Ttulo: El DISPOSITIVO DIODO.

OBJETIVOS:

Determinar experimentalmente, a travs de mediciones de resistencia con un ohmmmetro, los

terminales de un diodo semiconductor.
Obtener experimentalmente la curva caracterstica I-V del diodo semiconductor.

INTRODUCCION TEORICA:

El diodo semiconductor es un dispositivo de dos terminales, uno de ellos denominado nodo (A) y el
otro denominado ctodo (K). Este dispositivo slo permite la conduccin de la corriente en una direccin
lo cual coincide con la direccin de la flecha de su smbolo.

Esta conformado por dos estructuras semiconductoras de material germanio (Ge), silicio (Si) o en el
caso del diodo led de fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP). Una de las estructuras
es de tipo P (nodo) y la otra tipo N (ctodo).

En el caso del diodo comn el material ms usado es el silicio o germanio. Para el primero el voltaje
que se necesita para que el dispositivo est en conduccin, que es denominado tensin umbral (VT) est
entre 0.6 y 0.7 V, mientras que para el segundo material est entre 0.2 y 0.3 V.

La ecuacin que describe la caracterstica I-V es:

V

I I 0 (e nVT
1)
donde:
I0 : es la corriente inversa de saturacin.
VT: es la tensin equivalente de la temperatura.
: es un factor siendo 1 para Ge y 2 para Si.

Cuando el diodo se polariza directamente la resistencia entre nodo y ctodo es pequea; mientras
que cuando est polarizado inversamente presenta una resistencia muy grande

EQUIPOS (Pedirlos al laboratorio):

1 Panel de montaje de circuitos.
1 Fuente de alimentacin 0 30 V.
1 Miliampermetro.
1 Multmetro.
6 Cables conectores B-T.

MATERIALES (Comprarlos y traerlos):

1 Diodo de Silicio cdigo 1N4001 o reemplazo.
1 Resistor de 1K / 0.5W .

PROCEDIMIENTO:

DETERMINACION DE LOS TERMINALES DEL DIODO:

1. Fijar el selector de escalas y rangos del multmetro para que funcione como ohmmmetro en cualquier
escala, por ejemplo R x 100.
2. Armar en el panel de montaje el circuito de la Fig. N 1, teniendo en cuenta que:
En los multmetros analgicos (de aguja) se cumple:
a. Para mediciones de voltajes y corrientes continuos la punta roja es la positiva (por donde entra la
corriente al mecanismo de medida), mientras que la punta negra es la negativa.
b. Para mediciones de resistencia la punta negra es la positiva (se obtiene el + de la batera interna)
mientras que la punta roja es la negativa.
En los multmetros digitales se cumple:
a. Para mediciones de voltajes, corrientes y resistencia la punta roja siempre es la positiva mientras que
la punta negra es la negativa.
3. Designar arbitrariamente a uno de los terminales del diodo como 1 y al otro como 2.
4. Dibujar en la tabla N 1, la forma fsica del encapsulado del diodo en la cual figure la designacin
anterior.
5. Sabiendo que RAB se obtiene conectando la punta positiva del ohmmmetro en el terminal A y la
punta negativa en B; entonces medir R12 y R21. Luego llenar la tabla N 2.
6. Determinar el nodo y el ctodo, sabiendo que en la menor de las lecturas de resistencia, el anodo es
aquel terminal que est conectado a la punta positiva del ohmmetro y por supuesto el ctodo es el
otro terminal.

1
+

- 2

Fig. N 1. Determinacin de los terminales del diodo

OBTENCION DE LA CURVA CARACTERISTICA EN LA REGION DE POLARIZACION
DIRECTA:
1. Armar en el panel de montaje el circuito de la Fig. N 2, estando la fuente de alimentacin en 0 V y el
multmetro funcionando como voltmetro.
2. Variar el voltaje de la fuente de alimentacin, de tal manera que se pueda obtener en los extremos del
diodo, los voltajes de la tabla N 3. Anotar en dicha tabla la corriente del diodo.

Fig N 2. Regin de Polarizacin directa

OBTENCION DE CURVA CARACTERISTICA EN LA REGION DE POLARIZACION INVERSA:

1. Armar en el panel de montaje el circuito de la Fig. N 3, estando la fuente de alimentacin en 0 V y el
multmetro funcionando como voltmetro.
2. Variar el voltaje de la fuente de alimentacin, de tal manera que se pueda obtener en los extremos del
diodo, los voltajes de la tabla N 4. Anotar en dicha tabla la corriente del diodo.

Fig N 3. Regin de Polarizacin Inversa

INFORME PREVIO:
1. Mediante un dibujo mostrar las estructuras semiconductoras que le corresponden al nodo y al ctodo
y a su lado mostrar su smbolo.
2. Escribir la ecuacin que describe la relacin I-V de un diodo, comentando el significado de I 0, y VT
e indicar como se calculan dichos parmetros.
3. Demostrar matemticamente la ecuacin I-V del diodo.
4. Graficar la curva caracterstica I-V tpica de un diodo y destacar en ella las regiones de polarizacin
directa e inversa.
5. Indicar los valores tpicos de tensin umbral de los diodos de germanio y silicio.
6. Dibujar por lo menos 4 formas fsicas de los diodos comerciales.
7. Mencionar, en forma prctica, como se especifica un diodo. Par el caso del diodo 1N 4001 indicar
dichos valores.
8. Resumir los modelos ms usados del diodo.

DEL INFORME FINAL:

1. Adjuntar la HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES visada por el docente.

2. En base a las tablas N 1 y 2, dibujar el encapsulado del diodo e indicar su nodo y ctodo.
3. Tabular y graficar en un slo papel milimetrado las 2 regiones de polarizacin del diodo para obtener
su curva caracterstica I-V. Usar 2 tipos de escalas de corriente, una en mA para la regin directa y
en A para la regin inversa. Usar los datos de las tablas N 3 y 4.
4. Para la curva caracterstica obtenida anteriormente, indicar para el valor de V = 0.72 V el valor de la
resistencia esttica y dinmica.
5. Teniendo en cuenta que la resistencia promedio (rAV) de un diodo es definido entre dos puntos de
trabajo y asumiendo que dichos puntos son: V1 = 0.62 V y V2 = 0.72 V; entonces usando la curva
caracterstica obtenida experimentalmente, modelar el diodo para el caso que tenga una fuente VT,
una resistencia rAV y un diodo ideal. Nota: asumir VT como la prolongacin de la recta de
conduccin que corta al eje de las abcisas.
6. Aumenta o disminuye la resistencia dinmica de un diodo al disminuir la intensidad de corriente del
punto de trabajo del diodo?. Conteste esta pregunta analizando la pendiente de la curva experimental
obtenida en diferentes puntos de trabajo.
7. Indicar un valor aproximado de resistencia que presenta el diodo polarizado inversamente.
8. Explicar el por que aparece la corriente inversa de saturacin del diodo.
9. Indicar algunas observaciones y/o sugerencias.
10. Indicar algunas conclusiones.
HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES:

Tabla N 1. Forma fsica del diodo.

R12
R21
Tabla N 2. Medida de resistencia del diodo
V Zona de no conduccin Zona umbral Zona de conduccin
0.20 0.30 0.40 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75
I
Tabla N 3. Polarizacin directa.
V 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
I
Tabla N 4. Polarizacin inversa.