Sunteți pe pagina 1din 6

Lucrarea 1 Electronica de Putere

Dispozitive electronice de putere


Se compar calitile de comutator ale principalelor ventile utilizate n EP i anume
tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si TEC-MOS de putere.
Se vor evalua:
- rezistena si cderea de tensiune pe ventil n starea aprins;
- tensiunea de comand de prag;
- puterea n circuitul de comand pentru starea aprins.

1. Introducere teoretic

1.1. Tranzistoare bipolare de putere


Factorul de amplificare al tranzistorului de putere este mult mai mic dect cel al
tranzistoarelor de mic putere, fiind de ordinul zeci, iar la tensiuni foarte mari sau frecvente
mari poate fi ntre 4 i 10. Deci, pentru controlul unui curent de 100A este nevoie de un curent
de baz de pn la 25A, o valoare mare care implic un circuit de comand complex i scump.
Un alt dezavantaj, tranzistorul bipolar nu are capacitatea de a suporta supracurent.
Avantajul principal este c tensiunea n stare de conducie este mic i nu se modific
mult cu curentul, spre deosebire de tranzistoarele unipolare, deci pierderile de conductie sunt
mai mici.
Pierderile principale sunt la comutaie, cele de la blocare fiind mult mai mari.
Parametrii importani ai unui tranzistor bipolar de putere sunt:
- UCEO tensiunea maxim colector-emitor cu baza n gol
- PD puterea disipat maxim
- hFE factorul de amplificare n curent.
Pentru tranzistoarele de putere punctul de funcionare trebuie s fie n orice condiii n
interiorul unei arii de funcionare sigur, SOA (Safe Operating Area) n planul
caracteristicilor de ieire.

Fig. 1. Arie sigur de funcionare n polarizare direct.

Limitele sunt o dat limitele zonei active, aici primul cadran, apoi limitele maxime
pentru tensiunea colector-emitor i curentul de colector. Mai exista o limit dat de puterea
disipata maxim, PD, numit i hiperbola de disipaie plus o limit caracteristic zonei de
tensiune mare de sub hiperbola de disipaie denumit a strpungerii secundare, fenomenul
care apare mai ales n cazul unor sarcini inductive, fiind distructiv.

-1-
1.2. Tranzistorul Darlington
Un tranzistor Darlington e compus din dou tranzistoare, unul principal, de putere mai
mare i un al doilea de comand, de putere mai mic (figura 2a). Schema intern a unui
tranzistor Darlington existent pe pia poate fi mai complicat i cuprinde diode de protecie
la tensiune invers i rezistene, o variant fiind prezentat n figura 4b.

a) b)
Fig. 2. Tranzistor Darlington

Avantajul principal este ca ofer un factor de amplificare mult mai mare dect
tranzistorul individual i deci curent mic i circuit mai simplu de comand
Dezavantajele sunt o tensiune mai mare n conducie cu 0,8- 1V i timp de comutatie
invers mai mare, deoarece tranzistorul principal ncepe blocarea dupa ce s-a blocat cellalt.

1.3. Tranzistorul MOS de putere


Fa de tranzistoarele MOS de mic putere tranzistoarele MOS de putere sunt realizate
ntr-o structur special care cuprinde i stratul suplimentar slab dopat care permite
funcionarea la tensiune de blocare nalt (figura 3a), pe de alt parte, pentru a putea suporta
cureni mari, sunt foarte multe celule similare conectate n paralel (structur HEXFET).
Constructia implic i existena unei diode parazite care apare i n simbolul tranzistorului
MOS de putere, figura 3b. Dispozitivul MOSFET are din acest motiv o capabilitate asimetric
de blocare a tensiunii. Dioda integrat este caracterizat de o conducie lent i de aceea, n
aplicaiile curente, este conectat o diod rapid extern.

Fig. 3. Tranzistorul MOS de putere: a) simbol; b) structur.

Caracteristica tensiune-curent a tranzistorului are dou regiuni distincte: una n care


rezistena RDS(ON) este constant i a doua n care curentul este constant. Parametrul
RDS(ON) al tranzistoarelor de tip MOSFET este important deoarece determin pierderile n

-2-
conducie. Coeficientul de temperatur pozitiv al rezistenei face ca operaiile cu MOSFET-
uri desfurate n paralel s fie mai uor de realizat.
n timp ce pierderile n conducie ale tranzistoarelor MOSFET sunt semnificative pentru
dispozitive folosite la tensiuni mari, timpii de comutaie sunt foarte mici, cauznd pierderi
mici de comutaie. Tranzistoarele acestea sunt foarte utilizate pentru scheme de comutare la
tensiuni joase, puteri mici i frecvene mari de ordinul sutelor de KHz.
Parametrii principali ai tranzistorulu de putere MOS:
- VTh - tensiunea de prag, (Threshold Voltage) este tensiunea aplicat ntre grila i
surs, pentru care se obine un curent de dren precizat;
- RDS(ON) - rezistena dren-surs n conducie (ON);
- VDSS tensiunea maxim dren surs.

-3-
2. Mersul lucrrii
2.1. Se va realiza circuitul din figura 4. Tranzistorul este BD237 i se va consulta foaia
de catalog pentru identificarea terminalelor (Baza - 1, Colector - 2, Emitor - 3).
RB = 120, RC - 2 rezistene de 4,7 n serie.
Atenie: Deoarece n circuit vor fi cureni de peste 1A, ampermetrul va avea intrarea
la borna de 10A.

Fig. 4. Circuit experimental ventile de putere.


2.2. Pornind de la valoarea 0 se va crete tensiunea Uvar pn cnd curentul prin
dispozitiv va avea valoarea de 0,05A. Se vor nota in tabelul 1 tensiunile Ucom , Uvar i
Udisp.
Observaie: Pentru msurarea tensiunilor voltmetrul va fi initial pe sursa variabila
apoi se va muta in punctele 1 si 2.

2.3. Se va fixa Uvar la 20V i se vor msura Idisp, Ucom Udisp care se vor trece
tabelul 1.

2.4. Se va modifica RC=4,7 i se va repeta punctul 2.3

2.5. Se va modifica RC=2,85(se pun rezistentele in paralel) i se va repeta punctul


2.3

2.6. Se reiau punctele 2.1...2.5 cu tranzistorul Darlington (BD 679)


RB = 10K, RC - 2 rezistene de 4,7 n serie.

2.7. Se reiau punctele 2.1...2.5 cu tranzistorul MOS (06n80c)


. RB = 10K, RC - 2 rezistene de 4,7 n serie

-4-
3. Referat laborator:

Nume Prenume Data Grupa

Dispozitive electronice de putere

Tabel 1. BD237
Tens prag RC=9,4 RC=4,7 RC=2,35
Idisp (A) 0.05
Ucom(V)
Udisp(V) -
Uvar(V) 20 20 20
Pcomanda
Pdisipata -

Pcomanda = Ucom (Uvar- Ucom)/ RB


Pdisipata = Udisp Idisp

Tabel 2. BD679
Tens prag RC=9,4 RC=4,7 RC=2,35
Idisp (A) 0.05
Ucom(V)
Udisp(V) -
Uvar(V) 20 20 20
Pcomanda
Pdisipata -

Tabel 3. 06n80c
Tens prag RC=9,4 RC=4,7 RC=2,35
Idisp (A) 0.05
Ucom(V)
Udisp(V) -
Uvar(V) 20 20 20
Pcomanda
Pdisipata -

Observaii:

-5-
4. Coninutul referatului
4.1. Nume, prenume, data, grupa.
4.2. Tabelele 1-3, completate si cu puterile de comanda si disipata pe tranzistor.
4.3. Caracteristicile grafice Idisp = f(Udisp) pentru cele trei tranzistoare. Cele trei
grafice vor fi trasate pe un aceeai desen.

-6-