2

TRANZISTORI
Tranzistorii sunt elemente de circuit cu trei electrozi avnd posibilitatea
de modificare a puterii de la ieire printr-un consum energetic mic.
n funcie de principiul de funcionare pot fi tranzistori bipolari sau tranzistori
cu efect de cmp.

2.1. Teoria elementar a TBP

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei jonciuni realizat

prin implementarea pe o pastil semiconductoare a trei zone semiconductoare n
ordinea PNP sau NPN, ca n figura 2.1.

Fig. 2.1.

S-au notat cu E zona semiconductoare a emitorului, B zona semiconductoare

a bazei, C zona semiconductoare a colectorului. La fel se noteaz i
terminalele, prin intermediul crora avem acces la zonele semiconductoare
asociate.
Pentru ca dispozitivul s poat funciona corespunztor se iau urmtoarele
msuri constructive:
- zona semiconductoare a emitorului se dopeaz mai puternic dect celelalte
zone (indicat n figur prin puterea +);

49
- zona bazei este mai subire dect celelalte zone semiconductoare, teoretic
trebuie s fie mai mic dect drumul mediu pe care l poate strbate un purttor
minoritar n aceast zon [8, 9 ].

Fig. 2.2.

n figura 2.2 sunt prezentate, n coresponden cu figura 2.1, simbolurile

celor dou tipuri de tranzistori bipolari (tipul PNP i tipul NPN) precum i
regulile de asociere a curenilor i tensiunilor.
Se constat c simbolul tranzistorului conine o sgeat care indic sensul
curentului prin terminalul emitorului i tipul tranzistorului. Dac sgeata este
orientat ctre simbol tranzistorul este PNP.
Sensurile celorlali doi cureni sunt invers dect sensul curentului de emitor,
aa nct s avem relaia

I E =I C +I B .

Tensiunile se noteaz cu indici n ordinea primul indice de unde pleac iar

al doilea unde ajunge ( s.ex. VCE = VEC ) aa nct avem relaia pentru tensiuni

V EB +V BC +V CE = 0.

Pentru a descrie comportarea dispozitivului trebuie s avem relaiile dinte

mrimile (3 cureni i 3 tensiuni) asociate tranzistorului. Cele dou relaii
elimin dou din variabile aa nct rmn numai 4 mrimi.
De regul att modelele ct i caracteristicile statice consider dou din
mrimi independente (urmnd a fi impuse din exterior) iar celelalte dou se
exprim analitic sau grafic n funcie de mrimile independente.

Teoria elementar a tranzistorului consider structura tranzistorului din

figura 2.3 cu jonciunile polarizate de cele dou surse una n conducie
(jonciunea EB emitor baz) i cealalt n polarizare invers (jonciune CB
colector baz).

50
 Fig. 2.3.

Tensiunea pentru polarizarea direct a unei jonciuni este mic (n jurul

valorii de 0,65V) iar tensiunea de polarizare invers poate fi mult mai mare,
motiv pentru care considerm inegalitatea V BB <<V CC .
Datorit polarizrii directe a jonciunii emitor baz (J EB ) apare un curent
de goluri I EB care se transfer n zona bazei.
Grosimea bazei fiind mic (mai mic dect lungimea de difuzie
purttorilor minoritari - a golurilor n baz) puine goluri se vor recombina
cu electronii din zona bazei (fapt exprimat prin curentul de recombinare notat cu
i r n figura 2.3).
Golurile, provenind din zona emitorului, ajunse n zona bazei vor intra sub
influena cmpului electric E 0 (datorat polarizrii inverse a jonciunii colector
baz J CB de ctre sursa V CC ). Cmpul electric E 0 este favorabil tranzitului
golurilor din zona bazei n zona colectorului pentru c cmpul electric al
jonciunii J CB polarizate invers se opune transferului de electroni din zona N n
zona P.
Efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de goluri (care
pleac de la emitor i ajunge la colector) prin modificarea tensiunii de
polarizare a unei jonciuni polarizate direct i anume tensiunea de polarizare a
jonciunii emitor baz.
Curentul de emitor nu este format numai din golurile iEP ci i din
electronii care traverseaz jonciunea iEn din baz ctre emitor

I E = i Ep + i En .

51
 Se definete eficiena emitorului, drept capacitatea acestuia de a emite
goluri, prin intermediul coeficientului de injecie a golurilor n baz

i Ep i Ep
E = = < 1.
IE i Ep + i En

Nu toate golurile care ajung (din zona emitorului) n zona bazei vor reui s
trac n zona colectorului, pentru c o parte se vor recombina cu electronii
(majoritari) din zona bazei. Recombinarea se exprim prin curentul de
recombinare ir al golurilor i avem relaia

iCp = i Ep ir .

Se definete factorul de transport al golurilor prin baz

iCp iCp
T = = < 1.
iEp iCp + ir

Curentul de colector IC este format din golurile provenite din emitor baz
la care se adaug curentul rezidual al jonciunii colector baz J CB (format din
electronii minoritari din colector, care sunt deplasate ctre baz de cmpul E0 i
din golurile minoritare din zona bazei care vor trece n zona colectorului) notat
ICB0

I C = iCp + I CB 0 .

Putem exprima curentul prin intermediul coeficienilor mai sus definii

I C = iCp + I CB 0 = T i Ep + I CB 0 = T E I E + I CB 0 .

Se definete
F = T E ; F ( 0.9;0.999 )

F factorul static de amplificare n curent direct n conexiunea baz comun

cu ieirea n scurtcircuit (colectorul conectat la baz).

Aa nct avem relaia

I C = F I E + I CB 0 ,

care reprezint modelul matematic al tranzistorului bipolar n regim static,

pentru zona activ de funcionare; model dedus pe baza teoriei simplificate a
tranzistorului.

52
2.2 Modele n regim static

Regimul static este acel regim n care mrimile de stare a cmpului

electromagnetic nu se modific n decursul timpului.

Modelul general al tranzistorului bipolar

Tranzistorul are n componen dou jonciuni (emitor baz i colector

baz) i cele dou jonciuni determin att curentul de emitor iE ct i curentul
de colector iC .
Curentul unei jonciuni PN este:

Vj
i = I 0 (e kT 1) .

Plecnd de la aceste observaii se construiete modelul general al

tranzistorului bipolar

q V EB q VCB
KT KT
i E = a11 e 1 a12 e 1


,
q V EB q VCB
KT
iC = a 21 e 1 a 22 e KT 1

curenii fiind condiionai de ambele jonciuni, prin intermediul unor factori de

pondere.
Deoarece tranzistorul este simetric n raport cu zonele extreme PNP, rezult
c va funciona i dac se inverseaz zona semiconductoare P alocat emitorului
cu zona semiconductoare P alocat colectorului (regimul de funcionare se
cheam inversat).
Performanele vor fi sczute n acest regim fa de regimul direct, pentru c
emitorul nu va mai fi P+ i generarea de goluri va fi mai slab.
a12 = a21 .
Coeficienii aij depind de elemente constructive ale tranzistorului (tipul
semiconductorului, impuriti, dopri, .a.).

In cazul polarizrii RAD (regiunea activa direct), jonciunea emitor

- baz este polarizata direct V EB > 0 ,
- jonciunea colector baz este polarizat invers V CB < 0 .
iC = F iE + ICB0

53
 n cazul polarizrii in RAI (regiunea activ inversat), jonciunea
emitorbaz este polarizata invers, iar jonciunea colectorbaz este polarizat
direct (atenie zona colectorului este n locul zonei emitorului) motiv pentru care
avem ca variabil independent curentul iC (colectorul emite purttori)

i E = R iC I EB 0 .

Tranzistorul poate funciona n zona activ direct RAD, n zona activ

inversat RAI, dar mai poate fi polarizat ca s funcioneze n nc dou regiuni
i anume regiunea de saturaie RS sau regiunea de blocare RB.

ICB0
IC= ICB0

iB iE = 0

Fig. 2.4.

Polarizarea in zona de blocare RB se face cu surse care s polarizate invers

ambele jonciuni V CB < 0, V EB < 0 apare o bariera de potenial si la
jonciunea EB nu avem transfer de goluri din emitor n baz iE = 0 ,
i B = I CB 0 , ca n figura 2.4.
Starea de blocare este caracterizat prin
i E = 0 , i B = I CB 0 , iC = I CB 0 .
Polarizarea n regiunea de saturaie RS se face trecnd n conducie
ambele jonciuni VCB > 0, VEB > 0 exist un curent de goluri care pleac de la
emitor la colector i un curent de goluri de la colector la emitor astfel nct
tranzistorul se comport ca o rezisten de valoare mic.
Cderea de tensiune pe tranzistor ntre colector i emitor este de valoare
mic VCEsat fiind dependent de tipul i natura materialului semiconductor.

2.3. Caracteristici statice ale TBP

Deoarece teoremele lui Kirchhoff determin dou relaii ntre mrimile

externe tranzistorului, este suficient s dispunem de relaii ntre patru mrimi
pentru a cunoate comportarea dispozitivului.

54
 Se obinuiete s se declare drept variabile independente (mrimi stabilite
de circuitele exterioare dispozitivului) dou din mrimile asociate tranzistorului,
iar celelalte dou s fie exprimate n funcie de mrimile independente.
Dac exprimarea este analitic spunem c dispunem de un model matematic
al tranzistorului.
Dac exprimarea este grafic spunem c dispunem de un caracteristici
statice ale tranzistorului.
Dac exprimarea este realizat prin intermediul unor scheme electronice
spunem c dispunem de o schem echivalent a tranzistorului.
Deoarece mrimile independente pot fi considerate oricare dou din cele
patru, caracteristicile statice nu sunt unice, depinznd de modul n care s-au
adoptat mrimile independente.
Tranzistorul avnd trei electrozi devine cuadripol dac unul din electrozi
este comun att intrrii ct i ieirii.
Plecnd de la aceast afirmaie tranzistorul poate fi conectat n
- baz comun, BC,
- emitor comun, EC
- colector comun, CC.

IC

IB

VCE
VBE IE

Fig. 2.5

Caracteristicile statice pentru conexiunea EC din figura 2.5 sunt exprimate prin
familiile de curbe IB = f(VEB, VCB), IC = f(VEB, VCB).
Pentru c intrarea, n cazul conexiunii emitor comun EC, este ntre baz i
emitor, caracteristicile statice de intrare, sunt reprezentate prin familia de
curbe IB = f(VBE) cu parametrul VCB, curbe prezentate n figura 2.6a. De fapt
caracteristicile sunt ale unei jonciuni (baz emitor) polarizate direct.
Caracteristicile de ieire, din figura 2.7b, reprezint dependena curentului
de ieire (IC curentul de colector) de tensiunea de polarizare invers a jonciunii
colector baz n condiiile injectrii unui curent constant IB= constant prin
baz.
n regiunea activ de funcionare avem modelul

I C = F I E + I CB 0 .

55
 ntre cureni exist relaia
I E = I B + IC .

VCE=0 VCE>0
IB IC
IB=100

IB= 10

IB=0

VBE VCE
a) b)
Fig. 2.6

n conexiunea emitor comun curentul de ieire este IC, motiv pentru care
din cele dou relaii se elimin IE i se obine relaia pentru conexiunea EC
F
I C = F I B + I CE 0 , F [10....2000] , unde F = este factorul static de
1F
amplificare n conexiunea EC a TBP, iar curentul ICE0 este n relaie cu ICB0

I CB 0
I CE 0 = .
1F

IB

0,5 0,8 VBE[V]

Fig. 2.7.

n figura 2.7 este prezentat o caracteristic tipic de intrare, care permite

separarea aproximativ a regimurilor de funcionare, prin tensiunea de
polarizare a bazei:
VBE < 0,5 V regiunea de blocare RB;

56
 0,5 V<VBE < 0,8 V regiunea activ direct RAD;
VBE > 0,8 V regiunea de saturaie RS.

Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt modificate de valorile parametrilor

sau de condiiile de funcionare.
Efectul creterii tensiunii inverse aplicate jonciunii CB determin
multiplicarea n avalan a purttorilor, ceea ce poate conduce la strpungerea
jonciunii. Se limiteaz valoarea tensiunii de polarizare invers a jonciunii
VCB < VCB 0( BR ) , sub valoarea tensiunii de strpungere VCB 0( BR ) .
n cazul conexiunii EC, pe lng aceast tensiune de strpungere V CB 0( BR ) se
mai definete o tensiune numita tensiune de susinere, cu referitoare la spaiul
C-E care are valoarea VCE 0( BR) = VCE | sust = (0.1.....0.3)VCB 0( BR) .
Depirea acestei tensiuni duce la creterea tensiunii de colector dar fr s
conduc la strpungerea vreunei jonciuni a tranzistorului.
Temperatura determina scderea tensiunii cu 2mV la creterea cu 1 grad
Celsius, rezultnd creterea curentului rezidual I CB 0 , care se dubleaz la o
cretere de 10 grade a temperaturii si afecteaz factorul de amplificare
static in curent in modificrii dup relaia:

T = F 1 + T ,K P =50C.
KP

Efectul creterii curentului de intrare determin o cretere a curentului

de colector care, dac depete o anumita valoare I C max , poate conduce la
strpungerea tranzistorului, prin topirea jonciunii.
Se limiteaz I C I C max .
Puterea disipata Pd = V CE I C este o consecin a necesitii de limitare
a temperaturii jonciunii Pd < Pdmax, ceea ce este echivalent cu

VCE I C Pd max = ct
VCE I C = Pd max

P ct
I C = d max =
VCE VCE

Relaia definete n planul caracteristicilor de ieire o curb numit

hiperbol de disipaie, marcat n figura 2.8.
n concluzie punctul static de funcionare al tranzistorului trebuie s nu
depeasc hiperbola de disipaie.
Puterea maxim pe care o poate disipa tranzistorul indicat de productor,
pentru un tip de tranzistor, este puterea pe care o poate disipa capsula fr
radiator.

57
 IC
hiperbola
ICmax

VCEmax VCE

Fig. 2.8.

Montarea unui radiator termic permite creterea puterii maxime pe care o

poate suporta tranzistorul.

2.4. Polarizarea TBP n zona activ de funcionare

Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare nsemn proiectarea

elementelor unei scheme electronice, aa nct jonciunile tranzistorului s fie
polarizate corespunztor RAD (regiunii active de funcionare), adic jonciunea
emitor - baz s fie polarizat direct iar jonciunea colector baz s fie polarizat
invers. Se impune de asemeni s fie respectate toate limitrile tranzistorului
privind valorile tensiunilor i curentului (vezi paragraful 2.3).
Se vor prezenta schemele de polarizare a TBP n conexiunea emitor
comun EC, pentru c schemele de polarizare pentru celelalte moduri de
conectare (BC i CC) au aceeai topologie.

Polarizarea TBP n conexiune EC

Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare se poate face cu

dou surse de t.e.m. VBB i VCC , ca n figura 2.9, sau cu o singur surs VCC , ca
n figura 2.11.
Pentru ochiurile care conin sursele de t.e.m. se scrie teorema a II-a a lui
Kirchhoff

R B I B + V BE = V BB VBB VBE VBB 0.65

IB =
R C I C + V CE = V CC RB RB

58
 IC RC

IB
RB
V CE
+
+ V CC
V BB V BE -
- IE

Fig. 2.9.

Deoarece tranzistorul este n RAD tensiunea de polarizare a bazei este n

jurul valorii VBE = 0,65 V. Pentru c sursa VBB se adopt de valoare mult mai
mare ca VBE, n relaia de mai sus termenul VBE poate fi neglijat, aa nct

V
I B = BB .
RB

Curentul IB stabilete curba din planul caracteristicilor de ieire pe care se

va gsi punctul static de funcionare PSF.
n zona activ de funcionare curentul de colector poate fi determinat n
funcie de curentul injectat n baz

I C = F I B + I CE 0 ,

unde F este factorul static de amplificare n conexiunea EC (cunoscut

pentru un tranzistor dat), iar ICE0 este curentul rezidual de colector care poate fi
neglijat n majoritatea aplicaiilor, ceea ce nsemn c se va folosi relaia
IC = F I B .
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff scris pentru ochiul de ieire se poate
exprima tensiunea

VCE = VCC RC I C .

Valoarea tensiunii VCE i valoarea curentului IC stabilesc punctul static de

funcionare al tranzistorului PSF de coordonate (VCE, IC) n planul
caracteristicilor statice de ieire.
n scopul stabilizrii PSF cu temperatura se introduce un rezistor n
emitorul tranzistorului, ca n figura 2.10 [8, 34].

59
 IC RC

IB
RB
V CE +
V CC
+ -
V BB V BE I E

RE

Fig. 2.10.

Relaiile se completeaz astfel:

R B I B + V BE + R E I E = V BB
RC I C + VCE = VCC
I E = I B + IC , IC = F I B , ,

Din ultimele relaii avem I E = ( F + 1) I B i curentul prin baz devine

V BB
IB = ,
R B + ( F + 1) R E
restul elementelor rmnnd neschimbate (ca expresiile de mai sus).
Schemele de polarizare cu o singur surs de alimentare utilizeaz un
rezistor, ca n figura 2.11,a sau un divizor de tensiune, ca n figura 2.11,b, pentru
a forma sursa VBB din sursa de t.e.m. VCC .
ID

RB RC RB2 RC
VCC VCC
T T

RB1

a) b)

Fig 2.11.

60
 Pentru figura 2.11a curentul de baz se determin din ecuaia

V V BE
R B I B + V BE = VCC I B = CC ,
RB
unde VBE = 0,65 V.

Pentru figura 2.11,b curentul de baz se neglijeaz n raport cu ID, ceea ce

nseamn c ID circul i prin rezistorul R B . Se pot scrie relaiile
1

VCC
ID = , V BE = VCC RB1 I D .
R B1 + R B 2

De fapt se putea aplica direct regula divizorului de tensiune

R B1
V BE = VCC .
RB1 + R B 2
Impunnd o valoare pentru curentul ID i considernd
VBE = 0,65 V, se obin dou ecuaii prin intermediul crora se calculeaz cele
dou rezistoare din baza tranzistorului.
n condiiile n care se cere ca impedana de intrare a tranzistorului (cu
circuitul de polarizare) s aib o valoare impus s.ex. s fie ct mai mare
calculele circuitului de polarizare se vor face lund n considerare curentul care
este absorbit de baza tranzistorului.

Fig. 2.12.

n cele mai multe aplicaii schema de polarizare din figura 2.11b, va conine
i o rezisten pentru stabilizare termic n emitorul tranzistorului, ca n figura
2.12.

61
 Polarizarea TBP n conexiune BC i CC

n figura 2.13 sunt prezentate circuitele de polarizare pentru conexiunile

a) colector comun CC i b) baz comun BC.

a) b)

Fig. 2.13.

Constatm c modul de polarizare este identic tuturor conexiunilor ( BC,

EC, CC) ceea ce nseamn c metodologia de proiectare a circuitelor de
polarizare este aceeai indiferent de conexiunea tranzistorului.
n cazul proiectrii elementelor de polarizare se cunosc tensiunea pe VBE0,
VCE 0 , I C 0 , (s-a folosit n indice i zero pentru a specifica faptul c mrimile sunt
cele din punctul static de funcionare). Deoarece PSF este plasat n zona n care
caracteristicile de ieire sunt paralele cu axa tensiunii, curentul de colector nu va
mai fi funcie dect de curentul bazei, aa nct se utilizeaz dependena liniar a
curentului de colector de curentul bazei I C = F I B + I CE 0 .
Condensatorii C E , C B sunt condensatori decuplare a rezistoarelor pe care
sunt conectai (n paralel) avnd rolul de scurcircuitare a respectivelor rezistoare
n regim variabil, motiv pentru care reactana acestora se adopt mult mai mic
dect rezistena pe care o scurcircuiteaz.
Pentru a elimina perturbaiile datorate modificrii temperaturii se utilizeaz
diode sau termistori care s compenseze variaia cu temperatura a elementelor
schemei sau a parametrilor (n cele mai multe cazuri) tranzistorului.
Termistorul i modifica rezistenta cu temperatura, motiv pentru care poate
fi conectat in locul uneia din rezistentele de polarizare a bazei tranzistorului
pentru a corecta variaia cu temperatura a tensiunii VBE . O dioda de acelai tip
cu tranzistorul, polarizata direct, conectat n emitorul tranzistorului poate
compensa variaia cu temperatura a tensiunii V BE . O diod, n polarizare
invers, montat n circuitul bazei tranzistorului compenseaz variaia cu
temperatura a curentului rezidual I CB 0 .

62
2.5. Regimul variabil al TBP

Regimul variabil se consider regim de semnal mic dac semnalele aplicate

la intrare sunt suficient de mici pentru a nu deplasa PSF din zona liniara a
caracteristicilor ( PSF s nu intre n zona de saturaie sau n zona de blocare ci s
rmn tot timpul n zona activ a caracteristicilor statice RAD).

Fig. 2.14.

n figura 2.14 se ncearc o explicare a regimului de semnal mic.

La intrarea unui tranzistor (spre exemplu n conexiune EC, ca n figura
2.12) se aplic o tensiune variabil vBE = vi (t ) = 2Vi sin(t ) , care pe baza
caracteristicii de intrare determin un curent iB. Curentul iB , innd seam de
ecuaia din figura 6.15 determin un curent iC, care la rndul su, pe baza
caracteristicilor statice de ieire i a dreptei de sarcin determin o tensiune v0 de
ieire.
Dac PSF se deplaseaz ctre cureni mai mari, spre exemplu aa nct n
VCC
PSF curentul s fie I C 0 = , alternana pozitiv a curentului va fi tiat i
RC
tensiunea de la ieire va avea numai alternana negativ.
Tensiunea de intrare este periodic dar de o form oarecare.
Pe baza dezvoltrii n serie Fourier orice tensiune periodic poate fi scris
sub forma:

vi = 2 Vik sin(kt ) + VI 0
= vi a + Vi , vi a Vik ( f )
k

regim regim de
variabil de c.c.
c.a. (PSF)
63
 Tensiunile sinusoidale determin pentru k=1 fundamentala tensiunii, iar
pentru alte valori ale lui k sinusoidele determin armonicile semnalului.

Modele i scheme echivalente cuadripolare

n cazul regimului de curent alternativ se recurge la transformarea n

complex a semnalelor.

1 I0
Ii 2
Vi
C V0

1` 2`

Fig. 2.15.

Transformarea n complex este valabil pentru o frecven dat, dar se

poate aplica principiul suprapunerii efectelor, rezult c putem aplica
transformarea n complex pentru orice frecven cu observaia c schema
echivalent a tranzistorului trebuie s fie valabil pentru frecvena respectiv.
Tranzistorul poate fi tratat ca un cuadripol, cu structura din figura 2.15.
Descrierea lui se poate face prin intermediul unor ecuaii sau a unei scheme
echivalente. Datorit faptului c ntre cureni avem o relaie I E =I C +I B i ntre
tensiuni o alt relaie V EB +V BC +V CE =0. rezult c din cele 6 mrimi asociate
tranzistorului (vezi figura 2.2) rmn 4 cu care avem C 42 = 6 posibiliti de
descriere a cuadripolului, prin alegerea a dou mrimi independente.
Dac se iau ca mrimi independente tensiunile Vi i V0 ecuaiile care
descriu cuadripolul sunt:

I i = yiVi + yrV0
I 0 = y0Vi + y0V0

Se noteaz cu y datorit faptului c dac se face tensiunea de ieire V0= 0

=>

Ii I0
yi = y0 =
Vi V0
V0 Vi

Admitan de intrare Admitan de ieire

64
 Ii
yr = Admitan de transfer de la ieire la intrare (yr)
V0 Vi = 0

I0 Admitan de transfer de la intrare la ieire(yf)

yf =
Vi V0

Corespunztor descrierii cuadripolului prin parametrii y n figura 2.16

avem schema echivalent.

Ii
1 2
Vi
Yi YrV0 Y0 V0
Y f Vi
1` 2`

Fig. 2.16.

Cel mai folosit model cuadripolar al tranzistorului este modelul cu

parametri h pentru care mrimile independente sunt curentul de intrare I i i
tensiunea de ieire U 0 (s-a folosit sublinierea pentru a specifica faptul c sunt
mrimi vectoriale n complex, transformate ale mrimilor variabile n timp).
n continuare toate mrimile cuadripolare i mrimile de la bornele
cuadripolului cu toate c sunt mrimi n complex nu vor fi notate cu subliniere!
Motiv - pentru a nu ngreuna scrierea.
Ecuaiile modelului cu parametri h sunt:

V i = h f I i + h r V 0


I 0 = h f I i + h 0 V 0

Semnificaia parametrilor modelului poate fi stabilit prin anularea

succesiv a mrimilor independente:
- impedana de intrare cu ieirea n scurcircuit

V
hi = i ;
Ii V =0
0

- admitana i respectiv rezistena de ieire cu intrarea n gol

I0 1 V0
h0 = => r0 = = ;
V0 I i =0
h0 I 0 I i =0

65
 - factorul de amplificare n curent cu ieirea n scurcircuit

I0
hf = ;
Ii V
0 =0
- factorul de reacie n tensiune cu ieirea n gol

Vi
hr = .
V0 I i =0

I0
Ii
hfIi V0
hi 1
Vi r0 =
h0
hrV0

Fig. 2.17.
Schema echivalent asociat modelului este n figura 2.17.
Parametrii de cuadripol depind de conexiunea tranzistorului iar n cataloage
se indic valorile pentru tranzistorul n conexiune emitor comun EC.
Datorit faptului c, n cazul conexiunii EC, factorul de reacie hr are valori
mici influena lui poate fi neglijat i modelul se rescrie,

V i = h f I i


I 0 = h f I i + h 0 V 0

iar schema echivalent asociat se poate urmri n figura 2.18.

Ii I0
1 2

Vi 1
hi hfIi V0
h0

1` 2`

Fig. 2.18.

66
 Parametrii de cuadripol ai tranzistorului depind de conexiunea n care au
fost definii. n cataloage sunt indicai parametri de cuadripol pentru tranzistorul
aflat n conexiunea emitor comun EC.

2.6. Caracteristici ale tranzistorilor cu efect de cmp

Tranzistorul este un dispozitiv electronic care are rolul de a modifica un

curent electric important prin modificarea tensiunii de polarizare a unui electod
de comand sau prin modificarea curentului absorbit de electrodul de comand.
Scopul este atins cu cheltuieli minime dac puterea cerut de electrodul de
comand este mult mai mic dect puterea din circuitul principal, exprimat aici
prin intermediul curentului important.
Tranzistorul bipolar utilizeaz pentru formarea curentului comandat dou
tipuri de purttori de sarcin (goluri i electroni), ceea ce determin anumite
inconveniente.
Tranzistorii cu efect de cmp utilizeaz un singur tip de purttori de
sarcin, care circul printr-un canal semiconductor. Electrodul de comand are
rolul de a modifica conductivitatea canalului, n acest fel modificndu-se
valoarea curentului comandat [12 ].
U l
(Reamintim faptul c I = = GU , iar rezistena canalului este R = , unde
R S
l este lungimea canalului, S seciunea canalului.)
De fapt electrodul de comand acioneaz asupra seciunii canalului S (prin
modificarea limii), care determin modificarea rezistenei R i care rezisten
determin modificarea curentului I.
Tranzistorii cu efect de cmp se numesc astfel pentru c modificarea
conductivitii (inversul rezistenei electrice) canalului se face cu ajutorul unui
cmp electric mai intens sau mai slab n funcie de potenialul electrodului de
comand, numit gril.
Curentul se nchide printr-o zon semiconductoare (care reprezint nsi
canalul) ntre doi electrozi unul numit surs - pentru c furnizeaz purttorii de
sarcin i cellalt numit dren - pentru c are rolul de a colecta purttorii.
De notat c prin canal circul purttorii majoritari. (Circul i cei minoritari dar
contribuia lor la curentul din canal este mic.)
n funcie de principiul conform cruia se modific conductivitatea
canalului tranzistorii cu efect de cmp pot fi realizai n dou variante
- TEC-J , tranzistor cu efect de cmp cu jonciune,
- TEC-MOS, tranzistor cu efect de cmp
metal-oxid-semiconductor.

Tranzistorul TEC-J are canalul dintr-un tip de semiconductor (s.ex. de tipul

N) iar grila este conectat la canal prin intermediul unui semiconductor cu alt tip
de purttori majoritari (pentru exemplul dat, semiconductorul grilei este de tipul
67
P). n figura 2.19 canalul este de tipul N iar grila este conectat la canal prin
intermediul unui strat semiconductor de tipul P+. Tranzistorul este TEC-J cu
canal n. Grila este polarizat aa fel ca jonciunea care apare ntre canal i zona
semiconductoare a grilei s fie blocat (polarizare invers). n cazul figurii 2.19.
grila trebuie s fie negativ n raport cu canalul.
Jonciunea fiind polarizat invers zona de golire se extinde mai mult n
semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci n zona canalului. Extinderea
zonei de golire micoreaz seciunea canalului, adic micoreaz seciunea de
trecere a electronilor care pleac de la surs, prin canal, ctre dren. Pentru c
electronii trebuie s plece de la surs, cmpul electric din interiorul canalului
trebuie s fie orientat de la dren ctre surs (electronii au sarcin negativ i se
deplaseaz invers liniilor de cmp). Aceast necesitate impune ca drena s fie
polarizat pozitiv fa de surs.

VDS

+ D G S

n+ p+ n+

n
golire

P
canal

Ss

Fig. 2.19.

Zona P din figura 2.19 se numete substrat.

Grila este legat la electrodul substratului SS ,aa nct seciunea canalului
s se modifice i prin intermediul acestei jonciuni aflat n polarizare invers.

ID D

G
VDS>0

VGS < 0 S

Fig. 2.20.

68
 n figura 2.20 este prezentat simbolul TEC-J cu canal N precum i
polaritatea tensiunilor care se aplic electrozilor pentru ca s poat fi modificat
curentul prin canal curentul care se nchide de la dren la surs (electronii
avnd sarcin negativ circul invers dect curentul pe care l determin).
Seciunea canalului se micoreaz crescnd tensiunea de polarizare invers
a jonciunii gril canal.

Tranzistorul TEC-MOS are dou zone semiconductoare de acelai fel (de

tipul N pentru tranzistorul din figura 2.21) alocate una sursei i cealalt drenei,
separate printr-un strat de tipul cellalt (n cazul nostru de tipul P). Orice
polaritate a tensiunii am aplica ntre dren i surs una din jonciunile P-N va fi
blocat aa nct nu se va nchide nici un curent fr aportul electrodului de
comand respectiv grila tranzistorului.

D G + S

n+ n+

Ss

Fig. 2.21.
Grila este n contact cu semiconductorul de tipul P, fiind separat de acesta
printr-un izolator, care n cazul tranzistorului MOS este un strat de oxid de
siliciu ca n figura 2.21.
n condiiile aplicrii unei tensiuni pe gril pozitiv n raport cu substratul,
aceast tensiune, prin cmpul electric orientat de al gril ctre SS mpinge
golurile majoritare din zona P i atrage la suprafaa de separaie a metalului
grilei electronii minoritari. n zona P, ntre cele dou zone N+ apare un strat de
electroni minoritari care formeaz un strat de inversie a conduciei.
Creterea potenialului grilei determin creterea limii stratului de
inversie. Aplicnd o diferen de potenial ntre dren i surs electronii din
stratul de inversie se vor deplasa pe calea N+ (surs) canal format din stratul de
inversie - N+ (dren), determinnd curentul important al tranzistorului.
Tranzistorul descris mai sus se numete TEC-MOS cu canal n - indus.

69
 n figura 2.22 este prezentat simbolul tranzistorului TEC-MOS cu canal
N indus. Notaiile au semnificaiile:

S = Surs G VDS
D = Dren
Ss = Substrat
G = Gril (Poart)
VGS < 0 S

Fig. 2.22.

Tensiunea de polarizare a grilei este VGS pozitiv ca s formeze canalul

materializat prin stratul de inversie iar tensiunea VDS este pozitiv ca s
antreneze electronii de la surs ctre dren - pentru ca n circuit s se stabileasc
curentul ID orientat de la D spre S.
Not: Se construiesc tranzistori de tip MOS cu canal iniial pentru care,
(datorit doprii zonei P) exist un strat de inversie a conduciei la suprafaa
semiconductorului fr aplicarea unui potenial pe gril (la VGS =0 ) .

Caracteristici de transfer
Funcia tranzistorului este s modifice curentul care circul de la dren la
surs, curent notat ID n figura 2.19, prin modificarea potenialului VGS a grilei
fa de surs. Caracteristicile de transfer ilustreaz modul de variaie al
curentului de ieire cnd se modific tensiunea de comand.

ID ID

IDS

VT = - 5
VGS [V ]
VGS
VT = 2 V
V b)
a)

Fig. 2.23.

70
Se noteaz VT tensiunea de tiere, care are semnificaii diferite n funcie de
tipul tranzistorului TEC:
- n cazul TEC-MOS tensiunea VT este tensiunea VGS de la care ncepe
s circule curentul IDS, (vezi caracteristica din figura 2.23,a) reprezentnd
potenialul grilei de la care s-a format stratul de inversie;
- n cazul TEC-J tensiunea VT este tensiunea VGS la care curentul IDS
se anuleaz, (vezi caracteristica din figura 2.23 ,b) reprezentnd potenialul
grilei pentru care zona de golire s-a extins n ntreg canalul (purttorii de sarcin
provenind de la surs ntlnesc n calea ctre dren o zon de nalt rezisten).

Principiile de modificare a curentului I D, n cazul TEC-J prin modificarea

tensiunii unei jonciuni polarizate invers iar n cazul TEC-MOS prin
modificarea tensiunii aplicate unui condensator, determin valoarea foarte mic
a curentului absorbit de electrodul de comand (grila), rezultnd un consum
foarte mic de putere pentru comand (specific acestui tip de tranzistor).

Caracteristici de ieire

Caracteristicile de ieire sunt familii de curbe care prezint dependena

curentului de dren ID de tensiunea aplicat canalului VDS , pentru diferite valori
ale potenialului aplicat grilei VGS , ca n figura 2.24.

ID ID

VGS = 0 VGS = 5
V V
VGS = -2V

VGS = - 4V VGS = 2
V

0. 20 VDS 0. 20 VDS
a)TEC-J
b)TEC-MOS

Fig. 2.24

Caracteristicile de ieire prezint dou zone de funcionare

- o zon liniar, n care pentru o tensiune VGS impus, curentul de dren
ID crete la creterea tensiunii aplicate canalului VDS;
- o zon de saturaie, n care pentru o tensiune VGS impus, curentul de
dren ID nu se modific la creterea tensiunii aplicate canalului VDS.
71
 n zona de saturaie curentul de dren nu se schimb prin modificarea VDS
ci numai prin modificarea potenialului grilei VGS. Aceast dependen este
exprimat astfel relaii n care apar

VGS 2
I D = I DSS (1 ) pentru TEC-J ,
VT
I D = (VGS VT )m , m [1,2] pentru TEC-MOS,

mrimi dependente de tipul tranzistorului i de modul de realizare practic a

acestuia, numite dup cum urmeaz:
IDSS - curentul de saturaie,
- coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea 1 ,
VT - tensiunea de tiere,
m = 2 - coeficient teoretic are valoarea specificat.
Datele de catalog ale unui tranzistor dat specific, pe lng alte caracteristici,
setul de parametri (VT , IDSS) pentru TEC-J i (VT , ) pentru TEC-MOS.

n zona liniar a caracteristicilor statice curentul de dren ID , pentru o

tensiune aplicat grilei constant (VGS = constant), se modific liniar cu
tensiunea VDS, ceea ce nseamn c dispozitivul ntre dren i surs se comport
ca o rezisten.
Pentru tranzistorul TEC-J zona liniar a caracteristicilor de ieire se afl la
tensiuni mici aplicate canalului VDS 0,1V , ca n figura 2.25.

ID VGS = 0 V

VGS = - 2V

VGS = - 4V

0,1V VDS

Fig. 2.25.

Curentul de dren respect relaia lege lui Ohm pentru rezistene

VDS
ID = = GVDS ,
Rcanal

72
unde G este conductana canalului (drenei).
Conductana drenei poate fi exprimat n funcie de mrimea care o
determin - i anume tensiunea VGS prin relaia

V
G = G0 1 GS ,
VT

unde G0 este o dat de catalog, specific modului de realizare a tranzistorului

TEC-J.

2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp

n figura 2.26 sunt prezentate schemele clasice de polarizare a

tranzistorului cu efect de cmp n zona activ de funcionare.
Structurile de polarizare, constatm c sunt aceleai indiferent de tipul
tranzistorului fie bipolar, fie cu efect de cmp.
Condensatorul CS n regim de curent alternativ decupleaz rezistorul RS.
n cazul tranzistorului TEC-J, tensiunea de polarizare a grilei este negativ,
motiv pentru care rezistorul RS este obligatoriu prezent n schem.

+ VDD

RG 2 RS
RD
G D
G D
+ VDD
- S
S

RG1 RS CS
RG RS CS

Fig. 2.26.

Considernd curentul absorbit de gril neglijabil, pentru schema cu o

singur rezisten n circuitul grilei avem:

RG1
VGS = - RS ID sau VGS = RS I D + VDD i
RG1 + RG 2

VDS = VDD (RS + RD) ID .

73
2.8. Circuite echivalente ale TEC

Circuitul echivalent de semnal mic al TEC la frecvene medii

Indiferent de tipul tranzistorului (TEC-J sau TEC-MOS), n regim variabil

schema echivalent se construiete plecnd de la faptul c numai tensiunile
modific valoarea curentului
I D = f (VGS , V DS ) .
Variaia curentului de dren poate fi exprimat prin diferenierea funciei f

f f
i D = VGS + VDS ,
VGS VDS =ct
VDS VGS =ct

I D = g mVGS + g dVDS .

Relaia pe baza creia se construiete schema echivalent (prezentat n

figura 2.27).
G ID

g mVGS 1
rd = VDS
gd
VGS

S
Fig. 2.27.

Derivatele pariale se noteaz

gm panta tranzistorului,
gd conductana drenei,
ID amplitudinea variaiei curentului de dren n jurul punctului
static de funcionare.
Valorile n care se ncadreaz parametrii de regim variabil ai tranzistorilor cu
efect de cmp sunt
gm = 0,1 ... 10 mA/V; rd = 0,1 ... 1 M.
Cnd frecvena tensiunii de intrare este mare ncep s conteze capacitile
dintre electrozi, motiv pentru care schema echivalent de la frecvene medii se
completeaz cu capacitile CGS, CGD, CDS.

74
Teste de autoevaluare modulul A (Capitolul 1 i 2)

Testul 1

1. Fenomenul de recombinare se refer la

a. ciocnirea a doi atomi
b. dispariia unui electron i a unui gol
c. ciocnirea unui electron cu un atom

2. Curentul de recombinare depinde de

a. concentraia de impuritate donoare
b. temperatur
c. tensiunea aplicat

3. Filtrele de netezire sunt realizate cu

a. R i C
b. C
c. L i C

4. Curentul care se nchide de la E la C n cazul tranzistorului PNP este:

a. de goluri
b. de electroni
c. de electroni i goluri

5. Redresorul bialternan, folosete din tensiunea de alimentare

a. o alternan
b. dou alternane
c. nici una

Testul 2

1. Un semiconductor asigur conducia curentului electric prin

a. numai goluri
b. numai electroni
c. goluri i electroni

2. Caracteristica static a diodei poate fi exprimat

a. prin relaii matematice
b. prin relaii grafice

3. Filtrele de netezire realizeaz

a. redresarea tensiunii
b. micorarea pulsaiilor tensiunii redresate
c. micorarea pulsaiilor tensiunii de intrare

75
 4. Factorul de form ideal este
a. 2
b. 1
c. 1,..., 2

5. Transformatorul n cazul redresorului bialternan folosete la

a. adaptarea tensiunilor surs intrare redresor
b. micorarea tensiunii
c. distribuirea tensiunii pe diode

Testul 3

1. Un semiconductor P asigur conducia curentului electric n principal prin

a. goluri
b. electroni
c. ioni

2. Factorul de ondulaie ideal este

a. 0
b. 1
c. 1,...,2

3. La TEC gm este
a. panta tranzistorului
b. conductana drenei
c. factorul de transport

4. La TEC-J tensiunea VT este tensiunea la care curentul de dren

a. scade la zero
b. crete de plecnd de la zero
c. devine negativ

5. La TEC-MOS tensiunea VT este tensiunea la care curentul de dren

a. scade la zero
b. crete de plecnd de la zero
c. devine negativ

76