- Efectul Hall la semiconductori -

Efectul Hall la semiconductori

1. Definirea fenomenului fizic i a mrimilor studiate

n urma interaciunilor purttorilor de sarcin n micare cu un cmp magnetic extern iau natere n
conductori sau semiconductori aa numitele efecte galvanometrice. Acestea se manifest prin
apariia unor tensiuni electromotoare sau al unui gradient de temperatur paralele (efecte
longitudinale) sau perpendiculare (efecte transversale) cu procesul electric iniial.
1. Exist dou efecte galvanometrice transversale:
a.) efectul Hall
b.) efectul Ettingshausen, care apare simultan cu efectul Hall i const n apariia unei
diferene de temperatur n urma aciunii cmpului magnetic asupra purttorilor de sarcin care
ntrein curentul ntr-o lamel de material conductor sau semiconductor i normal pe direcia de
micare a acestora.
2. Cele dou efecte galvanometrice longitudinale sunt:
a.) efectul de variaie al rezistenei n cmp magnetic
b.) efectul Ettingshausen-Nerst, care const n apariia unei tensiuni electromotoare ntre
dou fee ale unei lamele rectangulare traversate de un flux termic atunci cnd asupra acesteia
acioneaz un cmp magnetic normal la direcia fluxului termic. Acest efect poate fi i transversal.

Efectul Hall const n apariia unei tensiuni numit tensiune Hall atunci cnd un conductor sau
semiconductor traversat de un curent electric este plasat ntr-un cmp magnetic perpendicular pe
direcia curentului.
Semiconductorii sunt materiale la temperatura obinuit se gsesc n stare solid (germaniu,
siliciu, telur, seleniu sau compui ca: oxizi, sulfuri, seleniuri ale diferitelor metale) Acetia posed
aproximativ 1018 purttori de sarcin pe m3 i au conductivitatea electric cuprins ntre 10-10 i
103 (m)-1.
Conductivitate electric a semiconductorilor este aadar mic, dar crete cu temperatura i este
puternic influenat de defectele existente n structura reelei cristaline.
Semiconductorii fr impuriti se numesc i semiconductori intrinseci, iar cei cu impuriti se
numesc i semiconductori extrinseci.
Caracteristica de baz a semiconductorilor intrinseci
const n aceea c conductivitatea lor electric se
datoreaz procesului de trecere prin salt cuantic al
zona de conductie
electronilor din zona de valen n zona de conducie.
Pentru a realiza saltul, electronul trebuie s-i mreasc w
zona
interzisa

energia cu cantitatea W, care reprezint energia de

activare, adic lrgirea zonei interzise (fig. 1.). n urma
zona de valenta
acestui salt rmn goluri pozitive care tind s fie ocupate
de ctre electronii de pe nivelele inferioare. Aceasta duce
la o deplasare a golurilor spre nivelele inferioare. Sub F
aciunea cmpului electric, n micarea dirijat pe care o ig. 1
efectueaz, cele dou tipuri de purttori de sarcin,
datorit valorii diferite a maselor lor efective, vor avea mobiliti diferite.

1
 - Efectul Hall la semiconductori -

Dac se noteaz cu: n concentraia electronilor liberi, n mobilitatea electronilor liberi, p

concentraia golurilor, p mobilitatea golurilor, e sarcina electric, care este aceeai n cazul
ambilor purttori de sarcin, atunci conductivitatea electric total a semiconductorilor este:

ne n pe p (1)

n cazul semiconductorilor intrinseci, ntre electrnii atomului de impuritate i electronii atomului

cristalului de baz au loc legturi covalente. Dac atomii de impuritate au un numr de electroni de
valen mai mare ca atomul de baz, atomul de
impuritate cedeaz electronul i poart denumirea
de atom donor, rmnnd sub form de ion pozitiv zona de conductie

legat n reeaua cristalului. Electronul necuplat al

atomului de impuritate se mic n semiconductorul
n care este introdus pe o orbit foarte mare care
depete chiar valoarea constantei reelei. Energia nivel aditional
sa de ionizare este foarte mic, ceea ce permite
acestui electron s poat prsi cu uurin orbita
sa. Din punct de vedere energetic, totul apare ca i
zona de valenta
cum ntre zona de valen i zona de conducie, deci
n zona interzis a cristalului exist un nou nivel
energetic permis, denumit nivel adiional (fig. 2.)
ce este plasat mult mai aproape de zona de
conducie, deoarece energia de activare a atomului Fig
de impuritate este mult mai mic dect cea . 2
corespunztoare cristalului de baz.
Datorit acestui fapt, electronii de valen ai atomului de impuritate trec cu uurin n zona de
conducie a cristalului de baz, devenind electroni liberi de conducie. Conducia electric este de
natur electronic, de tip n.
Dac semiconductorul de baz este dopat cu
impuriti trivalente (de ex. indiu), atunci atomul
trivalent de impuritate captureaz un electron de la zona de conductie
un atom nvecinat, devenind un ion negativ legat n nivel aditional
reeaua cristalului, genernd un gol atomului reelei
de la care a capturat electronul.
Reprezentnd energetic acest proces acceptor se
+

zona de valenta

observ apariia unui nivel permis adiional ntre

zona de valen i zona de conducie a
semiconductorului de baz, plasat ns n imediata
vecintate a zonei de valen (fig. 3.). Prin trecerea
Fig. 3
unui electron din zona de valen pe nivelul adiional
acceptor, n zona de valen apare un gol. Acesta
migreaz n cadrul reelei, constituind un purttor de sarcin liber pozitiv. Semiconductorii cu
impuriti acceptoare prezentnd o conductibilitate electric prin goluri poart denumirea de
semiconductori de tip p.
Valoarea conductibilitii electrice a unui semiconductor depinde de ambele tipuri de purttori de
sarcin.

2
 - Efectul Hall la semiconductori -

Densitatea de curent ce apare n urma aciunii unui cmp electric are valoarea:

j E q n n p p E (2)

Pe baza efectului Hall se pot determina pentru semiconductori: semnul purttorilor de curent,
mobilitatea purttorilor de curent i concentraia purttorilor de curent

2. Descrierea fenomenului fizic

S presupunem o plac dreptunghiular semiconductoare n care lungimea este mult mai mare dect
grosimea. Se va presupune iniial c conductibilitatea se datoreaz micrii sarcinilor pozitive (fig.
4b.).

y
B

x A
O

I
z
(a)
+ -

C B C B
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
F
F
I I
v E v E
x B x B
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
O A O A

(b) (c)

Fig. 4

Aceste sarcini se mic n sensul convenional al curentului i cmpul magnetic perpendicular pe

planul fig. (4b.) exercit asupra lor o for F q v B . Sub aciunea acestei fore sarcinile


electrice se plaseaz ca n fig. 4b. i deci apare cmpul E . Fora exercitat de cmpul E
echilibreaz fora Lorentz. Corespunztor acestui cmp apare o diferen de potenial a crei mrime
i sens poate fi determinat prin msurare.
Dac conductibilitatea se realizeaz prin sarcini negative, se obine situaia din fig. 4c. Prin urmare,
dup semnul diferenei de potenial care apare ca urmare a efectului Hall se poate determina dac
conductibilitatea se realizeaz prin goluri sau electroni. Alegnd un sistem de coordonate ca n fig.
4c., avem:

qEy qv x B z (3)

unde vx este viteza de drift, cu expresia:

3
 - Efectul Hall la semiconductori -

qE
vx (4)
m*
nlocuind (4) n (3), obinem:

q
Ey E x B z R H E x B z (5)
m*
q
unde s-a fcut notaia: RH
m*
Deoarece n cadrul teoriei Drude-Lorentz se obine din (2):

n0 q 2
(6)
m*
se obine pentru RH (constanta Hall) expresia:

q 1 1
RH (7)
m * n0 q

Dac conducia se realizeaz prin electroni, atunci n (7) se va lua q e i dac se realizeaz prin
goluri se va lua q e .
1 U
Cunoscnd conductivitatea a probei folosite, , componenta E x determinat de
d
diferena de potenial msurat la capetele probei, inducia Bz a cmpului magnetic aplicat i
determinnd Ey prin msurarea diferenei de potenial care apare datorit efectului Hall, din (5) se
poate evalua constanta Hall, RH. Trebuie remarcat c constanta Hall va fi negativ dac conducia se
realizeaz prin electroni i pozitiv dac conducia se realizeaz prin goluri. Din relaia (7) se poate
determina apoi no, concentraia purttorilor.
n afar de aceste mrimi, cu ajutorul efectului Hall se poate determina i mobilitatea purttorilor de
sarcin deoarece din (2) pentru conducia realizat de un singur tip de purttori:
qn0
deci

RH (8)
qn 0

n semiconductorii cu ambele tipuri de conducie, constanta lui Hall are expresia:

p 2p n 2n
RH (9)

q p p n n 2

4
 - Efectul Hall la semiconductori -

unde n i p sunt densitatea de goluri i de electroni.

Dac semiconductorul este intrinsec, p=n i deci (9) devine:

p n
RH (10)
nq p n
2

3. Descrierea instalaiei experimentale

n aceast lucrare, se determin tensiunea Hall pentru dou probe:
- o prob de siliciu dopat cu purttori de tip p
- o prob de germaniu dopat cu purttori de tip n
n acest scop s-au construit celule Hall care conin eantionul i cele patru contacte: dou pentru
trecerea curentului de intensitate I prin prob i dou pentru determinarea tensiunii Hall (fig. 4a.).
Montajul experimental const din dou pri:
1. Circuitul de alimentare al electromagnetului Weiss este compus dintr-un autotransformator de tip
EB i un redresor cu patru diode n punte (fig. 5).

0-4 A BOBINELE WEISS

Iw

mA
0-20 mA
PROBA
de V
0-40 V
STUDIAT

AUTOTRANSFORMATOR

~
22

0-0,1 V
V
0-1 V

Fig. 5

Curentul continuu de intensitate Iw produce n electromagnet un cmp magnetic de inducie B.

Inducia se msoar fie cu un teslometru, fie se citete pe curba de etalonare B=f(Iw) pentru o
poziie fix a pieselor polare ale electromagnetului.
2. Circuitul de alimentare pentru stabilirea curentului care trece prin prob este alctuit dintr-o
surs de curent continuu, un instrument de msur a intensitii curentului i un reostat R care
regleaz intensitatea curentului prin prob. Curentul prin prob poate fi maximum 20 mA.

4. Modul de lucru
Pentru efectul Hall la semiconductori se determin:

5
 - Efectul Hall la semiconductori -

1
1. din msurarea rezistenei ohmice a semiconductorului.
2. Se determin tensiunea Hall i deci natura purttorilor din semnul tensiunii Hall, cu un
voltmetru electronic cu afi numeric.
3. Se determin R din relaia (5).
4. Se determin din relaiile (8).
Se cunosc, pentru semiconductorul din germaniu:
d=1,5.10-3m -grosimea probei
l=11. 10-3m -lungimea probei
s=6. 10-6m2 -seciunea probei
iar pentru semiconductorul din siliciu:
d=3.10-4m -grosimea probei
-3
l=14. 10 m -lungimea probei
s=1,5. 10-6m2 -seciunea probei

5. Prezentarea rezultatelor lucrrii

Se variaz B i curentul prin prob (minimum 3 valori); se obin rezultatele cerute n paragraful 4.
Se evalueaz eroarea relativ a mrimilor msurate prin metoda diferenialei logaritmului.

Tabel de date experimentale

Nr.Crt. I[mA] U[V] B[T] UH[V] R[] [-1m-1] RH[Vm/TA] n[m-3] [m2/Vs]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10