al metalului, care reduce tensiunea de benzi netede a capacitorului MOS.
Diminuarea tensiunii de flat-band cauzeaz o deplasare la stnga a caracteristicii C-V a
capacitorului [43]. Deplasarea caracteristicii C-V a capacitorului MOS (V) cu semiconductor
de tip n, introdus ntr-un mediu ce conine hidrogen, este ilustrat n Fig. 16.

Fig. 16 Deplasarea caracteristicii C-V a capacitorului MOS cu semiconductor de tip n

introdus ntr-un mediu ce conine hidrogen la temperaturi joase

b) Mecanismul de detecie la temperaturi inalte

Atunci cnd senzorul de hidrogen pe capacitor MOS funcioneaz la temperaturi nalte, de

peste 700K, apare un proces de pasivizare a sarcinii de la interfaa oxid-semiconductor [44,45].
Hidrogenul difuzeaz prin metal i formeaz un strat bipolar la interfaa metal-oxid. Acest strat
bipolar reduce lucrul mecanic de extracie al metalului, cauznd o deplasare a caracteristicii C-V
a senzorului ctre axa negativ a tensiunii. Hidrogenul difuzeaz de asemenea prin stratul de
oxid i atinge interfaa oxid-semiconductor. Aici, atomii de hidrogen pasivizeaz sarcina din
strile de suprafa i micoreaz tranziia din acumulare n inversiune a caracteristicii C-V, aa
cum este ilustrat n Fig. 17 [44].
 Fig. 17 Caracteristica C-V a unui senzor pe capacitor MOS cu semiconductor de tip n
introdus ntr-un mediu cu hidrogen la temperaturi nalte

Rspunsul senzorului la un mediu cu hidrogen poate fi determinat prin dou metode.

Prima metod presupune meninerea structurii MOS la o capacitate constant n regiunea de
golire a caracteristicii C-V i msurarea tensiunii necesare meninerii acelei capaciti [46]. A
doua metod presupune aplicarea unei tensiuni constante n regiunea de golire i monitorizarea
variaiei capacitii. Procesul de pasivizare a strilor de la interfaa oxid-semiconductor este
reversibil, dar nu foarte stabil [46]. Astfel, pentru a efectua msurtori precise ale concentraiei
de hidrogen, influena densitii sarcinilor de la interfa asupra caracteristicii C-V trebuie s fie
neglijabil.

c) Principiul detectarii gazului

Acest principiu al senzorilor, avand ca material catalitic un metal, este bazat pe schimbul de
sarcina electrica de la suprafata izolatorului prin disocierea moleculelor de gaz de catre metalul
catalitic. Moleculele de gaz adsorbite si produsii reactiei formeaza un strat polarizat la interfata
metal-izolator(Fig. 18). Acest lucru duce la cresterea campului electric in izolator, ce determina
shimbarea concentratiei de purtatori mobili din semiconductor. Raspunsul la gaz, V, este un
raspuns Langmuir, ce se satureaza la presiune inalta a gazului, P.
 Fig. 18 (a) Schema unui dispozitiv MISiC cu un metal catalitic dens de poarta. (b) Un metal catalitic poros de
poarta. Raspunsul total la gaz este o combinatie a raspunsurilor la: interfata metal-izolator, contactlul metal-
izolator si suprafata expusa a izolatorului [3]

V=VmaxP/(1+ P) (15)

unde: Vmax este cuprins intre 0.5-1V si depinde de calea reactiei. Polarizarea introdusa de
gazele la interfata izolatorului va schimba caracteristicile curent-tensiune (I-V) ale unei diode
Schottky si tensiunea de benzi netede a unui capacitor. (Fig.19). Raspunsul la gaz poate fi
masurat din shift-ul (deplasarea) tensiunii la un curent constant sau la un nivel constant de
capacitate.

Fig.19 (a) Caracteristicile C-V a unui capacitor bazat pe SiC la 400C folosind ca metal Pt.(b) Caracteristicile I-V
a unei diode Schottky la 400C folosind un metal poros, Pt [3]

Pentru ca reactiile chimice pe suprafata metalului catalitic sunt responsabile cu detectia

gazelor, raspunsul senzorului are o dependenta foarte mare de temperatura. In general, o crestere
a temperaturii da un raspuns mai rapid, asa ca atat tipul metalului catalitic, cat si temperatura,
influenteaza raspunsul la gaz.
d) Detectia diferitelor molecule:

Detectia hidrogenului
In cazul metalelor catalitice groase, dense, hidrogenul sau moleculele care contin hidrogen
(hidrocarburi disociate pe suprafata metalului) difuzeaza prin metal spre suprafata izolatorului
intr-un timp de ordinul microsecundelor. (Vezi Fig.18 a). Acest lucru are loc la temperaturi de la
150C in sus. Rezultatele experimentale indica faptul ca stratul polarizat este intr-adevar localizat
pe suprafata izolatorului, acest lucru fiind sustinut in continuare de catre senzorii ISFET (ion-
selective field-effect transistor), unde este aratat ca hidrogenul introduce grupuri de SiO -, SiOH,
si SiOH2+ pe suprafata SiO2 intr-un mediu lichid. Shift-ul (Deplasarea) maxim , V max, dat de
stratul polarizat poate fi descris astfel [3]:

Vmax = pN/0 (16)

unde: p este momentul de dipol al sarcinii complexe,

N este numarul de stari si
0 constanta dielectrica.

Rezultatele de la dispozitivele cu diferite materiale izolatoare (Al 2O3, Si3N4, Ta2O5 si SiO2) arata
o puternica corelare intre concentratia oxigenului pe izolator si raspunsul inert al hidrogenului.
Deasemenea, a fost aratat ca diodele Schottky bazate pe GaN produc un raspuns la gaz
similiar cu cel dat de diodele Schottky pe SiC, indiferent daca contactlul Schottky se realizeaa pe
fata cu Ga sau N. O alta sustinere pentru acest model in care sarcinile de pe suprafata izolatorului
sunt responsabile cu raspunsul la gaz il reprezinta experimentele facute pe AlGaN/GaN HEMTs
(High Electron Mobility Transistor) in care nu este nevoie de un metal pe poarta. Aceste
dispozitive au aratat o modulatie similara a curentului prin canal pentru suprafetele cu Ga sau N,
datorita fluxurilor de ioni pozitivi sau negativi generati printr-o tehnica de pulverizare(ion spray
technique). Curentul a fost amplificat de cel putin 1000 de ori [3].

Detectia amoniacului
Detectia altor molecule cum ar fi amoniacul, presupune utilizarea unui metal catalitic poros.
Pentru a obtine un raspuns la molecula NH 3, se considera ca este necesara prezenta unor stari
active de tipul triple points in care moleculele sunt in contact cu metalul, izolatorul si mediul
in care se face detectia. A fost aratat faptul ca speciile de gaz, ca atomii sau protonii de hidrogen,
difuzeaza deasemenea pe suprafata oxidului expusa intre granulatia de metal. Vezi Fig. 18(b).
Mecanismul de detectie consta intr-o combinatie a raspunsurilor la gaz [3]:
de la interfata metal-izolator
de la contactul metal-izolator
de la suprafata izolatorului expusa
Detectia hidrocarburilor
Dispozitivele cu efect de camp cu un metal catalitic raspund la fel de bine, atat la hidrogen
cat si la molecule care contin hidrogen, cum ar fi hidrocarburi, prin livrarea unor atomi sau ioni
de hidrogen la interfata metal-izolator atunci cand moleculele sunt disociate pe suprafata
metalului. Totusi, moleculele de oxigen deasemenea disociaza pe suprafata metalului catalitic si
reactioneaza cu produsii disociati de la hidrocarburi pentru a produce apa si dioxid de carbon.
Acest proces consuma hidrogen si scade semnalul senzorului, asigurand oportunitatea de a
detecta indirect prezenta oxigenului [3].

Detectia monoxidului de carbon

Raspunsul la hidrocarburi poate fi explicat prin faptul ca atomii de hidrogen disociati
formeaza un strat polarizat la suprafata izolatorului. Totusi, raspunsul observat la monoxid de
carbon nu poate fi explicat asa usor. In urma unei investigari ample privind raspunsul
monoxidului de carbon la 600C s-a observat ca raspunsurile hidrogenului si monoxidului de
carbon au aratat un efect in plus. Timpul de raspuns la aceste a fost scazut considerabil prin
prezenta vaporilor de apa din atmosfera. Exista 3 posibilitati privind raspunsul la CO:
Raspunsul monoxidului de carbon in argon poate fi un raspuns la hidrogen, intrucat
senzorul devine extrem de sensibil la hidrogen atunci cand CO consuma toti atomii de
oxigen de pe suprafata senzorului.
In argon, moleculele de CO pot reduce simplu stratul de oxid de pe suprafata Pt, acest
fapt crescand timpul de raspunsul datorita diferentei dintre lucrul mecanic de iesire (work
function) al unei suprafete curate de Pt si una adsorbita cu oxigen.
Intr-o atmosfera de oxigen, CO da cateodata un raspuns direct pentru un film de metal
poros. Acest lucru indica faptul ca molecula de CO e capabila sa influeneteze purtatorii
mobili din semiconductor. [3]

e) Influenta diferitelor metale

Raspunsul la hidrogen este considerabil mai slab atunci cand folosim Pt, in comparatie cu
Pd, acest lucru fiind explicat prin diferenta barierei de reactie pentru formarile de OH - (intre
atomii de oxigen si hidrogen adsorbiti). Aceasta bariera este mai inalta la Pd, care duce la o
acoperire mai mare a suprafetei cu acest metal si prin urmare la un raspuns la hidrogen mai rapid
la o concentratie de gaz data. Au fost comparate sensibilitatile la hidrogen si metan intre
temperaturile 400-600C a unor diode Schottky pe 6H-SiC avand ca metale catalitice Pt si Pd.
Filmele de Pt si Pd au grosimi mai mici de 80nm si au fost construite doturi de 1mm diametru.
Sensibilitatea a fost masurata prin schimbarea curentului la o tensiune constanta de 3V. Diodele
Schottky cu Pd au aratat o sensibilitate mai mare si un raspuns la fel de rapid atat la hidrogen cat
si la metan. Stabilitatea raspunsului la hidrogen a fost testata timp de 30zile la 500C, iar
rezultatele au aratat excelent pentru ambele tipuri de senzori [3].
f) Influenta temperaturii
Senzorii MISiC (metal-izolator-SiC) functioneaza intr-o gama larga de temperatura.
Raspunsul lor la gaz poate fi impartit in 2 regimuri de temperatura cu un punct critic in jurul
valorii de 600C.
Peste 600C timpul de raspuns la senzorilor MISiC, de exemplu, la hidrocarburi, arata un
comportament binar. Acest lucru inseamna ca semnalul are la baza numai 2 nivele de tensiune
care se schimba rapid de la nivelul de jos pentru excesul de hidrocarburi la un nivel inalt pentru
excesul de oxigen.
Datorita ratelor mari de reactie care au loc in jurul valorii de 600C si chiar mai mult,
expunerea la amestecuri de gaze pe baza de hidrogen sau hidrocarburi provoaca tranzitia
suprafetei de platina de la o suprafata cu atomi de oxigen adsorbiti la una acoperita cu atomi de
hidrogen si specii ale hidrocarburilor. Cand avem exces de oxigen, are loc combustia totala a
moleculelor de hidrocarburi pe suprafata metalului, deoarece hidrocarburile sunt convertite in
apa, nitrogen si dioxid de carbon care parasesc suprafata.
Sub 600C, este obtinut un raspuns mult mai liniar. Acest lucru este demonstrat prin
raspunsul hidrogenului la 300C unde are loc numai o combustie partiala a moleculelor de gaz pe
suprafata metalului. Acest lucru inseamna ca la aceste temperaturi joase, hidrocarburile sunt
disociate si dau raspunsuri diferite la temperaturi critice [3].
 Concluzii

Performanele dispozitivelor semiconductoare i tehnologia bazat pe Si sunt aproape de

limitele teoretice ale acestui material. De aceea, un alt material, SiC, este un bun candidat pentru
a fi folosit n generaia viitoare a dispozitivelor de putere, n special pentru aplicaii de tensiune
nalt i temperaturi ridicate.
Raportul s-a axat pe descrierea unor dispozitive semiconductoare care vor actiona ca
senzori inteligenti in medii mai putin prietenoase.
Semiconductorul potrivit pentru astfel de aplicatii este SiC, avand in vedere mediile
ostile in care urmeaza sa functioneze aceste dispozitive. Proprietatile superioare fata de
semiconductorul uzual, Si, banda interzisa de aproximativ 3 ori mai mare decat la Si, un cmp
electric de strpungere de valoare mare, viteza de saturatie a electronilor i conductivitate
termic mari, reprezinta cheia succesului in utilizarea unui astfel de semiconductor in aplicatii
pretentioase.
Diodele Schottky fac parte din categoria dispozitivelor cu un spectru larg de aplicaii.
Datorit funcionrii cu purttori majoritari, aceste dizpozitive au o vitez de lucru foarte mare
fiind potrivite in domeniul detectiei. Atunci cand dioda Schottky actioneaza ca si senzor de
temperatura, ea este polarizata la un curent constant, iar variatia tensiunii directe cu temperatura
trebuie sa fie liniara.
Microsenzorii bazati pe un capacitor MOS sunt utilizai pe scar larg pentru detecia de
hidrogen. Dac semiconductorul este SiC, senzorii pot funciona la temperaturi nalte. Aceast
capabilitate este datorat benzii interzise mari i ineriei chimice a SiC. Au fost descries cele 3
regimuri de functionare ale unui capacitor MOS si mecanismul de detectie atat la temperaturi
inalte cat si la temperature joase. Deasemenea, principiul functionarii capacitorului MOS ca
detector de gaz si detectia anumitor molecule au fost relatate.
 REFERINTE:

[1] N.I. Sax, Dangerous Properties of Industrial Materials, 4th ed., Van Nostrand Reinhold, New
York, USA,1975, pp21-25;
[2] Choyke, W. J., and G. Pensl, Physical Properties of SiC, MRS Bulletin, 1997, pp.2529
[3] Stephen E. Saddow, Anant Agarwal, Advances in Silicon Carbide Processing and Applications,
Semiconductor Materials and Devices Series, ISBN 1-58053-740-5, 2004;
[4] Michael A. Briere, GaN-based power devices offer game-changing potential in power-
conversion electronics, ACOO Enterprises LLC, 2009
[5] H.S. Bennet, C.L. Wilson, Statistical comparisons of data on band-gap narrowing in heavily
doped silicon: electrical and optical measurements, J. Appl. Phys. 55 (10) (1984) 35823587.
[6] P.G. Neudeck, R.S. Okojie, and L.-Y. Chen. High-temperature electronics - a role for wide
bandgap semiconductors? Proceedings of the IEEE, vol. 90(6): 2002 pp.10651076.
[7] Carl-Mikael Zetterling, Process technology for silicon carbide devices, Copyright 2003, IEE,
London, UK, 2002.
[8] Jayadeep Deva Reddy, Mechanical properties of Silicon Carbide (SiC) thin films, Graduate
School Theses and Dissertations, University of South Florida (USF), 2008
[9] Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, 2010
[10] Laureniu Teodorescu, Florin Drghici, Gheorghe Brezeanu, Ion Rusu, High Temperature
Characterization System for Silicon Carbide Devices, in Proc. of the 35th International
Semiconductor Conference, 15-17 Oct. 2012, Sinaia, Romania, vol. 2, IEEE Catalog Number:
CFP12CAS-PRT, ISBN: 978-1-4673-0736-9, ISSN: 1545-827X, pp. 449-452.
[11]R. Pascu, F. Craciunoiu, M. Kusko, F. Draghici, A. Dinescu, M. Danila, The Effect of the Post-
Metallization Annealing of Ni/n-type 4H-SiC Schottky Contact, in Proc. of the 35th International
Semiconductor Conference, 15-17 Oct. 2012, Sinaia, Romania, vol. 2, IEEE Catalog Number:
CFP12CAS-PRT, ISBN: 978-1-4673-0736-9, ISSN: 1545-827X, pp. 457-460.
[12] F. Draghici, G. Brezeanu, I. Rusu, F. Bernea, P. Godignon, High Temperature SiC Sensor with a
Fully Isolated Package, The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
(ECSCRM 2012), 2-6 Septembrie 2012, Saint-Petersburg, https://www.ecscrm-
2012.org/Documents/Program%20Guide
[13] Lei Yong, Shi Hongbiao, Lu Hai, Chen Dunjun, Zhang Rong, Zheng Youdou, Field plate
engineering for GaN-based Schottky barrier diodes, Journal of Semiconductors, Vol. 34, No. 5,
May 2013
[14] Ueno K, Urushidani T, Hashimoto K, et al. The guard-ring termination for the high-voltage SiC
Schottky barrier diodes, IEEE Electron Device Lett, 1995, 16(7): 331
[15] Sheridan D C, Niu G, Merrett J N, et al. Design and fabrication of planar guard ring
termination for high-voltage SiC diodes. Solid-State Electron, 2000, 44(8): 1367
[16] Goud C B, Bhat K N. Two-dimensional analysis and design considerations of high-voltage
planar junctions equipped with field plate and guard ring, IEEE Trans Electron Devices, 1991,
38(6):1497
[17] Tarplee M C, Madangarli V P, Quinchun Z, et al. Design rules for field plate edge termination in
SiC Schottky diodes. IEEE Trans Electron Devices, 2001, 48(12): 2659
[18] Ayalew T. Enhancement of breakdown voltage for NiSiC Schottky diodes utilizing field plate
edge termination. Microelectron Reliab, 2004, 44(911): 1473
[19] Kumta A, Rusli, Tin C C, et al. Design of field-plate terminated 4H-SiC Schottky diodes using
high-k dielectrics. Microelectron Reliab, 2006, 46(8): 1295
[20] Shelton B S, Gang Z T, Lambert D J H, et al. Simulation of the electrical characteristics of high-
voltage mesa and planar GaN Schottky and pin rectifiers. IEEE Trans Electron Devices, 2001,
48(8): 1498
[21] Perez R, Tournier D, Perez-Tomas A, et al. Planar edge termination design and technology
considerations for 1.7-kV 4H-SiC PiN diodes IEEE Trans Electron Devices, 2005, 52(10): 2309
[22] Hiyoshi T, Hori T, Suda J, et al. Simulation and experimental study on the junction termination
structure for high-voltage 4HSiC PiN diodes, IEEE Trans Electron Devices, 2008, 55(8): 1841
[23] SINGH, K., COOPER, J.A., MELOCH, M.R., CHOW, T.P., PALMOUR, J.W., SiC Power
Schottky and pin Diodes, IEEE Trans. El. Dev., vol. 49 , pp. 665-672, 2002.
[24] RUPP, R., ZVEREV, I., SiC Power Devices: How to Be Competitive Towards Si-based
Solutions, ECSCRM02, published in Materials Science Forum, vols. 433-436 , pp.805-812, 2003.
[25] TARPLEE, M.C., MADANGAGLY, V.P., ZHANG, Q., SURDARSAN, T.S., Design Rules for
Field Pate Edge Termination in SiC Schottky Diodes, IEEE Trans. El. Dev., vol. 48, pp 2659-2664,
2001.
[26] BREZEANU, M., AVRAM, M., RASHID, S.J., AMARATUNGA, G.A.J, BUTLER, T.,
RUPESINGHE, N.L., UDREA, F.,TAJANI, A., DIXON, M., TWITCHEN, D.J., GARRAWAY, A.,
CHAMUND, D., TAYOR, P., BREZEANU, G.,Termination Structures for Diamond Schottky
Barrier Diodes, in Proc of the 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices and
ICs (ISPSD), Napoli, Italy, pp. 73-76, 2006.
[27] BREZEANU, G., , BREZEANU, M., UDREA, F., AMARATUNGA, G.A.J, BOIANCEANU, C.,
ZEKENTES, K., VISOREANU, A., Comparison between Schottky Diodes with Oxide Ramp
Termination on Silicon Carbide and Diamond in Proc. of 6th European Conference on Silicon
Carbide and Related Materials(ECSCRM), Newcastle, UK, pp 24, 2006.
[28] Gheorghe BREZEANU, HIGH PERFORMANCE POWER DIODES ON SILICON CARBIDE
AND DIAMOND, PROCEEDINGS OF THE ROMANIAN ACADEMY, Series A, Volume 8,
Number 3/2007, pp. 000000
[29] D.B. Richards, L.R. Edwards, S. Legvold, Thermocouples in Magnetic Fields, J. Appl. Phys.,
Volume 40, 1969, pp. 3836.
[30] M. Cattani, M.C. Salvadori, A.R. Vaz, F.S. Teixeira, I.G. Brown, Thermoelectric power in very
thin film thermocouples: Quantum size effects, J. Appl. Phys., Volume 100, 2006, pp. 114905.
[31] T. B. Salah, S. Khachroumi, H. Morel, Characterization, Modeling and Design Parameters
Identification of Silicon Carbide Junction Field Effect Transistor for Temperature Sensor
Applications, Sensors 2010, 10, 388-399.
[32] Wieczorek, G. Schellin, B. Obermeier, E. Fagnani, G. Drera, L., SiC Based Pressure Sensor
forHigh-Temperature Environments, IEEE Sensors 2007, 28, 748-751
[33] Millan, J. Banu, V. Brosselard, P. Jorda, X. Perez-Tomas, A. Godignon, Electrical Performance
at High Temperature and Surge Current of 1.2 kV Power Rectifiers: Comparison between Si PiN, 4H-
SiC Schottky and JBS Diodes, International Conference on Semiconductor, (CAS 2008), Sinaia,
Roumanie, October 1315, 2008 pp. 53-59.
[34] Brien, H. Shaheen, W. Chiscop, V. Scozzie, C.J. Koebke, M.G. Evaluation of Si and SiCSGTOs
for High-Action Army Applications, IEEE Trans. Magn. 2009, 45, 402-406
[35] B.C. Yadav, R. Srivastava, S. Singh, A. Kumar, A.K. Yadav, Temperature Sensors based on
Semiconducting Oxides: An Overview, Cornell University Library, 2012
[36] Bob Perrin, The Basics of Thermocouples, The Magazine for Computer Applications, 1999
[37] Sunit Kumar Sen, An improved lead wire compensation technique for conventional two wire
resistance temperature detectors (RTDs) , Measurement, Volume 39, Issue 5, (2006), pp. 477-480.
[38] Muhammad Imran, A. Bhattacharyya, Thermal response of an on-chip assembly of RTD heaters,
sputtered sample and microthermocouples, Sensors and Actuators A: Physical, Volume 121, Issue 2,
2005, pp. 306-320.
[39] Adrian Trinchi, Sasikaran Kandasamy, Wojtek Wlodarski, High temperature field effect
hydrogen and hydrocarbon gas sensors based on SiC MOS devices, Sensors and Actuators B 133
(2008) 705716, Elsevier.
[40] B. Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer Science, 2008.
[41] Donald A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices Basic Principles, 3rd edition,
McGraw-Hill, 2003.
[42] E. H. Nicollian, J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, John
Wiley & Sons, 1982.
[43] Mun Teng Soo, Kuan Yew Cheong, Ahmad Fauzi Mohd Noor, Advances of SiC-based MOS
capacitor hydrogen sensors for harsh environment applications, Sensors and Actuators B 151
(2010) 3955, Elsevier.
[44] Peter Tobias, Brage Golding, Ruby N. Ghosh, Interface States in High-Temperature Gas Sensors
Based on Silicon Carbide, IEEE Sensors Journal, Vol. 2, No. 5, pp. 543-547, October 2003.
[45] N. G. Wright, N. Poolamai, K. V. Vassilevski, A. B. Horsfall, C. M. Johnson, Benefits of high-k
dielectrics in 4H-SiC trench MOSFETs, Materials Science Forum 457460 (2004) 1433-1436.
[46] Ruby N. Ghosh, Peter Tobias, Sally G. Ejakov, Brage Golding, Interface States in High
Temperature SiC Gas Sensing, Proceedings of IEEE Sensors 2002, vol. 2, pp. 1120-1125 (2002).