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FASE 3

TUTOR

JAIRO L. GUTIERREZ T

ESTUDIANTES

EDWIN HUMBERTO MASMELA

CODIGO. 1114822646

FREDDY ORLANDO GARCIA

JHEIDER QUINTERO HERNANDEZ

CODIGO: 396664

RICARDO MOLINA GIL

CDIGO. 7164447

RODOLFO TORRES CASTILLO

CDIGO. 8740628

ESCUELA DE CIENCIAS, TEGNOLOGIAS E INGENIERIAS

INGENIERIA ELECTRONICA

UNAD
Introduccin

Despus de haber recorrido la etapa de planeacin, de trabajar en la etapa de


conmutacin por SPWM, llegamos al momento de disear la etapa de potencia y
filtrado.
Para cumplir con los objetivos trazados para esta unidad 3, nos enfocaremos
en investigar en diferentes fuentes, lo relacionado con el diseo del circuito driver,
del cual haremos su explicacin, mostraremos su funcionamiento y desde luego
que haremos el diseo del circuito.
Tambin trabajaremos en el diseo del circuito LC con el objetivo de hacer el
filtrado de la etapa de salida del puente inversor. Se har nfasis en la importancia
de filtrar la etapa de salida.
Finalmente, con base en la investigacin, en el intercambio de conceptos con
los integrantes del grupo, as como el acompaamiento del tutor del curso,
trataremos de presentar una propuesta de mtodo de regulacin de la tensin y
corriente de salida frente a la distorsin armnica inyectada por la conexin de
cargas no lineales.
Es imprescindible la participacin grupal, as como la gua de nuestro tutor, para
que atendiendo a las consultas y por medio de video tutoriales, poco a poco
vayamos despejando dudas y esto nos permita conseguir los objetivos trazados
Objetivos

Generales.

Presentar el circuito driver de la etapa de potencia y explicar la funcin del mismo.

Disear y o explicar la etapa driver de los conceptos adquiridos en el


desarrollo de la unidad.

Disear o explicar la salida de potencia del inversor en puente H.

Presentar una breve explicacin de los transformadores de salida en


el puente H.

Disear o explicar los conceptos que nos permitan disear un


Circuito LC con el objetivo de filtrar la salida del puente inversor.

Poner en prctica los conocimientos adquiridos en etapas anteriores


que nos permitan cumplir con los requerimientos de la presente
unidad y tener bases suficientes para enfrentarnos a la ltima etapa
del curso que consistir en Simular y analizar los resultados
obtenidos
Desarrollo de la actividad.

Continuando con el desarrollo de las tareas indicadas en la gua de actividades


del curso de Electrnica de Potencia, en esta tercera etapa, se nos pide dar
desarrollo a 3 puntos que, para ser resueltos, me he basado en las indicaciones
realizadas por nuestro tutor en las webconferencias y en las investigaciones
hechas en la red, as como el acompaamiento del tutor del laboratorio y los
intercambios de dudas con otros compaeros.

A continuacin, doy desarrollo a los puntos:

ETAPA DE POTENCIA Y FILTRADO


3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe explicar
la funcin del mismo.

Antes de dar explicacin y mostrar el diseo del circuito Driver, debemos


entender de qu se trata, por lo que podramos empezar diciendo que el circuito
driver es en el que recae la funcin de tomar la seal de control de cualquier
transistor y adaptarla o convertirla en una seal que cumpla las condiciones que
en la zona de saturacin o corte se necesitan.
Las caractersticas principales que debe tener el Driver, son el suministrar una
entrada de alta impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles
presentes en la tensin, as como crear espacios de tiempo muertos y las
adecuadas protecciones.
Para la seleccin del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la
tensin mxima de salida del driver sea mayor que la tensin mnima necesaria en
la puerta del MOSFET para que as se realice la conmutacin a la frecuencia
seleccionada.
Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden
emplear componentes discretos para disear un driver, opto-acopladores o drivers
fabricados como circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e
inconvenientes.
En la figura 1, se explica el funcionamiento de los principales componentes del
driver.

Figura 1circuito integrado driver de Mosfet

Figura 2. Etapa driver de mosfet de potencia


DRIVERS CONTROL DE LOS MOSFET EN EL PUENTE H

En todo sistema electrnico de control de potencia se requieren circuitos


especializados para controlar la actuacin de los dispositivos conmutadores de
potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes


funciones bsicas:

1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de


tensin y corriente manejados por los dispositivos electrnicos de control de
potencia.

2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones mximas de voltaje y
corriente definidas por el fabricante.

3- Proporcionar proteccin local contra fallas especialmente en situaciones de


sobre cargas.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estn incluidos en un


circuito impreso que contenga tambin todas las fuentes de alimentacin y los
componentes de interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y
capacidades parsitas y facilitar el armado del sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que


contienen algunas de las funciones bsicas de un circuito de manejo de
compuerta; estos integrados son econmicos pero no pueden ser conectados
directamente a los dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de
tensin de alimentacin independientes con aislamiento de tierra y proporcionar
las funciones faltantes de proteccin o de interfaz aislada con el controlador.
Circuito de Manejo de Compuerta de Bajo Costo para MOSFET e IGBT.
Tabla 1. Tabla lgica del driver
MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que


requiere solo de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin
es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos.
Los MOSFET DE POTENCIA estn encontrando cada vez ms aplicaciones en
los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los
problemas de los fenmenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, sin
embargo los MOSFET tienen problemas de descargas electrostticas, por los que
su manejo requiere de cuidados especiales adems, es relativamente difcil
protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos
tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un
MOSFET tipo agotamiento, de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo
p, tal y como se muestra en la siguiente figura. Con dos silicios n fuertemente
dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta est aislada del
canal mediante una delgada capa de xido. Las tres terminales se conocen como
compuerta. Drenaje y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El
voltaje de compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si V GS es
negativo, algunos de los electrones del rea del canal n estarn repelidos, y se
creara una regin de agotamiento, por debajo de la capa de xido, que resultara
en un canal efectivo ms angosto y en una alta resistencia de drenaje, a fuente
RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente,
ofreciendo un alto valor en R DS y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente,
IDS = 0. Cuando esto ocurre, el valor de V GS se conoce como voltaje de
estrechamiento, Vp por otra parte V GS se hace positivo, el cual se ensancha, e I DS
aumenta debido a la reduccin en RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de
canal p se invierten las polaridades de V DS, IDS, y VGS. Un MOSFET tipo
enriquecimiento de canal n y p, sucede un proceso similar al anterior.
Figura 3. Transistores MOSFET
Recuperado de: Modulo Electrnica Industrial UNAD

TOPOLOGA PUENTE H O COMPLETO.

La topologa Puente completo emplea cuatro interruptores como se observa


en la figura 3.0. De esta forma, con una sola fuente de continua, se pueden
aplicar a la carga tanto tensiones positivas como negativas o cero con un simple
cambio de los interruptores que conducen en cada momento. Esta topologa
incorpora ventajas e inconvenientes de las topologas Push Pull y puente medio.

Figura 4. Topologa puente H


Recuperada de: Monografa - DC/AC Pure Sine Wave Inverter WP

En la siguiente tabla. Se han recopilado algunas de las ventajas e inconvenientes


que presenta esta topologa. No cabe duda que el principal inconveniente es la
complejidad, pero al trabajar con altas potencias, las ventajas cobran mayor
importancia que los inconvenientes. Por tanto esta es la topologa adecuada ms
empleada para altas potencias.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE USAR PUENTE H EN INVERSORES.

Ventajas Desventajas
La tensin aplicada en la carga es Se duplica el nmero de
la tensin de la fuente de continua interruptores con respecto a
(Salvo polaridad). topologas anteriores.

Se puede aplicar a la carga +Vdc, Dos de los interruptores no estn


Vdc y 0V. referidos a masa, por lo que sern
necesarios circuitos de disparo que
Mejor utilizacin del bus DC. Ya permitan aplicar una tensin
que la tensin mxima de salida es flotante.
la tensin del bus DC.

La tensin que deben soportar los


interruptores es el valor de la
fuente de continua.

Tabla No.2. Ventajas y Desventajas


Figura 5. Salida de potencia, topologa puente H con transformador

Las resistencias R 13, 14, 17 y 18 apagan al dispositivo despus de conducir,


llevndolos a tensin negativa la compuerta.
Las resistencias R11, R12, R15 y R16 en paralelas con los Diodos D4, D5, D6 y
D7, acoplan la seal que proviene de la etapa driver, as mismo los diodos
protegen la compuerta.
La resistencia R31 es la shunt detecta la corriente que consume el circuito.

Tabla 3. Estados de suicheo del puente H

Para la implementacin del inversor spwm se clasifican los mosfet IRFP 2907
por sus caractersticas de velocidad de suicheo, tensin y amperaje de trabajo.
Anexamos el data sheet del Mosfet elegido

Figura 6. Transistor Mosfet


Tabla 4. Caractersticas elctricas del transistor IRFP 2907

TRANSFORMADOR

El transformador recibe la tencin RMS de salida del puente H, y la transfiere


al secundario en una amplitud, de acuerdo a la constitucin del transformador

El transformador hace parte de la salida de potencia del inversor, su


constitucin depende de las exigencias del diseo del inversor, como por ejemplo
si es diseado para 120 VCA o 220 VCA
Un transformador es una mquina elctrica esttica que transforma la energa
elctrica recibida en otra energa elctrica de caractersticas distintas, bien sea de
tensin, intensidad, etc.
El transformador es uno de los equipos elctricos ms tiles de los utilizados en la
electricidad, puede aumentar o disminuir la tensin, puede aislar un circuito de
otro. El transformador se utiliza, la mayora de las veces, para rebajar la tensin
de alimentacin a valores ms bajos y as poder manipular los circuitos sin riesgos
para los usuarios.
El devanado primario es el que recibe la energa y el devanado secundario es
el que la cede. Un transformador, al ser una mquina esttica, no tiene prdidas
mecnicas y por tanto puede alcanzar rendimientos del 98%.

CONSTITUCIN DEL TRANSFORMADOR.

Est constituido por dos circuitos principales que son:

Circuito elctrico.
Devanado primario.
Devanado secundario.
Circuito magntico.
Chapas magnticas

Figura 7. Diagrama esquemtico y pictrico del transformador.


Anexo la tarjeta del circuito impreso del inversor, que nos entrega el simulador con
los elementos y la tarjeta siguiente es el impreso de lado del circuito

Figura 8. Tarjeta del circuito impreso del inversor SPWM.

Figura 8. Tarjeta del circuito impreso del inversor.


Figura 9. Diagrama en bloque del circuito del inverso

3.2 Se debe disear el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor. Por
qu es necesario filtrar la salida?

Recordemos que un filtro es un circuito electrnico de entrada y salida que son


sensibles a la frecuencia y que permite eliminar o excluir las seales que no se
siten en un determinado rango, permitiendo as que las seales de otras
frecuencias pasen.

Figura 10 diagrama en bloque de un filtro pasa bajo


Generalmente los filtros se dividen en activos y pasivos, siendo los primeros
Los basados en circuitos electrnicos con elementos amplificadores activos.
Los segundos, estn basados en elementos pasivos bsicamente en la
inductancia y la capacidad.

Una parte muy importante de los filtros pasivos, la constituyen los filtros designados
como RC, RL, RLC y LC, si bien no son los nicos. Es importante hacer notar que
todo filtro elctrico requiere, por lo menos, de un elemento reactivo, bien sea
explcito, como una bobina o un condensador, o bien sea implcito en su estructura o
comportamiento.

De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que
sirven para garantizar la calidad de los inversores.

Si lo que se requiere es obtener que la onda sinusoidal sea pura, nos vemos
obligados a la utilizacin de que renan ciertas condiciones, y para este caso, los
ms apropiados son los filtros LC pasa bajos ya que stos eliminan las componentes
armnicas que se presenten en bandas laterales a la frecuencia de la onda
portadora.
De lo anterior, podemos decir que, para disear nuestro circuito, ste en su salida
debe ser en paralelo para as reducir el contenido armnico, pero sin que sin afecte
en su salida la frecuencia fundamental.
En el desarrollo de este tipo de circuito, es preciso que la corriente que se recibe en
la entrada, deba ser mayor a la corriente de carga, obteniendo as mayor factor de
calidad en el resultado.

FILTROS LC.

El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga nicamente el armnico


fundamental de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de
un filtro LC paso bajo de segundo orden que se muestra, presenta la funcin de
transferencia de este filtro sin considerar los efectos de carga ni parsitos. Donde
n es la frecuencia natural del filtro.
En la siguiente figura, se muestra el diagrama de Bode en mdulo y Fase del filtro
LC en funcin de la frecuencia natural del filtro Wn. Se puede observar que a
frecuencias

Figura11. Diagrama de Bode. Universidad Carlos III. Delgado Martin Ral.

Menores que la frecuencia natural del filtro (W < Wn) la ganancia del filtro es
0dB y para frecuencias mayores (W > Wn) el filtro atena la seal a razn de
-40dB = dec. Sin embarg, a frecuencia W= Wn aparece un gran pico de
resonancia. Para disear el filtro se debe tener en cuenta que:

Debe atenuar los armnicos producidos por la conmutacin, que aparecen


a frecuencias ftri y mltiplos o 2ftri y mltiplos segn el tipo de modulacin.

Debe dejar intacto el armnico fundamental.

No debe amplificar los armnicos de baja frecuencia. (En relacin al pico de


resonancia)

Dado que la atenuacin crece a razn de 40dB = dec, la frecuencia natural del
filtro debe encontrarse al menos una dcada antes de los primeros armnicos
producidos por la conmutacin. Si estos armnicos, para el peor de los casos
(Modulacin bipolar) aparecen alrededor de la frecuencia de la seal portadora
ftri = 10Khz, implicar que la frecuencia natural del filtro debe ser:
El filtro pasa bajo debe ser calculado con las siguientes exigencias:

La frecuencia de corte debe ser 10 veces menor con relacin a la seal


portadora.

La frecuencia de corte debe ser 10 veces mayor que la frecuencia de la


seal fundamental.

9,3 KHz seal portadora < 10 veces = 930 Hz


60 Hz seal fundamental > 10 veces = 600 Hz.

Sumadas las dos seales son da 1530 KHz, dividida entre dos es la
frecuencia por la cual calcularemos el filtro = 765 Hz
Tomando arbitraria mente la capacidad del condensador a 1 uf

1 1
f= depejamos l y tenemos l=
2 lc 2 f c
1
remplazando valores tenemos l= =208 mH
2 765 Hz1 uf
Figura 12.Diagrama del filtro pasa bajo pasivo.

Figura 13. Filtro pasa bajo en el puente H

3.3 Proponga un mtodo de regulacin de la tensin y corriente de salida


frente a la distorsin armnica inyectada por la conexin de cargas no lineales.

En el diseo de un inversor SPWM diseado anlogamente, se toma una


muestra de la tensin que entrega, y es llevada a la tensin de referencia en
el oscilador Bubba. En ese circuito la tensin de referencia tiene una variacin
con la amplitud de la seal fundamental y la cual vara con el ndice de
amplitud, en tensin y corriente.
Lgicamente esta seal de muestra de la salida debe ser tratada con
anterioridad.

En el diseo de un inversor SPWM con construccin digital (utilizando


microcontroladores para generar la seal spwm y la etapa driver de potencia),
la retroalimentacin se toma y se procesa, llevndola a un nivel entre 2,5 Vdc
y 3,1 Vdc, la cual es llevada a una entrada del microcontrolador y conformando
un algoritmo se manipula la amplitud del voltaje de salida. Esta variacin de
amplitud ataca directamente a los ndices de amplitud en el bloque de
oscilacin en el microcontrolador.
Figura 14. Sistema dinmico de control del inversor SPWM.

Filtros Activos

Estn compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces


de eliminar prcticamente todos los armnicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.

Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo. Los filtros serie
actan como fuente de voltaje, proporcionan una alta impedancia para los
armnicos e impedancia reducida para la frecuencia de la red. Los filtros activos
en paralelo, actan como fuente de corriente en paralelo con la carga, inyectando
o absorbiendo corriente segn sea necesario.

Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro hbrido.

Conclusiones

Figura 15.

Reductor de armnicos CC (Harmonic reducer DC)


Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la
siguiente figura.

Figura 16

En esta configuracin el filtro acta como fuente de corriente, la tensin del


condensador debe ser mayor a la tensin mxima de entrada.
Conclusin

Nos apropiamos de los conceptos, a lo largo del desarrollo del curso en la


unidad tres, realizando con propiedad la actividad de esta fase.

Despus de la realizacin del presente trabajo, destacara que se opt por


el diseo de circuito Driver con la implementacin del integrado IR2110

La relacin al circuito LC, se opt por aportado en este documento,


esperando que cumpla con el objetivo de filtrar la salida del puente inversor.

La utilizacin del simulador Proteus, es de gran ayuda para comprender y


poner en prctica conceptos adquiridos.

Como se puede apreciar en los aportes hechos en el foro, cada participante


tiene un punto de vista diferente, pero ajustado a la informacin encontrada
en los datos bibliogrficos y en la red, por lo que se espera unificar criterios
para poder entregar un buen consolidado gripal.
BIBLIOGRAFIA

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Potencia: Teora y Aplicaciones. 199 - 235 paginas.

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http://personales.unican.es. (s.f.). Obtenido de Circuitos pasivos:
http://personales.unican.es/perezvr/pdf/CH3ST_Web.pdf
http://www.gte.us.es. (s.f.). Obtenido de CONVERTIDORES CC/AC.:
http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_16

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