REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD DEL ZULIA

NUCLEO COSTA ORIENTAL DEL LAGO

PROGRAMA DE INGENIERIA

ESCUELA: MECANICA

INTEGRANTES:

Argenis Bencomo C.I 17821387

Carlos Marcano CI. 18807461

Carlos Perozo C.I 18.807.470

Carlos Torrealba C.I 19.098.685

Adonis Gutirrez C.I 19.439334

Cabimas, Julio 2011

 ESQUEMA

INTRODUCCIN

1.- DIODOS

1.1 La unin P-N.

1.2 Caractersticas Tensin-Intensidad del diodo

1.3 rectificacin y Filtraje

1.4 Diodos especiales

2.- TRANSISTORES

2.1 Transistor de unin bipolar

2.2 Circuito emisor comn

2.3 Circuito colector comn

2.4 Circuito base comn

2.5 Transistores de efecto de campo

3.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL

3.1 Amplificador operacional ideal

3.2 Parmetros del Amplificador operacional

3.3 Inversor de Fase

3.4 No inversor de Fases

3.5 Seguidor de Fase

3.6 Sumador

3.7 Integrador

CONCLUSION
 DESARROLLO

1.- Diodos

Los diodos son dispositivos semiconductores que permite el paso de la corriente

elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. Los
primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa
Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

1.1 La unin P-N

La Unin P-N es bsicamente uniones de dos materiales semiconductores

extrnsecos tipos p y n, ninguno de los dos cristales por separado tiene carga
elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo,
de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros.
Es decir su carga neta es 0.

Cuando se une ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del

cristal n al p (Je).

Estableciendo estas corrientes se manifiestan cargas fijas en una zona a ambos

lados de la unin, la cual recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
Mientras progresa el proceso de
difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos
lados de la unin. Sin embargo, la
acumulacin de iones positivos en la zona n y de
iones negativos en la zona p, crea un
campo elctrico (E) que actuar sobre
los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondr a la
corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de
0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de
germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,

tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice
que no est polarizado. Dado que los electrones fluyen desde la zona n hacia la
zona p, al extremo p se le denomina nodo (representndose por la letra A)
mientras que al extremo n se le denomina ctodo (se representa por la letra C o
K).

Existen tambin diodos de proteccin trmica los cuales son capaces de proteger
cables.

A (p) C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el

diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
1.2 Caractersticas Tensin-Intensidad del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa

coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de
tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax).

Se define como la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que
puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is).

Se dice que es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el

diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Equivale a la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con
lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr).

Se define como la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de
darse el efecto avalancha.

Se dice tericamente que al polarizar inversamente el diodo, este conducir la

corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de
la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (Diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan

pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica
de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (Diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor
es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede
expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del
orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como

los Zener, se puede producir por ambos efectos.

1.3 Rectificacin y Filtraje

La familia de diodos rectificadores est concebida especialmente para esta

aplicacin aunque los de baja potencia tambin pueden ser empleados como
diodos de seal o conmutacin en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos
de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. Cualquier sistema
rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se
realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada
Puente

El proceso de filtrado tambin se utiliza para disminuir el efecto de ciertas in-

terferencias (seales no deseables que se insertan en el sistema de medicin). En
estos casos, stos son diseados para rechazar seales en los rangos de
frecuencia especficos que se desee

1.4 Diodos especiales

Son diodos con caractersticas elctricas particulares, que los diferencian del
diodo de propsito general. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado
por principios de la mecnica cuntica y teora de bandas.

Diodo avalancha

Diodo rectificador

Fotodiodo

Diodo Gunn
 Diodo lser

Diodo emisor de luz (LED e IRED)

Diodo p-i-n

Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky

Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)

Diodo tnel o diodo Esaki

Diodo Varicap o diodo varactor

Diodo Zener o diodo estabilizador

2.- Transistores

Estos son dispositivos electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El significado del termino
"transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). En la actualidad se los encuentra prcticamente en todos los
aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores
de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras,
lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores
mp3, telfonos mviles, etc.

2.1 Transistor de unin bipolar

El tambin llamado BJT por sus siglas en ingls, son fabricados bsicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo
tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P

de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al
Arsnico (As) o Fsforo (P).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,

donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas que por lo general,
el emisor est mucho ms contaminado que el colector.

2.2 Circuito emisor comn

Estos se caracterizan porque la seal se aplica a la base del transistor y se extrae

por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada
como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin
como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de
emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en
tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin:

; y la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en

directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante,
Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces
tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de

transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

2.3 Circuito colector comn

Para estos la seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida.
En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es
ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de
salida por .

2.4 Circuito base comn

En estos la seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la

base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En

esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es
baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que
puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar
al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

2.5 Transistores de efecto de campo

El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin
(JFET) o (FET) por sus siglas en ingles, fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Este lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico,
tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una

unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-

xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est
separada del canal semiconductor por una capa de xido.

3.- Amplificador Operacional

EL amplificador operacional o comnmente abreviado A.O. u op-amp, es un

circuito electrnico que normalmente se presenta como circuito integrado que
tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G (V+ V)

En la historia el primer amplificador operacional monoltico, data de los aos 1960,

fue el Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild
A709 (1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms
tarde sera sustituido por el popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y
fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar.

Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemticas (suma, resta,

multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, etc.) en calculadoras analgicas.
De ah su nombre.
3.1 Amplificador operacional ideal

Tambin conocido como A.O. ideal es aquel que tiene una ganancia infinita, una
impedancia de entrada infinita, un ancho de banda tambin infinito, una
impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningn ruido.

Como la impedancia de entrada es infinita tambin se dice que las corrientes de

entrada son cero. Bsicamente un amplificador operacional es un dispositivo
electrnico activo que es capaz de ofrecer una tensin de salida en funcin de una
tensin de entrada. Vamos a considerar nica y exclusivamente el amplificador
operacional ideal, que aun no existiendo en la vida real, es una aproximacin muy
precisa y perfectamente vlida para el anlisis de sistemas reales.

Un A.O presenta cinco patillas, dos de ellas son las entradas del dispositivo; la
primera de ellas llamada entrada inversora se halla indicada en los esquemas con
un signo menos, la otra denominada entrada no inversora se indica mediante un
signo ms. Otro de las patillas del amplificador operacional corresponde a la salida
del dispositivo mientras que las dos restantes corresponden a la alimentacin
requerida por el dispositivo (Vcc).

3.2 Parmetros del Amplificador operacional

- Ganancia en lazo abierto: Indica la ganancia de tensin en ausencia de

realimentacin. Se puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o
logartmicas (dB). Son valores habituales 100.000 a 1.000.000 V/V.
 - Tensin en modo comn: Es el valor medio de tensin aplicado a ambas
entradas del operacional.

- Tensin de Offset: Es la diferencia de tensin, aplicada a travs de

resistencias iguales, entre las entradas de un operacional que hace que su
salida tome el valor cero.

- Corriente de Offset: Es la diferencia de corriente entre las dos entradas del

operacional que hace que su salida tome el valor cero.

- Margen de entrada diferencial: Es la mayor diferencia de tensin entre las

entradas del operacional que mantienen el dispositivo dentro de las
especificaciones.

- Corrientes de polarizacin (Bias) de entrada: Es la corriente media que

circula por las entradas del operacional en ausencia de seal
- Slew rate: Es la relacin entre la variacin de la tensin de salida mxima
respecto de la variacin del tiempo. El amplificador ser mejor cuanto
mayor sea el Slew Rate. Se mide en V/s, kV/s o similares. El slew rate
est limitado por la compensacin en frecuencia de la mayora de los
amplificadores operacionales.

- Relacin de Rechazo en Modo Comn (RRMC, o CMRR en sus siglas

en ingls): Es la relacin entre la ganancia en modo diferencial y la
ganancia en modo comn.

3.3 Inversor de Fase

Estos se denominan inversor ya que la seal de salida es igual a la seal de

entrada (en forma) pero con la fase invertida 180 grados.

El anlisis de este circuito es el siguiente: V+ = V- = 0

Definiendo corrientes: y de aqu se despeja

Para el resto de circuitos el anlisis es similar.

Zin = Rin

Por lo cual podemos controlar la impedancia de entrada mediante la eleccin de

Rin.

Esta configuracin es una de las ms importantes, porque gracias a esta

configuracin, se puede elaborar otras configuraciones, como la configuracin del
derivador, integrador, sumador. En sistemas microelectrnicos se puede utilizar
como buffer, poniendo 2 en cascada.

3.4 No inversor de Fases

Podemos observamos que el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero
como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el
voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo, conociendo el voltaje
en el pin negativo podemos calcular, la relacin que existe entre el voltaje de
salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin.

Zin = , lo cual nos supone una ventaja frente al amplificador inversor.

3.5 Seguidor de Fase

Se le conoce as aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a

la entrada.
Este se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar
impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja
impedancia y viceversa)

Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: V out = Vin

Zin =

Tambin presentan la ventaja de que la impedancia de entrada es elevadsima, la

de salida prcticamente nula, y puede ser til, por ejemplo, para poder leer la
tensin de un sensor con una intensidad muy pequea que no afecte apenas a la
medicin. Se dice que en un circuito es muy recomendado para realizar medidas
de tensin lo ms exactas posibles, pues al medir la tensin del sensor, la
corriente pasa tanto por el sensor como por el voltmetro y la tensin a la entrada
del voltmetro depender de la relacin entre la resistencia del voltmetro y la
resistencia del resto del conjunto formado por sensor, cableado y conexiones.

Un ejemplo seria, si la resistencia interna del voltmetro es Re (entrada del

amplificador), la resistencia de la lnea de cableado es Rl y la resistencia interna
del sensor es Rg, entonces la relacin entre la tensin medida por el voltmetro (Ve)
y la tensin generada por el sensor (Vg) ser la correspondiente a este divisor de
tensin:

Dando a entender que, si la resistencia de entrada del amplificador es mucho

mayor que la del resto del conjunto, la tensin a la entrada del amplificador ser
prcticamente la misma que la generada por el sensor y se podr despreciar la
cada de tensin en el sensor y el cableado.

Adems, cuanto mayor sea la intensidad que circula por el sensor, mayor ser el
calentamiento del sensor y del resto del circuito por efecto Joule, lo cual puede
afectar a la relacin entre la tensin generada por el sensor y la magnitud medida.

3.6 Sumador
El sumador se define esencialmente como un amplificador en configuracin
inversora que difiere de este ltimo en la red resistiva empleada en sustitucin de
la resistencia R1 utilizada en el ejemplo de configuracin inversora.

La salida est invertida

Para resistencias independientes R1, R2,... Rn

La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor

Impedancias de entrada: Zn = Rn

3.7 Integrador

El integrador es sencillamente es un dispositivo que toma una seal elctrica de

excitacin, realiza su integral temporal, y de este se obtiene la seal integrada
como respuesta en su salida.

Integra e invierte la seal (Vin y Vout son funciones dependientes del tiempo)

Vinicial es la tensin de salida en el origen de tiempos

Como recomendacin se tiene que prestar atencin a no usar el integrador en la
prctica de forma discreta ya que cualquier seal pequea de DC en la entrada
puede ser acumulada en el capacitor hasta saturarlo por completo. Mas bien este
tipo de circuito se usa de forma combinada en sistemas retroalimentados que son
modelos basados en variables de estado (valores que definen el estado actual del
sistema) donde el integrador conserva una variable de estado en el voltaje de su
capacitor.

CONCLUSION

Podemos hacer referencia a la importancia que tiene la investigacin como

proceso de aprendizaje y la gama de adversidades que posee esta materia
llamada circuitos elctricos; ya que la misma posee una gama de caractersticas
fundamentales, como lo son los diodos, transistores y amplificadores
operacionales, que se estrechan de manera muy compacta para poder captar la
informacin o para lograr objetivos, es preciso recordar que la investigacin
cientfica es un mtodo riguroso en el cual se obtiene una serie de objetivos
propuestos de manera muy tcnica, y la investigacin es la que tiene por fin
ampliar el conocimiento cientfico, sin perseguir, en principio, la aplicacin prctica
e investigacin.
 INTRODUCCION

En la historia industrial y cotidiana del hombre siempre se ha tratado de innovar, la

comodidad y buscar la solucin a grandes problemas. En la siguiente investigacin
nos dedicamos al principio y funcionamiento del diodo, se explicara la
configuracin de estos y su evolucin con el paso del tiempo, de igual manera
se explicara las partes que lo conforman y las funciones que realiza con las
diferencias de voltejeo de calor, y la existencia de diodos especial. De igual
manera estudiamos todo lo referente a los Transistores y el Amplificador
Operacional, su evolucin, como se caracterizan y los diferentes tipos
disponibles en el mercado y su utilidad.