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TRANSISTORES (Panormica)

NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)


UNIN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor


TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
Base En principio un transistor bipolar est formado por
dos uniones PN.
(B)
Emisor
Colector Para que sea un transistor y no dos diodos deben
N P N (E) de cumplirse dos condiciones.
(C)
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
C E (Fundamental para que sea transistor).

SMBOLO 2.- El emisor debe de estar muy dopado.


B
Normalmente, el colector est muy poco dopado y
C es mucho mayor.

IMPORTANTE !!!
N- No es un dispositivo simtrico

P N+
Descubiertos por
B E Shockley, Brattain
ASPECTO MAS REAL DE UN y Barden en 1947
TRANSISTOR BIPOLAR (Laboratorios Bell)
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN
C
IC [mA]
B
IB [mA] =
E 30
3000
ZONA DE SATURACIN: = 100 ZONA ACTIVA:
Comportamiento como 2000 20 Comportamiento
interruptor cerrado. como Fuente de
1000 10 Corriente.

0
VCE

ZONA DE CORTE:
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:
Comportamiento
Emisor y colector intercambias papeles. como interruptor
Podemos tener una INVERSA, que en el abierto.
dispositivo ideal consideraremos cero
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I = 100
40 mA

IC
Sustituimos el interruptor principal por
un transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturacin. PF (ON) 3 A ON

Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema lgico.
12 V VCE
Electrnica de Potencia y Electrnica PF (OFF)
digital
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

12 V = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W

IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un transistor. 4A IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al PF (ON) 3 A ON
reves) debe ser suficiente para asegurar
la zona de saturacin. OFF

12 V VEC
PF (OFF)
CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5

Saturacin IB4 PMax = VCEIC

IB3
Avalancha
IB2 Primaria

IB1

VBE IB= 0

1V VCEMax VCE
Caracterstica
Corte
de Entrada
Caracterstica
de Salida
TRANSISTOR BIPOLAR:
PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES

IC
C
IC-MAX Corriente mxima de colector
ICMAX B
VCE-MAX Tensin mxima CE E

PMAX Potencia mxima PMAX

VCE-SAT Tensin C.E. de saturacin SOAR


VCE-MAX
HFE Ganancia

VCE
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
TRANSISTOR BIPOLARES

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
TOSHIBA

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