UNIVERSIDAD ISRAEL

CARRERA: ELECTRNICA

LABORTORIO DE ELECTRNICA II

INFORME PRCTICA 1:

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR JFET Y

NIVELES DE OPERACIN.

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1. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

1.1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente prctica.

Con la presente prctica se puede evidenciar los valores ptimos de operacin

del transistor tanto de VGS como de ID.

Tambin pudimos verificar todos los niveles de operacin del transistor JFET.

Mientras mayor es el valor de VGS el valor de ID es menor y viceversa.

1.2. Exponga sus recomendaciones respecto a la presente prctica.

Verificar el uso correcto de los equipos de medicin (Voltmetro y Ampermetro)

Verificar la correcta instalacin y/o ensamblaje de los elementos y dispositivos

del circuito antes de la polarizacin de los mismos.

Buscar tener mayor precisin al momento de aplicar los voltajes de trabajo: VGS
y VDS, para obtener un valor ms cercano de ID.

2. PREGUNTAS

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2.1. Mediante la grfica obtenida. Cul es el valor de IDSS?
El valor obtenido fue de 7 mA
2.2. Establezca VGS = -2,5V. Qu sucede con la corriente ID? Deduzca Vp.
Se deduce Vp para los voltajes VGS ms negativos que el nivel de
estrangulamiento, la corriente de drenaje ID tiende a 0V.
2.3. Determine ID y VDS, si VGS = -1V. Qu puede concluir con el punto de
operacin?
El punto Q nos indica los valores ptimos de corriente y voltaje de trabajo del
transistor JFET, mediante este podemos determinar
ID = 4,5 mA
VDS = 2,6 V

2.4. Identifique los niveles de operacin del transistor en la grfica.

Fig. 1. Curva caracterstica de JFET Prctica 1

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3. BIBLIOGRAFA

Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Boylestad

Nashelsky. Octava Edicin. Pearson Educacin. Captulo 5

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