1

DIODA SEMICONDUCTOARE
1.1. Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a cror funcionare
se bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n diferite medii (gaz,
solid, lichid).
Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces, prin
intermediul crora se realizeaz controlul purttorilor de sarcin. n condiiile n
care are 2 borne de acces se numete dipol (figura 1.1, a), iar dac are 4 borne de
acces se numete cuadripol (figura 1.1, b).
Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre exemplu
tranzistorul) se trateaz ca i un cuadripol, una din borne fiind comun intrrii i
ieirii. n figura 1.1,b borna 3 este notat cu 1 - born de intrare i cu 2 care
este born de ieire.

I
1 2 1 2

U 1 2
3

a) b)
Fig. 1.1

Bornele de acces sunt numite de intrare (i notate cu 1) sau de ieire (notate

cu 2) n funcie de sensul transferului de putere sau n funcie de sensul de
circulaie al semnalului. La bornele de intrare se conecteaz sursa de semnal iar
la bornele de ieire se percepe rezultatul prelucrrii semnalului de ctre
cuadripol. n figura 1.1 sensul circulaiei puterii este figurat prin sgei.
Descrierea funcionrii circuitului n regim static se face prin intermediul
unor funcii numite caracteristici statice, care exprim dependena mrimilor de
ieire de semnalul aplicat la intrare i de structura intern a circuitului.

3
 Regimul static precizeaz faptul c mrimile sunt constante n timp, ceea ce
nseamn c timpul nu este o variabil - toate mrimile rmn la aceeai valoare
din momentul cnd s-a aplicat semnalul la intrare i pn la infinit.
Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate n mai multe
moduri:
- prin intermediul unor relaii analitice (matematice);
- prin intermediul unor relaii grafice.
Caracteristicile statice reprezint un mod de exprimare a modelului
circuitului .
Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regul sunt neliniare, ceea ce
nseamn c i caracteristicile statice vor fi la fel.
Liniaritatea se refer la faptul c mrimile de ieire depind de mrimile de
intrare printr-o relaie de forma:
mrime de ieire = (coeticient1) x (mrime de intrare) + (coeficient2),
unde cei doi coeficieni depind de structura circuitului. n cazul modelelor
neliniare cei doi coeficieni depind de structura circuitului i de mrimile de
intrare (uneori nici nu poate fi explicitat mrimea de ieire, ca n relaia de mai
sus).
Spre exemplu n figura 1.2,a este prezentat un dipol (o diod
semiconductoare) pentru care caracteristica static poate fi exprimat prin relaia
I = f (U ) .

I I
D U
I I=
1 2 R
U
U1 U2 U U
neliniar liniar

a) b) c)

Fig. 1.2.

Dac relaia ntre intrare i ieire este liniar caracteristica static poate fi
exprimat grafic ca n figura 1.2,c ceea ce nseamn c dioda poate fi definit
prin rezistena intern R. Caracteristica static se exprim analitic prin relaia
(de definiie a rezistenei electrice)
U
RI = = GU ,
R
unde G este conductana.
Att modelele matematice ct i caracteristicile statice nu sunt unice (spre
exemplu exist modele matematice specifice zonelor de funcionare). Uneori,
putem avea un model matematic general i o caracteristic static unic, dar
4
datorit complexitii modelului se prefer a se utiliza modelele matematice mai
simple care s fie valabile pentru anumite zone de funcionare.
Spre exemplu caracteristica static neliniar din figura 1.2,b poate fi
exprimat prin dou drepte, ca n figura 1.3 , sau poate fi descris aproximativ
prin dou ecuaii, (fiecare valabil pe domeniul specificat)

I U
I=
ron

U1 U2 U
U
I=
roff

Fig. 1.3.
1
0 <U <U2 I= U,
ron

1
U <0 I= U,
roff

unde ron = (50 K1K ) este rezistena diodei la polarizarea direct i

roff = (100K K10M ) [4] reprezint rezistena intern a diodei la polarizarea
invers a dispozitivului.
n cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne, deci 4 mrimi
la borne (figura 1.4).

1 I1 I2 2
IN OUT
V1 C V2
1 2

Fig. 1.4.

Modelul matematic trebuie s conin 2 ecuaii care s exprime dependena

dintre mrimile de ieire i cele de intrare care poate fi

V2 = f1 (V1 , I1 )
,
I 2 = f 2 (V1 , I1 )
sau poate fi

5
 V1 = g1 (I1 , I 2 )
.
V2 = g 2 (I1 , I 2 )

n majoritatea aplicaiilor cele dou funcii (f1 i f2 ) pot fi liniarizate n

raport cu mrimile de la bornele cuadripolului astfel nct modelul este exprimat
ca sum a contribuiei fiecrei variabile independente

V1 = Z11 I1 + Z12 I 2
,
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2

n care termenii Zij - numii parametrii de cuadripol (de natura unor impedane)
nu depind de mrimile independente de la borne (cureni sau tensiuni ).
Dac drept variabile independente se adopt tensiunile la borne modelul
cuadripolar conine admitanele Yij

I1 = Y11V1 + Y12V2
.
I 2 = Y21V1 + Y22V2

Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare avnd alte mrimi

independente.
Not: Pentru a fixa noiunile n figura 1.5 este prezentat o form de und
(sinusoidal) a unei mrimi variabile n timp.

v
v(t)
VM
2Vef

t
T

Fig. 1.5

Dac perioada T este suficient de mare, regimul este cvasistaionar la

fiecare timp (n T) mrimea v are aceeai valoare, iar trecerea de la o valoare
la alta are loc prin intermediul unei succesiuni de regimuri staionare.
Mrimea este caracterizat, n afar de perioada T prin valoarea efectiv
Vef i valoarea medie VM, definite astfel

6
 1 T 2
v (t )dt ,
T 0
Vef =

1
0 v(t )dt .
T
VM =
T

Regimul static este regimul n care mrimile sunt aceleai la orice moment
de timp.
n cazul figurii 1.5, pentru regimul cvasistaionar, mrimile constante n
timp sunt VM i Vef.

1.2. Semiconductori intrinseci

Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din grupa a IV-a

datorit faptului c legtura dintre atomi este covalent (legtur chimic care se
realizeaz prin punerea n comun a electronilor de valen a 2 atomi nvecinai).
Dintre elementele grupei se utilizeaz cu precdere Siliciul i apoi Germaniul.
Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul c energia
electronilor se gsete pe nivele energetice situate n benzi.
Banda de valen BV conine nivele energetice ale electronilor de energie
mic, electroni care sunt prini n legturi covalente. Energia maxim a benzii
de valen se noteaz Wv.
Electronii care au posibilitatea s se deplaseze n spaiul interatomic
(electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice corespunztoare benzii
de conducie BC. Energia minim a benzii de conducie se noteaz Wc.
ntre cele dou benzi permise (BC i BI) se afl banda interzis BI, (vezi
figura 1.6) a crei lime energetic W = Wc - Wv, este o constant de
material fiind specific naturii semiconductorului spre exemplu
Semiconductori realizai din Si au limea benzii interzise 1,12 eV [2].
Un electron cu energia Wv , pentru a se desprinde din legtura covalent, ca
s devin electron liber, trebuie s primeasc pe o cale oarecare (spre exemplu
prin impuls, adic prin ciocnirea cu un electron de vitez mai mare) o energie
suplimentar de cel puin W. n aceste condiii energia electronului va depi
BI i va trece pe un nivel din interiorul BC electronul este liber. Prsirea
legturii covalente de electronul care a primit suficient energie determin o
legtur covalent nesatisfcut n structura semiconductorului numit gol.
n cazul metalelor, conducia curentului electric se face prin electroni.
n cazul semiconductorilor, conducia curentului electric se face att prin
electroni ct i prin goluri.
nelegem prin conducie a curentului electric transferul de sarcin electric
printr-o suprafa .

7
 W [eV]

Wc }BC
} BI = W = 10,12,67eVeV(Si(Ge) )
Wv }BV
Fig. 1.6.

Curentul electric este o micare ordonat a unor purttori de sarcin printr-o

suprafa , caracterizat prin intensitatea curentului electric de conducie.
Intensitatea curentului electric i de conducie este definit prin variaia a
sarcinii electrice care trece prin suprafaa n unitatea de timp.

dq
i=
dt

Pentru figura 1.7, avnd n vedere c 3 goluri g trec de la stnga la

dreapta prin suprafaa i doi electroni e trec de la dreapta spre stnga,
rezult c prin suprafaa trece o sarcin electric pozitiv egal cu sarcina
electric transportat de un gol (qp = - qe = 1,6 10-23 C). Dac considerm c
situaia se menine dinamic pentru un interval de timp de 1 secund, prin
suprafa va circula un curent electric de conducie, cu sensul de la stnga spre
dreapta, cu intensitatea de 1,6 10-23 A.

Fig.1.7.

Conducia curentului este realizat de goluri (legturi covalente

nesatisfcute) prin intermediul electronilor prini n legturi covalente ale
atomilor nvecinai golului. Un electron dintr-o legtur covalent, datorit unei
fore (spre exemplu datorit forei determinate de un cmp electric), pleac din
legtur i se poziioneaz la atomul cu legtur covalent nesatisfcut. Golul
din poziia veche nu mai exist - legtura a fost refcut de electronul sosit, dar
apare un gol n poziia din care aplecat electronul. Aceast deplasare este
echivalent cu deplasarea golului n sens invers micrii electronilor. Electronul
8
care s-a deplasat i a ocupat legtura covalent nesatisfcut are o energie aflat
n BV.
n condiiile n care legtura covalent nesatisfcut (golul) este ocupat de
un electron a crui energie este n banda de conducie BC procesul se cheam de
recombinare. Electronul nu a plecat dintr-o legtur covalent, ca s determine
formarea unui nou gol. Dispare, pentru procesul de conducie, att electronul
ct i golul, pentru c electronul liber a fost prins n legtura covalent
nesatisfcut numit gol.
La temperatura camerei, numrul de electroni liberi este egal cu numrul de
goluri, pentru c fiecare electron devenit liber a plecat dintr-o legtur covalent
care a devenit nesatisfcut (gol).
Concentraia de electroni liberi n 0 egal cu concentraia de goluri p0 se
numete concentraie intrinsec ni.
3
n0 = p0 = ni [numr de purttori/cm ].

S-au folosit notaiile n 0 i p0 cu indice zero pentru a specifica faptul c

semiconductorul se afl la echilibru termodinamic.
Cele dou concentraii fiind egale semiconductorul este electric neutru.
Concentraia intrinsec poate fi exprimat n principal n funcie de limea
benzii interzise W i de temperatura T, prin relaia
3 W

ni = AT 2 e 2 kT

n relaie intervine constanta lui Boltzman (k = 1,38 10-23 J/K) i o constant

(A) care s preia influenele factorilor nespecificai.
Orientativ n cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300 K, care are
o concentraie de atomi ni = 10 22 atomi/cm3, concentraia intrinsec este
3 12
ni = 1,5 x1010 purttori/cm , ceea ce nseamn c la fiecare 10 atomi exist o
legtur covalent nesatisfcut (un gol) i un electron liber.
Relaia dintre concentraiile purttorilor, la echilibru termodinamic,

n p = ni2

este valabil att n cazul semiconductoarelor intrinseci ct i n cazul

semiconductorilor extrinseci.
Modificarea numrului de purttori se face prin:
- creterea temperaturii semiconductorului;
- iradiere;
- iluminare;
- injecie de purttori din exterior.
Primele trei metode de modificare a concentraiei intrinseci determin un
aport energetic din exteriorul semiconductorului. O parte din electroni, prin

9
acest aport energetic, i cresc energia peste Wc, devenind electroni liberi. Se
genereaz totodat i un gol datorit apariiei unei legturi covalente
nesatisfcute, legtur din care a plecat electronul respectiv. Concentraia de
electroni i goluri fiind egal semiconductorul va fi tot neutru.
Numrul de purttori este condiionat n principal de temperatur, pentru
care concentraiile la echilibru termodinamic sunt notate n0 i p0. n condiiile n
care apare o perturbare (injecie de purttori din exterior ) astfel nct s se
modifice concentraia unuia dintre purttori, intervine procesul de generare sau
recombinare de purttori astfel nct concentraiile s revin la echilibrul stabilit
de valoarea temperaturii, respectiv n0 i p0. Odat cu ncetarea perturbaiei
semiconductorul acioneaz n scopul anulrii excesului de purttori pentru a
ajunge n vechea stare de echilibru.
Semiconductori intrinseci sunt folosii la realizarea rezistorilor i a
termistorilor (rezistoare a cror rezisten se modific cu temperatura,
proprietate utilizat la msurarea pe cale electric a temperaturii).

1.3. Semiconductori extrinseci

Semiconductorul extrinsec este format dintr-un material semiconductor

intrinsec n structura cruia s-au introdus elemente din grupa a III-a (Bo, Al,
.a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, .a.). Concentraiile de elemente strine, voit
introduse, sunt foarte mici (1012...1018 atomi/cm3) n raport cu numrul atomilor
semiconductorului ( 1022 atomi) motiv pentru care sunt numite impuriti [8].

Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de elemente din

grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea n legturi covalente a 4 electroni ai
impuritii cu atomii semiconductorului de baz rmnnd un electron foarte
slab legat de atomul de impuritate, care electron la temperatura camerei este
electron liber (are energia n BC). Impuritile din grupa a V-a sunt donoare (de
electroni) i introduc un nivel energetic apropiat de banda de conducie Wc notat
Wn n figura 1.8.

Wc
Wn

Wv

Fig. 1.8.

10
 Notm cu N D = 1014 K1018 [atomi/cm3] concentraia de impuriti introdus.
Impuritile fiind ionizate (au pierdut un electron) vor modifica numai
concentraia de electroni liberi

n = n0 + N D = ni + N D N D

p = p0 = ni

innd seam de relaia dintre concentraiile la echilibru se obine

n i2 ni2
n p=n 2
i p= = .
n ND

Semiconductorul se numete N pentru c, conducia curentului electric este

asigurat n principal de electroni i anume de electronii liberi furnizai de
impuriti.

Semiconductorul de tip P realizeaz prin introducerea n structura

semiconductorului de baz de elemente din grupa a III-a, ceea ce face ca cei 3
electroni ai impuritii s formeze legturi covalente cu atomii
semiconductorului, rmnnd o legtur covalent nesatisfcut.
Impuritile introduc un nivel energetic Wp n banda interzis a
semiconductorului de baz, nivel apropiat de limita benzii de valen WV, ca n
figura 1.9.

Wc

Wp
Wv

Fig. 1.9.

Notnd cu NA concentraia de impuritate introdus, obinem concentraiile

de purttori n semiconductorul de tip P

ni2
n =
NA
p = p + N N
0 a A

11
 Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P i de tip N dup semnul
sarcinii purttorilor majoritari, respectiv golurile de sarcin pozitiv (pentru P)
i electronii de sarcin negativ (pentru N).
Nivelul Fermi WF, este acel nivel energetic sub care se gsete energia
tuturor electronilor unui solid n condiiile n care temperatura acestuia este de
zero grade Kelvin.
Concentraia purttorilor de sarcin poate fi exprimat n funcie de poziia
nivelului Fermi prin relaiile
3
Wc WF
n0 = AT exp(
2 ),
kT
3
WF Wv
p0 = AT exp(
2 ),
kT

care verific condiia de echilibru termodinamic ( n p = ni2 ).

Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la jumtatea
benzii interzise se noteaz acest nivel cu

Wc + Wv
Wi = ,
2

n funcie de nivelul intrinsec pot fi exprimate concentraiile purttorilor pentru

semiconductorul extrinsec

W Wi W WF
n0 = ni exp( F ) , p0 = ni exp( i ).
kT kT

Se remarc faptul c la semiconductorii extrinseci nivelul Fermi este diferit de

nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec, fiind tras de impuriti.

1.4. Densiti de curent n semiconductori

Curentul electric de conducie este definit prin micarea ordonat a

purttorilor de sarcin printr-o suprafa dat.
n general, dac nu acioneaz nici o for curentul este zero.
Curentul electric de conducie apare n condiiile n care asupra purttorilor
de sarcin acioneaz o for (electric sau de difuzie) care s orienteze vitezele
purttorilor ctre suprafaa n cauz, ca n figura 1.10a.
Fora electric este datorat prezenei unui cmp electric de intensitate E n
semiconductor.
Valoarea forei electrice cu care acioneaz cmpul electric de intensitate E
asupra unui purttor de sarcin qe este

12
 r r
F = qe E ,

unde q e = 1,6 10 23 C (semnul minus pentru electroni i plus pentru goluri).

r
F
r
F

r
qp Fe
r
Fe q n

a) b)

Fig. 1.10

Fora de difuzie este acea for care apare datorit neuniformitii de

concentraie a purttorilor n diferite zone ale semiconductorului fiind
proporional cu gradientul concentraiei
r
F grad n .
d

Pentru a caracteriza local starea de conducie electric se folosete

densitatea j a curentului electric de conducie. Integrala de suprafa a
densitii de curent exprim valoarea curentului electric de conducie care
strbate respectiva suprafa
r r r
j i = j dA .

n condiiile unei densiti de curent uniforme avem

i
j = const j = ,
SI
unde Sj este aria suprafeei .
Fora electric determin apariia unei densiti de curent prin suprafa
care este
- pentru goluri
r r
jp = p qppE
- pentru electroni
r r
jn = qn n n E ,

13
 Semnul minus se datoreaz faptului c electronii se mic invers liniilor de
cmp electric, ca n figura 1.10b. Cele dou densiti de curent se nsumeaz
dac exist dou tipuri de purttori de sarcin.
r r r r r
j e = j p + j n = (q p p p q n n n ) E = q e ( p p + n n ) E .

Expresia din final se obine deoarece q p = q e , q n = q e .

Legea de material a conduciei poate fi utilizat pentru a stabili expresia
rezistivitii a unui semiconductor

r r 1 r 1
j = E = E = .
q e ( p p + n n )

Expresie care sugereaz modalitile de modificare a rezistenei unui

semiconductor, i anume prin modificarea concentraiei de impuriti.
Mobilitatea purttorilor este afectat
- de temperatur crescnd odat cu creterea temperaturii,
- de concentraia de impuriti care determin scderea mobilitii,
- de intensitatea cmpului electric aplicat din exterior (la intensiti
mari mobilitatea scade).
Fora de difuzie determin densiti de curent n semiconductor a cror
expresii se pot exprima
r
j pd = qe D p grad p
r ,
jnd = qe Dn grad n

n funcie de gradientul de concentraie, de sarcina purttorilor i de coeficienii

de difuzie Dp, Dn ai fiecrui tip de purttor de sarcin.
Coeficienii de difuzie sunt mrimi dependente de materialul
semiconductorului, fiind corelate cu mobilitatea purttorilor prin relaiile Euler
KT KT
Dp = p; Dn = n .
qe qe

Densitile de curent
r r
ale rcelor doi purttori de sarcin se nsumeaz
jd = j pd + j pn .

Densitatea de curent care se stabilete printr-o suprafa a unui

semiconductor cnd acioneaz att fora electric ct i fora de difuzie sumeaz
efectul celor dou fore
r
r r dE
j = je + jd + ,
dt

14
 Expresia densitii de curent conine un termen (ultimul) dependent de
viteza de variaie n timp a cmpului electric
r
dE
jv = ,
dt

care poart numele de densitate de curent de deplasare.

Densitatea curentului de deplasare este semnificativ cnd intensitatea
cmpului electric are o vitez mare de variaie n timp.

Generarea i recombinarea purttorilor de sarcin

Fenomenul de recombinare const n scderea energiei unui electron liber
sub valoarea nivelului Wv , ceea ce determin fixarea acestuia ntr-o legtur
covalent nesatisfcut.
Dac legtura covalent provine de la materialul semiconductor de baz
rezult dispariia a 2 purttori de sarcin (att un electron ct i un gol).
Dac electronul este prins ntr-o legtur a impuritii sau a unui centru de
recombinare se pierde numai un electron pentru procesul de conducie, vezi
figura 1.11a, deoarece atomul de impuritate este ionizat i primind un electron
devine neutru.

W W
recombinare cu Ion pozitiv
centru de captur (1 purttor
Wc Wc
(1 e-) generat)

recombinare
Wv Wv gol
band-band
(2 purttori)
(2 purttori)
b)
a)
Fig. 1.11.

Generarea purttorilor de sarcin se poate face n perechi (un electron i un

gol) dac electronul provine dintr-o legtur covalent.
Se genereaz numai un purttor dac electronul provine de la un atom de
impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui purttor se ionizeaz.
Semiconductorul rmne neutru pentru c sarcina purttorului generat este egal
i de semn opus sarcinii ionului format, vezi figura 1.11.
Viteza net de recombinare a purttorilor U este definit drept variaia
excesului de sarcin n unitatea de timp fa de sarcina stabilit de echilibrul
termodinamic
pn ni2
U= ,
n ( n + nt ) + p ( p + p t )

15
unde n i p reprezint timpul de via al electronului i respectiv al golului, n
i p sunt concentraiile de purttori iar nt i pt reprezint concentraii fictive de
purttori dac acetia ar avea energia corespunztoare nivelului de captur (n
cazul recombinrii prin neutralizarea unei impuriti ionizate, energia nivelului
de captur corespunde nivelului energetic introdus de impuritate ca n 1.11 a).
La echilibru termodinamic ntre concentraiile de purttori avem relaia

n p = ni 2 U= 0,

pentru c U este viteza net de recombinare, adic diferena ntre viteza de

recombinare a purttorilor i viteza de generare a acestora, viteze care la
echilibru termodinamic sunt egale.

1.5. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic

Jonciunea PN este linia care separ dou zone semiconductoare diferite -

una de tipul P i cealalt de tipul N - care au fost puse n contact.
La echilibru termodinamic temperatura este constant i nu exist schimb
de energie cu exteriorul.
Concentraiile purttorilor n cele dou zone semiconductoare sunt
prezentate n tabelul de mai jos.

P N
p = N A + p 0 N A goluri n = N D + n0 N D electroni

n i2 n i2
n = p =
NA ND
goluri - majoritare electroni - majoritari
electroni - minoritari goluri - minoritare

Datorit faptului c n zona P avem multe goluri, n condiiile n care se

pune n contact cu N, apare fenomenul de difuzie care determin transferul de
goluri din zona P n zona N.
La fel se pune problema pentru electronii din zona N, aa nct plecnd
golurile de la suprafaa semiconductorului de tip P aceast zon este srcit n
purttori i plecnd electroni de la suprafaa semiconductorului din zona N
aceasta este srcit n sarcini negative, ca n figura 1.12.
n zona de jonciune, datorit plecrii purttorilor de sarcin, rmn numai
ionii de impuritate.
Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip N sunt sarcini
pozitive (pentru c au cedat un electron) i determin o densitate de sarcin

16
 q = qe ND pe intervalul 0,..., ln ,

(se nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona semiconductoare N).

P N

-lp +ln
r
E dp

Fig. 1.12

Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip P sunt sarcini

negative (pentru c au primit un electron) i determin o densitate de sarcin
q = -qe NA pe intervalul -lp ,..., 0 (se nmulete sarcina ionului cu densitatea
ionilor din zona semiconductoare P).
Prezena celor dou acumulri de sarcin la jonciune conduce la apariia
unui cmp electric de intensitate notat cu E.
Intensitatea cmpului electric poate fi calculat pe baza legii fluxului
electric, care stabilete faptul c fluxul induciei D a cmpului electric printr-o
suprafa nchis este egal cu cantitatea de electricitate-sarcin electric din
volumul delimitat de suprafaa respectiv

grad () = q .

n condiiile din figura 1.12, cnd intensitatea cmpului se modific numai

pe OX gradientul conine numai derivata pe axa x

dE
= q
dx .

Separnd variabilele se obin expresiile cmpului electric

NA
E ( x) = q e (l p + x) pentru l p x 0
,
ND
E ( x) = q e (l n x) pentru 0 x l n

ca n figura 1.13.
Din condiia de continuitate a cmpului n origine

E(-0) = E(+0),

17
se obine o relaie ntre limile zonelor de golire in cele dou zone
semiconductoare
NA lp = ND ln .

Zona P E
Zona N

x[m]
U E0
U0

x
-lp 0 ln

Fig. 1.13.

Considernd drept referin a tensiunii zona neutr a semiconductorului P

(V(-lp) = 0) i plecnd de la definiia cderii de tensiune

p r r
U = 1 Edr ,
p0

particularizat pentru jonciune

Ip r r
U0 = Edr ,
In

se obine expresia tensiunii pe jonciune cunoscut sub numele de barier de

potenial
qN qN
U0 = e A l p2 + e D ln2

care se opune transferului de purttori prin jonciune.

r
Fd
r r
Fe = q e E

Fig. 1.14.

De fapt cmpul electric determin fora electric Fe , din figura 1.14, care
este de sens opus forei de difuzie Fd .

18
 La conectarea celor dou zone ncepe procesul de difuzie a purttorilor,
zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a jonciunii crete, cmpul
electric crete i fora electric crete aa nct

me a = Fd Fe

diferena celor dou fore se micoreaz.

Transferul de sarcin i extinderea zonelor golite n purttori nceteaz cnd
fora electric egaleaz fora de difuzie.
Notnd limea total a zonei de golire l = lp + ln din ecuaia barierei de
potenial se obine

2 1 1
l= + U0 .
q e N A N D

Deoarece avem dou acumulri de sarcini opuse separate printr-o zon de

lime l n care se stabilete un cmp electric, rezult c avem un condensator a
crei capacitate

SJ
CB = ,
l

este numit capacitate de barier.

Expresia barierei de potenial poate fi dedus pe baze energetice, avnd
expresia

kT N N
U0 = In( A D )
qe ni2

unde n i reprezint concentraia intrinsec i are valoarea

3 W

ni = AT e 2 2 KT
.

1.6. Polarizarea jonciunii P-N

Polarizarea jonciunii P-N const n aplicarea din exterior a unei surse de

tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele neutre ale
semiconductorului.
Dac borna pozitiv a sursei se aplic pe zona P polarizarea este direct,
iar cnd pe zona P se aplic borna negativ polarizarea este invers.

19
 n cazul polarizrii directe a jonciunii t.e.m. EAA determin apariia unui
cmp electric notat EA care este de sens invers cmpului electric intern notat E0.
Rezult c valoarea cmpului electric care acioneaz asupra purttorilor se
micoreaz, ceea ce nseamn c o parte din purttori vor traversa datorit forei
de difuzie zona de golire. Golurile din zona P vor ajunge n zona N pn la o
distan Lp = lp + p (vezi figura 1.15), numit lungime medie de difuzie a
golurilor i definit drept acea distan pe care o parcurge un golul pn la
recombinarea cu un electron.
Lungimea medie de difuzie poate fi exprimat

L p = D p p

prin D p - coeficientul de difuzie i p - timpul de via al golurilor (definit drept

timpul ct golul se mic n zona N de la intrare i pn la recombinare).

P N
Pp 0 nn0 ND

-ln r +lp
E0
r -ln +lp P0
EA
n p

E AA
Fig. 1.15.

Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distana p, concentraia

purttorilor minoritari din zona N.
Concentraia de goluri, pe distana p, va diferi de concentraia impus de
echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcin suplimentar numit sarcin n
exces.
Aceleai considerente se fac pentru electronii provenii din zona N i
injectai n zona P.
Acumulrile de sarcin excedentar determin definirea unei capaciti
numit capacitate de difuzie

q
Cd = .
E AA

Aceast teorie este valabil n cazul nivelelor mici de injecie adic atunci
cnd curentul electric de conducie prin semiconductor nu are valori foarte mari,
ceea ce nseamn c numrul de purttori care sunt injectai prin suprafaa

20
semiconductorului este mic n raport cu numrul de purttori majoritari din zona
respectiv.
Exemplu numeric:
Ppot 1015 K1018

Pinj = 1012
n zona P: ( )
Ppot + Pinj = 1015 + 1012 = 1012 103 + 1 1015
la nivele mici concentraia de purttori majoritari (goluri n zona P)
nu se modific prin injecie de purttori minoritari.
Dar golurile care ajung n zona N (unde sunt minoritari) vor modifica
concentraia de purttori minoritari (pe distane mici). La fel se prezint situaia
pentru electronii care ajung n zona P.
Sursa de t.e.m. furnizeaz numai purttorii care au fost injectai (spre
exemplu furnizeaz electroni pentru zona N), dar numrul acestora este mic fa
de ce exist deja n zon, rezult c vor determina un curent de valoare mic n
zonele neutre (unde sunt plasate bornele sursei). Curentul de valoare mic
determin cderi de tensiune mici, motiv pentru care se neglijeaz cderile de
tensiune pe zonele neutre. Reformulnd putem spune c ntreaga tensiune
furnizat de sursa de t.e.m. se aplic jonciunii.
La polarizarea invers a jonciunii intensitatea cmpului intern E 0 are
acelai sens cu valoarea cmpului E A - determinat de sursa de t.e.m. E AA (vezi
figura 1.16).

P N

-ln r +lp
E0
r
EA

E AA

Fig. 1.16.

n acest caz, cmpul electric este favorabil micrii purttorilor minoritari,

micarea purttorilor majoritari fiind blocat att de bariera de potenial ct i de
cmpul stabilit n materialul semiconductor de sursa extern.
Constatm c avem de-a face cu un transfer de goluri din zona N n zona
P care determin un curent electric de conducie de valoare mic (pentru c
exist puini purttori de sarcin goluri n zona N).
La polarizarea invers curenii prin dispozitiv sunt determinai de
fenomenul de generare de purttori n zona de trecere sau n zonele neutre.

21
 La polarizarea direct intervin densitile de curent datorate difuziei
purttorilor, care pot fi exprimate n funcie de tensiunea VA de pe jonciune (la
nivele mici de injecie VA = EAA)

qV A
jd = j0 e KT 1 .

Densitile de curent jr ,reprezint curenii de recombinare direct a

purttorilor de sarcin (n zona de golire) i pot fi exprimai prin relaia

qVA
j r = j 0 r e 2 KT 1 .

Densitile j0 i j0r sunt constante, dependente de natura semiconductorului

de baz i doparea acestuia cu impuriti.
Curentul prin dispozitiv se obine nmulind densitatea de curent cu
suprafaa transversal a semiconductorului.
Att pentru polarizarea direct ct i pentru polarizarea invers, curentul
prin jonciune poate fi descris de ecuaia

qV A
I = I 0 e mKT 1

unde m este coeficientul de neidealitate, m = 1K 2 iar V A este valoarea tensiunii

aplicate pe jonciune. Dispozitivul este ideal pentru m=1.

I
2000A

VP
Polarizare
Polarizare direct
invers

Fig. 1.17

n figura 1.17 este prezentat caracteristica static a jonciunii P-N,

conform cu modelul exponenial (caracteristica static exprimat analitic).

22
 La polarizarea direct curentul este mic pn cnd tensiunea de polarizare
ajunge la valoarea tensiunii Vp numit tensiune de prag. Tensiunea de prag are
valori diferit n funcie de tipul semiconductorului de baz Vp = 0,7 V la Si,
Vp = 0,3 V la Ge, Vp = 1,0 V la As.
La polarizarea invers curentul are valori foarte mici i crete puin la
creterea tensiunii inverse.
n figura 1.18 este prezentat jonciunea P-N n coresponden cu
dispozitivul semiconductor numit diod semiconductoare realizat pe baza unei
jonciuni P-N. Anodul diodei A este zona P a jonciunii iar catodul K este dat de
zona semiconductoare N a jonciunii. Aplicarea tensiunii de polarizare pe
jonciunii se face prin intermediul unor electrozi metalici.

A P N K

IA
A K

VAK

Fig. 1.18

1.7. Fenomene care modific caracteristica static a

jonciunii P-N
A: Efectul nivelelor mari de injecie
n condiiile n care curentul prin dispozitiv are valori mari, acesta fiind
dat de purttorii injectai nseamn c putem spune c dispozitivul funcioneaz
la nivele mari de injecie.

IA real

RN RN I1L
P N
V1 Vj V1
IA 0 VAK
VAK

a) b)

Fig. 1.19.

23
 Nu mai pot fi neglijate cderile de tensiune Vl pe zonele neutre ale
fiecrui semiconductor, rezistena acestora se noteaz RN n figura 1.19a [8, 9].
Pe jonciune nu mai ajunge toat tensiunea sursei ci numai Vj

V AK = V1 + V j + V1 ,
V AK = 2V1 + V j ,

ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca n figura 1.21,b.

Curentul prin dispozitiv se obine din sistemul de ecuaii

V AK = 2 R N I A + V j

qV j I A = f (V AK )
mKT 1
I A = I A0 e

B: Efectul creterii temperaturii

Temperatura determin concentraia intrinsec de purttori de unde rezult

c va crete numrul de purttori (minoritari i majoritari) i curentul rezidual
I A - se dubleaz curentul rezidual la fiecare cretere cu 10C a temperaturii
0

jonciunii.
Tensiunea pe jonciune VAK =Vj scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la fiecare
cretere de 1C a temperaturii.
Tensiunea la temperaturi uzuale este V AK = 0,65V = 650mV .
Efectul temperaturii asupra cderii de tensiune pe jonciune este utilizat la
realizarea traductoarelor de temperatur, pentru o gam de temperaturi din
domeniul 10,..,+1000C.
Temperatura jonciunii este limitat la Tjmax = 1250C n cazul n care
semiconductorul de baz este Si. O temperatur mai mare conduce la ambalarea
termic a dispozitivului cu efecte ireversibile.

C: Efectul creterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului

Creterea tensiunii inverse aplicat jonciunii determin o cretere a

curentului invers. Pentru o anumit valoare a tensiunii inverse notat cu U BR
numit tensiune de strpungere (vezi figura 1.20), apare un canal conductor
ntre anod i catod. Spunem c dispozitivul s-a strpuns. Se comport n circuit
ca un rezistor de valoare foarte mic.
Strpungerea are loc prin 3 fenomene fizice:
- multiplicarea n avalan a curentului;
- tunelarea (efectul Zener);
- atingere.
1. Multiplicarea n avalan const n creterea curentului datorit
faptului c sub influena cmpului electric extern crete energia electronului
24
(Wc ) astfel nct ciocnirea acestuia de un atom neutru s determine smulgerea
unui electron. Se genereaz astfel doi purttori de sarcin, un electron i a unui
gol.
La rndul lui electronul secundar poate s genereze prin acelai mecanism
ali puttori de sarcin.

Fig. 1.20.

Creterea numrului de purttori determin creterea curentului n

dispozitiv.
Dac curentul prin dispozitiv nu depete o anumit valoare maxim
fenomenul este reversibil - adic la scderea tensiunii inverse curentul scade,
altfel canalul conductor este permanent i dispozitivul se comport rezistiv.
2. Efectul de tunelare se obine la dispozitivele semiconductoare a cror
concentraie de impuriti este mare (1016 K1018 at imp/cm3 ) . n aceste condiii,
limitele benzii de valen din una din zone (Wc ) este apropiat de limitele benzii
de conducie din zona cealalt. Un electron dintr-o legtur covalent trecnd
peste zona de golire va deveni n cealalt zon electron liber (pentru c energia
lui corespunde energiei benzii de conducie BC). Apar astfel puttori de sarcin
suplimentari care determin creterea brusc a curentului fr ca tensiunea s se
fi modificat [18].
3. Fenomenul de atingere apare n condiiile n care dispozitivul
semiconductor este realizat cu zone semiconductoare subiri.

1.8. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente pasive i surse
comandate sau necomandate, care poate nlocui dispozitivul semiconductor fr
ca regimul de tensiuni i cureni s se modifice n exteriorul dispozitivului.
Altfel spus aplicnd un semnal la intrarea dispozitivului i acelai semnal la
intrarea circuitului echivalent cele dou rspunsuri vor fi identice, pentru un
anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru tot domeniul permis.

25
 n figura 1.21 a) este prezentat caracteristica static sub form grafic a
dispozitivului numit diod semiconductoare (jonciunea PN), al crui simbol i
model matematic sunt reluate n 1.21b.
Pornind de la caracteristica static se pot realiza scheme echivalente pentru
diferite domenii de funcionare al cror rspuns s fie suficient de aproape de
rspunsul real.

IA (IF) P N

IA
A K

VAK
I0 VAK
qVAK
I A = I A 0 e mKT 1

(IR)

a) b)
Fig. 1.21.

Caracteristica static din figura 1.21a poate fi liniarizat ca n 1.22.

IA
Rd

VP VAK
Rinv
Fig. 1.22.

Se definesc :
- tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este n conducie
0,3V Ge
(circul un curent semnificativ) Vp =
0,7V Si
- rezistena intern n conducie, este rezistena dispozitivului pentru VAK > VP
D V AK
Rd = V AK = R d I A + V p
IA V AK >V p

26
- rezistena intern n blocare, este rezistena pentru

D V AK
VAK < VP , Rinv = .
IA V AK <V p

Schema echivalent corespunztoare caracteristicii statice din figura 1.22 este

prezentat n figura 1.23.

Vp
VAK>Vp Rd + -

IA
A K

VAK <Vp Rinv

Fig. 1.23.

Circuitul din figura 1.23 conine dou comutatoare care lucreaz n opoziie
cnd este unul nchis cellalt este deschis. Deasupra fiecrui comutator este
nscris condiia care dac este ndeplinit determin nchiderea comutatorului.
Dac ntre cele dou tensiuni exist relaia VAK < VP numai comutatorul de jos
este nchis i

VAK = Rinv IA.

Pentru VAK > VP numai comutatorul de sus este nchis i

VAK = Rd IA + VP .

VAK>Vp Rd VAK>Vp Rd

IA IA
A K A K

VAK>Vp Rinv

a) b)
Fig. 1.24.

27
 n condiiile n care tensiunea de prag VP este mic n raport cu tensiunea
aplicat la bornele dispozitivului se poate folosi una din schemele echivalente
din figura 1.24 n care se consider VP = 0.
Rezistenele interne au valori din domeniile
Rd [ K sute ] , Rinv [sute K K M] .
Dac rezistena la polarizarea invers este foarte mare se folosete schema
echivalent din figura 1.26b, considernd Rinv = infinit ,
pentru VAK > 0 , comutatorul este nchis i n circuit rmne rezistena
intern de la polarizarea direct Rd ,
pentru VAK < 0 , comutatorul este deschis i circuitul va fi n gol (curentul
IA = 0 ).

1.9. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim cvasistaionar

Regimul cvasistaionar este caracterizat prin faptul c viteza de variaie a

mrimilor cmpului electromagnetic este suficient de mic pentru a considera c
trecerea de la un regim la altul se face printr-o succesiune de regimuri staionare.
Regimul cvasistaionar se obine n cazul n care tensiunea care se aplic
este format prin suprapunerea a dou semnale - un semnal de c.c. VA i un
semnal de c.a. va (t )

v A (t ) = V A + v a (t ) .

f(t)

Fig. 1.25.

Semnalul variabil n timp este un semnal periodic de perioad T[s] sau de

1
[Hz ] , a crei valoare medie Vmed = 1
D

0 va (t )dt = 0 este nul.

T
frecven f =
T T
Semnalul din figura 1.26 este periodic, de perioad T pentru c oricare
ar fi momentul de timp t avem egalitatea f (t + T ) = f (t ) .

28
 vA
va D
iA
VA
Vmax
vA(t)
T t

a) b)
Fig. 1.26.

Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul seriilor Fourier,

ntr-o sum format din componenta de curent continuu i un numr de semnale
sinusoidale de amplitudini diferite i frecvene multiplii ai frecvenei semnalului.
Rezult c este suficient s aflm rspunsul sistemului liniar la un semnal format
din componenta de curent continuu i o singur sinusoid de frecven
neprecizat

v A (t ) = V A + va (t ) ,
n care va = Vmax sin (t ) .
n figura 1.26 este prezentat a)semnalul aplicat i b) simbolul diodei
semiconductoare.
Pentru c tensiunea are variaii att pozitive ct i negative modelul
dispozitivului electronic folosit este modelul complet

qv A
i A (t ) = I A0 e mkT 1 .

Dac se aplic numai semnalul de curent continuu va = 0

v A (t ) = V A + v a (t ) = V A ,

pentru curentul continuu prin dispozitiv IA se obine expresia

mkT
qV A
qV A

v A = V A (c.c.) I A = I A0 e

1 I A0 e .
mkT

n condiiile n care se aplic semnalul complet (c.c +c.a), curentul prin

dispozitiv poate fi scris sub forma

qv A q (VA + v A ) qV A qv A
i A = I A0 e mKT 1 = I A0 e mkT 1 = I A0 e mkT e mkT 1 .

29
 Se noteaz tensiunea termic
D mkT
VT = ,
q

i se scriu primii termeni ai dezvoltrii n serie de puteri

vA 2
VT v 1 v
e 1 + a + a + K
VT 2 VT
Constatnd inegalitatea de mai jos se pot reine numai primii doi termeni
din dezvoltarea n serie de puteri
va
va VA v
<1 e 1+ a .
VT VT
n condiiile aproximrii de mai sus expresia curentului

VA
v a VT VVA VA
v
i A = IA 0 1 +
e 1 = IA 0 e 1 + I A 0 e VT a = IA + i a ,
T

VT VT
142 43
c .c .

va conine componenta de curent continuu IA (a crei expresie am stabilit-o) i o

component variabil, notat ia .
n expresia componentei variabile a curentului intervine partea variabil a
tensiunii i conform legii lui Ohm

VA

I A0 e VT v = 1 v ,
ia = a R a
VT ca

putem identifica expresia rezistenei diodei n regim variabil

VA

1 D I A0 e VT IA qI A
= = =
Rca VT mkT mkT
q
n condiii de regim variabil, dioda semiconductoare se exprim la
polarizarea direct printr-o rezisten notat cu Rca a crei valoare

mkT
Rca = ,
qI A

depinde de valoarea componentei de curent continuu (I A ) .

30
Rezistena invers a dispozitivului este de cele mai multe ori considerat foarte
mare, aa nct pentru regimul cvasistaionar se utilizeaz schema echivalent
din figura 1.27,a .

Cd
VAK >0
VAK>0 Rca
Rca
A K A K

Rinv= CB

a) b)
Fig. 1.27.

n cazul n care frecvena semnalului este mare, schema echivalent se

completeaz cu cele dou capaciti, i anume la polarizarea direct cu
capacitatea de difuzie i la polarizarea invers cu capacitatea de barier. Se
obine schema echivalent din figura 1.28b .
Diodele semiconductoare se utilizeaz la realizarea circuitelor redresoare, a
detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune continu (diode Zener) .a.

1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune

n prezentul paragraf se trec n revist principalele tipuri de diode utilizate

curent n aplicaii. Diferenierea se face n funcie de zona de funcionare pe care
o folosete aplicaia [3, 4, 26 ]
A. diode la care se utilizeaz caracteristica static de la polarizarea n
conducie a diodei, cealalt ramur a caracteristicii fiind utilizat pentru blocarea
curentului (ideal ar fi ca rezistena s fie infinit)
B. diode se utilizeaz caracteristica static de la polarizarea invers a
diodei, cealalt ramur nefiind utilizat (dioda Zener)
Notaii:
IF - curentul la polarizare direct;
V F - cderea de tensiune la polarizarea direct;
VR - tensiunea invers maxim (VBR ) ;
max

I R - curentul la polarizare invers.

A. Diode n polarizare direct

31
 Diode de comutaie sunt caracterizate prin viteza mare de rspuns, pentru
c evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra la frecvene mari ale
tensiunii de alimentare.
I F = 200mA ; I F = 10 K100mA ; VR = 75V ; VF = 1V ;
max max

Diode de uz general
I F = 150mA ; I F = 800mA ; VR = 20K50V ; VF = 1V ;
max max

Diode de nalt tensiune sunt caracterizate prin faptul c suport tensiuni

mari de polarizare invers. Spre exemplu TV13, TV18, .a.
I F = 0,2mA ; V R = 13kV ;
max max

Diode de putere sunt realizate pentru a vehicula puteri mari i foarte mari.
I F = 5500 A ; I F = 1100 A ; I R = 6mA ; V R = 1300 K1800V ; VF = 1,4V ;
max max

B. Diode n polarizare invers

Diode stabilizatoare sunt realizate aa fel nct s poat funciona n zona

reversibil de strpungere. Este cunoscut sub numele de diod Zener.
VZ = 0,75K 200V ; I Z = 5K 700 A ; rZ = 2 K1500 ; Puteri disipate 0,4W | 1W |
max

4W | 10W | 20W.
n figura 1.28 este prezentat caracteristica static a diodei Zener.
Zona de polarizare invers, corespunztoare strpungerii reversibile poate
fi aproximat prin ecuaia

VZ = VZ 0 + rZ I Z ,

n care apar Vz0 tensiunea de stabilizare i rz rezistena intern a diodei.

IA

NU

VZ VBR VZ 0
I min VAK

Zona de

strpungere
I max reversibil
IZ

Fig. 1.28

Rezistena intern se definete prin relaia

32
 D VZ
rZ = .
IZ

Tensiunea de stabilizare VZ se modific cu temperatura conform ecuaiei:

0

VZ0 = VZ 0T (1 + Z T ) ,

n care coeficientul de variaie cu temperatura are valori din domeniul

Z = 2 K8 10 4 [/ C ]

Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n domeniul

1,5...,200V. L0 cu tensiunea < 5V avem z negativ pentru c predomin
fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V z este pozitiv pentru c
predomin fenomenul de avalan.

1.11. Principiul superpoziiei

n cazul general circuitele electronice primesc la intrare un semnal

variabil a crui component de curent continuu este nenul. Semnalul poate fi
considerat ca fiind format prin suprapunerea unui semnal de c.c. VA i un semnal
periodic va(t) fr component de curent continuu, altfel spus a crui valoare
medie este nul.
Fie semnalul
VA(t)=VA + va(t),

1 T
unde Vmed =
T
0
v a (t )dt = V A .

n figura 1.29 este prezentat un astfel de semnal unde componenta variabil este
sinusoidal
va(t)= Vmax sin( t ),

va(t)= 2 Vef sin( t )

a crui frecven este
1
f = [ Hz ] .
T

= 2f [ rad / s ]
Se definesc mrimile = t[rad ] ,
1 T
Vef =
T
0
v A2 (t ) dt

numite pulsaie, = t faz i Vef valoarea efectiv.

33
 VA(t)
va(t)
,
Vmax

VA
t
t

T
Fig. 1.29.

Orice semnal variabil poate fi exprimat printr-o sum de semnale

sinusoidale de frecvene (pulsaii) diferite:

va(t)= Vak sin( kt + k ) =V1sin( t + 1)+ V2sin( t + 2)+... ,

unde
BK
tg k = ; Vak = AK2 + BK2 ,
AK

iar termenii Ak i Bk provin din dezvoltarea n serie Fourier a semnalului i pot fi

calculai cu relaiile

2 2
T T
AK= v a (t ) sin ktdt , BK= v a (t ) cos ktdt .

Valoarea efectiv i respectiv valoarea medie a semnalului se calculeaz cu

relaiile

n
1 T
Vef = V
k =1
2
ak , Vmed =
T
0
v A dt = V A .

Forma de und este caracterizat, din punctul de vedere al apropierii

acesteia de o mrime continu, de unul din factorii
factorul de form
Vef
=
VA
sau de factorul ondulaie

34
 Vaef
= .
VA
Pentru un semnal continuu factorul de form este zero iar factorul de ondulaie
este 1.
Principiul suprapuneri efectelor sau al superpoziiei afirm faptul c rspunsul
unui sistem este dat de suma rspunsurilor sistemului la aplicarea mrimii de c.c.
si la aplicarea mrimii de c.a.
Altfel spus
- se calculeaz mai nti rspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni de
curent continuu ;
- se calculeaz rspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni de curent
alternativ ;
- rspunsul sistemului este dat de suma celor doua rspunsuri.

V0 este componenta de c.c.

v(t ) = V0 + 2Vak sin( kt + x ) Vak armonica de ordin k = 2,...n
V0 , fundamentala tesiunii
2
T [ s ] perioada; = pulsatia
T

Rezolvarea circuitelor neliniare

Exist dou metode consacrate i anume metode grafic i metoda analitic.

n cadrul metodelor grafice se utilizeaz caracteristici statice ale
dispozitivelor exprimate sub forma grafic.
n cadrul metodelor analitice se utilizeaz caracteristici statice ale
dispozitivelor exprimate sub forma unor ecuaii matematice.
Se exemplific ambele metode pentru circuitul cu diod semiconductoare
din figura 1.30.

IA D

VA VI
VAK
R

Fig. 1.30.

Metoda grafic

Teorema a II-a a lui Kirchhoff RIA+ VAK = VA, determin ecuaia dreptei de
sarcin.
Dreapta de sarcin se reprezint prin interseciile cu axele de coordonate

35
 IA=0, VAK=VA (VA, 0),
i
VA VA
VAK=0 IA= , 0 ,
R R
n planul caracteristicilor statice ale dispozitivului semiconductor (n acest caz
ale diodei). Soluia se obine la intersecia celor dou curbe. Spunem c soluia
determin punctul static de funcionare al dispozitivului P.S.F. (VAo,IAo).

IA

VA
R

IAo P.S.F.

VAo VA VAK

Fig. 1.31.

Metoda analitic

Ecuaiile din care se determin PSF sunt

1. V1+VAK=RIA+ VAK (dreapta de sarcin)
qV AK

2. IA= Io(e mKT

-1) (modelul analitic al dispozitivului)

Sistemul se rezolv printr-o metod oarecare spre exemplu direct

v AK
R + R ; v AK > 0
i= d
v AK
; v AK < 0
R + Rinv

Dac semnalul este cvasistaionar soluia analitic se obine cu ajutorul

transformrii n complex a circuitului.

36
 n condiiile n care viteza de variaie a semnalului este mare i frecvena
este mare, sau n condiiile tranziiei de la o stare la alta a circuitului spunem ca
avem de-a face cu un sistem dinamic. Pentru rezolvarea analitic se recurge la
reprezentarea sistemului neliniar cu ajutorul transformatei Laplace.

1.12. Circuite de redresare

Circuitele de redresare au rolul de a transforma mrimea alternativa de la

intrare ntr-o mrime a crei component medie este nenul.
Redresoarele pot fi
- monofazate
- polifazate
n funcie de tensiunea aplicat la intrarea circuitului.

Dup modul de utilizare a alternanelor tensiunii variabile de la intrare

redresoarele pot fi:
- monoalternan, cnd numai una din alternanele tensiunii de intrare
particip la obinerea tensiunii de pe sarcin;
- bialternan, cnd ambele alternane sunt utilizate la formarea
tensiunii de curent continuu.

Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin rezistiv

Redresorul din figura 1.32 este monofazat pentru c se alimenteaz cu o

singur tensiune vi = 2Vi sin(t ) , este monoalternan pentru c avnd un singur
element neliniar de circuit, i anume dioda D, poate prelucra o singur alternan
a tensiunii de intrare vi (ca n figura 1.5) i este cu sarcin rezistiv pentru c la
ieire se afl rezistorul RS .

i
D

vi VAK VL
RS

Fig. 1.32.

Dioda semiconductoare este modelat prin rezistena intern

Rd , V AK > 0
Rint = .
Rinv , V AK < 0

37
 n circuitul avem un singur curent, circuitul fiind neramificat

vi
R + R , vi > 0 VAK > 0;0 t
vi
i= = S d
RS + Rint
vi
0, vi < 0 VAK 0; t 2
RS + Rinv

Valoarea de curent continuu este valoarea medie a curentului

2Vi sin(t )
, 0 t
1 T 1 2 0 Rs + Rd
I 0 = i (t ) = i (t )d (t ) = 2 ,
T 0 2 0
2Vi sin(t )
Rs + Rinv
, t 2

1 2Vi sin(t ) 2 2Vi sin(t )

I0 = d(t ) + d (t ) =
2 0 Rs + Rd Rs + Rinv

1 2Vi 1 2Vi 2

2 Rs + Rd 0
sin(t )d (t ) +
2 Rs + Rinv sin(t )d (t ) =

2Vi 2Vi 2 2Vi

cos(t ) 0 = =
2 ( Rs + Rd ) 2 ( Rs + Rd ) ( Rs + Rd )
2
I0 = I max

Vi

t
0 2 3 4 t

iL

I0
t
t

vL

V0 t
t

Fig. 1.33.

38
 S-a notat cu Imax valoarea maxim a curentului n decursul unei perioade a
tensiunii de alimentare.
Din figura 1.33 se constat c valoarea medie se obine prin egalarea ariei
mrginit de curba i = f(t) cu aria unui dreptunghi de lungime 2 i nlime
I0 nlime numit valoarea medie a curentului.
Componenta de curent continuu a tensiunii se afl cu relaia lui Ohm
2Vi 2Vi
V0 = Rs I 0 = Rs .
( Rs + Rd )
Constatm c tensiunea pe sarcin nu este tocmai continu ci are
variaii n jurul valorii medii. De fapt este un curent (i tensiune) variabil n
timp. Valoarea efectiv a acestui curent este
2
1 2 1 2Vi sin(t )
I =
2
i (t ) d (t ) =
2
d (t ) =
ef
2 0 2 0 R +R
s d
1 2Vi 2

2 Rs + Rd 0
sin(t ) 2 td (t ) =

Vi 2 1 cos 2t Vi 2 sin 2t
( Rs + Rd ) 2 0 2
d (t ) =
2 ( Rs + Rd ) 2 2t 2 0 =

Vi 2 Vi 2
= =
2 ( Rs + Rd ) 2 2( Rs + Rd ) 2

De unde avem expresia valorii efective a curentului

Vi
I ef = .
2 ( Rs + Rd )
Pentru a efectua o comparaie ntre valoarea efectiv i valoarea de curent
continuu se exprim una n funcie de cealalt

I ef = I0 .
2
Din reeaua de curent alternativ circuitul absoarbe numai putere activ
(pentru c nu conine dect rezistoare, ceea ce nseamn c defazajul dintre
tensiune i curent este nul)

Pca = UI cos = UI = Vi I ef = Vi I0 .
2
Randamentul este definit prin eficiena conversiei puterii de curent
alternativ (a puterii active) n putere de curent continuu.
Puterea n regim de curent continuu conine valorile medii
2
PCC = V0 I 0 = Vi I 0 .

39
 Pcc
Randamentul este mic = = ( 40%) .
Pca

VL

V0

IL

Fig. 1.34.

Pentru a exprima continuitatea tensiunii altfel spus ct de aproape de o

linie paralel cu axa timpului este tensiunea - se folosete factorul de form [13,
14 ]
V Act RS I ef I ef
D = = = ,
VA RS I 0 I0 2

a crei valoare ar trebui (n condiii perfecte) s fie egal cu 1, sau se folosete

factorul de ondulaie

= 1 2 ,

a crei valoare ar trebui s fie ct mai aproape de zero.

Dependenta dintre tensiunea de la ieire i curentul absorbit de sarcin
reprezint caracteristica extern a redresorului. Caracteristica extern ne spune
ce se ntmpl cu valoarea tensiunii furnizate de o surs cnd crete numrul
consumatorilor conectai (n paralel) la respectiva surs, conform figurii 1.34.
Dioda este solicitat la valoarea medie a curentului 2
I0 = I max i la o

tensiune inversa egal cu valoarea maxima a tensiunii de alimentare
V AKinv = ( 2Vi ) .

Orice form de und nesinusoidal (exponenial) poate fi descompus ntr-

o sum de sinusoide numite armonici ale fundamentalei, de frecvene multiplu
ntreg al frecvenei fundamentalei. Este de dorit s nu apar armonici pentru c
deranjeaz ali consumatori.
n cazul circuitelor de redresare cu diode semiconductoare avantajul este c
armonicile apar la tensiuni mici, ceea ce nseamn c amplitudinea lor este mic
i acest fenomen poate fi neglijat n majoritatea cazurilor. (Nu poate fi neglijat
dac tensiunea de alimentare este prea mic.)

40
Circuite de redresare bialternan

Circuitele de redresare monofazate bialternan sunt realizate n dou

variante:
- cu transformator cu priz median, ca n figura 1.35;
- cu diode n punte ca n figura 1.37.

n figura 1.35 este prezentat redresorul monofazat bialternan cu

transformator cu priz median, iar n figura 1.36 sunt prezentate formele de
und asociate.

D1 i1
TR

Vi
D2 i2

RS iL
VL

Fig. 1.35.

VL

t
t

iL D1 D2 D1 D2

t
t

UL

t
t

Fig. 1.36.

41
 Transformatorul TR n fiecare alternan a tensiunii din primar induce n
fiecare seciune a secundarului o tensiune de aceeai polaritate cu tensiunea de
intrare.
Tensiunea din primar Vi= 2Vi sint n alternana pozitiv polarizeaz n
conducie, prin tensiunea din secundar, dioda D1, iar n alternana negativ
polarizeaz n conducie dioda D2.
nseamn c n intervalul (0, ) conduce curent prin sarcin D1 iar n
intervalul t 2 conduce curent prin sarcin D2.

D1 este n conductie
n alternana (+) tensiunea vi
D 2 blocat
iL=iD1; 0 t

D1 este blocat
n alternana (-) tensiunea vi
D2 este n conductie
iL=iD2; t 2

Tensiunea de pe sarcin

VL=RsiL
1 2V
VL= VL (t )dt 2 i
,
T
este de dubl fa de cazul redresorului monofazat monoalternan.

Solicitrile diodelor sunt diferite n funcie de schema utilizat, n cazul

redresorului monofazat bialternan cu transformator fiecare diod este solicitat
la valoarea medie a curentului Imed i la tensiunea invers Vinv max= 2Vi

Redresorul monofazat bialternan n punte este prezentat n figura 1.37.

Formele de und sunt cele din figura 1.36.

D1 I2

(1)
iL VL
Vi R
D2
(2)
D4
D3

Fig. 1.37.

42
 n timpul alternanei pozitive (+) diodele D1 i D4 sunt polarizate direct,
pentru c avem (1)=(+) curentul se nchide pe calea (1) D1 R
D4 (2).
n timpul alternanei pozitive (-) diodele D2 i D3 sunt polarizate direct
pentru c avem (1)=(-) (2) D2 R D3 (1).
Nici n acest caz nu avem o tensiune continu ci o tensiune pulsatore,
numai c pulsaiile tensiunii n jurul valorii medii sunt mai mici dect n cazul
redresorului monoalternan.
Valoarea tensiunii pe sarcin VL are aceeai expresie la redresorul cu
transformator i la redresorul n punte

2Vi
VL=2 .

n cazul redresoarelor in punte diodele sunt solicitate la o tensiune invers

2Vi
Vinv =
2
mai mic dect n cazul redresorului cu transformator.
Diodele sunt solicitate la valoarea medie a curentului.

Filtre de netezire

Pentru micorarea ondulaiilor tensiunii pe sarcin se utilizeaz filtre

sau , ca n figura 1.38,a sau b.

a) b)
Fig. 1.38.

Filtrele se intercaleaz ntre sarcin i circuitul de redresare.

Pot fi realizate cu condensatori i rezistori sau cu condensatori i
inductiviti. Cel mai simplu filtru este reprezentat de un condensator n paralel
cu sarcina RS .

43
 Redresorul monofazat monoalternan cu filtru capacitiv ( ) este
prezentat n figura 1.39, cu formele de und din figura 1.40.

vi RS
C

Fig. 1.39.

Calitatea de filtrare se bazeaz pe proprietatea capacitii C de a nmagazina

energia n timp ce prin dioda D trece curent i de a ceda energia ctre sarcin ct
timp dioda nu conduce.
n intervalul a- b dioda conduce, determin ncrcarea condensatorului i
asigur curentul prin sarcin. Condensatorul se ncarc ctre valoarea maxim
a tensiunii de intrare.
Dup ce tensiunea vi ajunge la valoarea maxim 2Vi , tensiunea vi ncepe
sa scad. La b tensiunea de alimentare a sczut sub valoarea la care s-a
ncrcat condensatorul.
Dioda se blocheaz i circuitul va fi format dintr-o capacitate care se descarc
prin sarcin cu un curent scztor exponenial.

VL

iL

a b t

Fig. 1.40.

n cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va ncrca pan la

2Vi dup care se va descrca cu o constanta de timp = RS C .

44
 Plecnd de la definiia capacitii electrice i de la definiia curentului
electric de conducie se obine ecuaia diferenial a circuitului.

q dq
C= , i=
uc dt
du dv c d di
ic = C , VL = Rs C L ic = C = C ( Rs i L ) = Rs C L
dt dt dt dt
t t t
iC k+
1
dic = dt ln ic = t + k ic = e RS C = (e k )e RS C = k 2 e RS C .
RS C RS C

Factorul de form n cazul prezenei condensatorului este

= .
RS C

Se constat c valoarea factorului de ondulaie scade la creterea capacitii

condensatorului, motiv pentru care circuitele de filtraj au n componen
capaciti de valori mari (mii de F).

1.13. Stabilizatorul parametric (cu diod Zener)

Stabilizatoarele de tensiune continu sunt circuite electronice care au rolul

de a menine constant tensiunea pe sarcin n condiiile n care se modific
valoarea tensiunii de intrare Vi, curentul absorbit de sarcin IL sau temperatura
mediului ambiant de funcionare al circuitului [5, 7, 26]

V L = f (Vi , I i , T ) = consant.

IL
Ii

Vi ST R L VL

Fig. 1.41
Datorit cauzelor menionate tensiunea pe sarcin se modific
de la VL la VL = VL + VL , unde VL are att valori pozitive ct i negative.
Deoarece scopul circuitului de stabilizare este s menin constant tensiunea VL
rezult c se impune V L 0 .
Putem diferenia funcia care exprim tensiunea de pe sarcin

45
 f f f
VL = Vi + I L + T .
Vi I ,T =ct I L V , T =ct T Vi , I L =ct
142 L 43 142i43 14243
1 R0 ST
SV
Derivatele pariale au un corespondent fizic motiv pentru care se noteaz
astfel (vezi i capitolul 8)

1 f VL
= = sau altfel scris
SV Vi I L ,T =ct
Vi I L ,T =ct

Vi
SV = numit coeficient de stabilizare a tensiunii;
VL I L ,T =ct

VL
R0 = numit rezistena intern;
I L Vi ,T = ct

VL
ST = numit coeficient de variaie cu temperatura;
T Vi , I i =ct

Cu aceste notaii, variaia tensiunii pe sarcin se poate scrie, evideniind

condiiile pe care trebuie s le ndeplineasc schema electronic a
stabilizatorului pentru ca tensiunea de pe sarcin s aib variaii ct mai mici,
sub forma

SV mare
Vi
VL = + R0 I L + ST T R0 mic
S S
T mic
Stabilizatorul se bazeaz pe caracteristica static a diodei Zener, din figura 1.42.

IZ

IZmax

IZmin

VZ0 VZ

Fig. 1.42.

46
Expresia caracteristicii statice poate fi exprimat printr-o ecuaie liniar

VZ=VZo+rZIZ

Tensiunea de stabilizare (se modific cu temperatura dup o relaie liniar

VZo=VZo(1+ z T)

unde z =(1..8)10-4/0C are valoare negativ sau pozitiv.

Schema stabilizatorului parametric cu diod Zener este prezentat n figura 1.43.

Ii R IL
R R R

Vi DZ VZ RL VL
R R R R R

Fig. 1.43

Curentul prin rezistorul R se scrie prin diferena de potenial de la capetele

rezistorului
VR Vi VL
Ii= = .
R R

Suma curenilor n nod este

Ii= IZ + IL Ii - IZ - IL=0.

Curentul prin diod poate fi exprimat din ecuaia caracteristicii statice

V Z V Zo V L V Zo
V2=VZo+rZ+IZ IZ= = , VZ = V L
rZ rZ

Succesiv se determin expresia tensiunii pe sarcin.

Vi VL VL VZo
IL = 0
R rZ
1 1 Vi VZo
V L + = + IL
R R0 R VZ
RrZ
se nmulete cu
R + rZ

47
 rZ R RrZ
V L = Vi + VZo IL
R + rZ VZ ( R + rZ ) R + rZ

Variaia tensiunii pe sarcin se obine prin difereniere

rZ RrZ R
VL= VI I 2 + VZo ,
rZ + R R + rZ R + rZ

de unde se determin parametrii stabilizatorului

Vi R + rZ R
Su = I LT =CT = = 1+ ,
vL rZ rZ

R rz
Ri = ,
R + rz

R
ST = Vz 0 z .
R + rz

Pentru ca Su s aib o valoare mare se impune s se adopte un rezistor R

de valoare mare i o diod Zener cu rezisten intern mic.
Rezistorul R este conectat n serie cu sarcina la sursa de alimentare. Pentru ca,
pe sarcin, s avem tensiunea nominal se impune a crete tensiunea sursei aa
ca s asigure i cderea de tensiune de pe rezistorul R.
Pentru ca s nu se utilizeze surse de tensiune cu valori mult mai mari ca
tensiunea de pe sarcin se va adopta o valoare a rezistorului R care s preia
20,...,30% din tensiunea furnizat de surs.

48