ESTRUCTURA DE BANDAS

DE LOS SLIDOS
METODO TIGHT-BINDING
 DIAGRAMA ESQUEMTICO DE ESTRUCTURA DE BANDAS

Banda de
conduccin
vaca
Banda de
Superposicin conduccin
de la banda de vaca Brecha de
conduccin Brecha de energa
energa prohibida
prohibida

Banda de Banda de Banda de

valencia llena valencia llena valencia llena

Conductores Semiconductores Aislantes

BRECHA DE ENERGA PROHIBIDA (GAP)

Brecha de energa
Material
prohibida (eV)
InP 1.34
GaAs 1.43
ESTRUCTURA DE BANDA DE SEMICONDUCTORES
DIRECTOS E INDIRECTOS
 ESTRUCTURA DE BANDA DE SEMICONDUCTORES
DIRECTOS E INDIRECTOS

Brecha de energa
Material Transicin
prohibida (eV)
InP Directo 1.34
GaAs Directo 1.43
Si Indirecto 1.12
Ge Indirecto 0.66

Temperatura ambiente
 PROPIEDADES PTICAS DE MATERIALES

Optical properties of materials are related to the interaction of a

material with electromagnetic radiation in the form of waves or
particles of energy called photons.
ESPECTRO ELECTROMAGNTICO
PROCESOS PTICOS

R +T + A =1 Radiacin
incidente
 ABSORCIN

En el proceso de absorcin un fotn de energa conocida excita un

electrn de un estado de baja energa a uno de mayor energa

= coeiciente de absorcin

es caracterstico del medio absorbente y depende de la de la

radiacin.
 ABSORCIN

Probabilidad de absorcin del fotn en la unidad de longitud

1 l f = la longitud media de recorrido libre

=
lf de un fotn en un medio absorbente

Si en el material existen centros de 1

absorcin de diferente naturaleza i =
l fi

1
El coeficiente de absorcin total es: = i =
i i l fi
ABSORCIN FUNDAMENTAL EN SEMICONDUCTORES

BC

BV

Ocurre cuando se presentan transiciones entre la BV y la BC.

LOS SEMICONDUCTORES DE ACUERDO A LAS

BANDAS SE DIVIDEN EN:

DIRECTOS
INDIRECTOS
ABSORCIN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES DIRECTAS

E f = h Ei

= B (h E g )
2
COLAS DE BANDAS
ABSORCIN ENTRE COLAS DE BANDAS
ABSORCIN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS

he = E f Ei + E p h a = E f Ei E p
 ABSORCIN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS

A(h E g + E p )
2

a (h ) = Ep
para h > E g E p
1
(h ) = a (h ) + e (h )
KT
e
A(h E g E p )
2

e (h ) = Ep
para h > E g + E p
1 e KT

ABSORCIN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS
 COEFICIENTE DE ABSORCIN

Coeficiente de
absorcin (cm-1)

Transiciones directas 104 - 105

Transiciones indirectas 10-1 - 103

REFRACCIN
 INDICE DE REFRACCIN (n)

La velocidad de propagacin de la radiacin a travs de un

semiconductor con ndice de refraccin complejo es:

nc = n ik
La parte compleja se denomina coeficiente de extincin

k =
4

La parte real esta relacionado con la velocidad de propagacin en

el vaco por:
velocidad de la luz en el vaco c
n= =
velocidad de la luz en el medio v
 DISPERSIN

Es la variacin de la velocidad de la luz en un medio como

funcin de la longitud de onda

DISPERSIN NORMAL
Factores caractersticos:

1. n decrece al aumentar
2. La rata de crecimiento de n se hace mayor a longitudes de
onda cortas.
3. En materiales con n grande la dispersin es tambin
mayor. 4.6
4.4 Silicio amorfo
4.2
4.0
n

3.8
3.6
3.4
3.2
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
(nm)
 DISPERSIN ANOMALA

Cuando se mide n en la regin IR del espectro, la curva de

dispersin no se comporta de acuerdo a la ecuacin de
Cauchy.
 DETERMINACIN DE CONSTANTES PTICAS A
PARTIR DE MEDIDAS DE TRANSMITANCIA
LAMPARA ESPECTROFOTOMETRO
CHOPPER

MONOCROMADOR

ESPEJO MUESTRA
CNCAVO
DETECTOR
MOTOR
DE PASO

INTERFACE
AMPLIFICADOR
LOCK-IN
SEAL DE
REFERENCIA

SISTEMA DE
ADQUISICIN DE
DATOS
COMPUTADOR
 CALCULO DE LAS CONSTANTES PTICAS USANDO
MEDIDAS DE TRANSMITANCIA
El mtodo desarrollado por Swanepoel se obtienen utilizando los
espectros de transmitancia y clculos tericos de transmitancia
realizados con base en un modelo que considera efectos de
interferencia mltiple.
 TRANSMITANCIA

A = 16s(n2 + k 2 )
B = {(n +1)2 + k 2}{(n +1)(n + s2 ) + k 2}
T=T(,s,n,d,) C = {(n2 1+ k 2 )(n2 s2 + k 2 ) 2k 2 (s2 +1)}2 cos
k{2(n2 s2 + k 2 ) + (s2 +1)(n2 1+ k 2 )}2sen
Ax D = {(n 1)2 k 2}{(n 1)(n s2 ) + k 2}
T=
B Cx + Dx 2 = 4nd /
x = ed
= 4k /
 TRANSMITANCIA

Ax
K=0 T=
B Cx cos + Dx 2

A = 16sn2
(
B = (n +1)3 n + s2 )
C = 2(n2 1)(n2 s2 )
D = (n 1)3 (n s2 )
= 4nd /
x = ed
EXTREMOS DE LAS FRANJAS DE INTERFERENCIA

Ax
TM =
B Cx + Dx 2
Ax
Tm =
B + Cx + Dx 2
DETERMINACIN DEL COEFICIENTE DE ABSORCIN

x=
[
F F n 1 n s
2
( 2
)(
3 2 4
)]
1
2

(n 1)3 n s 2 ( )
8n 2s 2TM Tm
donde F = y Ti =
Ti TM + Tm
d
x=e
CLCULO DEL GAP PTICO

= B(h E g )
1
2
DETERMINACIN DEL COEFICIENTE DE ABSORCIN

Mediante mtodos numricos

4k
Ax =
T=
B Cx cos + Dx2
d
x=e
Texp Tcal (k ) 0, tolerancia = 10 -7
CLCULO DEL GAP PTICO PARA TRANSICIONES
DIRECTAS
= B(h E g )
1
2
DETERMINACIN DEL COEFICIENTE DE ABSORCIN

Inicio

Se aplica para cada

Valor inicial de k 1

Calcula el valor de la T y lo T (k i 1 )
k i = k i 1
T (k i 1 )
compara con el valor No
experimental
k i 1
Texp Tcal (k ) 0, tolerancia = 10 -7

Si

Fin
 2 = A(h E g )