UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA

DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERA
ACADEMIA DE BIOINGENIRA
Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

PRACTICA No 4 TRANSISTOR BJT

OBJETIVOS

Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento

depende del tipo de configuracin de polarizacin en que se conecte.

OBJETIVOS PARTICULARES

Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)

Analizar el funcionamiento del transistor en configuracin base comn.
Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador con niveles lgicos.

INTRODUCCIN

El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura 1:

Figura 1 Zonas que conforman al transistor

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el

"Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja,
mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia.

En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser
un PNP.

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisor
y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados:
"Diodo de emisor" y "Diodo de colector". El transistor NPN, primeramente cuando est
sin polarizar se produce una "Difusin", donde los electrones cruzan de la zona N a la
zona P, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan.

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Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos.
Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera
de potencial de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin C-
B.

Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen

resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:

Base comn (BC).

Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA: UE en Directa y Uc en Inversa. AMPL FICADORES

Zona de SATURACIN: UE en Directa y Uc en Directa. CONMUTACIN

Zona de CORTE: UE en Inversa y Uc en Inversa. CONMUTACIN

Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Inversa y Uc en Directa. SIN UTILIDAD

Con esto vemos que el transistor puede trabajar de cuatro formas diferentes.

El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.

Figura 2 Polarizacin del transistor.

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Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE, despus ese
electrn baja la barrera de potencial de la Uc para salir por el colector.

Figura 3 Barrera de potencial en el transistor.

Este es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego es
ms de los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombinan en
la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor figura 3.

La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el
"Efecto transistor", la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es
la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por
ejemplo el 1%), el emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un
dispositivo de control.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Fuente de alimentacin de CD. variable.

Osciloscopio con puntas de medicin.
Generador de funciones.
Fuente regulada de 0 a 30 V, y Multmetro digital.
Resistencias de varios valores a 1/2 W.
Un transistor 2N3905.
Un transistor 2N3902.
Un transistor 2N2222.
Un potencimetro de 2500 W a 2W.
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras para AA.
Tablilla de experimentacin (protoboard).

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DESARROLLO EXPERIMENTAL

EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR.

a) Con el multmetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los

solicitados en la practica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la
figura 1.

2N2222

Figura 1.

EXPERIMENTO 2 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 2.

Figura 2

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ;
para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor
mximo del potencimetro.

c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.

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EXPERIMENTO 3 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 3.

Figura 3

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ,
a cada incremento mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.

c) Ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor mnimo, obtenga los

parmetros de polarizacin de emisor mxima, mida VEB, VCB y VCE, anote
sus resultados.

d) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.

EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIN CORTE Y SATURACIN

a) Construya el circuito de la figura 4.

b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.

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Figura 4

c) Con el Multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor del
voltaje de salida VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.

d) Anote sus lecturas y haga sus observaciones.

EXPERIMENTO 5

a) Construye el circuito que se muestra en la figura 5.

b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.

c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo

cuadrada de 3 Hz de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.

d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta

un valor de 100 Hz.

e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el

voltaje de salida colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique
lo que sucede.

f) Con el Multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.

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Figura 5.

ANALISIS DEL EXPERIMENTO

Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO

1. Indique en que seccin de las curvas de operacin del transistor se encuentran las
zonas de saturacin y de corte.

2. Explique porque en cada una de las curvas de operacin del transistor existe una
relacin de voltaje con respecto a la corriente.

3. Indique cuales son los parmetros que se deben considerar para variar la regin
de trabajo en un transistor.

4. Explique a que se le denomina corriente de fuga en un transistor.

5. De las corrientes que circulan a travs del transistor, Cul es la mayor, cual es la
menor y cuales son relativamente cercanas en magnitud?

6. Explique cual es la utilidad de conocer los puntos de operacin del transistor.

7. Explique en que consiste polarizar correctamente al transistor y mencione cuantas

configuraciones de polarizacin se pueden realizar.

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