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Introduccin
BJT FET
Es un dispositivo controlado por Es un dispositivo controlado por
corriente. En otras palabras IC es voltaje. La corriente ID ser funcin
funcin directa de IB del voltaje VGE
Es un dispositivo bipolares, es decir, Son unipolares, en los que el nivel de
en la corriente intervienen los dos conduccin depender nicamente
tipos de portadores (electrones y de un nico tipo de portadores: de los
huecos), electrones en los de canal n y de los
huecos en los de canal p.
Transistores bipolares npn y pnp Transistor de efecto canal n y canal p
presentan los transistores bipolares Alta impedancia de entrada,
que presentan impedancias de caracterstica importante en el diseo
entrada del orden de unos pocos de amplificadores de ca. Se
kilohmios encuentra entre 1 hasta cientos
megaohmios
Sensible a los cambios de seal La variacin de corriente es menor
aplicada, la variacin de corriente es con el mismo cambio de voltaje.
mayor con el mismo cambio de
voltaje.
La ganancia de voltaje de ca es La ganancia de voltaje de ca es
mucho mayor que para FET mucho menor que para BJT
Estables a la temperatura y son ms
pequeos. Por su tamao es ms
empleado en los circuitos, chip, etc
Las analogas rara vez son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero
la del agua de la figura da una idea del control de JFET en la compuerta y de lo
apropiado de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente
de la presin de agua puede ser vinculada al voltaje aplicado del drenaje a la
fuente, el cual establece un flujo de agua (electrones) desde el grifo (fuente). La
compuerta gracias a una seal aplicada (potencial), controla el flujo de agua
(carga) dirigido hacia el drenaje.
Estructura: surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (S). la compuerta
est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante blanco.
Caractersticas
Utilizado para amplificar seales elctricas
Bajo costo en comparacin de a MESFET
El sustrato se encuentra conectado directamente al surtidor
Cuenta con una delgada capa de material aislante formada de dixido de
silicio es colocada del lado del semiconductor y una delgada capa es
colocada del lado de la compuerta.
La corriente de salida es controlada por la tensin de entrada. Y para el
caso no existe corriente de entrada.