TRANSISTOR FET

Transistor JFET de canal n

En la figura se observa que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el
cual forma el canal entre las capas incrustadas de material p. La parte superior del canal
tipo n est conectada mediante un contacto hmico a un material conocido como
drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del mismo material est conectado
mediante un contacto hmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos
materiales tipo p estn conectados entre s y a la terminal de compuerta (G). En esencia,
por consiguiente, el drenaje y la fuente estn conectados a los extremos del canal tipo n
y la compuerta a las dos capas de material tipo p. Sin potenciales aplicados, el JFET
tiene dos uniones p-n en condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de
empobrecimiento en cada unin.

Figura 1: Transistor JFET de canal n

Transistor JFET de canal P

El JFET de canal p se construye exactamente de la misma manera que el dispositivo de
canal n, con los materiales p y n invertidos, como se muestra en la figura. Las
direcciones de la corriente definidas estn invertidas, del mismo modo que las
polaridades reales de los voltajes V GS y V DS . Para el dispositivo de canal p, el
canal se estrechar al incrementarse el voltaje positivo de la compuerta a la fuente y la
notacin de doble subndice producir voltajes negativos para V DS .

Figura 2: Transistor JFET de canal p

Smbolos
Los smbolos grficos para los JFET de canal n y de canal p se dan en la figura. La
flecha apunta hacia dentro para el dispositivo de canal n para representar la direccin en
la cual IG fluira si la unin p-n se polarizar en directa. Para el dispositivo de canal p la
nica direccin en el smbolo es la direccin de la flecha.

Figura 3: a) tipo n b) tipo p

Caractersticas de transferencia
Derivacin

La ecuacin de Shockley define la relacin entre I D y V GS

2
V
I D =I DSS
( 1 GS
VP )
El trmino al cuadrado en la ecuacin produce una relacin no lineal entre ID y
V GS , la cual genera una curva que crece exponencialmente con la magnitud

decreciente de V GS .

Podemos obtener la curva de transferencia utilizando la ecuacin de Shockley:

Figura 4: Curva de transferencia a partir de las caractersticas de drenaje

En la figura aparecen dos grficas, con la escala vertical en miliamperes en cada una.
Una de ellas es una grfica de I D contra V DS , en tanto que la otra es I D contra
VGS. Con las caractersticas de drenaje de la derecha del eje y, podemos trazar una
lnea horizontal de la regin de saturacin de la curva denotada V GS=0 V al eje
I D . El nivel de corriente resultante para ambas grficas es I DSS . El punto de
interseccin en la curva de I D contra V GS ser como se muestra, puesto que el eje

vertical se define como V GS=0 V .

Aplicaciones
- Amplificador
- Conmutador analgico
- Multiplexado
- Troceadores
- Amplificador de aislamiento
- Amplificador de bajo ruido
- Resistencia controlada por voltaje
- Control de ganancia automtico
Ventajas y Desventajas
Ventajas:
- Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012 ohmios).
- Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
- Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
- Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un CI.
- Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas:
- Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada.
- Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
- Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se
estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas
principalmente a sus aplicaciones analgicas.
Ejercicio

Trace la curva de transferencia para un dispositivo de canal p con IDSS=4 mA

 Figura 5: Curva de transferencia

y Vp=3 V

Vp V
En V GS= 2 =3 2 =1.5 V

IDSS mA
ID= =4 =1 mA .
4 4

IDSS mA
En ID= =4 =2 mA
2 2

VGS=0.3 Vp=0.3 ( 3 V )=0.9V .

Ambos puntos de grficas aparecen en la

figura junto con los puntos definidos por I DSS y V p .

TRANSISTOR MOSFET
Definicin
Su nombre significa Metal -Oxido -Semiconductor - FET o transistor de
efecto de campo semiconductor de xido metlico.
Es un dispositivo de cuatro terminales: el drenador (D) la puerta (G) el surtidor o
fuente (S) y el sustrato (B); utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas.
Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales. Prcticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
Los MOSFET se dividen en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los
trminos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo bsico de
operacin
ESTRUCTURA MOS
La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un SUBSTRATO de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre esta se coloca una capa de METAL (Aluminio o
poli silicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un
contacto hmico, como se muestra a continuacin.

La estructura MOS acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son

las placas y el xido el aislante. De este modo:
La figura muestra la estructura de dos transistores MOS, tipo N y P respectivamente.
As, para un transistor tipo N (electrones en conduccin) el dopaje del sustrato es tipo P.
Mientras que en el transistor tipo P (huecos en conduccin) el dopaje es tipo N.

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
El MOSFET tipo empobrecimiento, es el que se estudiar, ya que sus caractersticas son
parecidas a las de un JFET entre las condiciones de corte y saturacin con IDSS y
tambin adicionalmente tiene las caractersticas que se extienden hasta la regin de
polaridad
opuesta de VGS.
MOSFET de empobrecimiento tipo n
Construccin bsica
La capa aislante de SiO2 en la construccin de un MOSFET es la responsable de la muy
deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.
 La resistencia de entrada de un MOSFET es ms que la de un JFET tpico, aun
cuando la impedancia de entrada de la mayora de los JFET es suficientemente
alta en la mayora de las aplicaciones.
Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de compuerta IG es en
esencia de 0 A para configuraciones polarizadas de cd.
La capa aislante entre la compuerta y el canal dio origen a otro nombre para el
dispositivo FET: compuerta aislada, o IGFET, aunque esta designacin cada vez
se utiliza menos en la literatura.
Operacin y caractersticas bsicas

Curvas de drenaje y transferencia

 A menudo se le conoce como regin de enriquecimiento, y a la regin entre los
niveles de corte y saturacin de IDSS como regin de empobrecimiento.
Es particularmente interesante y conveniente que la ecuacin de Shockley
contine siendo aplicable en el caso de las caractersticas de los MOSFET tipo
empobrecimiento tanto en la regin de empobrecimiento como en la de
enriquecimiento. Para ambas regiones, slo se requiere incluir el signo
apropiado con VGS en la ecuacin y que el signo se monitoree con cuidado en
las operaciones matemticas.
MOSFET tipo empobrecimiento de canal P
El sustrato es de tipo n y el canal de tipo p
Las terminales no cambian, pero las polaridades del voltaje y las direcciones de
corrientes se invierten.

Las polaridades de VGS tienen las polaridades opuestas como se muestra en la

figura
 La corriente de drenaje se incrementara desde el valor de corte VGS=Vp en la
regin positiva de VGS hasta IDSS.
Continuara incrementndose con los valores negativos crecientes de VGS

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET tipo enriquecimiento de canal N
Si bien existen algunas semejanzas en la construccin y modo de operacin entre los
MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las caractersticas del
MOSFET tipo enriquecimiento son muy diferentes de cualesquiera otras obtenidas hasta
ahora.
Construccin bsica
La fuente y el drenaje se conectan de nuevo mediante contactos metlicos a
regiones tipo n dopadas, pero observe que en la figura no hay un canal entre las
dos regiones tipo n dopadas. sta es la diferencia principal entre la construccin
 de los MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento: la ausencia
de un canal como componente construido del dispositivo.

Operacin y caractersticas bsicas

En la figura tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje positivo de ms
de 0 V, para establecer el drenaje y la compuerta a un potencial positivo con respecto a
la fuente. El potencial positivo en la compuerta ejercer presin en los huecos (puesto
que las cargas semejantes se repelen) en el sustrato p a lo largo del borde de la capa de
SiO3 para que abandonen el rea y lleguen a regiones ms profundas del sustrato p,
como se muestra en la figura.

Caractersticas de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento

Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un
MOSFET tipo enriquecimiento es de 0 mA.
Trazo de las caractersticas de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento de
canal n a partir de las caractersticas de drenaje.

MOSFET tipo enriquecimiento de canal P

La construccin de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p es como se
muestra en la figura. Es decir, ahora hay un sustrato tipo n y regiones tipo n
dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente. Las terminales no cambian,
pero todas las polaridades del voltaje y las direcciones de la corriente se
invierten.
 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS MOSFET
Ventajas
Consumo en modo esttico muy bajo.
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia.
Desventajas
Una de las desventajas del MOSFET tpico son los niveles de manejo de
potencia reducidos (en general, menores que 1 W) comparados con los
transistores BJT
Tienen problemas de descarga electrosttica y requiere un embalaje especial
Es relativamente difcil su proteccin
Son mas caros que sus equivalente bipolares
La diferencia esttica entre Drenador-Surtidor, es mas grande, lo que provoca
mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin
APLICACIONES DEL MOSFET
Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin, baja
potencia como:
fuentes de alimentacin conmutadas
motores sin escobillas
robtica
CNC y electrodomsticos
Mezcladores de frecuencia
 EJERCICIO
Trace las caractersticas para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con IDSS =
10 mA y Vp = -4 V.
SOLUCIN

Estos valores se encuentran en la grfica a continuacin.

Antes de trazar la curva de la regin positiva de VGS tenga en cuenta que ID se

incrementa muy rpido con los valores crecientes positivos de VGS. En otras palabras,
sea conservador al seleccionar los valores a sustituir en la ecuacin de Shockley. En este
caso, probamos 1 V como se muestra:

Este valor es lo suficientemente grande para finalizar el trazado.