FABRICACION DE DIODOS Y TRANSISTORES

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el

silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en
el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al
flujo de los electrones).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al

p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de
agotamiento.

A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.

La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele

ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el

diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
 DIODO 1N4006
Tabla de datos tcnicos
 Diodo zener
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado que se ha construido
para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor,
el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de
los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga
y temperatura.

Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan

comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son
diferentes. Adems si el voltaje de la fuente es inferior a la del diodo ste no
puede hacer su regulacin caracterstica.

Diodo tuner
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.1

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como

componente activo (amplificador/oscilador).

Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del fsico japons Leo
Esaki quien descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda
causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la
zona de deplexin en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es
su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin
directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar
el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador,
como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo
de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn
relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Diodo varactor
El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es
un diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para
comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada, como
un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico
presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-
C), donde son necesarios los cambios de capacidad.

Diodo pin
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la
intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo
N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la
capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o
bien por una capa n de alta resistividad ().

El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

conmutador de RF

resistencia variable

protector de sobretensiones

fotodetector

diodo led
Un led o diodo emisor de luz es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite
luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la
unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica