Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
CaracterizareOptica PDF
CaracterizareOptica PDF
Una dintre metodele de caracterizare a straturilor subiri este cea optic, fie c vorbim
despre absorbie, reflexie sau transmisie. Fiecare dintre acestea poate fi folosit pentru
caracterizarea straturilor subiri, iar folosirea uneia sau a alteia dintre proceduri este
ndreptit n funcie de grosimea stratului pe care trebuie s-l caracterizm.
Pentru caracterizarea optic se folosete spectrofotometrul, cel mai utilizat, dar exist
posibilitatea de a folosi i elipsometrul spectroscopic.
Exist dou tipuri de spectrofotometre: cu o singur surs de lumin i cu dou surse
de lumin. n cazul celor din urm, acestea practic compar intensitatea luminoas provenind
de la o proba considerat referin i de la alt prob ce trebuie caracterizat. nainte de a
ncepe caracterizarea propriu-zis este nevoie ca aparatul s fie etalonat, adic s i se spun
care dintre cele dou va fi referin.
Lanul de msur folosit la caracterizarea optic a straturilor subiri este prezentat n
figura 1.
Sursa de lumin folosit trebuie aleas astfel nct domeniul de lungimi de und n
care ea emite s se suprapun ct mai bine cu domeniul de lungimi de und n care absoarbe
proba. n regiunile vizibil i infrarou apropiat, sursele de radiaoe sunt lmpi cu
1
incandescen, iar pentru msurtori n infrarou ndeprtat se folosesc stifturi Nernst, bare
confecionate din oxizi ai diverselor metale, sau stifturi Globar, bare din carbur de siliciu,
nclzite la rou cu ajutorul curentului electric bine stabilizat, iar pentru ultra-violet se
folosesc lmpi cu descrcare n hidrogen, kripton, etc.
Monocromatorul selecteaz din spectrul de emisie al sursei de lumin un domeniu
ngust centrat pe o lungime de und, , care poate fi variat. Raportul / se numete
rezoluia monocromatorului. n fucie de rezoluia dorit i de domeniul spectral cercetat se
pot folosi prisme sau reele de difracie pentru descompunerea spectral a sursei. n regiunea
de ultra-violet ndeprtat sunt utilizate prisme de florur de calciu sau de litiu, n ultra-violet
apropiat sunt utilizate prisme de cuar, iar n vizibil sunt folosite prisme de sticl. Prisma sau
reeaua de difracie se pot roti, diferitele regiuni ale spectrului sursei ajungnd pe rnd n
dreptul fantei de ieire, realizndu-se astfel variaia lungimii de und a luminii la ieirea din
monocromator.
Detectorul radiaiei transmise de proba studiat poate fi un fotomultiplicator, o
fotorezisten sau un fotoelement.
2
Absorbia intrinsec sau fundamental
n cazul acestui tip de absorbie fotonul are o energie suficient pentru a trece un
electron din banda de valen n banda de conducie, deci poate crea o pereche electron-gol.
Pentru semiconductori, atunci cnd energia fotonilor incideni devine egal sau mai mare
dect lrgimea benzii interzise, coeficientul de absorbie crete rapid ntr-un interval
spectral mic, care definete marginea benzii de absorbie intrinsec. Din studiul acesteia se pot
obine informaii att despre lrgimea benzii interzise ct i despre structura benzilor
energetice, adic despre strile electronice de la marginea inferioar a benzii de conducie,
respectv marginea superioar a benzii de valen, dar i despre caracterul i mrimea
probabilitilor de tranziie [1].
O importan major n absorbia intrinsec o are configuraia benzilor energetice ale
semiconductorilor. Pentru semiconductorii cu benzi directe sau aliniate (figura 2a), minimul
benzii de conducie, caracterizat prin vectorul de und kmin i maximul benzii de valen
caracterizat prin kmax sunt dispuse n acelaii punct al zonei Brillouin (de regula n punctul k =
0, astfel nct kmin = kmax). Exemple: InSb, CdS, CdSe, ZnO, etc. n cazul semiconductorilor
cu benzi indirecte sau nealiniate (figura 2b) extremele benzilor de conducie i valen sunt
situate la vectori de und diferii, kmin kmax. Exemple: Ge, Si, n general majoritatea
semiconductorilor.
3
Absorbia intrinsec la tranziii directe
= + (1)
2 2
= 2 (2)
2 2
= + 2 (3)
2 2
Din (2) i (3) rezult: = () () = + (4)
2
mn* m*p
mr* este masa efectiv redus a electronului i a golului (6)
mn* m*p
1 1
Coeficientul de absorbie este: = = = () (7)
1
= este probabilitatea de absorbie a fotonului n unitatea de timp (8)
= este viteza de micare a fotonului n substana cu indicele de refracie , iar
este viteza luminii n vid.
4
( v i )1/ 2
k
*
; d
2
*
mr
1
k dk ; k 2mr* ( g )
1/ 2
(12)
2m p
(2mr* ) 3 / 2
g ( ) P( )( g )1/ 2 (13)
2 2
dp A( g )1/ 2 (14)
(2mr* ) 3 / 2 nr
unde A este o constant a crei expresie este: A P( ) (15)
2 2c
5
starea iniial din BV n starea final n BC, poate avea loc printr-o tranziie direct
urmat de o alt tranziie n care se absoarbe sau se emite un fonon de energie =
.
Ambele procese posibile sunt caracterizate prin legile de conservare a energiei (18),
prima expresie fiind valabil n cazul emisiei unui fonon, iar a doua n cazul absorbiei:
e f i fon
(18)
a f i fon
Coeficientul de absorbie este proporional cu integrala dup toate perechile de stri
posibile dispuse ntre energiile din produsul strilor iniiale i finale, precum i
cu probabilitatea de interacie cu fononii, ( ).
( g fon )
( ) P( N ( g fon i )1 / 2 d i
1/ 2
fon ) i (19)
0
1
fon
unde N fon e kBT 1 este concentraia fononilor. Coeficientul de absorbie se poate scrie
A( g fon ) 2
astfel: a ( ) fon
, pentru g fon . (20)
e kBT 1
Cum probabilitatea de emisie a fononului este proporional cu + 1, coeficientul de
absorbie n cazul tranziiilor cu emisia fononilor, este:
A( g fon ) 2
e ( ) fon (21)
1 e k BT
Deoarece pentru g fon sunt posibile procese att cu emisia ct i cu absorbia
fononilor, coeficientul de absorbie pentru tranziiile indirecte are doi termeni, corespunztori
absorbiei i emisiei fononului.
() a () e () (22)
6
n cazul tranziiilor indirecte, care implic trei particule, electronul, fotonul i fononul,
coeficientul de absorbie a luminii este mai mic dect la tranziiile directe.
Exemple
1,0
0,8
A (u.a.)
0,6
0,4
0,2
1,41 1,44 1,47 1,50 1,53 1,56 1,59
(eV)
Purttorii de sarcin liberi se pot deplasa liber n interiorul unei benzi energetice i pot
fi influenai de aciunea unor factori externi. Absorbia prezint un spectru continuu,
coeficientul de absorbie fiind proporional cu , unde este lungimea de und a radiaiei
incidente, iar = 1,5 3,5 n funcie de mecanismul de mprtiere a purttorilor de sarcin.
Prin absorbia unui foton, electronul trece ntr-o stare cu energie mai mare din aceeai band
energetic, dar tranziiile intraband sub aciunea luminii necesit o interacie suplimentar,
pentru a putea fi ndeplinit legea de conservare a cvasiimpulsului, i anume fie o interacie cu
fononii, fie cu impuritile ionizate. Studiul absorbiei pe purttori de sarcin liberi implic
modele cuantice similare cu cele din cazul tranziiilor indirecte.
9
Coeficientul de absorbie pe purttorii de sarcin liberi va fi proporional cu
concentraia lor i va depinde prin r de mecanismul de mprtiere:
n0 r 2 (28)
n cazul general, coeficientul de absorbie pe purttori liberi se exprim prin suma:
ac op ion dc
(29)
unde ac , op , ion sunt coeficienii de absorbie condiionai de mprtierea electronilor pe
fononii acustici, pe fononii optici i pe centrii de impuriti ionizate. Mrimea dc este legat
de mprtierea electronilor pe defecte complexe care se pot forma la creterea cristalelor, la
prelucrarea mecanic a suprafeei, sub aciunea radiaiilor de mare energie.
n cazul mprtierii purttorilor de sarcin pe fononi acustici = 1/2, iar:
ac Cac 3 / 2 (30)
unde Cac este o constant care nu depinde de lungimea de und a luminii excitante.
Dependena este adevrat pentru cuante de lumin a cror energie este mult mai mare dect
energia termic a electronului, k BT . Dac k BT , atunci pentru orice mecanism
de mprtiere a purttorilor liberi avem o dependen de forma ~ 2 .
La mprtierea pe fononi optici, dac energia cuantelor de lumin este mult mai mare
dect energia medie a electronilor, coeficientul de absorbie va fi:
op Cop 5 / 2 (31)
n semiconductorii dopai ns, rolul cel mai important l joac mprtierea purttorilor
pe impuritile ionizate, caz n care, la frecvene mari se poate scrie relaia:
ion Cion 7/2 (32)
n concluzie, coeficientul de absorbie pe purttori de sarcin liberi, se poate scrie sub
forma general:
Cac 3/2 Cop 5/2 Cion 7/2 (33)
Studiul absorbiei selective pe purttori de sarcin liberi duce la obinerea de informaii
referitoare la structura de benzi energetice din cristale, iar din punct de vedere aplicativ
servete la fundamentarea tehnologiei de construcie a detectorilor i modulatorilor de radiaie
infraroie.
10
Figura 7. Schema optic pentru explicarea teoriei franjelor de interferen
Fasciculul de lumin incident (B) pe strat sub unghiul sufer fenomene multiple de
reflexie i refracie att pe suprafaa superioar ct i pe cea inferioar a stratului. Intensitatea
rezultant a razelor emergente la o anumit lungime de und se exprim n funcie de
diferena de faz dintre razele reflectate la interfaa aer/strat i razele reflectate la interfaa
strat/substrat. Razele reflectate n aer vor interfera, iar dac lungimea de und a luminii
incidente este modificat continuu, atunci cmpul de interferen va fi format dintr-o serie
continu de maxime (interferen constructiv) i de minime (interferena distructiv).
Diferena de drum optic dintre raza incident i cea reflectat are expresia:
2nd cos (34)
2
unde: n este indicele de refracie al stratului, d este grosimea stratului, este unghiul de
refracie i este lungimea de und, iar condiia de maxim va fi:
2nd cos ni (35)
Scriind ultima relaie pentru dou lungimi de und 1 i 2 (1 < 2) i notnd cu N
numrul de franje dintre 1 i 2, se obine relaia pentru grosimea stratului investigat:
N12 C N12 C
d (36)
2n(2 1 ) cos 2(2 1 ) (n 2 sin 2 )
Factorul C 10 /nm permite exprimarea lungimilor de und n nm, iar grosimea
stratului n .
Exemplu
100
ZnO_1
ZnO_2
80
60
T(%)
40
0
11
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
(nm)
Grosimea determinat experimental pentru ZnO_1 a fost de 513 nm, iar pentru ZnO_2 a fost
de 430 nm.
Sfera integratoare
Dac sunt considerate dou suprafee elementare care fac schimb de radiaie, factorul de
schimb, dFd1 d2 , reprezentnd energia care pleac din dA1 i ajunge n dA2 este:
cos 1 cos 2
dFd1 d2 dA2 (37)
S 2
Figura 10. Elementele de arie din interiorul unei sfere cu suprafaa difuz
12
dA2
S 2R cos 1 2R cos 2 de unde reiese c: dFd1 d2 (38)
4R 2
Relaia (38) exprim faptul c fluxul de radiaie primit de suprafaa dA2 , din orice punct al
sferei, este acelai oriunde ar fi localizat aceast arie pe suprafaa interioar a sferei.
Dac suprafaa infinitezimal dA1 schimb radiaie cu o suprafa finit A2 atunci ecuaia (38)
devine:
1 A2 A
2
F12 dA2 2 (39)
4R A2 4R 2
As
Lumina incident pe o suprafa difuz creaz prin reflexie o surs de lumin virtual, iar
radiana suprafeei reprezint densitatea de flux energetic din unitatea de unghi solid. Pentru
obinerea radianei unei sfere integratoare iluminat intern se pleac de la expresia radianei,
L, a unei suprafee difuze pentru un flux incident i.
L i (W/m2/sr) (40)
A
unde: este reflectana, A este aria iluminat i unghiul solid proiectat de suprafa.
Pentru sfera integratoare, expresia radianei trebuie s in seama de reflexiile multiple ale
suprafeei i de pierderile prin orificiile de intrare i ieire ale fluxului luminos. Dac avem o
sfer cu portul de intrare de arie Ai i cel de ieire Ae, cantitatea de flux incident pe ntreaga
suprafa a sferei este:
A Ai Ae
tot i s (41)
As
Dac f Ai Ae As este fracia port atunci cantitatea de flux incident pe ntreaga
suprafaa a sferei, dup o singur reflexie, devine:
tot i 1 f (42)
iar dup a doua reflexie: tot i 2 1 f
2
(43)
iar dup n reflexii: tot i 1 f 1 1 f ... n1 1 f
n1
(44)
ceea ce reprezint o serie de puteri, care prin extindere la infinit i n ipoteza c 1 f 1
duce la:
1 f
tot i (45)
1 1 f
Ecuaia (45) indic faptul c datorit reflexiilor multiple n interiorul cavitii, fluxul incident
total pe suprafaa sferei este mai mare dect fluxul de intrare. Radiana suprafeei sferei este:
i 1 f
Ls i i M (46)
As 1 f 1 1 f As 1 1 f As
Ecuaia (46) este utilizat la determinarea radianei sferei integratoare pentru un flux de
intrare dat, n funcie de diametrul sferei, reflectan i de fracia port. Se observ c radiana
descrete cu creterea diametrului sferei. Factorul adimensional M, se numete factor de
amplificare i modeleaz creterea radianei datorit reflexiilor multiple.
13
M (47)
1 1 f
n cazul unei sfere integratoare reale, distribuia radianei n interiorul acesteia va depinde de
distribuia fluxului incident, de detaliile geometrice ale modelului i de distribuia funciei
reflectan pe nveliul sferei, ca de altfel pe fiecare suprafa a fiecrui dispozitiv montat pe
deschiderea port sau n interiorul sferei.
14