SONDEOS ELECTRICOS VERTICALES (SEV)

El mtodo SEV consiste en estudiar las variaciones de la resistividad elctrica con respecto a la
profundidad desde un punto fijo en superficie. En un SEV el punto central del arreglo
electrdico permanece fijo, pero el espaciado entre electrodos incrementa. Al aumentar
continuamente estos espacios de obtiene informacin de zonas ms profundas del subsuelo.

Los valores de resistividad aparente obtenidos en campo

deben ser graficados en una hoja log-log, donde en el eje
horizontal se coloca la separacin entre un electrodo de
potencial y el de corriente ms cercano, mientras que en el
eje vertical se coloca el valor de resistividad aparente
obtenido, de esta manera se dibuja una curva de
resisitividad aparente.

Para interpretar este tipo de datos se asume que el subsuelo

est conformado por capas horizontales y homagneas. As
pues, slo existen variaciones verticales y no latarales. Es
Ejemplo de una curva de resistividad aparente graficada en
una hoja log-log, software IPI2Win. La curva negra
por ello que al SEV se le considera un mtodos de estudio
representa la curva de resistividad aparente, la curva roja 1D.
representa la curva calculada y las lneas azules representan
los espesores de las capas calculadas
 SONDEOS ELECTRICOS VERTICALES (SEV)

Existen dos formas de interpretar estos datos, una es de manera manual utilizando curvas
maestras y la otra utilizando software de inversin. Mediante los dos procedimientos se
determina un cierto nmero de capas con un determinado espesor y un valor de resistividad.

El nmero de capas que se obtengan, depende del nmero de cambios de pendiente

observados en la grfica de la curva de resistividad aparente, as que es una cuestin
totalmente cualitativa.

La finalidad del SEV es averiguar la distribucin vertical de resistividades bajo el punto

sondeado. La mayor eficacia del mtodo corresponde al caso en que los SEV se efectan sobre
un terreno compuesto por capas lateralmente homogneas en lo que respecta a la resistividad,
y limitadas por planos paralelos a la superficie del terreno (medio estratificado).
 La diferencia de potencial V entre M y N se ver afectada por la presencia del
medio 2 y este efecto se har ms marcado cuanto mayor sea la distancia AB
respecto del centro O al plano de separacin. Esto constituye un caso de efecto
lateral.

Las resistividades aparentes determinadas por un SEV estn influidas por la

distribucin de resistividades en un cierto volumen de terreno, el cual resulta de
difcil evaluacin, no slo porque la atenuacin con la distancia de la densidad
de corriente es gradual, sino porque la perturbacin producida por una
determinada heterogeneidad vara con el contraste de resistividad que presenta
respecto del medio que le rodea.

Se toma como punto de atribucin de cada SEV el centro O del dipolo MN, pero
no debe olvidarse que la medicin est influida por un volumen de terreno ms o
Dispositivo electrdico en planta menos grande.
Para caracterizar cada medio estratificado, bastar dar
el espesor de Ei y la resistividad i de cada medio
parcial istropo de ndice i, numerando stos de arriba
abajo, esto es, comenzando por el medio contiguo al
semiespacio que representa la atmsfera. Cada uno de
estos medio parciales ser denominado capa
geoelctrica.

La especificacin de espesores y resistividades de cada

medio estratificado del tipo descrito, recibe el nombre
de corte geoelctrico. Un corte geoelctrico compuesto
por n capas requiere para su especificacin el
conocimiento de n resistividades y n-1 espesores o n-
profundidades, o sea en total 2n-1 parmetros.

Los cortes geoelctricos pueden clasificarse atendiendo

al nmero de capas que los componen.
Los cortes del mismo nmero de capas pueden
subdividirse segn el orden en que aparezcan, en los
sucesivos contactos, resistividades mayores o menores
que en la capa suprayacente.
a) Los cortes de dos capas, de los cuales existen dos tipos (1< 2 y 1> 2) no llevan
smbolo especial.
b) Las letras H, K, Q A, representan respectivamente los cuatro tipos posibles para
cortes geoeltricos de tres capas que son

1. Tipo H: 1> 2< 3

2. Tipo K: 1< 2> 3
3. tipo Q: 1> 2> 3
4. Tipo A: 1< 2< 2

c) Los cortes de 4 capas se distribuyen en 8 grupos, que se designan como combinacin

de los anteriores; para ellos se consideran las tres primeras capas y se les asigna la letra
correspondiente de la lista anterior; luego se hace lo propio con las tres ltimas capas.
As, el tipo AA corresponde a la combinacin de resistividades 1< 2< 3< 4 y el HK a
1> 2< 3> 4. Slo son posibles los tipos siguientes:
HK, HA, KH, KQ, QQ, QH,AK, AA
Los tipo KK, HH, HQ carecen de sentido, pues implican condiciones contradictorias.

d) Los cortes de cinco o ms capas se simbolizan siguiendo el mismo mtodo. Se

consideran en primer lugar las tres primeras capas y se les asigna la letra
correspondiente indicada en el caso del inciso b); luego se hace lo mismo con las capas
segunda, tercera y cuarta, despus con las tercera, cuarta y quinta, etc.
El problema directo de la prospeccin geoelctrica sobre medio estratificados es
la determinacin del potencial producido en la superficie lmite aire-tierra de un
medio de este tipo por una fuente puntual de corriente situada en dicha
superficie.

La solucin hallada puede extenderse, por superposicin, al caso de varias

fuentes puntuales (electrodos de emisin), y en general, a cualquier dispositivo
electrdico. en este caso se requiere el conocimiento del campo elctrico en la
superficie del terreno, por lo que se hace preciso el clculo, por derivacin del
gradiente del potencial hallado.

dos de los mtodos principales que se han utilizado para abordar el problema
propuesto, el primer mtodo es el mtodo de imgenes, empleado por Maxwell
para medios estratificados; y el segundo mtodo es la integracin de la ecuacin
de Laplace aplicada al caso de medios estratificados
 TOMOGRAFA DE RESISTIVIDAD ELCTRICA (TRE)
La tomografa de resistividad elctrica (TRE) es un mtodo para calcular la distribucin
de la resistividad elctrica en el subsuelo de un gran nmero de medidas de resistividad
aparente hechas con electrodos posicionados en un patrn geomtrico arbitrario con el
objetivo principal de determinar una imagen elctrica que muestre la distribucin de la
resistividad verdadera en el subsuelo (e. g. Tejero-Andrade, 2002). La tomografa de
resistividad elctrica es la unin entre el Sondeo Elctrico Vertical (SEV) tradicional, y
los perfilajes o calicatas.

La TRE requiere decenas o cientos de electrodos para realizar centenas o miles de

medidas. La tomografa de resistividad elctrica puede hacerse en superficie, en pozo o
en ambos.
 Este estudio presenta problemas de resolucin a medida que la profundidad
de penetracin aumenta. Para aclarar esto se supone dos electrodos y
situados en la superficie plana de un subsuelo homogneo e istropo de
resistividad . La densidad de corriente, en funcin de la profundidad , a
lo largo de la lnea recta, perpendicular a la superficie que pasa por el
centro del segmento es:

En esta ecuacin se observa que en un medio homogneo la densidad de

corriente disminuye gradualmente con la profundidad en el eje vertical del
dispositivo de dos electrodos. Adems la mitad de la corriente circula por
encima de la profundidad = , es decir, que las zonas ms profundas
influirn menos en el potencial observado en superficie, al ser menor en ellas
la densidad de corriente.
Al aumentar la separacin aumenta en la misma proporcin la
profundidad a que corresponde una determinada densidad de corriente, por
lo que podra pensarse que la penetracin es proporcional a , pero en
general, esto no es cierto debido a que las expresiones dadas slo son vlidas
para un medio estratificado homogneo.

Roy y Apparao (1971) han estudiado la penetracin de diversos dispositivos

en medios homogneos, tomando la citada magnitud como la profundidad a
la que la capa delgada del terreno contribuye con participacin mxima a la
seal total en la superficie del terreno.
Arreglos estndares para TRE 2D

Dentro de la tomografa de resistividades elctricas existen varios arreglos

geomtricos con nombres propios y utilizados segn el objetivo planteado.
Defnase como un arreglo geomtrico de electrodos a la disposicin que se da a
los mismos al realizar algn perfil en prospeccin geoelctrica. En estos arreglos
se tienen electrodos de corriente, denotados comnmente por y , y
electrodos de potencial, denotados por y . Existen varios arreglos como lo
muestran Szalai y Szarka (2008), quienes reportan y clasifican noventa y dos
arreglos independientes que pueden encontrarse en la literatura; pero en este
apartado del trabajo se mostrarn algunos de los arreglos clsicos. Estos son:

Dipolo-dipolo
Polo-dipolo
Polo-polo
Wenner
Schlumberger
Wenner-Schlumberger
Ecuatorial dipolo-dipolo
Dipolo-dipolo

Est conformado por 4 electrodos, dos de potencial y dos de corriente, caracterizado porque la
distancia entre los electrodos que forman los dipolos es la misma en ambos. Este espaciamiento
puede denotarse por la letra . La separacin entre los dipolos es de un factor de veces el
espaciamiento .

Este arreglo es muy usado debido a que proporciona una imagen detallada de la resistividad del
subsuelo, posee una gran sensibilidad para la deteccin de cambios horizontales de resistividad
y por su gran profundidad de penetracin. Proporciona buena informacin mediante el
modelado. Carece de resolucin lateral y tiene la desventaja de que la intensidad de la seal
es muy pequea para grandes valores de (Loke, 2000). Un procedimiento para superar estos
problemas es aumentar la distancia entre cada par de electrodos que conforman los dipolos para
reducir la cada en el potencial cuando la longitud total del arreglo sea mayor para incrementar
la profundidad de investigacin.

La expresin de la resistividad aparente para este arreglo es = + 1 + 2 .

Polo-dipolo

Conformado, tericamente, por 4 electrodos, 2 de potencial separados a una distancia y

dos de corriente, slo que uno de ellos se considera en el infinito, es decir, a una distancia
de al menos 10 veces la distancia de espaciamiento entre los electrodos de potencial, y el
otro electrodo de corriente ubicado a n veces del dipolo de potencial. Este tipo de arreglo
tiene buena profundidad de penetracin y una relativamente buena cobertura horizontal.
La seal recibida es de mejor calidad que la del dipolo-dipolo (Loke, 2000).

Este arreglo es asimtrico y sobre

anomalas simtricas, la resistividad
aparente en la pseudoseccin, la
imagen resultante de las medidas
hechas en campo, se presentan de
manera asimtrica. Un mtodo para
eliminar este efecto de asimetra es
repetir la medicin de manera inversa
(figura 1.6). Al igual que el arreglo
anterior, carece de resolucin lateral y
sta puede aumentarse drsticamente
si los dipolos se alejan entre s (Loke,
2000). La expresin para la resistividad
aparente para este arreglo es =

2 + 1 .

Polo-polo

Tericamente conformado por 4 electrodos, pero dos de ellos, uno de potencial y otro de
corriente se consideran en el infinito, es decir, cuando menos 10 veces el espaciamiento
existente entre los otros dos electrodos de corriente y potencial. Este arreglo tiene una
gran penetracin pero logsticamente es de difcil implementacin por lo que se usa poco
(Dwain, 2005). La resistividad aparente para este arreglo tiene la siguiente expresin =

2.

Wenner

Arreglo compuesto por 4 electrodos que forman dipolos, uno de potencial y el otro de
corriente. Los electrodos de potencial tienen un espaciamiento entre ellos y los
electrodos de corriente estn ubicados por fuera de los de potencial a una distancia de
cada electrodo de potencial, existen tres tipos de arreglos Wenner. En este tipo de
arreglo los electrodos son movidos de manera conjunta para mantener la misma
geometra, es bueno en la resolucin vertical pero relativamente pobre en la
deteccin de cambios horizontales (Loke, 2000). Es muy socorrido para zonas en las
cuales existan limitaciones espaciales.

La expresin de la resistividad aparente para el arreglo Wenner es = 2.

Schlumberger

Arreglo conformado por 4 electrodos, de los cuales los electrodos de potencial tienen un
espaciamiento entre ellos, que se mantendr constante durante el estudio y los electrodos
de corriente, posicionados por fuera de los de potencial, estn a un factor de ellos. Los
electrodos de corriente se extienden con el arreglo para hacer el muestreo de los datos.
Siempre deber existir un espaciamiento geomtrico entre el dipolo de corriente y el de
potencial, es decir, la distancia entre los electrodos de corriente y de potencial deber ser
un mltiplo, comnmente entero. Consta de una pobre resolucin lateral pero de buena
resolucin vertical, aunque menor que en polo-dipolo y dipolo-dipolo (Dwain, 2005), es muy
socorrido en los SEVs. La expresin de la resistividad aparente para este arreglo es =

+ 1 .

Wenner-Schlumberger

Este un arreglo hbrido entre los arreglos Wenner y Schlumberger, esto significa que combina
las caractersticas de ambos, y que sea moderadamente sensible a estructuras horizontales
y verticales (figura 1.10). Una de las desventajas de este arreglo es que presenta una
pobreza de datos en los extremos ms que cualquiera de los arreglos anteriores (Loke,
2000). Debe mencionarse que a pesar de esta desventaja presenta una alta intensidad de la
seal y que posee una buena profundidad. El arreglo Wenner es un caso especial donde el
factor del arreglo Wenner-Schlumberger es igual a 1. La expresin de la resistividad

aparente para este arreglo es = + 1 .

Ecuatorial dipolo-dipolo

Los dipolos de transmisin y recepcin estn dispuestos de manera paralela y alineada, los
electrodos que conforman ambos perfiles y dipolos actan como transmisores y receptores .
Generalmente la distancia entre los dipolos es y la separacin entre los perfiles paralelos
es de veces . La desventaja de este arreglo es que es difcil de implementar cuando los
perfiles son muy largos (Dwain, 2005). La expresin de la resistividad aparente para este
2 +1
arreglo es = .
2 +1
Loke (2000) muestra una tabla con las profundidades de penetracin media para
diferentes arreglos (tabla 1) tomada de Edwards (1977). Esta tabla da una idea
de la profundidad a la cual ser capaz de llegar algn arreglo particular y se
debe mencionar que sta es vlida estrictamente para modelos homogneos de
la Tierra. Para determinar la mxima profundidad de cada arreglo, basta
multiplicar el mximo espaciamiento electrdico alcanzado para cada arreglo o
por la longitud total del arreglo por el trmino o , respectivamente,
que aparecen en la tabla 1.

Se observa que la tabla incluye el factor geomtrico para varios arreglos

considerando un espaciamiento de 1 metro. El inverso del factor geomtrico da
una indicacin del voltaje que puede ser medido entre los electrodos de
potencial de los arreglos.
TRE 3D
Para un estudio 3D, usualmente, los electrodos suelen colocarse en una rejilla
cuadrada con el mismo espaciamiento entre estos en las direcciones e .

Si el estudio 3D se realiza con una serie de perfiles paralelos y no se realizan

mediciones en lneas cruzadas, la distancia entre lneas debe hacerse
preferentemente hasta 4 veces el espaciamiento electrdico (Aizebeokhai et
al., 2009). Esto es para garantizar que los materiales del subsuelo entre las
lneas sean mapeadas adecuadamente por las mediciones en lnea.

Los arreglos utilizados con frecuencia para este tipo de estudios son el polo-
polo, polo-dipolo, dipolo-dipolo, esto es debido a que otros arreglos tienen una
pobre cobertura horizontal cerca de los extremos de la rejilla de estudio
(Loke, 2000).
Polo-polo

Tiene pobre resolucin en comparacin con otros arreglos, esto provoca que las
estructuras tiendan a ser inferidas en el modelo resultado de la inversin. No
es prctico para espaciamientos grandes, debido a que se debe considerar los
electrodos que son enviados a infinito, como en el caso de TRE 2D, lo cual no
suele satisfacerse del todo debido a las restricciones que impone el estudio en
campo.

Polo-dipolo

Es menos susceptible al ruido telrico y posee mejor resolucin que el arreglo

polo-polo y adems el electrodo de corriente en el infinito tiene un efecto
menor comparado con los electrodos del polo-polo. El arreglo es asimtrico por
lo que las mediciones se debern realizar con arreglos de electrodos hacia
adelante y hacia atrs para compensar esta asimetra.

Para superar la baja intensidad de la seal para valores del factos superior a 5,
la separacin electrdica entre los electrodos de potencial M-N deber
aumentarse para conseguir una mayor profundidad de investigacin.
Dipolo-dipolo

Este tipo de arreglos es recomendado para rejillas grandes debido a que tiene la
cobertura horizontal ms pobre de datos en los extremos. Uno de los principales
problemas que presenta este tipo de arreglo es la baja intensidad de la seal,
este problema puede ser superado al aumentar la separacin entre los electrodos
que conforman los dipolos, siempre conservando la geometra para este arreglo, y
as conseguir una mayor profundidad de investigacin.
Este arreglo es ms sensitivo a efectos 3D en comparacin con otros arreglos. En
muchos casos, la toma de datos 3D para este arreglo se construye a partir de
estudios 2D con un nmero de lneas paralelas necesarias para cubrir esta regin
3D establecida como objetivo de estudio.
Modelo directo y teora de inversin

Modelo directo

Asumiendo una distribucin 3D istropa, el modelo directo para TRE 3D puede ser
definido para un punto de corriente en la superficie. En la mayora de los
estudios geoelctricos las fuentes de corriente se consideran como fuentes
puntuales. Considerando esto, sobre un volumen elemental istropo, alrededor de
la fuente de una corriente , localizada en , , , la relacin entre la densidad
de corriente y la corriente est dado por (Dey y Morrison, 1979):

Donde es la funcin delta de Dirac y la ecuacin anterior describe la distribucin

del potencial en el terreno debido a una fuente puntual.
Esta ecuacin es una expresin para hallar la diferencia de potencial entre
cualquier par de puntos en el espacio en funcin de las resistividades del medio,
de la corriente de entrada y de la configuracin utilizada.

A partir de los valores de potencial obtenidos mediante la solucin a esta

ecuacin, es posible calcular los de las resistividades aparentes. Cabe mencionar
que las soluciones analticas para distribuciones arbitrarias de resistividad no son
alcanzadas, por lo que es necesario el uso de mtodos numricos para obtener
soluciones aproximadas. Comnmente, las aproximaciones de Elemento Finito
(EF) y Diferencias Finitas (DF) son usadas para hallar estas soluciones.

En ambas aproximaciones la regin es discretizada con nodos y se determina una

solucin inicial para estos puntos. Las variaciones de resistividades se alcanzan
por la asignacin de valores de dos maneras, elemento por elemento, para el
caso de EF, o celda por celda, para DF. La aproximacin de EF permite flexibilidad
en la discretizacin y sta suele ser preferible para arreglos electrdicos
irregulares.
La aproximacin de DF es ms simple en operacin y computacionalmente ms
eficiente para arreglos electrdicos regulares.

Sasaki (1994) y Loke y Barker (1996) muestran de manera detallada la forma en

la cual se discretiza el espacio para EF y DF, respectivamente, para una regin
3D.

Resolver el problema directo permite estudiar el tipo de resultado que se

obtendra en el campo para determinados rasgos o estructuras que se deseen
prospectar y de esta manera elegir convenientemente las configuraciones y
aperturas. A partir del anlisis cualitativo de los datos y de informacin adicional
se puede estudiar si algn modelo de resistividades particular presenta una
respuesta similar a la obtenida en el campo.
Modelo inverso

Para calcular una imagen de resistividades de los datos obtenidos en campo

mediante TRE, es necesario llevar a cabo una inversin que produzca un modelo,
es decir, una variacin espacial de distribucin de resistividades, que cuente con
un ajuste aceptable que satisfaga ciertas condiciones o restricciones.
Desafortunadamente, este ajuste aceptable es subjetivo.

Esta subjetividad en el ajuste tambin depende de las imprecisiones en el

proceso de medicin, por lo que el modelo obtenido al realizar la inversin no
reproducir en forma exacta los valores de resistividades aparentes medidas sin
un determinado rango de error.
El proceso de inversin puede resumirse en los siguientes pasos:

1. Tener un modelo inicial de resistividades para el tipo de regin (2D 3D)

2. Funcin objetivo que indicar los criterios de ajuste del modelo. La funcin
objetivo utilizada es la denominada discrepancia o desajuste, la cual se
obtiene al calcular la diferencia entre los valores de resistividad aparente con
el modelo calculado y los obtenidos en campo
3. Clculo de las primeras resistividades aparentes predichas por el modelo del
primer punto. Esto implica la eleccin de un algoritmo que determine el
camino en el cual se hallar el modelo ptimo de resistividades ya que no hay
solucin nica en el problema de inversin y este algoritmo seleccionar el
modelo de todos los posibles que posea caractersticas especficas
4. El clculo de la discrepancia entre los valores de resistividad obtenidas en
campo y los valores de resistividad calculadas
5. Si la discrepancia cumple con las restricciones se ha resuelto el problema de
inversin.
Teora general de inversin

La teora de inversin es un conjunto organizado de tcnicas matemticas para

obtener informacin til acerca del mundo fsico debido a las inferencias logradas
de las observaciones (Menke, 1984).

Para el modelo inverso, la regin es discretizada en parmetros, denotados como

un vector , el cual puede ser asignado a celdas o bloques. Es comn utilizar los
logaritmos de los valores de resistividad aparente para la respuesta del modelo,
esto implica entonces que:

donde es el nmero de parmetros.

El proceso de inversin determina el mejor conjunto de parmetros que

coinciden con los datos observados usando el modelo directo para calcular las
resistividades aparentes a partir de los valores de resistividad real del modelo
(problema directo). La funcin utilizada para este objetivo es una funcin directa
no lineal que acta sobre los parmetros del modelo discretizado para producir
una respuesta del modelo (e. g. Urbieta, 2009).
Sea el vector que contiene el logaritmo de las medidas obtenidas en campo,
es decir,

= log = 1, ,

donde N es el nmero de mediciones hechas.

Despus del clculo de los parmetros se calcula la discrepancia o desajuste que

est definido como la diferencia entre los datos observados y la respuesta del
modelo, es decir, las resistividades aparentes calculadas a partir de los
parmetros estimados en el problema de inversin:

Donde representa al operador del modelo directo, representa la

respuesta del modelo y los datos observados.

La norma 2 puede usarse como la funcin objetivo cuya solucin inversa busque
minimizar. Esta puede expresarse como:
Donde es una matriz de pesos, la cual est dada asumiendo que las
resistividades aparentes son variables aleatorias independientes, entonces
puede expresarse en trminos de los errores de prediccin = 1, ,
como:

= 11 , , 1

Debido a que el problema de tomografa de resistividad elctrica est mal

condicionado, esto es, que puede ser un problema subdeterminado o
sobredeterminado, o que la solucin al problema de inversin sea susceptible a
pequeas variaciones en los parmetros iniciales; hace que la ecuacin de la
norma 2 presente soluciones inestables. Es por eso que se recurre a una nueva
funcin objetivo para minimizar la discrepancia en el problema de inversin.
Esta nueva funcin objetivo es el denominado mtodo de mnimos cuadrados
amortiguado o mtodo de Levenberg-Marquardt, clasificado como un mtodo
hbrido debido a que utiliza las ventajas de los mtodos de Gauss-Newton y el
mtodo del gradiente. El mtodo de Levenberg-Marquardt es el ms utilizado para
resolver problemas de inversin para datos que representa estructuras geolgicas
complejas (Gabs i Gasa, 2003). La expresin para este mtodo est dada de la
siguiente manera:

Donde es la matriz jacobiana de derivadas parciales, es el vector de

discrepancia, es el factor de amortiguamiento, es la matriz identidad y es el
vector de perturbacin, el cual se obtiene al modificar o perturbar el modelo
inicial ocupado para la inversin.

El factor de amortiguamiento condiciona el rango de valores que el vector puede

tomar. Es muy importante la determinacin de este factor ya que al usar este
mtodo se minimiza el vector de discrepancia y el vector de perturbacin. Una de
las desventajas de este mtodo es la determinacin de , la mayora de las veces
se hace a prueba y error, lo cual lo vuelve muy lento y tedioso.
Loke y Barker (1996) presentan otro mtodo para la inversin para TRE y es el
mtodo de mnimos cuadrados smoothness-constrained usada por varios
autores (Sasaki 1994; de Groot-Hedlin y Constable 1990) y que est dado de la
siguiente manera,

Donde es la matriz Jacobiana, es el factor de amortiguamiento, es el

vector de discrepancia, es el vector de perturbacin y la matriz es usada
para restringir el suavizado de las perturbaciones de los parmetros del modelo
a un valor constante.

Algunos autores como Park y Van (1991), Ellis y Oldenburg (1994), Sasaki
(1994), Lesur et al. (1999) y Loke (2000) presentan ejemplos de inversin para
TRE en 3D utilizando esta tcnica de inversin.