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Apostilas de Eletrnica e Informtica
Aspctos Construtivos de Transistores
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ligadas do mesmo modo que nos transistores de juno por liga de germnio. O
material usado nas pelotas da liga era alumnio.
TRANSISTORES DIFUNDIDOS
Um transistor NPN de silcio podia ser feito por duas difuses numa fatia
do tipo n que formaria o coletor do transistor completo. A primeira difuso,
formando a base, usava impurezas do tipo p, tais como o boro ou glio, e cobria
toda a superfcie da fatia. A segunda difuso formava o emissor, difundindo
impurezas do tipo n, tais como fsforo ou arsnico na regio da base j
difundida. As ligaes eltricas da base foram feitas fazendo-se a liga dos
contatos de retificao atravs do emissor base, Um refinamento deste
processo de fabricao usado atualmente nos transistores de silcio de alta
potncia. A descoberta de que o xido de silcio termicamente crescido sobre a
superfcie da fatia podia formar uma barreira para a difuso, e assim podia ser
usada para definir as regies de impureza, deu ensejo ao aparecimento de uma
nova tcnica de fabricao de transistores - o processo planar.
TRANSISTOR PLANAR
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potncia nas
radiofreqncias. E foi o processo
planar que tornou o mais
importante dispositivo
semicondutor dos dias de hoje - o
circuito integrado.
O princpio do
processo planar a difuso de
impurezas nas reas de uma fatia
de silcio definidas pelas
janelas numa camada de xido de
cobertura. Os vrios estgios na
fabricao de um transistor NPN planar de silcio so mostrados na Figura 8.42.
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O transistor planar possui vantagens sobre o tipo de juno por liga alm
do custo mais baixo pela fabricao de produo em massa. Durante cada
progresso da difuso, uma camada de xido crescida sobre as transies da
juno, a qual no perturbada durante os processos subseqentes de difuso
e de montagem. Assim, a juno coletor-base, uma vez que ela seja formada
vedada pela camada de xido, no pode ser facilmente contaminada pela
difuso do emissor, teste e encapsulamento, ou durante o tempo de vida do
transistor em servio. Os efeitos de carga que ocorrem nas superfcies expostas
dos dispositivos semicondutores so minimizados, dando aos transistores
planares caractersticas estveis e mxima confiabilidade, Alm disso, a difuso
um processo que pode ser precisamente controlado, e portanto o
espaamento entre as trs regies do transistor pode ser mantido numa
tolerncia inferior a 0,1 Pm.
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TRANSISTOR DE UNIJUNO
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A juno pn do emissor
representada no circuito equivalente pelo
dodo. Quando a tenso VE do emissor for nula, o dodo ser polarizado
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TRANSISTOR GTO
Acionamento
Figura 1
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DESLIGAMENTO
Figura 2
Figura 3
Transistor IGBT
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Operao:
Operao de Bloqueio: O estado ligado /desligado do aparelho controlado,
como em um mosfet, pela tenso no gate VG. Se a tenso aplicada no contato
gate, em relao ao emissor, menor que a tenso inicial, ento nenhuma
camada de inverso mosfet criada e o aparelho desligado. Quando esse o
caso, qualquer tenso aplicada ir cair atravs da juno J2 reversamente
polarizado. A nica corrente que ir fluir ser uma pequena corrente de fuso da
camada formada sobre o gate que faz um canal ligando a fonte regio drift do
aparelho. Eltrons ento so injetados da fonte para a regio drift, enquanto ao
mesmo tempo, a juno J3, que diretamente polarizada, injeta buracos na
regio drift dopada de N-.
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