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Los dos MOSFETS en este circuito son idnticos. Sus parmetros relevantes son K = 3 mA/V2, VT = 0.75 V,
y VA = 30 V. Tambin se requiere que los MOSFETs sean polarizados con VOV mayor que 0.1 V para que se
encuentren en conduccin de manera adecuada. La fuente de corriente es IBIAS = 95 uA.
(a) Determinar el valor de RL de manera que vOUT = 3 V, cuando vIN = 0V.
RL = __________ (6.25%)
(b) Determinar los voltajes compuerta-a-fuente en cada MOSFET, VGS1 y VGS2, cuando vIN = 0 V.
VGS1 = _______; VGS2 = _______ (6.25%)
(c) Derivar una expresin para la ganancia de voltaje, AV = vout/vin, cuando ambos transistores estn operando
en las regiones activas
AV (expresin) =____________; AV (valor) =____________ (6.25%)
(d) Determinar el rango de valores de vOUT para el cual la expresin de AV derivada en el literal (c) es vlida.
_______ V < VOUT < _______ V (6.25%)
PROBLEMA 2. (50%)
En cada uno de los literales d (25%), b (12.5%), f (12.5%). Calcular la ganancia en la banda media y fH.
Sean hFE = 175, Cu = 3 pF y fT = 350 MHz. VA = 125 V. Las fuentes de corriente son ideales.
Los dos MOSFETS en este circuito son idnticos. Sus parmetros relevantes son K = 1.5 mA/V2, VT = 0.6 V,
y VA = 25 V. Tambin se requiere que los MOSFETs sean polarizados con VOV mayor que 0.1 V para que se
encuentren en conduccin de manera adecuada. La fuente de corriente es IBIAS = 110 uA.
(a) Determinar el valor de RL de manera que vOUT = 2.5 V, cuando vIN = 0V.
RL = __________ (7.5%)
(b) Determinar los voltajes compuerta-a-fuente en cada MOSFET, VGS1 y VGS2, cuando vIN = 0 V.
VGS1 = _______; VGS2 = _______ (7.5%)
(c) Derivar una expresin para la ganancia de voltaje, AV = vout/vin, cuando ambos transistores estn operando
en las regiones activas
AV (expresin) =____________; AV (valor) =____________ (7.5%)
(d) Determinar el rango de valores de vOUT para el cual la expresin de AV derivada en el literal (c) es vlida.
_______ V < VOUT < _______ V (7.5%)
PROBLEMA 2. (40%)
En cada uno de los literales d (20%), e (10%), c (10%). Calcular la ganancia en la banda media y fH.
Sean hFE = 225, Cu = 1.5 pF y fT = 300 MHz. VA = 105 V. Las fuentes de corriente son ideales.