fluye de positivo a negativo en este caso el diodo trabajara como

circuito cerrado, es decir permitir el flujo de corriente en todo el

circuito. Vase la figura 1.1

Figura 1.1

2. Polarizacin inversa:

Para que la corriente encuentre la mayor resistencia a su paso, es

decir, que el diodo impida que la corriente fluya hay que utilizar una
polarizacin opuesta a la anterior en donde el positivo de la fuente se
conecta con el ctodo del diodo y negativo de la fuente con el nodo
del diodo. Vase la figura 1.2.

Figura 1.2

Curva caracterstica de un diodo

La curva caracterstica de un diodo es la representacin grfica de la

intensidad de corriente (ID) y el voltaje que existe entre sus terminales
(VD).

Cuando el diodo se polariza en directa de forma experimental es

posible obtener la curva de la figura 1.3
Figura 1.3 curva caracterstica de un diodo en polarizacin directa.

La cual nos da valores de intensidad en funcin de la tensin entre

nodo y ctodo. Esta curva nos dice que mientras no se llegue a 0.7V
no existir una circulacin de corriente notable, a partir de esos 0.7V
la intensidad de corriente incrementara de forma brusca para
pequeos aumentos de tensin. A esta tensin de 0.7V se le llama
tensin umbral.

Cuando el diodo se polariza en inversa de forma ideal el diodo se

comporta como un circuito abierto donde no circula corriente. Pero en
la realidad si existe una corriente muy pequeita que por ser mnima
esta no se toma en cuenta por practicidad, a esta corriente se le llama
corriente inversa de fugas (IR) y su valor est en funcin de la
temperatura.

Es importante el estudio de esta parte de la curva ya que si la tensin

inversa (VR) aumenta la corriente aumentara (IR) y esto puede
destruir el diodo este valor de tensin inversa no deseado se llama
tensin inversa de ruptura. Ver la figura 1.4
Figura 1.4 curva caracterstica de un diodo en polarizacin inversa

En conclusin cuando un diodo se polariza en inversa conduce muy

poco idealmente no conduce pero cuando se sobrepasa cierto valor de
tensin se inicia una conduccin que puede destruir dicho elemento.

TBJ

Son dispositivos construidos con materiales semiconductores estos

pueden ser silicio (Si) mayormente empleado o germanio
(Ge).Compuestos por 3 terminales que equivalen a dos diodos PN
unidos en sentido opuesto (NPN, PNP) vase la figura 2. Y cada una
de las terminales de dicho dispositivo se conoce como Emisor, base
colector. Vase la figura 2.1.

Figura 2 configuraciones NPN y PNP

Figura 2.1. Terminales base, colector y emisor.

Es importante notar que la flecha en la figura anterior indica el flujo de

corriente del mismo.

En la siguiente figura 2.2. Podemos observar el comportamiento de

los TBJ haciendo comparacin con los diodos.

Figura 2.2.

Se puede observar que para una unin base emisor se polariza en

directa y en la unin base colector se polariza en inversa.

Operacin del TBJ

Puesto que el TBJ tiene 4 uniones puede operar de 4 formas

diferentes.

1. Activa: Unin BE en directo con un voltaje aproximadamente

igual a 0.7V unin BC en inverso.
2. Corte : Las 2 uniones estn en inverso
3. Saturacin: Unin BE polarizado en directo con un voltaje
aproximadamente igual a 0.7V. Y unin BC polarizado en directo
con un voltaje aproximadamente igual a 0.8V.
 4. Activa inversa: Unin BE inverso unin BC en directo con un
voltaje aproximadamente igual a 0.6 V.

Curvas caractersticas

Al tener tres terminales es necesario tener 6 parmetros para su

estudio, esto es, tres corrientes y tres tensiones.

Aplicando las leyes de Kirchhoff al TBJ se tiene que:

IB+IC+IE=0

VBE=VCE+VBC

Caractersticas VBE-IB

Esta caracterstica es la misma que el diodo vista en el tema

anterior de este documento (cuando se habla de la curva del diodo
polarizado en directa figura 1.3).

Figura 2.3. Caracterstica VBE-IB.

Caracterstica VCE-IC

Esta curva indica como varia la corriente de colector IC para

distintos valores de la corriente de base IB (figura 2.4.).
Figura 2.4. Curva caracterstica VCE-IC del TBJ.

Zonas de trabajo del TBJ

El transistor tiene 3 zonas de operacin.

1. Zona de corte: para la cual se cumple que la corriente de base

es igual a cero IB=0 y por ende la corriente en el colector
tambin es cero IC=0.
2. Zona de saturacin: Es donde el TBJ npn sus junturas (fronteras)
BE y BC estn polarizadas en directa lo que produce un
incremento de la corriente y lo lleva a una disminucin de tensin
Colector-Emisor
3. Zona activa: Se dividen en dos 1.-regin activa directa
corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base y
a una polarizacin inversa de la unin colector-base. Esta es la
operacin normal de un transistor.
2.-Regin activa inversa esta corresponde a una polarizacin
inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin directa de
la unin colector-base. Esta regin casi no se usa.

Estas zonas se pueden ver en las grficas de la figura 2.5. Y 2.6.

Figura 2.5. Cuatro condiciones posibles de polarizacin.

 Figura 2.5. Curva V-I del transistor. Con sus respectivas zonas de
operacin.

TRANSISTOR MOSFET

El nombre del transistor viene de los nombres (iniciales) de los

componentes con los que estn compuestos una fina pelcula metlica
metal-m; oxido de silicio oxido-o; regin semiconductora
semiconductor-s.

Algunas de las aplicaciones de estos dispositivos son como

conmutadores a altas frecuencias, chopeado, para controlar motores,
amplificadores de audio y transmisores de radiofrecuencia.

A diferencia de los transistores TBJ y los mosfet es que los mosfet son
controlados por una tensin aplicada a la puerta G y requieren una
corriente muy pequea de entrada a comparacin de los TBJ que son
controlados con corriente aplicada a la base.

Ventajas y desventajas de los Mosfet

Ventajas Desventajas
La velocidad de conmutacin Muy sensibles a descargas electrostticas

No tienen problema de segunda ruptura. Es difcil su proteccin

Mayor rea de funcionamiento Son ms caros que los transistores bipolares

Mayores ganancias Mayores prdidas de potencia.

Alta impedancia de entrada
Circuito de mando ms simple
Tabla 1. Ventajas vs desventajas del transistor mosfet.
Esquemas de estructura fsica y smbolo del mosfet

Mosfet canal P

a) Esquema de la estructura fsica

b) Smbolo

Mosfet canal N

a) Esquema de la estructura fsica

b) Smbolo
Regiones de trabajo del mosfet

La curva caracterstica nos dice como varia la intensidad de corriente

del drenador id para una tensin fija Vds, y variando la tensin
aplicada entre la puerta (G) y el surtidor (S). Figura 3

Figura 3

De la figura anterior se puede observar que existen 3 regiones

1. Regin de corte: se puede observar que cuando el transistor

est en corte existen corrientes muy pequeas adems si la
tensin aplicada entre puerta (G) y surtidor (s) es inferior a Vth el
transistor continuara en corte.
2. Regin activa: en esta regin se utiliza el transistor como
amplificador y adems se puede observar que para un valor de
tensin entre puerta-surtidor, tendremos un valor de corriente id.
3. Regin hmica: Cuando un MOSFET est polarizado en la
regin hmica, el valor de RDS(on) viene dado por la expresin:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on). As mismo, el transistor estar en
la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS Vt ) tal y
como se observa en la curva.
 TRANSISTOR IGBT

El transistor IGBT por sus siglas en ingls Insulate Gate Bipolar

Transistor combina las ventajas de los transistores TBJ y los Mosfet ya
que estos tienen una impedancia de entrada elevada como los mosfet
y bajas perdidas de conmutacin como los TBJ pero sin el problema
de segunda ruptura lo cual genera que estos transistores puedan
trabajar a elevadas frecuencias y agrandes intensidades.

Otro dato importante sobre el IGBT es que estos se controlan por

tensin lo cual hace que sean ms rpidos que el TBJ, pero ms lento
que el mosfet.

Su estructura consiste en 4 capas (PNPN) figura 4, la union adicional

PN creada reduce la resistividad y la cada de tensin Vce(on) en
conduccin, esto se conoce como "Modulacin de la resistividad" y
permite aumentar la intensidad. Sin embargo la unin adicional P
introduce un transistor parasito, que en caso de ser activado puede
destruir el dispositivo.

Figura 4.

Hay dos versiones de IGBT conocidas como IGBT PT (figura 4.1) por
sus siglas en ingles Punch Through, "estructura de perforacin" y el
IGBT NPT (figura 4.2) por sus siglas en ingles Non Punch Through,
"estructura de no perforacion", la diferencia entre estos dos radica en
que el IGBT NPT no tiene capa de separacion n+ y presenta una cada
de tensin en estado on, menor. Un IGBT con estructura de PT
presenta velocidades de conmutacin ms bajas.

Figura 4.1 IGBT PT Figura 4.2. IGBT NPT

SCR

El SCR diodo controlado de silicio es un dispositivo construido de

materiales semiconductores que funciona como un interruptor
controlado por tensin sus principales aplicaciones son en el control
de lmparas (iluminacin), en el control de motores, etc.

Estos dispositivos son de conmutacin rpida de corrientes que van de

los amperes hasta los miliamperes. Los SCR tienen 3 terminales
nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G). figura 5

Figura 5 terminales del SCR.

Los SCR cuyo destino son controlar cantidades de corriente emplean
materiales que disipan calor con la finalidad de hacerlos ms
eficientes.

Funcionamiento

Los SCR estn formados por 4 capas de material semiconductor

PNPN como se muestra en la siguiente figura 5.1.

Figura 5.1.

La estructura anterior no es ms que la misma de 2 transistores un

PNP y 1 NPN vase la figura 5.2. Y 5.3

Figura 5.2. Figura 5.3.

Con la compuerta despolarizada no debe haber circulacin de

ninguna corriente por ambos transistores pues el transistor NPN se
encuentra al corte y con eso el PNP no tiene polarizacin en la base.

Ahora bien si se le aplica una tensin positiva a la compuerta para

polarizar la juntura base-emisor con esto se logra que el transistor
NPN entre en conduccin, polarizando tambin la base del NPN
puesto que la corriente de base del PNP es la corriente que existe en
el colector del NPN y como resultado se tendr una corriente que fluye
del emisor al colector del PNP.

Para desconectar el SCR es necesario reducir la corriente entre nodo

y ctodo a un valor suficientemente bajo para que la realimentacin
pare. Y para esto se tienen 2 formas una de ellas es desconectar por
un lapso de tiempo la alimentacin del circuito (desconectar el
nodo).La otra forma es conectar un SW al nodo y al ctodo.

Curva caracterstica del SCR

Con la ayuda de esta curva (figura 5.4) es posible estudiar el

comportamiento del SCR en el primer cuadrante de dicha curva nos
indica la operacin del mismo ya que en el tercer cuadrante tenemos
al SCR trabajando en polarizacin inversa es necesario decir que el
SCR es parecido a un diodo este conduce la corriente en un solo
sentido.

Tambin se puede observar que a partir de una tensin de 0V, con la

compuerta convenientemente polarizada, la tensin entre el nodo y el
ctodo puede subir hasta el punto VOB, cuando ocurrir el disparo. La
tensin entre el nodo y el ctodo cae a un valor mnimo, tpicamente
2,0V, y la corriente se vuelve intensa.

La menor corriente en que el SCR todava se mantiene conectado se

denomina lo corriente de mantenimiento. Si la corriente principal cae
por debajo de este valor, el SCR desconecta.

Figura 5.4.
 TRIAC

Al igual que el diodo el triac es un dispositivo formado por materiales

semiconductores este tiene 3 terminales y se usa para controlar la
corriente promedio a una carga. Este dispositivo puede conducir en
ambos sentidos y puede ser bloqueado al invertir la tensin o al
disminuir la corriente de mantenimiento (Corriente de mantenimiento
es la corriente mnima que este debe tener para que se mantenga en
estado de conduccin una vez que este fue disparado).

Por lo tanto se puede decir que el triac es un tiristor bidireccional de

tres terminales Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2
(figura 6) y al revs, y puede ser disparado con tensiones de puerta
de ambos signos. Bsicamente equivale a dos SCR opuestos y
acoplados lateralmente (figura 6), con una regin de puerta prxima a
uno de los dos terminales.

Figura 6

Su estructura est compuesta por 6 capas (figura 6.1)

Figura 6.1 capas del triac

Curva caracterstica I-V

En esta curva se puede observar que dado a que el triac equivale a

dos SCR conectados en paralelo y con el ctodo y el nodo invertidos
el uno respecto al otro(figura 6). Presenta estado de conduccin tanto
para iA positivo como negativo, y puede ser disparado desde el estado
de corte al de conduccin tanto para VA1A2 positiva como negativa.
Adems, la corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de
corte al de conduccin puede ser tanto positiva como negativa. En
general, sin embargo, las tensiones y corrientes necesarias para
producir la transicin del triac son distintas segn sean las polaridades
de las tensiones aplicadas.

Figura 6.2 curva caracterstica I-V del triac.