Chapitre 5 : Les mmoires centrales

1) Introduction
La mmoire est un composant de base de l'ordinateur, sans lequel tout fonctionnement devient
impossible. Son rle est de stocker les donnes avant et pendant leur traitement par le processeur. Ces
donnes sont d'apparence binaire et mmorises sous forme d'impulsions lectriques. Plusieurs types
de mmoires sont utiliss, diffrentiables par leur technologie (DRAM, SRAM, SDRAM), leur forme
(SIMM, DIMM, RIMM) ou encore leur fonctionnement (RAM, ROM). Toutes ces mmoires sont
connues sous lappellation de mmoires lectroniques. Ainsi technologiquement les mmoires
centrales sont composes :
Des mmoires mortes (ROM)
Des mmoires vives (RAM)
Des mmoires spcialises (registres du microprocesseur)
2) Les mmoires mortes
2.1) Dfinition
On appelle mmoires mortes ou ROM (Read Only Memory) ou mmoires persistantes toutes
mmoires dont laccs ne se fait quen lecture seulement. Cependant, certaines variantes peuvent tre
lues et crites mais souvent de manire non permanente. On utilisera ces dernires pour stocker des
informations devant tre rarement mise jour (actualise). Les donnes contenues dans la mmoire
morte ne seront pas perdues mme si celle-ci n'est plus alimente lectriquement. Une des utilisations
classique de la ROM est le BIOS des PC. En fait, on peut affirmer que presque toutes les "puces"
prsentes sur la carte mre sont des mmoires ROM, qu'il s'agisse du chipset ou encore du Bios
clavier. Les dfauts de ce type de mmoire sont sa lenteur d'accs et sa faible capacit.
2.2) Les diffrentes mmoires mortes
La classification des ROM se fait gnralement sur la base de sa technologie. Ainsi nous pouvons
citer :
Les ROM Classiques
Mmoire programme de manire hardware en usine. Elle ne peut en aucun cas tre
reprogramme. Elle est souvent utilise pour stocker des informations statiques (Bios clavier,
chipset, ...)
Les PROM(Programmable ROM)
Cette mmoire peut tre programme l'aide d'un quipement spcifique, mais une seule fois
seulement.
Les EPROM (Erasable Programmable ROM) ou UVPROM
Mmoire pouvant tre reprogramme autant de fois que ncessaire l'aide d'un quipement
spcifique. Les chips de ce type comportent une ouverture vitre sur la face suprieure. En effet,
ils sont effaables l'aide d'UV. Afin d'viter toute altration involontaire des donnes, cette face
est recouverte d'un autocollant mtallis, ne laissant passer aucun UV.
Les EEPROM (Electrically Erasable PROM)
Mmoire rinscriptible volont. Contrairement l'EPROM, aucun rayon UV n'est requis pour
l'effacer. En effet, cette opration peut se faire lectriquement. Ce type de ROM est utilis pour les
Bios pouvant tre mis jour par l'utilisateur (Bios Flash).
3) Mmoires vives
3.1) Dfinition
On appelle mmoires vives ou RAM (Random Access Memory) ou mmoires volatiles toutes
mmoires dont laccs est possible en criture et en lecture. Ce sont des mmoires volatiles car leur
contenu se perd lorsquelles ne sont plus alimentes lectriquement. Le sigle RAM se traduit en
franais par "mmoires accs alatoire". Ce qui signifie que la RAM tant constitue
d'emplacements, on a accs par adresse n'importe lequel de ces emplacements. Elles sont beaucoup
plus rapides que les mmoires mortes et relativement chres loctet. Une barrette mmoire RAM de
128Mo cote 10000Fcfa tandis quun disque dur de 80Go cote 35000Fcfa (les prix ne sont donc pas
proportionnels aux capacits).
La DRAM est le type de mmoire le plus rpandu au dbut du millnaire. Il s'agit d'une mmoire dont
les transistors sont rangs dans une matrice selon des lignes et des colonnes. Un transistor, coupl un

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condensateur donne l'information d'un bit. 1 octet comprenant 8 bits, une barrette de mmoire DRAM
de 256 Mo contiendra donc 256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268 435 456 octets = 268 435
456 * 8 = 2 147 483 648 bits = 2 147 483 648 transistors. Une barrette de 256 Mo possde ainsi en
ralit une capacit de 268 435 456 octets, soit 268 Mo. Ce sont des mmoires dont le temps d'accs
varie entre 70ns et 8ns. D'autre part, les accs mmoire se font gnralement sur des donnes ranges
conscutivement en mmoire.
3.2) Fonctionnement des mmoires vives
La mmoire vive est constitue de centaines de milliers de petits condensateurs emmagasinant des
charges. Lorsqu'il est charg, l'tat logique du condensateur est gal 1, dans le cas contraire il est 0,
ce qui signifie que chaque condensateur reprsente un bit de la mmoire.
Etant donn que les condensateurs se dchargent, il faut constamment les recharger (le terme exact est
rafrachir, en anglais refresh) un intervalle de temps rgulier appel cycle de rafrachissement. Les
mmoires DRAM ncessitent par exemple des cycles de rafrachissement d'environ 15ns.
Chaque condensateur est coupl un transistor (de type MOS) permettant de rcuprer ou de
modifier l'tat du condensateur. Ces transistors sont rangs sous forme de tableau (matrice), c'est--
dire que l'on accde une case mmoire (aussi appele point mmoire) par une ligne et une colonne.

Chaque point mmoire est donc caractris par une adresse, correspondant un numro de ligne (en
anglais row) et un numro de colonne (en anglais column). Or cet accs n'est pas instantan et
s'effectue pendant un dlai appel temps de latence. Par consquent l'accs une donne en mmoire
dure un temps gal au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence.
Ainsi, pour une mmoire de type DRAM, dont le temps d'accs est de 60 nanosecondes (35ns de dlai
de cycle et 25 ns de temps de latence). Sur un ordinateur, le temps de cycle correspond l'inverse de la
frquence de l'horloge, par exemple pour un ordinateur cadenc 200 MHz, le temps de cycle est de 5
ns (1/(200*106)).
Par consquent un ordinateur ayant une frquence leve et utilisant des mmoires dont le temps
d'accs est beaucoup plus long que le temps de cycle du processeur doit effectuer des cycles d'attente
(en anglais wait state) pour accder la mmoire. Dans le cas d'un ordinateur cadenc 200 MHz
utilisant des mmoires de types DRAM dont le temps d'accs est de 60ns, il y a 11 cycles d'attente
pour un cycle de transfert. Les performances de l'ordinateur sont d'autant diminues qu'il y a de cycles
d'attentes, il est donc conseill d'utiliser des mmoires plus rapides.
3.3) Les diffrentes mmoires vives
Ce type de mmoire se dcline en deux grandes catgories :
SRAM (Static RAM RAM statique)
Cette mmoire a l'immense avantage de pouvoir stocker une valeur pendant une longue priode sans
devoir tre rafrachie. Cela permet des temps d'accs trs court (4.5ns 20ns). Les trois inconvnients
sont son cot trs lev, son encombrement et sa faible capacit. Cependant elle est trs rapide
DRAM(Dynamic RAM RAM dynamique)
A l'inverse de la mmoire SRAM, elle doit tre rafrachie plusieurs fois par secondes, ce qui en
augmente le temps d'accs (50ns80ns). Cependant lvolution technologique de ce cette catgorie de
mmoire a permis davoir des mmoires beaucoup plus rapides, les SDRAM (Synchronous DRAM)
avec des temps daccs allant de 8ns 15ns. Par contre son cot loctet est nettement infrieur

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celui des SRAM et son encombrement faible (Il est facile de placer 64 Mo sur une barrette DIMM de
13/3cm).
4) Formats de barrettes de mmoire vive
Il existe de nombreux types de mmoires vives. Celles-ci se prsentent toutes sous la forme de
barrettes de mmoire enfichables sur la carte mre.
Les premires mmoires se prsentaient sous la forme de puces appeles DIP (Dual Inline Package).
Dsormais les mmoires se trouvent gnralement sous la forme de barrettes, c'est--dire des cartes
enfichables dans des connecteurs prvus cet effet. On distingue habituellement trois types de
barrettes de RAM :
les barrettes au format SIMM (Single Inline Memory Module) : il s'agit de circuits imprims
dont une des faces possde des puces de mmoire. Il existe deux types de barrettes SIMM,
selon le nombre de connecteurs :
o Les barrettes SIMM 30 connecteurs (dont les dimensions sont 89x13mm) sont des
mmoires 8 bits qui quipaient les premires gnrations de PC (286, 386).

o Les barrettes SIMM 72 connecteurs (dont les dimensions sont 108x25mm) sont des
mmoires capables de grer 32 bits de donnes simultanment. Ces mmoires
quipent des PC allant du 386DX aux premiers Pentium. Sur ces derniers le
processeur travaille avec un bus de donnes d'une largeur de 64 bits, c'est la raison
pour laquelle il faut absolument quiper ces ordinateurs de deux barrettes SIMM. Il
n'est pas possible d'installer des barrettes 30 broches sur des emplacements 72
connecteurs dans la mesure o un dtrompeur (encoche au centre des connecteurs) en
empche l'enfichage.

les barrettes au format DIMM (Dual Inline Memory Module) sont des mmoires 64 bits, ce
qui explique pourquoi il n'est pas ncessaire de les apparier. Les barrettes DIMM possdent
des puces de mmoire de part et d'autre du circuit imprim et ont galement 84 connecteurs de
chaque ct, ce qui les dote d'un total de 168 broches. En plus de leurs dimensions plus
grandes que les barrettes SIMM (130x25mm) ces barrettes possdent un second dtrompeur
pour viter la confusion.
DIMM DDR

Il peut tre intressant de noter que les connecteurs DIMM ont t amliors afin de faciliter
leur insertion grce des leviers situs de part et d'autre du connecteur.
Il existe en outre des modules de plus petite taille, appels SO DIMM (Small Outline DIMM),
destins aux ordinateurs portables. Les barrettes SO DIMM comportent uniquement 144
broches pour les mmoires 64 bits et 77 pour les mmoires 32 bits.

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 SO-DIMM144

SO-DIMM200

les barrettes au format RIMM (Rambus Inline Memory Module, appeles galement RD-RAM
ou DRD-RAM) sont des mmoires 64 bits dvelopps par la socit Rambus. Elles possdent
184 broches. Ces barrettes possdent deux encoches de reprage (dtrompeurs), vitant tout
risque de confusion avec les modules prcdents.
Compte tenu de leur vitesse de transfert leve, les barrettes RIMM possdent un film
thermique charg d'amliorer la dissipation de la chaleur.

Comme dans le cas des DIMM, il existe des modules de plus petite taille, appels SO RIMM
(Small Outline RIMM), destins aux ordinateurs portables. Les barrettes SO RIMM comportent
uniquement 160 broches.

5) Notion de synchronisation (timings)

Il n'est pas rare de voir des notations du type 3-2-2-2 ou 2-3-3-2 pour dcrire le paramtrage de la
mmoire vive. Cette suite de quatre chiffres dcrit la synchronisation de la mmoire (en anglais
timing), c'est--dire la succession de cycles d'horloge ncessaires pour accder une donne stocke
en mmoire vive. Ces quatre chiffres correspondent gnralement, dans l'ordre, aux valeurs suivantes :
CAS delay ou CAS latency (CAS signifiant Column Address Strobe) : il s'agit du nombre de
cycles d'horloge s'coulant entre l'envoi de la commande de lecture et l'arrive effective de la
donne. Autrement dit, il s'agit du temps d'accs une colonne.
RAS Precharge Time (not tRP, RAS signifiant Row Address Strobe) : il s'agit du nombre de
cycles d'horloge entre deux instructions RAS, c'est--dire entre deux accs une ligne.
RAS to CAS delay (not parfois tRCD) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge
correspondant au temps d'accs d'une ligne une colonne.
RAS active time (not parfois tRAS) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge correspondant
au temps d'accs une ligne.
Les cartes mmoires sont quipes d'un dispositif appel SPD (Serial Presence Detect), permettant au
BIOS de connatre les valeurs nominales de rglage dfinies par le fabricant. Il s'agit d'une EEPROM
dont les donnes seront charges par le BIOS si l'utilisateur choisi le rglage auto .
6) Les diffrents types de mmoires caches
La mmoire cache quipe tous les types de priphriques: disques durs, imprimantes, processeurs...
Elle est faite de faibles quantits de SRAM (de 8Ko 8Mo). Elle sert de mmoire propre au
priphrique. En d'autres termes, le priphrique concern pourra stocker des informations dans sa
mmoire cache plutt que de stocker les donnes dans la mmoire centrale. Avec ce procd, nous
gagnons un temps prcieux. La mmoire SRAM est utilise dans les mmoires cache, car elle est bien
plus rapide que la mmoire DRAM classique. La mmoire cache est divise en plusieurs niveaux: L1,
L2 et L3, comme "level 1", "level 2" et "level 3". La mmoire cache de niveau 1 est directement
intgre dans le circuit du processeur. Le premier processeur dot de cette fonctionnalit tait le 486
qui possdait 8Ko de mmoire cache. La mmoire cache de niveau 2 est intgre dans le botier du
processeur ou directement sur la carte mre. Comme la mmoire cache de niveau 1, elle est constitue

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de petites quantits de SRAM. Son temps d'accs est trs rduit, de 5 15 ns. La mmoire cache de
niveau 3 se trouve directement sur la carte mre.
6.1) Async SRAM
La mmoire cache Async SRAM a servi quiper les caches de second niveau des 386 et 486. Son
temps d'accs est trs rduit, de 12 20 ns. Malgr cela, il s'agit d'un type de mmoire asynchrone, et
un dlai d'attente est donc provoqu. Sa frquence optimale tait de 33 MHz, ce qui est dpass
aujourd'hui. La mmoire Async SRAM n'est plus utilise de nos jours.
6.2) Sync SRAM
La mmoire Sync SRAM est une amlioration de la mmoire Async SRAM. Comme son nom
l'indique, la mmoire Sync SRAM est synchrone, et les dlais d'attente son donc supprims. Son temps
d'accs est plus rduit que celui de la mmoire Async SRAM. Il va de 8 12 ns. Limite 66 MHz, la
mmoire Sync SRAM n'est plus utilise aujourd'hui.
6.3) Mmoire PBS
PBS signifie "Pipelined synchronous Burst SRAM". Il s'agit d'une mmoire synchrone, fonctionnant
des frquences suprieures 66 MHz. Son temps d'accs est trs rduit, de 4,5 8 ns. La particularit
de ce type de mmoire est qu'il permet la lecture ou l'criture en mmoire sans attendre que l'accs
prcdent soit achev. Ce type de mmoire reprend bien sur le mode "rafale".
7) Les diffrents types de mmoires DRAM
7.1) DRAM FPM (Fast Page Mode).
Pour acclrer les accs la DRAM, il existe une technique, appele pagination consistant accder
des donnes situes sur une mme colonne en modifiant uniquement l'adresse de la ligne, ce qui
permet d'viter la rptition du numro de colonne entre la lecture de chacune des lignes. On parle
alors de DRAM FPM. La FPM permet d'obtenir des temps d'accs de l'ordre de 70 80 nanosecondes
pour une frquence de fonctionnement pouvant aller de 25 33 Mhz.
7.2) DRAM EDO (Extended Data Out, soit Sortie des donnes amliore parfois galement
appel "hyper-page")
La DRAM EDO est apparue en 1995. La technique utilise avec ce type de mmoire consiste
adresser la colonne suivante pendant la lecture des donnes d'une colonne. Cela cre un
chevauchement des accs permettant de gagner du temps sur chaque cycle. Le temps d'accs la
mmoire EDO est donc d'environ 50 60 nanosecondes pour une frquence de fonctionnement allant
de 33 66 Mhz.
Ainsi, la RAM EDO, lorsqu'elle est utilise en mode rafale permet d'obtenir des cycles de la forme 5-
2-2-2, soit un gain de 4 cycles sur l'accs 4 donnes. Dans la mesure o la mmoire EDO n'acceptait
pas des frquences suprieures 66 Mhz, elle a disparu au bnfice de la SDRAM.
7.3) Mmoires BEDO (Burst EDO en franais EDO en salve) sont des extensions des mmoires
EDO. Malheureusement, peu de chipsets acceptent ce type de mmoire. Elles ont disparue avec
l'arrive des Dimm SDram.
7.4) SDRAM
La SDRAM (Synchronous DRAM soit RAM synchrone), apparue en 1997, permet une lecture des
donnes synchronise avec le bus de la carte mre, contrairement aux mmoires EDO et FPM
(qualifies d'asynchrones) possdant leur propre horloge. La SDRAM permet donc de s'affranchir des
temps d'attente dus la synchronisation avec la carte mre. Celle-ci permet d'obtenir un cycle en mode
rafale de la forme 5-1-1-1, c'est--dire un gain de 3 cycles par rapport la RAM EDO. De cette faon
la SDRAM est capable de fonctionner avec une cadence allant jusqu' 150 Mhz, lui permettant
d'obtenir des temps d'accs d'environ 10 ns.
7.5) DR-SDRAM (Rambus DRAM)
La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou encore RDRAM) est un type de mmoire permettant de
transfrer les donnes sur un bus de 16 bits de largeur une cadence de 800Mhz, ce qui lui confre
une bande passante de 1,6 Go/s. Comme la SDRAM, ce type de mmoire est synchronis avec
l'horloge du bus pour amliorer les changes de donnes. En contrepartie, la mmoire RAMBUS est
une technologie propritaire, ce qui signifie que toute entreprise dsirant construire des barrettes de
RAM selon cette technologie doit reverser des droits (royalties) aux socits RAMBUS et Intel.
7.6) DDR-SDRAM
La DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) est une mmoire base sur la technologie SDRAM,
permettant de doubler le taux de transfert de la SDRAM frquence gale.

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La lecture ou l'criture de donnes en mmoire est ralis sur la base d'une horloge. Les mmoires
DRAM standard utilisent une mthode appele SDR (Single Data Rate) consistant lire ou crire
une donne chaque front montant.

La DDR permet de doubler la frquence des lectures/critures, avec une horloge cadence la mme
frquence, en envoyant les donnes chaque front montant, ainsi qu' chaque front descendant.

Les mmoires DDR possdent gnralement une appellation commerciale du type PCXXXX o
XXXX reprsente le dbit en Mo/s.
7.7) DDR2-SDRAM
La mmoire DDR2 (ou DDR-II) permet d'atteindre des dbits deux fois plus levs que la DDR
frquence externe (frquence de la carte mre) gale (Voir tableau ci-dessous).
On parle de QDR (Quadruple Data Rate ou quad-pumped)pour dsigner la mthode de lecture et
d'criture utilise. La mmoire DDR2 utilise en effet deux canaux spars pour la lecture et pour
l'criture, si bien qu'elle est capable d'envoyer ou de recevoir deux fois plus de donnes que la DDR.

La DDR2 possde galement un plus grand nombre de connecteurs que la DDR classique : 240 pour la
DDR2 contre 184 pour la DDR.
8) Mmoires graphiques
La mmoire graphique est utilise sur les cartes graphiques. Elle ne se prsente pas sous la forme de
barrettes insrer, mais en circuits intgrs directement souds la carte graphique. La mmoire
utilise dans les cartes graphiques n'est pas la mme que les types de mmoire dcrits plus haut. La
mmoire graphique doit obligatoirement permettre la lecture et l'criture simultanes, ce que la
mmoire DRAM classique ne permet pas. La mmoire graphique reoit les informations stocker du
processeur graphique. Celles-ci sont constamment lues par le RAMDAC (convertisseur numrique
analogique), pour les afficher l'cran. C'est pour cette raison que la mmoire graphique doit tre
capable de lire et d'crire simultanment.
8.1) Mmoire VRAM
La mmoire VRAM (video RAM) est spcifiquement conue pour tre utilise sur les cartes
graphiques. Plus rapide de la mmoire DRAM classique, sa frquence atteint 80 MHz et son temps
d'accs est de 20 25 ns. Contrairement la DRAM, elle permet la lecture et l'criture simultanes.
8.2) Mmoire WRAM
La mmoire WRAM est une amlioration de la VRAM. La bande passante est amliore de 25%. Les
transferts en mmoire sont plus rapides. Elle permet videmment la lecture et l'criture simultanes.
8.3) Mmoire SGRAM
La mmoire SGRAM ("Synchronous Graphic RAM") est une adaptation de la SDRAM un usage
graphique. Elle ne permet pas la lecture et l'criture simultanes. En revanche, elle permet la
rcupration et modification de donnes par blocs entiers (mode "rafales").
9) Caractristiques des mmoires RAM
9.1) La capacit
Cest le nombre de bits que contient une puce mmoire. Elle est exprime en Ko ou en Mo ou encore
en Go pour les plus rcentes.

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 9.2) La vitesse
Lors de l'achat de mmoire, il est important d'en spcifier la vitesse dsire. Celleci est exprime en
nanoseconde et varie selon le type, l'ge et la fonction de la mmoire dsire. Par exemple, pour de la
mmoire vive, on compte actuellement entre 70 et 8 ns, alors que par le pass, cette valeur pouvait
atteindre 120 ns. La vitesse est normalement inscrite sur les circuits DIP qui composent la mmoire.
Une barrette 60 ns portera une inscription se terminant par 06 ou 60.
9.3) La frquence
Cest le nombre de tops dhorloge effectus en une seconde. Elle est exprime en Mhz soit
1000000Hz.
9.4) Lemplacement de la mmoire
Dans un PC, le composant le plus rapide est le processeur. Il n'accde jamais des mmoires de masse
directement (disque dur, CD, ... ), car celles-ci sont extrmement lentes. Toute information traite est
ainsi pralablement stocke dans la mmoire vive. Cette dernire prsente aussi l'inconvnient d'tre
trs lente, le processeur perd ainsi beaucoup de temps attendre que les donnes arrivent. La premire
tape pour rsoudre ce problme a donc consist acclrer cette mmoire vive. L'arrive des barrettes
EDO, SDRAM, Rambus, DDR et surtout les mmoires caches actuelles permet d'en augmenter
nettement les possibilits et damliorer les performances de la machine.
Type de mmoires vives Emplacement
DRAM Carte Mre, sa capacit varie entre 32Mo et 264Mo
SRAM (Cache L3) Carte mre, sa capacit varie entre 2Mo et 16Mo
SRAM(Cache L2) Carte mre ou CPU, sa capacit varie entre 256Ko et 2Mo
SRAM (Cache L1) CPU, sa capacit varie entre 8Ko et 128Ko
9.5) Rfrence du constructeur
La rfrence dune barrette mmoire est inscrite sur les puces. Elle est souvent compose du nom du
constructeur, de sa capacit (ou la capacit dune puce de la barrette) et de sa frquence de
fonctionnement. Exemple : CM64SD1024-2100 CM : Constructeur Corsair Memory, 64 : 64bits de
donnes, 1024 : capacit mot mmoire, 2100 : spcification PC2100 = 266 MHz.
10) Tableaux rcapitulatifs
Le premier tableau donne la correspondance entre la frquence de la carte mre (FSB), celle de la
mmoire (RAM) et son dbit :
Mmoire Appellation Frquence (RAM) Frquence (FSB) Dbit
DDR200 PC1600 200 MHz 100 MHz 1,6 Go/s
DDR266 PC2100 266 MHz 133 MHz 2,1 Go/s
DDR333 PC2700 333 MHz 166 MHz 2,7 Go/s
DDR400 PC3200 400 MHz 200 MHz 3,2 Go/s
DDR433 PC3500 433 MHz 217 MHz 3,5 Go/s
DDR466 PC3700 466 MHz 233 MHz 3,7 Go/s
DDR500 PC4000 500 MHz 250 MHz 4 Go/s
DDR533 PC4200 533 MHz 266 MHz 4,2 Go/s
DDR538 PC4300 538 MHz 269 MHz 4,3 Go/s
DDR550 PC4400 550 MHz 275 MHz 4,4 Go/s
DDR2-400 PC2-3200 400 MHz 100 MHz 3,2 Go/s
DDR2-533 PC2-4300 533 MHz 133 MHz 4,3 Go/s
DDR2-667 PC2-5300 667 MHz 167 MHz 5,3 Go/s
DDR2-675 PC2-5400 675 MHz 172,5 MHz 5,4 Go/s
DDR2-800 PC2-6400 800 MHz 200 MHz 6,4 Go/s
Le deuxime tableau donne la correspondance entre le type de mmoires vives, le nombre de bits de
donnes, la bande passante, les processeurs utiliss et le nombre maximal de barrettes pouvant
tre installes en mme temps sur la carte mre :
Type de mmoire nombre de bits
bande passante Processeurs installation
vive (+ parit ventuelle)
simm 32C 8 (9) 286, 386SX (16b) par 2
386DX, 486 (32b) par 4

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simm 70c 32 (36) 486 (32b) par 1
Pentium (64b) par 2
FPM 176 MB/s
EDO 32 264 MB/s Pentium (64b) par 2
SDram 66 Mhz 64 528 Mhz Pentium par 1
Pentium II, celeron par 1
SDRam 100 Mhz 64 800 MB/s Pentium II 100 Mhz par 1
Pentium III (Via chipset
SDRam 133 Mhz 64 1,06 GB/s par 1
VIA), Athlon
1,6 GB (version
RamBus 64 Pentium III par 1
800)
Pentum IV, Athlon,
DDR 64 par 1
Opteron
La capacit minimale des SIMM 72 broches est 4Mo et sa capacit maximale est 64Mo
La capacit minimale des DIMM SDRAM avec spcification PC66 est 16Mo et sa capacit
maximale est 256Mo
La capacit minimale des DIMM SDRAM 168 broches avec spcification PC100 ou PC133
est 64Mo et sa capacit maximale est 1Go.
La capacit minimale des DIMM DDR 184 broches est 128Mo et sa capacit maximale est
4Go.
La capacit minimale des DIMM DDR2 240 broches est 256Mo et sa capacit maximale est
4Go.
La capacit minimale des SODIMM 200 broches DDR2 est 256Mo et sa capacit maximale
est 1Go.
La capacit minimale des RIMM 184 broches est 128Mo et sa capacit maximale est 512Mo.
11) La correction d'erreurs
Certaines mmoires possdent des mcanismes permettant de pallier les erreurs afin de garantir
l'intgrit des donnes qu'elles contiennent. Ce type de mmoire est gnralement utilis sur des
systmes travaillant sur des donnes critiques, c'est la raison pour laquelle on trouve ce type de
mmoire dans les serveurs.
11.1) Bit de parit
Les barrettes avec bit de parit permettent de s'assurer que les donnes contenues dans la mmoire sont
bien celles que l'on dsire. Pour ce faire, un des bits de chaque octet stock en mmoire sert
conserver la somme des bits de donnes.
Le bit de parit vaut 1 lorsque la somme des bits de donnes est impaire et 0 dans le cas contraire.
De cette faon les barrettes avec bit de parit permettent de vrifier l'intgrit des donnes mais ne
permettent pas de corriger les erreurs. De plus pour 9 Mo de mmoire, seulement 8 serviront stocker
des donnes, dans la mesure o le dernier mgaoctet conservera les bits de parit.
11.2) Barrettes ECC
Les barrettes de mmoire ECC (Error Correction Coding) sont des mmoires possdant plusieurs bits
ddis la correction d'erreur (on les appelle ainsi bits de contrle). Ces barrettes, utilises
principalement dans les serveurs, permettent de dtecter les erreurs et de les corriger.
11.3) Dual Channel
Certains contrleurs mmoire proposent un double canal (en anglais Dual Channel) pour la mmoire.
Il s'agit d'exploiter les modules de mmoire par paire afin de cumuler la bande passante et ainsi
exploiter au maximum les capacits du systme. Il est essentiel, lors de l'utilisation du Dual Channel,
d'utiliser des barrettes identiques par paire (frquence, capacit et prfrentiellement de mme
marque).
12) Pannes des mmoires centrales et leurs solutions
Symptmes Solutions
Lordinateur sallume, mais naffiche pas - Arrter lordinateur
- Ouvrir le capot de lUC

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Au dmarrage, lordinateur compte moins de
mmoires quil nen dispose
Redmarrage spontan
Plantage de lordinateur
- Enlever la (les) barrette (s) mmoire(s),
la (les) nettoyer et la (les) replacer.
- Tester. Si la panne persiste, alors changer
la (les) barrette(s). Si la panne continue
malgr tout de persister, alors explorez
dautres pistes (processeur, carte mre,
mauvaise connexion, etc.)
- Arrter lordinateur
- Ouvrir le capot de lUC
- Enlever la (les) barrette (s) mmoire(s),
la (les) nettoyer et la (les) replacer.
- Tester. Si la panne persiste, alors changer
la (les) barrette(s).
- Redmarrer lordinateur. Si la panne
persiste, alors
- Arrter lordinateur
- Ouvrir le capot de lUC
- Tester pour retrouver la barrette
dfaillante et changer-la. Si la panne
persiste, alors explorez dautres pistes
(processeur, carte mre,
disfonctionnement du systme, bote
dalimentation).
- Redmarrer lordinateur. Si la panne
persiste, alors
- Arrter lordinateur
- Ouvrir le capot de lUC
- Tester pour retrouver la barrette
dfaillante et changer-la. Si la panne
persiste, alors explorez dautres pistes
(processeur, carte mre,
disfonctionnement du systme, disque
dur).