Ral Antonio Leal Mendez
Departamento de Ingeniera y Arquitectura, Universidad de Pamplona Extensin Villa Del Rosario
Villa del Rosario Norte de Santander - Colombia
raulantoniolealmendez@gmail.com
La Electrnica de Potencia
Resumen La electrnica de potencia es una rama de la
Ingeniera Elctrica que se enfoca principalmente en la
conversin y control de la energa elctrica para diferentes
aplicaciones tales como el control de alumbrado, procesos
electroqumicos, suministros de energa regulada de CD y
CA, soldadoras elctricas, filtrado activo, compensacin de
VARs, control del movimiento de mquinas elctricas y
otras ms. Los sistemas de suministro elctrico generan,
transmiten y distribuyen la energa elctrica a una
frecuencia fija (50 o 60 Hz) y tratan de mantener un
voltaje fijo en las terminales de los consumidores.
Abstract - Power electronics is a branch of Electrical
Engineering that focuses primarily on the conversion and
control of electrical energy for different applications such
as lighting control, electrochemical processes, regulated
DC and AC power supplies, electric welders, filtering
Active, VAR's compensation, control of the movement of
electric machines and others. Electric power systems
generate, transmit and distribute electrical energy at a
fixed frequency (50 or 60 Hz) and try to maintain a fixed
voltage at the consumer terminals.
I. INTRODUCCIN
En el presente texto nos enfocaremos en dar relevancia a
la electrnica de potencia, dando a conocer su gran
importancia y necesidad en los sistemas utilizados hoy en da
dado que, cada vez son ms los dispositivos y sistemas que en
una o varias de sus etapas son accionados por energa
elctrica. Los accionamientos consisten, en general, en
procesos que transforman la energa elctrica en otro tipo de
energa, o en el mismo tipo, pero con diferentes caractersticas.
Los encargados de realizar dichos procesos son los sistemas de
potencia.
Un equipo electrnico consta fundamentalmente de dos
partes, tales como:
Un circuito se potencia, compuesto de
semiconductores de potencia y elementos pasivos,
que liga la fuente primaria de alimentacin con la
carga.
Un circuito de mando, que elabora la informacin
proporcionada por el circuito de potencia y genera
unas seales de excitacin que determinan la
conduccin de los semiconductores controlados con
una fase y secuencia conveniente.
II. HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
La electrnica de potencia tiene sus inicios en el ao
1900, con la introduccin del rectificador de arco de
mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el
rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al
alto vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el
tiratrn. Estos se aplicaron al control de la energa hasta la
dcada de 1950. Ejemplo de un Tiratrn se muestra en la
figura I.
En 1948 se inicia la primera revolucin electrnica
con la invencin del transistor de silicio en los Bell
Telephone Laboratories por los seores Bardeen, Brattain
y Schockley. Otros de los grandes inventos fue la del
transistor de disparo pnp, que se definio como tiristor o
recticador controlado de silicio (SCR por sus siglas en
ingls). La segunda revolucin electrnica fue en 1958
con el desarrollo del tiristor comercial por General
Electric Company. Ese fue el principio de la nueva era de
la electrnica de potencia, hasta la fecha se han
introducido diversos dispositivos semiconductores de
potencia y tnicas de conversin. La revolucin de la
electrnica de potencia nos est dando la capacidad de dar
forma y controlar grandes cantidades de energa con una
eficiencia cada vez mayor.
III. APLICACIONES DE LA ELECTRNICA DE
POTENCIA
Durante muchos aos ha existido la necesidad de
controlar la potencia electrnica de los sistemas de
traccin y de los controles industriales impulsados por
motores elctricos; esto ha llevado un temprano desarrollo
del sistema Ward-Leonard con el objetivo de obtener un
voltaje de corriente directa variable para el control de los
motores e impulsadores. La electrnica de potencia ha
revolucionado la idea del control para la conversin de
potencia y para el control de los motores electrnicos.
La electrnica de potencia combina la energa, la
electrnica, y el control. El control se encarga del rgimen
permanente y de las caractersticas dinmicas de los
sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el
equipo de energa de potencia esttica y rotativa o
giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de
energa elctrica. La electrnica se ocupa de los
dispositivos y circuitos de estado slidos requeridos en el
procesamiento de seales para cumplir con los objetivos
de control deseados. La electrnica de potencia se puede
definir como la aplicacin de electrnica de estado slidos
para el control y la conversin de la energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa, en primer trmino,
en la conmutacin de dispositivos semiconductores de
potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los
semiconductores de potencia, las capacidades del manejo
de la energa y la velocidad de conmutacin de los
dispositivos de potencia se han elevado.
El desarrollo de la tecnologa de los
microprocesadores- microcomputadoras tiene un gran
impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de
control para los dispositivos semiconductores de potencia.
El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza
Semiconductores de potencia, que pueden compararse con
el musculo, y microelectrnico, que tiene el poder y la
inteligencia del cerebro.
IV. DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE
POTENCIA
V.
Los dispositivos semiconductores utilizados en
Electrnica de Potencia se pueden clasificar en tres
grandes grupos, de acuerdo con su grado de
controlabilidad:
a) Dispositivos no controlados:
en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados
de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura
(OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto,
estos dispositivos no disponen de ningn terminal de
control externo.
Diodo de Potencia: Un diodo semiconductor es una
estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y
corriente, permite la circulacin de corriente en un
nico sentido. Detalles de funcionamiento,
generalmente despreciados para los diodos de seal,
pueden ser significativos para componentes de mayor
potencia, caracterizados por un rea mayor (para
permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para
soportar tensiones inversas ms elevadas), a
continuacin, se mencionarn los diodos de potencia.
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una
cada de tensin directa muy pequea (0,3 V tpicos)
para circuitos con tensiones reducidas de salida. No
soportan Dispositivos de Electrnica de Potencia
tensiones inversas superiores a 50 100 V.
Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en
circuitos de frecuencia elevada en combinacin con
interruptores controlables, donde se necesitan
tiempos de recuperacin pequeos. Para unos niveles
de potencia de varios cientos de voltios y varios
cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo
de recuperacin inversas (trr) de pocos
nanosegundos.
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La
tensin en el estado de conduccin (ON) de estos
diodos es la ms pequea posible, y como
consecuencia tienen un trr grande, el cual es
nicamente aceptable en aplicaciones de la
frecuencia de lnea. Estos diodos son capaces de
bloquear varios kilovoltios y conducir varios
kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o
paralelo para satisfacer cualquier rango de tensin o
de corriente
b) Dispositivos semicontrolados
en este grupo se encuentran, dentro de la familia de
los Tiristores, los SCR (Silicon Controlled
Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating
Current). En ste caso su puesta en conduccin
(paso de OFF a ON) se debe a una seal de control
externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comnmente denominado puerta. Por
otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo
determina el propio circuito de potencia. Es decir, se
tiene control externo de la puesta en conduccin, pero
no as del bloqueo del dispositivo.
Tiristores: El nombre de Tiristor proviene de la
palabra griega , que significa una puerta.
El tiristor engloba una familia de dispositivos
semiconductores que trabajan en conmutacin,
teniendo en comn una estructura de cuatro capas
semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual
presenta un funcionamiento biestable (dos estados
estables). La conmutacin desde el estado de bloqueo
(OFF) al estado de conduccin (ON) se realiza
normalmente por una seal de control externa. La
conmutacin desde el estado ON al estado OFF
se produce cuando la corriente por el tiristor es ms
pequea que un determinado valor, denominada
corriente de mantenimiento, (holding current),
especfica para cada tiristor. Dentro de la familia de
los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores
bidireccionales).
SCR: (Rectificador Controlado de Silicio) De las
siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el
miembro ms conocido de la familia de los tiristores.
En general y por abuso del lenguaje es ms frecuente
hablar de tiristor que de SCR. El SCR es uno de los
dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de
la Electrnica de Potencia (data de finales de los aos
50). Adems, contina siendo el dispositivo que tiene
mayor capacidad para controlar potencia (es el
dispositivo que permite soportar mayores tensiones
inversas entre sus terminales y mayor circulacin de
corriente).

TRIAC: (Triode of Alternating Current) es un
tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el
paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y
puede ser disparado con tensiones de puerta de
ambos signos. Cuando se trabaja con corriente
alterna, es interesante poder controlar los dos
sentidos de circulacin de la corriente.
Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar
el paso de corriente en un sentido. Por tanto, uno de
los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para
evitar este inconveniente. El primer TRIAC fue
inventado a finales de los aos 60. Simplificando su
funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se
comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor
bidireccional). De esta forma, tenemos control en
ambos sentidos de la circulacin de corriente
GTO: (Gate Turn-Off Thyristor) A pesar de que el
GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los
aos 60, ha sido poco empleado debido a sus
reducidas prestaciones. Con el avance de la
tecnologa en el desarrollo de dispositivos
semiconductores, se han encontrado nuevas
soluciones para mejorar tales componentes que hacen
que hoy ocupen una franja significa dentro de la
electrnica de potencia, especialmente en aquellas
aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos
que alcanzan los 5000 V y los 4000 A. Como se ha
visto en los apartados anteriores, uno de los
inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es
que no tenemos control externo por parte del usuario
del paso de conduccin a bloqueo. Para aquellas
aplicaciones en las que nos interese poder bloquear
un interruptor de potencia en cualquier instante es
necesario utilizar otro tipo de semiconductores
diferentes a los SCRs o TRIACs. Dispositivos de
Electrnica de Potencia El GTO es un tiristor con
capacidad externa de bloqueo. La puerta permite
controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a
conduccin y viceversa.
c) Dispositivos totalmente controlados: en este grupo
encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar
Junction Transistor), los transistores de efecto de
campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor), los transistores bipolares de
puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off
Thyristor), entre otros.
Transistores: En Electrnica de Potencia los
transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo) de
los transistores se disean para que stos trabajen en
la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de
corte (bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con
otras aplicaciones de los transistores, como, por
ejemplo, un circuito amplificador, en el que el
transistor trabaja en la zona activa o lineal. Los
transistores tienen la ventaja de que son totalmente
controlados, mientras que, por ejemplo, el SCR o el
TRIAC slo dispone de control de la puesta en
conduccin. Los tipos de transistores utilizados en los
circuitos electrnicos de potencia incluyen los
transistores BJT, los MOSFET y dispositivos
hbridos, como, por ejemplo, los transistores de unin
bipolar de puerta aislada (IGBT). A continuacin,
veremos cada uno de ellos:
Transistor Bipolar de Potencia (TBP) Ms
conocidos como BJTs: (Bipolar Junction
Transistors), bsicamente se trata de interruptores de
potencia controlados por corriente. Como el lector
recordar existen dos tipos fundamentales, los npn
y los pnp, si bien en Electrnica de Potencia los
ms usuales y utilizados son los primeros.
MOSFET: (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistors) As como podemos decir que el transistor
bipolar se controla por corriente, los MOSFET son
transistores controlados por tensin. Ello de debe al
aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al
resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de
MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en
Electrnica de Potencia los ms comunes son los
primeros, por presentar menores prdidas y mayor
velocidad de conmutacin, debido a la mayor
movilidad de los electrones con relacin a los
agujeros.
IGBT: (Insulated Gate Bipolar Transistor) El
transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate
Bipolar Transistor, es un dispositivo hbrido, que
aprovecha las ventajas de los transistores descritos en
los apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la
facilidad de disparo de los MOSFET con las
pequeas prdidas en conduccin de los BJT de
potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con
lo que se tiene un control por tensin relativamente
sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor
es muy cercano a lo ideal.
VI. COMPARACIN DE PRESTACIONES
ENTRE LOS DIFERENTES DISPOSITIVOS
DE ELECTRNICA DE POTENCIA
A continuacin, se presenta una tabla con las
prestaciones de los dispositivos de potencia ms
utilizados, haciendo especial hincapi en los lmites de
tensin, corriente y frecuencia de trabajo.
DISPOSITIVOS TENSIN CORRIENTE FRECUENCIA
Diodos < 10 KV < 5000 A < 10 MHz
Tiristores < 6000 V < 5000 A < 500 Hz
GTO < 6000 V < 3000 A < 500 Hz
TRIAC < 1000 V < 25 A < 500 Hz
MOSFET < 1000 V < 100 A < 1 MHz
 BJT < 1200 V < 700 A < 25 KHz
IGBT < 2000 V < 500 A < 75 KHz

Tabla 1. Prestaciones.

Regiones de Utilizacin: en funcin de las

caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar
en distintas zonas, parametrizadas por la tensin, la
corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin
cualitativa se presenta en la siguiente tabla:

DISPOSITIVO POTENCIA FRECUENCIA

Tiristores Alta Baja
GTO Alta Baja
TRIAC Baja Baja
MOSFET Baja Alta
BJT Media Media
IGBT Media - Alta Media
VII. CONCLUSIONES
Tabla 2. Zonas de operacin de los dispositivos.
La electrnica de potencia es un campo muy
Por otro lado, la figura 1 muestra un grfico que
importante de la energa elctrica ya que, nos ayuda a
compara las capacidades de tensin, corriente y
avanzar en los mtodos de arranques de mquinas
frecuencia de los componentes controlables.
elctricas mediante dispositivos como el variador de
velocidad, el cual se invent tiempo despus de
haberse descubierto la electrnica de potencia, ya que
es un dispositivo que nos permite variar las
frecuencias a utilizar, esto no se poda haber logrado
sin la implementacin de los dispositivos de
electrnica de potencia.
Los componentes electrnicos han venido
evolucionando a travs del tiempo que cada da, ms
pequeos y complejos son los circuitos elctricos,
esto se debe a que los componentes son elaborados
con la finalidad de realizar diversas tareas dentro del
circuito en el caso de los circuitos integrados su
desarrollo ha revolucionado los campos de las
comunicaciones, la gestin de la informacin y la
informtica. Los circuitos integrados han permitido
reducir el tamao de los dispositivos con el
consiguiente descenso de los costes de fabricacin y
de mantenimiento de los sistemas

FUENTES

figura 1. Comparativa de los dispositivos de potencia. Muhammad h. rashid,, Electrnica de potencia,

Por ltimo, la figura 2 muestra algunas posibles
aplicaciones de los distintos dispositivos de electrnica de
potencia.
Figura 2. Aplicaciones de la electrnica de potencia
segn los dispositivos empleados.
Ph.D.,Fellow IEE
Power Electronics: Converters, Applications and
Design, Mohan, Undeland y Robbins, John Wiley &
Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio,
Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil.
Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso
University, Valparaso Indiana. Prentice Hall.