Sunteți pe pagina 1din 51

6.

FIZICA CORPULUI SOLID

6.1. Oscilaiile reelei cristaline


6.1.1. Reeaua cristalin. Indicii Miller

Majoritatea corpurilor solide ntlnite n natur sunt cristaline, caracterizndu-se


printr-o aranjare spaial regulat a atomilor sau moleculelor. n afar de corpurile solide
cristaline n natur mai exist o categorie de corpuri solide care au o aezare dezordonat a
atomilor i moleculelor, numite corpuri amorfe. Spre deosebire de solidele cristaline,
solidele amorfe se caracterizeaz prin izotropia proprietilor fizice (independena de
direcie a acestor proprieti) i nu au o temperatur de topire bine determinat.
Energia liber a substanei solide are valoarea minim absolut n starea solid
cristalin. Aezarea spaial ordonat a atomilor sau moleculelor ntr-un solid cristalin
determin proprieti de periodicitate n sensul c deplasndu-se dup o direcie care trece
prin cel puin doi atomi, ntlnim mereu ali atomi situai la distane egale. Aceast aezare
periodic a atomilor sau moleculelor n spaiu determin o anizotropie a proprietilor
fizice cum sunt conductibilitatea electric i termic, proprietile optice, modulul de
elasticitate i chiar anizotropia formei exterioare a corpului solid.
n studiul structurilor cristaline se folosesc noiunile de reea i baz. Reeaua se
definete ca mulimea punctelor discrete din spaiu, determinate de vectorul
r r r r
Rn = n1a1 + n2 a 2 + n3 a3 (6.1)
r r r
unde n1 , n2 , n3 sunt numere ntregi, iar a1 , a 2 i a3 sunt trei vectori necoplanari numii
vectori fundamentali ai reelei. Reeaua plus baza genereaz structura cristalin. Observm
c o retea infinit prezint proprietatea de invarian la operaia de translaie discret prin
care reeaua coincide cu ea nsi. Punctele definite de relaia (6.1) se numesc nodurile
reelei. Plasnd n fiecare nod al reelei un atom sau un grup de atomi, atribuim reelei o
r r r
baz, obinnd un crital ideal. Marimile a1 , a 2 , a3 se numesc constantele reelei pe
direciile respective. Punctele reelei care difer printr-un vector al reelei se numesc
puncte echivalente. Celula elementar este aceea regiune din reea cu ajutorul creia se
contruiete prin translaie, dup cele trei direcii, ntreaga reea. Dac celula elementar
conine un singur nod, ea se numete celula primitiv. Trebuie menionat c nodurile din
vrfurile unei celule particip la opt celule. Celula asimetric (n general neprimitiv) este
acea celul care posed numrul maxim de elemente de simetrie ale reelei respective, cum
sunt axele de rotaie, planele de reflexie, inversie i combinaii ale acestora.
Se poate arta c simetria de translaie impune existenta unor anumite tipuri de axe
de rotaie. Definind un plan cristalin ca planul ce conine cel puin trei noduri ale reelei
(deci conine o infinitate de noduri), alegem o ax de rotaie C n perpendicular pe plan n
punctul O (fig. 6. 1), care n general nu este un nod al reelei. Fie P nodul cel mai apropiat

de O n acest plan. Pentru a gsi un alt nod al reelei P rotim OP = d n jurul lui O cu

unghiul 0 . Vectorul PP' este un vector al reelei de forma (6. 1). Construind
paralelogramul OPPO, punctele O i O sunt echivalente i sunt separate printr-un vector
de mrime egal cu PP' . Prin urmare prin O trece o ax de rotaie echivalent cu cea care
trece prin O. Rotind O' P' n jurul lui O cu unghiul ( 0 ) nodul P coincide cu nodul
P" . Deoarece P este nodul cel mai apropiat de O fie coincide cu O (i n acest caz, O este
FIZICA CORPULUI SOLID

un nod al reelei), fie cade pe un nod situat pe prelungirea segmentului PO. Din fig. 6. 1 se
observ c:
0
PP' = 2d sin (6.2)
2
i
0
PP" = 2PP' sin = 2d (1 cos 0 ) = nd , (6.3)
2
2n
unde n este ntreg. Deoarece cos 0 1 rezult c 1 , astfel c n poate avea
2
2n 2n
numai valorile 0, 1, 2, 3, 4 (condiie care rezult din 0 , sau n 0 i 1 ,
2 2
sau n 4 ). Atunci,
2n 1 1
cos 0 = = 1, , 0, , 1. (6.4)
2 2 2

Fig. 6. 1. Determinarea numrului axelor de rotaie.

2 2 2 2
Prin urmare, unghiul 0 poate avea numai valorile 0, , , , . Rezult
6 4 3 2
c singurele axe de rotaie C n permise n reea sunt cele cu n = 1, 6, 4, 3, 2.
Reelele Bravais tridimensionale se deosebesc unele de altele prin mrimea relativ
r r r
a vectorilor fundamentali a1 , a 2 , a3 prin unghiurile dintre acetia ij (fig. 6. 2).

Fig. 6. 2. Celula elementar tridimensional.

Volumul celulei elementare este:


r r r
V = a1 (a 2 a 3 ) . (6.5)

338
FIZIC

Exist 14 reele Bravais tridimensionale distribuite n 7 sisteme cristaline numite i


singonii (fig. 6. 3).
1) Sistemul triclinic se construiete pornind de la reeaua oblic, aeznd planele astfel
nct nodurile din planele succesive s nu se afle pe aceeai vertical. n acest caz,
r r r
a1 a 2 a 3 i 12 23 31 90o . O analiz mai detaliat arat c n acest fel
putem construi o singur reea, numit triclinic simpl. Celula elementar este un
paralelipiped oblic cu baza un paralelogram (fig. 6. 3. 1).
2) Sistemul monoclinic (fig. 6. 3. 2) conine dou tipuri de retele Bravais: reeaua
monoclinic simpl (fig. 6. 3. 2 a)) i reeaua monoclinic cu volum centrat (fig. 6. 3. 2
b)), ambelele construite pe baza reelei plane oblice. La prima, nodurile din planele
succesive se afl pe aceeai vertical, n timp ce la cea de-a doua, nodurile din planul
urmtor se afl deasupra centrelor paralelogramelor din planul precendent.

Fig. 6. 3. Reelele Bravais tridimensionale.


r r r
Celula elementar a reelei monoclinice se caracterizeaz prin a1 a 2 a 3 i
12 23 = 31 = 90 o (paralelipiped drept cu baza paralelogram). Reeaua monoclinic

339
FIZICA CORPULUI SOLID

cu volum centrat apare ca o reea complex coninnd dou noduri n celula elementar (de
notat c nodurile din coluri contribuie cu 1/8 din celula respectiv, acestea aparinnd la
opt celule vecine). Se poate alege o celul elementar primitiv, ca cea din fig. 6. 3. 2 a))
de form romboedric. Se poate arta c reeaua monoclinic cu volum centrat este
echivalent cu reeaua monoclinic n care dou fee dreptunghiulare opuse sunt centrate.
3) Sistemul ortorombic (ortogonal sau rombic) avnd ca celul un paralelipiped drept cu
r r r
baza dreptunghiular ( a1 a 2 a 3 i 12 = 23 = 31 = 90 o ) conine patru tipuri de
reele Bravias (fig. 6. 3. 3):
- ortorombic simpl (fig. 6. 3. 3 a), care se construiete pornind de la reeua plan
dreptunghiular, aeznd nodurile pe aceeai vertical;
- ortorombic cu volum centrat (fig. 6. 3. 3 b)) se construiete din reeaua plan
dreptunghiular, nodurile din planele succesive aezndu-se deasupra centrelor
dreptunghiurilor din palnul precendent. i n acest caz celula elemntar apare complex,
ns, se poate alege o celul primitiv romboedric;
- ortorombic cu baza centrate (fig. 6. 3. 3 c)) se construiete pornind de la reeua
plan rombic, astfel ca nodurile din planele succesive s fie unele deasupra altora. Aceast
reea apare ca reea complex cu dou noduri pe celula elemntar (nodurile de pe fee
contribuie la celul cu 1/2), dar se poate construi i o celul primitiv;
- ortorombic cu fee centrate (fig. 6. 3. 3 d)) se construiete pornind de la reeaua
rombic, plasnd nodurile n plane succesive. Aceast reea apare de asemenea, complex,
cu patru noduri pe celula elemntar, celula primitiv romboedric putnd fi aleas n mai
multe feluri.
4) Sistemul hexagonal se construiete pornind de la reeua plan hexagonal prin aezarea
nodurilor din planele succesive unele deasupra altora. Sistemul conine o singur reea
r r r
Bravais (hexagonal simpl) caracterizat prin a1 = a 2 a 3 i 12 = 60 o (sau 1200) i
23 = 31 = 90 o (fig. 6. 3. 4).
5) Sistemul romboedric sau trigonal se construiete pornind tot de la reeaua plan
rombic, plasnd nodurile din planele succesive deasupra romburilor din palnele
r r r
precedente, astfel ca a1 = a 2 = a 3 i 12 = 23 = 31 90 o . Sistemul conine o
singur reea Bravais, trigonal simpl. Putem s ne imaginm generarea acestui sistem
prin deformarea unui cub dup diagonala principal (fig. 6. 3. 5).
6) Sistemul tetragonal sau ptratic, avnd ca celul o prism dreapt cu baza ptrat
r r r
( a1 = a 2 a 3 i 12 = 23 = 31 = 90 o ) se genereaz pornind de la reeaua plan
ptratic n dou variante (fig. 6. 3. 6):
- tetragonal simpl (fig. 6. 3. 6 a)) n care nodurile din planele succesive se aeaz
unele deasupra altora;
- tetragonal cu volum centrat (fig. 6. 3. 6 b)) n care nodurile din planele succesive
se aeaz deasupra centrelor ptratelor din planele precendente. Aceast reea apare drept
complex, cu dou noduri pe celula elementar, ns o celul primitiv se poate alege sub
forma unu romboedru.
r r r
7) Sistemul cubic ( a1 = a 2 = a 3 i ij = 90 o ) se genereaz pornind de la reeaua plan
ptrtic. Conine trei tipuri de reele Bravais (fig. 6. 3. 7):
- cubic simpl (fig. 6. 3. 7 a)),
- cubic cu volum centrat (fig. 6. 3. 7 b)),
- cubic cu fee centrate (fig. 6. 3. 7 c)).

340
FIZIC

Ultimele dou reele se construiesc la fel ca n cazul sistemului ortoromic. Acestea


apar drept complexe, cu 2 i respectiv 4 noduri pe celula elementar, iar celulele primitive
sunt romboedre. Se poate arta c aceste 14 reele sunt singurele reele Bravais
tridimensionale. Modificarea uneia din ele, prin adugarea de noduri pe fee, pe muchii sau
n centrul celulei, conduce la o alt reea Bravais din cele 14 descrise. De exemplu, dac la
reeaua monoclinic simpl se adug noduri n centrele bazelor se obine o alt reea
monoclinic simpl, prin realegerea convenabil a celulei elementare (fig. 6. 4).

Fig. 6. 4. Adugarea de noduri suplimentare pe bazele unei celule monoclinice simple conduce la o
alt celul monoclinic simpl.

Reelele Bravais spaiale se pot genera unele din altele prin deformarea pe diferite
direcii. O direcie n cristal este determinat de dreapta care conine cel puin dou noduri
ale reelei. Planul cristalin este planul determinat de trei noduri ale reelei. Datorit
simetriei de translaie, direcia i planul conin o infinitate de noduri.
O direcie cristalin se definete prin indicii ntregi [n1 n 2 n3 ] astfel ca vectorul de
poziie al nodului cel mai apropiat, situat pe direcia respectiv, fa de alt nod luat ca
origine, s fie:
r r r r
Rn = n1 a1 + n 2 a 2 + n3 a 3 . (6. 6)
Ca urmare, direcia cristalin se poate defini prin tripletul de numere n1 , n 2 , n3 ,
prime ntre ele. De exemplu, pentru sistemul cubic, nodul de coordonate 2,2,4 2,2, 4
se gsete pe direcia [11 2 ] , fa de axele cubice, n urma simplificrii prin divizorul
comun 2. Direciile echivalente n reea se noteaz n1 n 2 n3 . Astfel, diagonalele feelor
unui cub formeaz mulimea de 24 direcii echivalente, care se noteaz 110 . Diagonalele
cubului formeaz mulimea direciilor echivalente notate 111 .
Planele cristalografice se noteaz cu ajutorul indicilor Miller (h k l ) . Considernd
planul care taie pe axele cristalografice segmentele p1 , p2 , p3 , n uniti de constant de
r r r
reea a1 , a 2 , a 3 se calculeaz rapoartele inverselor acestor numere i astfel se
determin cele mai mici trei numere ntregi h, k , l care se afl n acelai raport:
1 1 1
h:k :l = : : . (6. 7)
p1 p 2 p 3
De exemplu, planul care taie axele cristalografice n punctele de coordonate 1, 2, 4
este determinat de indici Miller:
1 1 1 4 2 1
h:k :l = : : = : : , (6. 8)
1 2 4 4 4 4
adic h = 4, k = 2, l = 1 . Pentru planul care taie axele n punctele 1, 1 / 2, 1 / 3, se obine:

341
FIZICA CORPULUI SOLID

1 2 3
h:k :l = : : , (6. 9)
1 1 1
adic
h = 1; k = 2; l = 3 . (6. 10)
n raport cu axele cubice, o fa a unui cub (de exemplu planul z = 0 ) se noteaz cu
(100). Dac planele cristaline sunt paralele cu una din axele cristalografice, atunci, dup
cum rezult din relaia (6.7) indicii Miller respectivi sunt zero, deoarece planele taie axele
la infinit. Planele echivalente se noteaz cu {h k l} . De exemplu, toate feele unui cub se
noteaz cu {100}. Cteva tipuri de plane ale sistemului cubic sunt prezentate n fig. 6. 5.

Fig. 6. 5. Plane cristaline n sistemul cubic.

6.2. Studiul experimental al structurii cristaline


6.2.1. Difracia pe cristale
Iradierea unei reele cu o radiaie de o anumit lungime de und , duce la apariia
figurilor de difracie, adic a unui sistem de maxime i minime ale intensitii radiaiei
difractate. Condiia de maxim a intensitii este ca diferena de drum a dou raze difractate
s fie un multiplu ntreg al lungimii de und (fig. 6. 6). Dac n i n sunt versorii direciilor
de propagare ale fasciculului incident i difractat rezult:
r r r r
BO + OC = n a1 + n 'a1 = g1 (6.11)
r
unde a1 este un vector fundamental al reelei cristaline, iar g1 este un ntreg. Pentru cele
trei direcii cristalografice, condiiile de maxim sunt:
r r r
a1 ( n ' n ) = g1,
r r r
a 2 (n ' n ) = g 2 , (6.12)
r r r
a3 (n 'n ) = g 3 ..

Fig. 6. 6. Reprezentarea schematic a difraciei pe o reea cristalin.

Relaiile (6.12) se numesc ecuaiilei Laue. ntruct n prima relaie (6.12),

342
FIZIC

r r
a1 n ' = d cos (6.13)
2
i
r r
a1 n = d cos (6.14)
2
astfel c aceasta devine:
2d sin = n , (6.15)
relaie numit relaia Bragg i unde d este distenta dintre planele cristaline. Radiaia
( )
r r
electromagnetic incident poate fi descris printr-o und plan de forma exp i r ,
r
unde este vectorul de und, care indic direcia de propagare, astfel:
r
r 2 r r
= = i n = = . (6.16)
2
Deoarece difracia este un proces de interacie elastic a radiaiei cu reeaua
cristalin, rezult c lungimea de und a radiaiei incidente este egal cu cea a radiaiei
difractate, sau = ' . n acest caz ecuaiile Laue (6.12) pot fi scrise sub forma:
r r r r r r r r r
a1 (') = 2g1 , a 2 (') = 2g 2 , a3 (') = 2g 3 . (6.17)
Relaiile (6.17) mai pot fi scrise i sub form condensat:
r r
a i 0 = 2g i , (6.18)
unde
r r r
0 = '. (6.19)
Dac se nmulete relaia (6.19) cu h rezult
r r r
h ' = h + h 0 (6.20)
r r r
care apare ca o lege de conservare a impulsului fotonului p = h n cristal. Vectorul 0
poart numele de vectorul reelei reciproce. Vectorii fundamentali ai reelei reciproce sunt
r r r
definii cu ajutorul vectorilor fundamentali a1 , a 2 i a3 sub forma:
r r r r r r
r a 2 a3 r a 3 a1 r a1 a 2
b1 = 2 , b2 = 2 , b3 = 2 , (6.21)
V0 V0 V0
r r r
unde V0 = a1 (a 2 a 3 ) este volumul celulei elementare a reelei directe. Se observ c:
r r
a i b j = 2 ij , (6.22)
unde ij este simbolul lui Kroenecker. Mulimea punctelor definite de vectorul
r r r r
0 = g1b1 + g 2 b2 + g 3 b3 , (6.23)
unde g1 , g 2 , g 3 sunt numere ntregi i definesc reeua reciproc. Ridicnd la ptrat relaia
(6.20) i innd cont c = ' rezult relaia:
r r r r r
2 0 + 02 = 0 sau 2 + 0 = 0 , (6.24)
care apare ca o condiie de difracie.

6.2.2. Studiul structurii cristaline prin difracie de raze X

Cu ajutorul razelor X se pot determina: elementele de simetrie i tipul structurii,


fazele cristaline, distanele dintre planele cristaline, orientarea cristalelor, compoziia (prin

343
FIZICA CORPULUI SOLID

fluorescen de raze X), gradul de cristalinitate, mrimea cristalelor n materiale


policristaline, etc. Pentru studiul structurii cristaline prin difracie de raze X se folosesc trei
metode: metoda Laue, metoda cristalului rotitor i metoda pulberilor cristaline.

a) Metoda Laue const n iradierea unui monocristal de dimensiuni mici (~1mm) cu raze
X avnd un spectru continuu. Razele X ptrund adnc n solide i sunt mprtiate de
electronii pturilor atomilor de pe planele cristaline. Din aceast cauz studiul structurii
prin difracie de raze X d rezultate mai bune la elemente mai grele, cu mai muli electroni.
Cristalul este fixat pe un suport, goniometru, care permite orientarea lui sub diferite
unghiuri fa de fasciculul incident. Figura de difracie este nregistrat pe o plac
fotografic i se prezint sub forma unor pete situate pe elipse cu axa mare comun, care
trec prin pata central. Aceste pete corespund maximelor de interferen ale razelor
reflectate de diferite plane care selecteaz din spectrul continuu anumite lungimi de und,
conform relaiei Bragg (6. 15). Prin aceast metod nu se poate determina distana d hkl
ntre planele {hkl} , deoarece maximele de interferen pot proveni de la mai multe familii
de plane. Metoda este util pentru determinarea orientrii planelor cristaline i a simetriei
reelei. Simetria figurii de difracie pstreaz simetria reelei, ceea ce permite determinarea
sistemului cristalin respectiv, prin orientarea cristalului cu diferite unghiuri fa de
fasciculul incident. Astfel, dac figura de difracie prezint axe de simetrie de ordinul 4,
sistemul cristalin va fi tetragonal, iar dac prezint i axe de ordinul 3, sistemul va fi cubic.
n sfrit, dac se gsete o ax de simetrie a figurii de difracie de ordinul 6, sistemul va fi
hexagonal. Din simetria figurii de difracie se poate determina totodat i orientarea
cristalului.

b) Metoda cristalului rotitor. n aceast metod se utilizeaz o radiaie X monocromatic


ce cade pe un monocristal de dimensiuni mici ( ~ 1mm) introdus ntr-o camer de difracie
cilindric. Monocristalul este fixat pe un suport care se rotete n jurul unei axe
perpendiculare pe fasciculul incident, razelor difractate fiind nregistrate pe un film aplicat
pe pereii cilindrului. Petele de difracie obinute sunt dispuse pe cercuri determinate de
intersecia fasciculului difractat pe pelicula fotografic.
n fig. 6. 7 este prezentat schematic filmul desfurat cu figura de difracie.
Deoarece prin rotaie nu orice unghi satisface relaia Bragg, figura de difracie este format
din pete (i nu din linii continue), obinute prin reflexie pe plane cristaline care, rotindu-se,
satisfac aceast relaie la fiecare rotaie cu radiani. Astfel, pentru o orientare oarecare a
planului de difractie fat de fascicul, apar patru pete de difracie la o rotaie complet.

Fig. 6. 7. Figur de difracie obinut prin metoda cristalului rotitor.


r
Pentru o direcie cristalografic oarecare w , ecuaiile Laue (6.12) se scriu:
r r r
w (n 'n ) = w(cos cos 0 ) = g (6.25)

344
FIZIC

r
unde w este perioada pe direcia w , iar i 0 sunt unghiurile dintre aceast direcie i
fasciculul difractat, respectiv incident. Dac fasciculul incident este perpendicualar pe
r
direcia w , atunci 0 = i relaia (6.25) pentru fasciculul difractat, devine:
2
w cos = g , (6.26)
care este ecuaia unui con cu unghiul la vrf egal cu 2 .
Metoda cristalului rotitor permite determinarea perioadelor cristalului, a
constantelor de reea i a elemntelor de simetrie. De exemplu, pentru un cristal cubic cu
r
axa a3 paralel cu axa de rotaie (fig. 6. 8), adic w = a 3 = a (latura cubului), condiia
(6.26) se scrie:
a3 cos = S e , (6.27)
S
unde = i tg = e . Cunoscnd lungimea de und se poate determina
2 R
constanta reelei.

Fig. 6. 8. Reprezentarea schematic a metodei cristalului rotitor.

c) Metoda pulberilor (Debye-Scherrer). n aceast metod, cel mai frecvent, radiaia


monocromatic cade asupra unei pulberi de cristalite fine. Datorit orientrii haotice a
cristalelor, vor exista ntotdeauna anumite plane cristalografice care ndeplinesc condiia
Bragg. Acelai plan se va gsi ntr-o mulime de alte cristalite situate n jurul razei
incidente orientate la unghiul de difracie fat de aceasta, ca i cum planul respectiv se
rotete n jurul razei incidente. Astfel, razele difractate se vor gsi pe generatoarea unui con
care se intersecteaz cu filmul fixat pe pereii camerei, sub forma unor arce (fig. 6. 9 a), b))
simetrice fat de pata central, corespunztoare radiaiei nedifractate transmise. Pe film se
observ att razele difractate nainte ct i cele difractate napoi.

Fig. 6. 9 a), b). Reprezentarea schematic a metodei pulberilor.

345
FIZICA CORPULUI SOLID

Metoda pulberilor permite determinarea parametilor celulei elemntare, simetria


structurii cristaline, defecte, etc. De exemplu, pentru determinarea distanei interplanare i
a constantei de reea la un cristal cubic, se procedeaz astfel: se msoar pe diagrama
Debye-Scherrer distana 2 S e ntre arcele simetrice fa de pata central (fig. 6. 10) i dac
2S e
R este distana de la prob la film, iar este unghiul de difracie, atunci: = .
4R

Fig. 6. 10. Determinarea distanei interplanare i a constantei reelei.

Gsind unghiurile pentru diferite linii de difracie, din relaia lui Bragg se
determin o serie de distane interplanare
n
d= , (6.28)
2 sin
ceea ce permite indexarea rntgenogramelor, adic identificarea planelor cristaline.

6.2.3. Capacitatea caloric a cristalelor

Teoria Einstein. Conform teoriei clasice un cristal care este format din N atomi are 3 N
1
grade de libertate de oscilaie, fiecruia corespunzndu-i o energie medie kT ( kT sub
2
1
form de energie cinetic i kT sub form de energie potenial). Astfel, energia intern
2
a unui cristal, calculat n cadrul teoriei clasice, este egal cu:
E i = 3 NkT = 3RT , (6.29)
iar capacitatea caloric la volum constant:
E
CV = i = 3 R , (6.30)
T V
aceasta reprezentnd coninutul legii experimentale Dulong-Petit. Aceast lege este
verificat doar la temperaturi n jurul lui 300 K. La temperaturi apropiate de 0 K,
capacitatea caloric scade cu temperatura astfel ca la T = 0 K i CV = 0 . Valoarea kT
pentru energia medie a micrii oscilatorii a fost obinut presupunnd c energia
oscilatorului armonic poate avea un spectru continuu. n cazul cuantic, energia de oscilaie
este cuantificat, astfel c energia medie, calculat pentru oscilatorul armonic este:
1 h
W = h + . (6.31)
2 h
exp 1
kT

346
FIZIC

Teoria capacitii calorice a corpului solid, innd cont de cuantificarea energiei de


oscilaie a fost elaborat de A. Einstein n 1907 i mbuntit de P. Debye n 1912.
A. Einstein a considerat c reeaua cristalin format din N atomi este echivalent
cu 3 N oscilatori independeni, cu aceeai frecven proprie . Existena energiei de zero
a fost stabilit ulterior, doar dup formularea coerent a mecanicii cuantice. Dar, n ceea ce
privete capacitatea caloric la volum constant rezultatul nu este influenat de existena
energiei de zero, deoarece aceasta nu depinde de temperatur. n aceast ipotez, energia
intern a cristalului se obine nmulind cu 3 N membrul drept al relaiei (6.31), adic:
3 3 Nh
Ei = Nh + , (6.32)
2 h
exp 1
kT
iar capacitatea caloric este:
h
3 Nh 2 2 exp
E kT .
CV = i = (6.33)
T V 2 h
2
kT exp 1
kT
Considerm cele dou cazuri limit ale relaiei (6.33):
a) kT >> h , adic cazul temperaturilor nalte. n acest caz putem face aproximaia
h h
exp 1 + , (6.34)
kT kT
astfel c relaia (6.34) devine:
3Nh h
CV 2
= 3Nk = 3 R,
h kT 2
1 + + K 1
kT (6.35)
care este chiar legea Dulong-Petit.
b) h >> kT , adic cazul temperaturilor coborte. n acest caz putem neglija unitatea n
comparaie cu exponeniala la numitorul relaiei (6.32) i rezult:
h
3 Nh exp
kT h 3 Nh 2 2 h
CV 2 = exp . (6.36)
2h kT kT 2
kT
exp
kT
Factorul exponenial din relaia (6.36) variaz mult mai rapid dect T 2 , astfel c
pentru T 0 expresia (6.36) tinde la zero ca un factor exponenial. Experiena arat ns
c, n apropierea valorii T = 0 K, capacitatea caloric a cristalelor variaz cu T 3 i nu
exponenial. Rezult c teoria Einstein ne d doar calitativ comportarea corect a
capacitii calorice la temperaturi sczute. P. Debye a elaborat o teorie care este n
concordan cu experiena i cantitativ, la orice temperatur.

Teoria Debye. P. Debye a inut cont c oscilaiile atomilor dintr-o reea cristalin nu sunt
independente. Deplasarea unui atom fa de poziia sa de echilibru are ca efect deplasarea
i a celorlali atomi vecini. Oscilatorii sunt cuplai i n cristalul format din N atomi legai
elastic apar unde staionare, care pot avea doar anumite frecvene (moduri de oscilaie).

347
FIZICA CORPULUI SOLID

Dac se consider un cristal de form paralelipedic cu lungimile laturilor a, b i


d , atunci se formeaz unde staionare de-a lungul celor trei direcii dac sunt ndeplinite
condiiile:
x y
a = n1 , b = n2 , d = n3 z , (6.37)
2 2 2
sau
2 2 2
x = = n1 , y = = n2 , z = = n3 , (6.38)
x a y b z d
unde x , y , z sunt componentele vectorului de und
r r r r
= xu x + yu y + zu z , (6.39)
iar x , y , z sunt lungimile de und corespunztoare propagrii oscilaiilor de-a lungul
celor trei direcii. Deoarece n1 , n2 i n3 sunt numere ntregi, se observ c
n1 = n 2 = n3 = 1 , (6.40)
iar

x = ; y = ; z = . (6.41)
a b d

n spaiul lui = cu axele x , y , z se poate calcula numrul nodurilor de
V
oscilaie (frecvenelor) mprind volumul sferei de raz la volumul unei celule
1
x y z i lund din numrul rezultat, care corespunde numrului de frecvene de
8
oscilaie pentru care toate componentele x , y , z sunt pozitive. Astfel:
3
1 4 v 3 3
N= = V , (6.42)
8 3 6 2 v 3

a b d
iar numrul de moduri de oscilaie din unitatea de volum i din intervalul d din jurul
valorii este:
2 d
dN 0 = , (6.43)
2 2 v 3
unde v este viteza de faz a undei prin cristal. n relaia (6.43) nu s-a inut cont de tipurile
de polarizare posibile ale undei. ntr-un mediu solid se pot propaga trei unde diferite, cu
aceeai frecven . Aceste unde difer ca direcie de polarizare: una este longitudinal i
1
dou sunt transversale, cu direcii de oscilaie perpendiculare. Astfel, n locul lui
v3
trebuie scris:
1 2 3
+ = , (6.44)
v II3 v 3 v3
unde s-a considerat cristalul izotrop, adic v II = v .
Pe baza celor prezentate mai sus relaia (6.43) devine:

348
FIZIC

3 2 d
dN 0 = . (6.45)
2 2 v 3
Se poate calcula frecvena maxim de oscilaie a modurilor de oscilaie ale reelei,
egalnd numrul total de oscilaii cu numrul de grade de liberate, care, pentru unitatea de
volum, este egal cu 3n , unde n este concentraia de atomi din cristal, adic:
max
32 3max
3n = dN 0 = d = , (6.46)
0 2 2 v 3 2 2 v 3
de unde:
max = v3 6 2 n (6.47)
Conform relaiei (6.47) rezult c lungimea de und minim a undelor excitate ntr-
un cristal este:

2v 2 4
min = 3 3 2d , (6.48)
max 2n n
rezultat n concordan cu faptul c undele a cror lungime de und este mai mic dect
dublul distanei interatomice (d ) nu au semnificaia fizic. Eliminnd viteza ntre relaiile
(6.45) i (6.47) se obine urmtoarea expresie pentru numrul de oscilaii din unitatea de
volum i unitatea de intervalul de frecvene d din jurul valorii :

2 d
dN 0 = 9n . (6.49)
3max
Energia intern a unitii de volum de cristal se calculeaz cu ajutorul relaiei:

max
E iV = W dN 0 , (6.50)
0
unde W este dat de relaia (6.31). Pentru ntreg cristalul de volum V , unde nV = N ,
energia intern se poate exprima sub forma:

max max
9N 1 h + h 2 d = E + 9Nh 3
Ei =
3max
2 h
i0
3 h d (6.51)
0
exp 1 max 0 exp 1
kT kT
n relaia (6.50)
9 3
Ei0 = Nhmax = 3 N hmax (6.52)
8 8
reprezint energia de zero a cristalului. Capacitatea caloric a cristalului se obine
derivnd relaia (6.51) n raport cu temperatura:
h
2 max exp 4 d
9 Nh kT
CV =
3max kT 2
2
. (6.53)
0 h
exp kT 1

Introducnd temperatura Debye:

349
FIZICA CORPULUI SOLID

hmax
= (6.54)
k
h
i fcnd schimbarea de variabil x = , relaia (6.53) poate fi scris sub forma:
kT
x 4 (exp x )dx
3 xmax
T
CV = 9 Nk

(exp x 1)2 , (6.55)
0
unde
hmax
xmax = = . (6.56)
kT T
n cele ce urmeaz se consider dou cazuri particulare.
h
a) kT >> h . n acest caz, << 1 i se poate dezvolta n serie exponeniala:
kT
h h
exp 1 + , (6.57)
kT kT
astfel c:
max
9 Nh kT 3
Ei = Ei +
3max
h
d =E i 0 + 3 NkT , (6.58)
0
iar
E
CV = i = 3 Nk = 3R; (6.59)
T V

2) kT << h . n acest caz, xmax = , deoarece T << . Astfel, integrala din
T
relaia (6.55) este o constant i CV variaz proporional cu T 3 . Aceast aproximaie este
cunoscut sub denumirea de legea Debye. Comparnd relaia (6.59) cu rezultatele
experimentale se constat c legea Debye caracterizeaz corect variaia capacitii calorice
cu temperatura doar pentru reelele cristaline formate din elemente sau compui simpli.
Formula nu poate fi aplicat corpurilor cu o structur mai complex. n cazul unui cristal
cu o reea simpl, n care fiecare celul unitar conine un singur atom, fiecrei valori a
r
vectorului de und i corespund trei valori ale frecvenei proprii de oscilaie (una pentru
starea de polarizare longitudinal i dou pentru strile de polarizare transversal). Dac
numrul de atomi din celula unitar a cristalului este r , atunci, n cazul general fiecrei
r
valori a vectorului de und i vor corespunde 3r valori diferite ale lui . n concluzie,
frecvena este o funcie multipl de vectorul de und i are 3r ramuri. De exemplu, dac
celula elementar conine dou specii de atomi ( r = 2), dependena lui de are forma
din fig. 6. 11. Una din ramuri poart numele de ramura acustic, iar cealalt de ramura
optic. Cele dou ramuri se disting prin dispersia lor, adic prin natura dependenei lui
de . Ramura acustic tinde la zero pentru 0 , n timp ce ramura optic tinde spre o
limit maxim 20 . n cazul tridimensional, al unui numr 3r de ramuri, trei din acestea
sunt acustice i celelalte (3r 3) sunt optice. n ramurile acustice frecvenele au valori
apropiate de cele sonore, iar n ramurile optice apropiate de cele optice. Dac modurile de
oscilaie au frecvena acustic atomii similari din celule unitare diferite oscileaz unii n
raport cu ceilali. n cazul modurilor de oscilaie cu frecven optic, atomii diferii din

350
FIZIC

aceeai celul unitar oscileaz unii n raport cu ceilali, iar atomii similari din celule
diferite se afl la distane constante unii n raport cu ceilali.

Fononii. Energia unui cristal poate fi reprezentat ca o sum a energiilor modurilor de


3 Nr
1
oscilaie ale reelei: E i = ni + 2 hi unde N este numrul de celule unitare din
i =1
cristalul, iar r este numrul atomilor din celul. Cuanta de energie: i = h i poart
numele de fonon. Multe procese dintr-un cristal (de exemplu, mprtierea razelor X sau a
r r
neutronilor) se pot explica dac admitem c un fonon are quasiimpulsul: pi = hi , unde
r
i este vectorul de und al modului de oscilaie i . Un fonon se comport ca o particul
avnd energie i impuls, dar spre deosebire de celelalte particule (electroni, protoni, fotoni
etc.) un fonon nu poate aprea n vid, adic el are nevoie de o substan ca s apar i s
existe. Aceste tipuri de particule se numesc cvasiparticule. n condiii de echilibru termic
numrul mediu de fenoni ni cu frecvena i este determinat de relaia:
1 1 h i
n i + h i = h i + , de unde
2 2 h i
exp 1
kT
1 1 hi
ni hi + hi = hi + (6.60)
2 2 h
exp i 1
kT
1
hi
adic: ni = exp 1 .
kT

Fig. 6. 11. Dependena lui de .

Relaia (6.64) ne arat c ntr-un cristal se pot excita simultan un numr nelimitat
de fononi identici. Atunci, principiul de excluziune al lui Pauli nu acioneaz. Fononii sunt
bosoni. n acest mod, oscilaiile reele cristaline pot fi reprezentate sub forma unui gaz
fononic coninut n cristal, la fel cum radiaia electromagnetic poate fi reprezentat ca un
gaz fotonic, care umple cavitatea. Formal, cele dou noiuni de foton i fonon sunt
similare: ambele se supun statisticii Bose-Einstein. Dac sistemul are numrul de fononi
variabil, n relaia (6.60) la exponent intervine i potenialul chimic , adic aceasta

351
FIZICA CORPULUI SOLID

1
hi
devine: ni = exp 1 , unde 0 , pentru c altfel ni ar fi negativ
kT
pentru hi < .

6.3. Nivelele energetice ale electronilor n cristal


6.3.1. Teoria cuantic a electrnilor liberi dintr-un metal

Se consider un metal de forma unui cub cu latura L i se presupune c electronii


de conducie traverseaz absolut liber metalul. Ecuaia cu vectori i valori proprii pentru un
electron liber n interiorul cubului este de forma:
h2 2
= W , (6.61)
2M
Ecuaia (6.61) are soluia:
r r
= C exp(i r ) (6.62)
unde
r
r p 2 MW
= = , (6.63)
h h2
iar energia este egal cu:
h 2 2
W= . (6.64)
2M
Din condiia de normare a funciei rezult constanta C :
2
dV = C
*
V = 1 (6.65)
cub
de unde
1 1
C= = . (6.66)
V L 3

Deci,
1 r r
= exp(i r ) . (6.67)
3
L
Condiiile la limit pentru sunt de fapt condiiile de periodicitate dup direciile
x, y , z cu perioada L , adic
L = n1 x = n2 y = n3 z , (6.68)
sau
2 2 2 2 2 2
x = = n1 , y = = n2 , z = = n3 , (6.69)
x L y L z L
unde n1 , n2 i n3 sunt numere ntregi independente. innd cont c
r r 2
r = x x + y y + z z = (n1 x + n 2 y + n3 z ) (6.70)
L
rezult c:
1 2
= exp i (n1 x + n2 y + n3 z ) , (6.71)
L3 L

352
FIZIC

iar energia:

W=
h 2 4 2
2
(n2
1 + n 22 + n32 .) (6.72)
2ML
Starea de conducie a electronului este determinat de vectorul
r 1
n1 , n 2 , n3 i de numrul cuantic de spin s = , adic este determinat de
L L L 2
patru numere cuantice ( n1 , n 2 , n3 , s ) . Energia electronului ntr-o stare depinde de suma
numerelor cuantice: n12 + n 22 + n32 , astfel c exist mai multe stri cu aceeai valoare a
energiei, adic strile sunt degenerate. Pentru a gsi numrul de stri cu aceeai valoare a
energiei se consider spaiul numerelor n1 , n 2 i n3 . n acest spaiu fiecrui punct i
corespund dou stri care difer prin orientarea spinului. O suprafa echipotenial, adic
locul geometric al punctelor care corespund aceluiai n0 , unde
n02 = n12 + n 22 + n32 , (6.73)
este o sfer. Numrul de stri nW , a cror energie este mai mic dect valoarea
2
h 2 n02 2
W= (6.74)
2M L
este egal cu dublul numrului de celule cu volumul n1 n 2 n3 = 1 , adic este egal cu
dublul volumului sferei de raz n0 , deci:
4 3 8 2
nW = 2 n0 = (n1 + n 22 + n32 ) 3 / 2 . (6.75)
3 3
mprind (6.75) i (6.72) rezult:
3/ 2 3
8 2 M L 3/ 2 V
nW = 2 W = 2 3 (2M ) 3 / 2 W 3 / 2 , (6.76)
3 h 2 3 h
unde V este volumul eantionului din metal. Relaia (6.76) exprim numrul de stri cu
energia mai mic sau egal cu W . Numrul de stri cu energia cuprins n intervalul
dW n jurul valorii W , se obine difereniind relaia (6.76), adic:
V 3 V
d nW = 2 3
(2M ) 3 / 2 W 1/ 2 d W = 2 3 (2 M ) 3 / 2 W 1/ 2 d W . (6.77)
3 h 2 6 h
innd seama de relaia (6.17) rezult c densitatea de stri din intervalul energetic
dW este egal cu:
d nW 4V
g (W ) = = 2 3 (2M ) 3 / 2 W 1/ 2 (6.78)
d W 8 h
Dac n unitatea de volum din metal se gsesc n electroni liberi, atunci eantionul
de metal va conine nV elctroni liberi. Conform principiului de excluziune al lui Pauli, la
temparatura de zero absolut, strile se ocup cu cte un electron ncepnd cu strile cu
nivelele de energie cele mai coborte. Astfel, toate strile cu energia W mai mic dect o
valoare W F (0) , numit nivel Fermi la zero absolut, vor fi ocupate, iar cele cu energia
W > W F (0) vor fi libere. Nivelul Fermi la zero absolut reprezint valoarea pentru
T = 0 K a parametrului numit potenial chimic, = WF , care apare n expresia funciei
r r pr
de distribuie a electronilor pe stri. Suprafaa izoenergetic din spaiul =
h

353
FIZICA CORPULUI SOLID

corespunztoare valorii energiei WF poart numele de suprafa Fermi. Pentru electronii


liberi aceast suprafa este descris de ecuaia:
p 2 h 2 2
= = WF . (6.79)
2M 2M
1
i n spaiul . are forma unei sfere de raz 2 MWF . La temperatura de 0 K aceast
h
suprafa Fermi separ strile ocupate cu electroni de strile neocupate. Valoarea W F (0)
poate fi calculat punnd condiia ca:
WF ( 0 )
nW = nV = g (W ) d W , (6.80)
0
adic
4V 2 V
nV = (2 M ) 3 / 2 W F3 / 2 (0) = 2 3 (2 M ) 3 / 2 W F3 / 2 (0),
2 3
(6.81)
8 h 3 3 h
de unde
h2
W F ( 0) = (3 2 n) 2 / 3 . (6.82)
2M
Dac se alege pentru n o valoare medie de 5 10 22 cm 3 se obine pentru:
WF (0) 8 10 19 J = 5 eV . (6.83)
n continuare se calculeaz energia medie a electronilor la zero absolut. Energia
total medie a electronilor ce ocup strile cu energia dW n jurul valorii W este dat de
expresia:
W = WdnW = Wg (W )dW . (6.84)
mprind aceast energie la numrul total de electroni (de stri), egal cu
g (W )dW se obine energia medie a unui electron, adic:
WF ( 0) WF ( 0)
3/ 2
Wg(W )dW W dW 2 5/ 2 3 3/ 2 3
W electron
= 0
WF ( 0)
= WF0(0) = WF (0) WF (0) = WF (0). (6.85)
1/ 2 5 2 5
g(W )dW W dW
0 0
Dac W F (0) = 5 eV rezult c W electron
= 3 eV . Aceasta este o valoare foarte
mare. Pentru a asigura o astfel de energie unui gaz electronic clasic acesta trebuie nclzit
la o temperatur de 25.000 K. n fig. 6. 12 este reprezentat graficul funciei densitate de
stri g (W ) . Aria marcat corespunde numrului de stri ocupate de electroni la zero
absolut. nclzirea unui metal este realizat prin tranziia electronilor de pe nivele apropiate
de nivelul Fermi pe unele aflate deasupra nivelului W F (0) . n felul acesta aria este
mrginit n dreapta de curba punctat. Aria rmne aceeai fiind egal cu nV . Regiunea
modificat are o lrgime de ordinul lui kT . Rezult c fraciunea din numrul de electroni
care particip la procesul de nclzire al metalului este de aproximativ T / TF , unde
W F (0)
TF = (6.86)
k
este o mrime numit temperatur Fermi. Ca rezultat, capacitatea caloric a electronic
este egal cu

354
FIZIC

T
Celectronic = Cclasic . (6.87)
TF
La temperatura camerei (T = 300 K ) ,
C electronic = 0,01C clasic (6.88)
unde TF = 25.000 K . Nivelul Fermi la o temperatur oarecare se poate gsi innd cont
de faptul c electronii sunt fermioni (au spinul semintreg) i se supun distribuiei Fermi-
Dirac. Atunci, numrul de electroni din starea cu energia Wi este dat de expresia:
1
ni = (6.89)
Wi
exp +1
kT
unde este potenialul chimic. Parametrul avnd dimensiunea de energie, este de fapt
nivelul Fermi. Relaia (6.89) poate fi rescris sub forma:
1
f (W ) = ni = . (6.90)
Wi
exp +1
kT

Fig. 6. 12. Graficul funciei densitate de stri, g (W ) .

Se observ c funcia (6.90) are proprietile: f (W ) = 1 pentru W < W F i


f (W ) = 0 pentru W > W F . Astfel, la 0 K nivelul Fermi coincide cu nivelul superior
W F (0) , ultimul ocupat de electroni. Indiferent de valoarea temperaturii, pentru W = W F ,
1
f (W F ) = . n concluzie, nivelul Fermi coincide cu nivelul de energie a cror
2
1
probabilitate de a fi ocupat este egal cu . Valoarea nivelului Fermi WF poate fi gsit
2
din condiia ca nurul total de electroni care umplu nivelele trebuie s fie egal cu numrul
nV de electroni liberi din cristal. Numrul strilor cuprinse n intervalul energetic d W
din jurul valorii W este dat de g (W ) d W , astfel c numrul mediu de electroni din aceste
stri egal cu:

g (W ) f (W ) d W = nV (6.91)
0
sau

355
FIZICA CORPULUI SOLID


4V 3/ 2 W 1/ 2 dW

8 h2 3
( 2 M ) W W
= nV . (6.92)
F
0 exp +1
kT
Cu ajutorul relaiei (6.92) este posibil, n principiu, s se gseasc valoarea lui W F
n funcie de temperatura T i de numrul de electroni din unitatea de volum, n . Integrala
din relaia (6.92) nu poate fi rezolvat n cazul general. Dac W WF >> kT se poate
W WF
obine o soluie aproximativ. n acest caz, exp >> 1 i unitatea poate fi
kT
neglijat fa de exponenial iar relaia (6.92) devine:

4V WF W

3/ 2 1/ 2
nV ( 2 M ) exp W exp dW . (6.93)
8 2 h 3 kT 0 kT
Fcnd schimbarea de variabil:
W
x2 = (6.94)
kT
integrala din (6.93) devine:

W
1/ 2 W
exp d W = 2(kT ) x exp x d x = (kT )
3/ 2 2 2
( )
3/ 2
(6.95)
0 kT 0
iar din relaia (6.95) rezult:
(2M ) 3 / 2 W
n= (kT ) 3 / 2 exp F (6.96)
2 2 h 3 kT
de unde
h 2 3 / 2
W F = kT ln 2n . (6.97)
2 MkT

Energia medie a electronilor liberi din cristal, n cazul considerat mai sus poate fi
calculat cu ajutorul relaiei:

4V W 3/ 2 dW
W = Wg (W ) f (W ) d W = (2M ) 3 / 2
8 2 h 3
0 exp
W WF
0 +1
kT
4V 3 W 3 3
= 2kT (2 M kT ) 3 / 2 exp F = n V kT = N kT (6.98)
8 2 h 3
8 kT 2 2

expresia analoag cu cea pentru un gaz ideal monoatomic. Se spune c n acest caz
electronii formeaz un gaz nedegenerat. La temperaturi foarte sczute, se obine pentru
nivelul Fermi expresia:
2 kT 2
WF = WF (0 )1 (6.99)
12 WF (0 )
care evideniaz dependena nivelului Fermi de temperatur.

6.3.2. Benzile de energie dintr-un cristal

356
FIZIC

Modelul Kronig-Penney. Pe baza celor prezentate mai sus s-a stabilit c n aproximaia
electronilor liberi energia elctronilor de valen din cristal variaz cvasicontinuu. Aceasta
nseamn c spectrul valorilor permise ale energiei este format dintr-o multitudine de
nivele discrete foarte apropiate. n realitate, electronii de valen dintr-un cristal nu au o
micare complet liber, cmpul periodic al reelei acionnd asupra lor. Dac, de exemplu,
se consider pentru simplitate, un cristal cu celula primitiv un cub simplu, cu latura a ,
atunci energia potenial U a electronului n cristal este o funcie periodic de
coordonatele x, y , z cu perioada a , adic,
U ( x, y, z ) = U ( x + n1a, y + n2 a, z + n3a ) , (6.100)
unde n1 , n 2 i n3 sunt numere ntregi oarecare. Un model unidimensional pentru studiul
micrii electronului ntr-o reea cristalin este cel elaborat de Kronig i Penney.
n fig. 6. 13 este prezentat variaia periodic a energiei poteniale a electronului. n
punctele A1 , A2 ,..., Ai' , A2' .... sunt situai ioni. n dreapta lor apar gropi de potenial de
lime a , iar regiunea din vecintatea unui ion este separat de cea din vecintatea ionului
vecin printr-o barier de potenial de nlime U 0 i lime b . Constanta reelei (distana
dintre doi ioni succesivi) este egal cu (a + b ) . Se consider c energia electronului are
valoarea W cuprins n intervalul (0,U 0 ) .

Fig. 6. 13. Variaia periodic a energiei poteniale a electronului ntr-o


reea unidimensional.

Pe baza celor prezentate mai sus putem scrie c:


U pentru n(a + b) + a < x (n + 1)(a + b),
U = 0 (6.101)
0 pentru n( a + b) < x n( a + b) + a
unde poate lua toate valorile ntregi ntre i + . Ecuaia cu vectori i valori
proprii a operatorului energiei se scrie:
h 2 d 2
= W , pentru n(a + b) < x n(a + b) + a (6.102)
2M dx 2
i
h 2 d 2
+ U 0 = W , pentru n(a + b) + a < x (n + 1)(a + b) . (6.103)
2 M dx 2
Soluiile ecuaiilor (6.102) i (6.103) pentru regiunile I (0 < x a ) i II
( b < x 0) sunt de forma:
1 = C1exp( i kx ) + C 2 exp(i kx ) , (6.104)
unde

357
FIZICA CORPULUI SOLID

2 MW
k= (6.105)
h2
i respectiv
2 = C3exp( k1 x ) + C 4 exp(k1 x ), (6.106)
unde
2 M (U 0 W )
k1 = , (6.107)
h2
cu condiiile la limit:
2 (0 ) = 1 (0 ) (6.108)
d 2 d1
= . (6.109)
dx x =0 dx x =0
Pe de alt parte, pentru a evidenia caracterul periodic al micrii electronului prin
reeaua cristalin, vectorul de stare poate fi exprimat sub forma:
( x) = exp(i x )U ( x) . (6.110)
innd seama de relaia (6.110) soluiile (6.104) i (6.106) pot fi rescrise sub forma:
[
1 ( x ) = e i x C1e i(+ k ) x + C 2 e i( k ) x ]
(6.111)
i
[
2 ( x ) = e i x C3e i(i k1 +) x + C 4 e i(i k1 ) x ]
(6.112)
unde funciile U 1 ( x ) i U 2 ( x ) au expresiile:
U 1 ( x ) = C1e i( k +) x + C 2 e i( k ) x (6.113)
i
U 2 ( x ) = C3e i(i k1 +) x + C 4 e i(i k1 ) x .
(6.114)
Funciile (6.113) i (6.114) trebuie s ndeplineasc condiia de periodicitate, adic:
U [x + n(a + b )] = U ( x ) (6.115)
care poate fi scris sub forma:
U 2 ( b ) = U 1 (a ) (6.116)
i
dU 2 dU 1
= . (6.107)
dx x =b dx x=a
Condiiile (6.108), (6.109), (6.116) i (6.117) se scriu explicit n felul urmtor:
C1 + C 2 C3 C 4 = 0
i kC1 + i kC 2 + k1C3 k1C 4 = 0
e i( k +) a C1 + e +i( k ) a C 2 e i( i k1 +)b C3 e i( i k1 )b C 4 = 0 (6.118)
i(k + )e i( k +) C1 + i(k )e i( k ) a C 2 + i( i k1 + )e i( i k1 +)b C3
i( i k1 )e i( i k1 )b C 4 = 0.
S-a obinut un sistem de patru ecuaii omogene cu necunoscutele C1 , C 2 , C3 i
C4 . Sistemul are soluie nebanal dac determinantul coeficienilor necunescutelor
C1 , C 2 , C3 i C4 este nul, adic:

358
FIZIC

1 1 1 1
ik ik k1 k1
= 0 (6.119)
ei(k+)a [i(k +)] ei(k)a [i(k )] ei(i k1+)b [i(ik1 +)] - ei(i k1)b [i(ik1 +)]
ei(k+)a ei(k)a ei(i k1+)b ei(i k1)b
care conduce la condiia:
k12 k 2
sin ka shk1b + cos ka chk1b = cos (a + b ) . (6.120)
2kk1
innd seama de faptul c transparena unei bariere de potenial depinde doar de aria sa,
mrimile U 0 i b pot varia, dar trebuie ca produsul U 0 b s rmn constant, ceea ce este
echivalent cu condiia k12 b = constant, Astfel, se poate introduce un parametru P care
caracterizeaz transparena barierei de potenialul dintre doi ioni vecini ai reelei, sub
forma:
k12 ab
P = lim . (6.121)
k12 2
Din relaia (6.121) se observ c cu ct P este mai mare cu att transparena
barierei este mai mic. nlocuind (6.121) n (6.120) rezult c:

P sin ka
+ cos ka = cos a, (6.122)
ka
2mW
relaia care evideniaz dependena lui de k k 2 = pentru un P dat. Ecuaia
h2
(6.122) fiind transcendent pentru rezolvarea acesteia se consider cteva cazuri
particulare.
a) P = 0 . n acest caz nu mai exist bariera de potenial ntre ionii vecini (transparena
barierei este total) i ecuaia (6.122) devine:
cos ka = cos a, (6.123)
sau
k = , (6.124)
de unde:
h 2 2
W= . (6.125)
2M
S-a regsit expresia energiei unui electron liber n funcie de vectorul de und .
Rezult c dac transparena barierei este total, electronul se comport ca i cum ar fi liber
i energia sa variaz continuu cu , putnd lua orice valoare finit, nenegativ.
b) P . n acest caz transparena barierei este nul i electronul nu poate prsi
vecintatea ionului. Este o situaie analoag cu micarea electronului ntr-o groap de
potenial cu perei impenetrabili. De data aceasta relaia (6.62) nu mai e satisfcut pentru
toate valorile lui . Exist un ir discret de valori ale lui pentru care relaia (6.62) este
satisfcut cu toate c P . Acestea sunt acele valori care anuleaz pe sin ka , cu
sin ka sin ka
excepia valorii k = 0 pentru care lim = 1 i deci lim , ceea ce face
k 0 ka k 0 ka
P
ca relaia (6.122) s nu fie safisfcut. Astfel,

359
FIZICA CORPULUI SOLID

ka = n (6.126)
unde n poate lua toate valorile ntregi diferite de zero, de la la + . innd seama
de relaia (6.126) expresia energiei devine:

n 22h 2
Wn = , (6.127)
2 Ma 2
care este expresia energiei electronului ntr-o groap de potenial cu perei impenetrabili.
n acest caz electronul este legat de ion i valorile permise ale energiei corespund unor
valori bine determinate ale lui , pentru care cos a = 1 .
c) 0 < P < . n acest caz se poate obine o soluie calitativ reprezentnd grafic fiecare
menbru al ecuaiei (6.122) n funcie de ka (fig. 6. 14). Pentru aceasta egalm fiecare
membru al ecuaiei (6.122) cu Y , adic:
sin ka
Y =P + cos ka (6.128)
ka
i
Y = cos a . (6.129)
Din ecuaia (6.129) observm c 1 Y 1 , adic sunt posibile numai valorile lui
Y cuprinse ntre dreptele:
Y = 1 i Y = 1 , adic a = n . (6.130)

Fig. 6. 14. Reprezentarea grafic a ecuaiei (6.122) n funcie de ka .

Acesta implic existena i pentru abscisa ka a anumitor intervale de valori permise.


Acestea sunt segmentele ngroate din fig. 6. 14. De aici rezult c energia electronului nu
poate lua orice valori i c valorile permise pentru energia electronului sunt grupate n
benzi permise separate prin benzi interzise. Limea zonelor permise crete, iar cea a
zonelor interzise scade odat cu creterea energiei. n cadrul fiecrei zone permise energia
variaz continuu n funcie de . Este util s se gseasc n locul acestei variaii continue a
lui W de , spectrul discret care se ascunde sub aceast variaie. Pentru aceasta inem
cont de faptul c, n realitate, cristalul este finit i are o lungime L care poate fi scris sub
forma:
L = N ( a + b) (6.131)
i meninnd condiia introdus, ca b 0 , rezult c:
L = Na . (6.132)
Astfel, condiia ca dup distana L s se reproduc proprietile cristalului, se scrie:

360
FIZIC

( x + Na ) = ( x ) (6.133)
nlocuind condiia (6.133) n expresia lui sub forma (6.50) rezult
exp[i( x + Na )]U ( x + Na ) = exp(ix )U ( x ) , (6.134)
i deoarece U ( x ) este o funcie cu perioada a , se poate scrie c:
U ( x + Na ) = U ( x ) . (6.135)
Din (6.134) i (6.135) rezult c:
exp(iNa ) = 1 sau Na = 2n (6.136)
unde n este un numr ntreg. Astfel,
2
=n . (6.137)
Na
Deci, poate lua valori egale cu multiplii a N valori diferite unde N este
numrul atomilor din cristal. Se observ c dac L = Na atunci capt o variaie
continu, diferena dintre dou valori tinznd la zero. Nivelele energetice permise ale
electronului din atomul izolat n comparaie cu nivelele energetice ale electronului din
reeaua cristalin sunt reprezentate schematic n fig. 6. 15 a), b).
Din fig. 6. 15 se observ c n timp ce energiile permise ale electronilor dintr-un
atom izolat (fig. 6. 15 a) pot fi numai valori discrete, bine determinate, separate ntre ele
prin intervale interzise, la formarea reelei cristaline din mai muli atomi, datorit
interaciunii dintre electroni ntre ei ct i a interaciunii acestora cu atomii reelei, nivelele
energetice ale acestor se lrgesc i capt o structur, formnd o zon de nivele energetice
permise (fig. 6. 15 b).

Fig. 6. 15 a), b). a) Nivelele energetice permise ale electronului din atomul izolat i b) cele ale
electronului din reeaua cristalin.

Din raionamentul anterior rezult c fiecare atom contribuie cu un nivel n fiecare


zon permis. Concluzia este c energiile pe care le poate lua un electron ntr-un cristal
sunt grupate n zone permise (numite i benzi permise), separate prin zone interzise (benzi
interzise). Fiecare zon permis conine un numr de nivele apropiate ntre ele, egal cu
numrul de atomi din volumul de cristal considerat. Prin urmare n locul nivelelor discrete
din atomul izolat, ntr-un cristal apar zone (sau benzi) energetice permise. Ele sunt cu att
mai largi cu ct energia electronului este mai mare i fiecare conine un numr de nivele
egal cu numrul de atomi din volumul cristalului considerat. Fiecrui nivel din atomul
izolat i corespunde o band de energie n cristal. n fig. 6. 16 este reprezentat schematic
apariia benzilor de energie n procesul de apropiere a atomilor pentru formarea unui
cristal. Se observ cum, pe msura micorrii distanei a dintre atomi, deci a reunirii
atomilor ntr-un cristal nivelele energtetice ale electronilor se lrgesc, transformndu-se n
zone energetice. Pentru distane a foarte mici poate s apar o suprapunere parial a

361
FIZICA CORPULUI SOLID

acestor zone. Pe baza celor prezentate mai sus se observ c discontinuitile de energie n
spectrul energiei electronilor cvasiliberi din cadrul reelelor unidimensionale
r
monoatomice, apar ntotdeauna cnd vectorul satisface condiia:

= n (6.138)
a
i pot fi reprezentate ca n fig. 6. 17, unde dreapta reprezentnd valorile lui este divizat

n segmente de lungime , valori pentru care apar aceste discontinuiti de energie.
a

Fig. 6. 16. Reprezentarea schematic a apariiei benzilor de energie n procesul de apropiere a


atomilor pentru formarea unui cristal.

Segmentele astfel formate poart denumirea de zone Brillouin. Discontinuitile de


energie, care definesc zonele de energie interzise, se produc la limita zonelor permise
Brillouin. Distribuia electronilor pe nivelele unei benzi energetice permise se face pe
aceleai considerente energetice ca repartiia energetic a electronilor ntr-un atom izolat.

Fig. 6. 17. Spectrul energetic al electronilor cvasiliberi.

Dac se consider un atom izolat, ce conine Z electroni, datorit principiului de


excluziune al lui Pauli i n cazul n care atomul nu este excitat i nici degenerat, aceti
electroni se vor gsi pe Z / 2 nivele energetice de energie minim. Excitnd atomul, unii
din aceti electroni vor trece din aceste stri energetice fundamentale n altele excitate, de

362
FIZIC

energie mai mare, ceea ce are ca rezultat rmnerea neocupat a unor nivele energetice cu
energie mai mic i ocuparea altora cu energie mai mare. Acelai proces apare i n cadrul
unei benzi energetice permise. Lrgimea energetic a unei asemenea benzi fiind de ordinul
~ eV i ntruct aceasta conine cam 10 22 10 23 nivele energetice, rezult c diferena
energetic dintre dou nivele alturate este de ordinul 10 22 10 23 eV. Aceast
diferen fiind att de mic, la orice temperatur, electronii pot trece de pe un nivel inferior
pe unul superior, folosind doar energia de agitaie termic. Dar, trecerea unui electron
dintr-o band permis n alt band permis se realizeaz doar prin intermediul unui
excitator (ridicarea temperaturii, aplicarea unor cmpuri exterioare, bombardarea cu
particule ncrcate electric etc.).
Nivelul Fermi poate fi plasat ntr-o band interzis sau ntr-o band permis. Prima
band plasat, n primul caz, sub nivelul Fermi, este denumit band de valen, iar
totalitatea nivelelor energetice posibile aflate deasupra nivelului Fermi reprezint banda de
conducie. Dac nivelul Fermi se afl plasat ntr-o band permis, aceasta este mprit n
dou, n sensul c nivelele energetice de sub nivelul Fermi sunt ocupate cu electroni, iar
cele de deasupra sunt neocupate. n acest caz banda de valen nu este separat de banda de
conducie printr-o band interzis ci se ntreptrund n cadrul benzii permise unde se afl
nivelul Fermi. n funcie de excitarea acestor benzi corpurile solide se mpart n:
a) Corpuri solide la care banda de valen are toate nivelele energetice ocupate cu cte doi
electroni i deci nivelul Fermi este plasat n banda interzis de deasupra benzii de valen.
Deoarece n cadrul benzii respective nu pot exista deplasri de electroni, corpurile
din aceast categorie nu prezint conductibilitate electric, fiind izolatori (fig. 6. 18 a).
Pentru ca un electron din banda de valen a unui asemenea izolator s devin electron
liber de conducie, acesta trebuie s treac, prin salt cuantic, peste banda interzis, n banda
de conducie. Dac lrgimea benzii interzise dintre benzile de valen i cea de conducie,
W < 3 eV (energie medie a electronilor liberi) este posibil s treac unii electroni doar
datorit energiei lor termice, chiar la temperaturi obinuite, producnd un mic curent
electric de conducie. Corpurile solide respective se numesc semiconductori.

Fig. 6. 18 a), b). Structura de benzi a unui: a) izolator i b) conductor.

Dac W > 3 eV electronii trec din banda de valen n cea de conducie doar n
urma aciunii unui agent excitator extern, iar corpurile respective sunt izolatori.
b) Corpuri solide pentru care nivelul Fermi este plasat n cadrul benzii de valen, caz n
care trecerea electronilor de pe nivele ocupate pe cele libere se face doar sub aciunea
agitaiei termice, astfel c electronii de valen sunt i electroni de conducie, adic se pot
deplasa ordonat sub aciunea unui cmp electric exterior, ntreinnd un curent electric.

363
FIZICA CORPULUI SOLID

Corpurile solide din aceast categorie sunt denumite conductori (fig. 6. 18 b). n
acest caz se spune c banda de valen se ntreptrunde cu banda de conducie i W = 0 .

Micarea electronilor dintr-o reea cristalin aflat ntr-un cmp electric exterior. Masa
r r
efectiv. ntre vectorul de und al undei asociate electronului i impulsul su p exist
r r
relaia p = h . nlocuind aceast relaie n relaia de incertitudine Heisenberg rezult c:
1
x . (6.139)
2
Din relaia (6.139) rezult c pentru un bine determinat poziia electronului ntr-
un cristal este complet nedeterminat. Dar, pentru a studia dinamica unui electron ntr-un
cristal trebuie s-i cunoatem att poziia ct i viteza, ceea ce nu mai e posibil din punct de
vedere cuantic. Dac este nenul, localizarea electronului are loc n regiunea
1
x ~ , care este lrgimea pachetului de unde asociat electronului. Maximul
2
amplitudinii pachetului de unde se propag cu viteza de grup:
d
vg = (6.140)
d
care este chiar viteza particulei (electronului) prin cristal.
innd cont de relaia:
= h , (6.141)
se poate scrie pentru viteza de grup expresia:
1 d
vg = . (6.142)
h d
n continuare se studiaz comportarea unui electron sub aciunea unui cmp electric
r
E exterior aplicat cristalului. n acest
r caz,
r asupra electronului acioneaz din partea
cmpului electric exterior o for F = eE . n intervalul de timp dt aceast for
efectueaz lucrul mecanic
F d
dL = Fv g dt = dt . (6.143)
h d
Datorit acestui lucru mecanic energia electronului variaz cu
d F d
d = d = dt , (6.144)
d h d
de unde
d F
= . (6.145)
dt h
Acceleraia cu care se mic electronul este dat de relaia:
dv g 1 d d F d 2
= = , (6.146)
dt h dt d h 2 d 2
sau
r
r h 2 dv g
F= 2 , (6.147)
d dt
d 2

364
FIZIC

unde expresia
h2
m* = (6.148)
d 2
d 2
reprezint masa efectiv a electronului din cristal.
Masa efectiv descrie micarea unui electron printr-un cristal cnd acesta se afl
ntr-un cmp exterior. Dac se atribuie electronului masa efectiv acesta capt o micare
liber, astfel c energia electronului are expresia:
h 2 2
= . (6.149)
2m *
Se observ c relaia (6.148) rezult din (6.149) prin derivare de dou ori n raport
cu . n cele ce urmeaz este prezentat dependena masei efective m * de poziia
nivelului energetic al electronului n interiorul benzilor de energie permise (fig. 6. 19).

Fig. 6. 19. Dependena nivelelor energetice ale electronului de n interiorul


benzilor de energie permise.

n apropierea bazei benzii de nivele energetice (punctele A i A din fig. 6. 19),


2
d
> 0 i masa efectiv este pozitiv, de acelai semn cu masa real. n acest caz
d 2
electronul se comport ca i cum nu s-ar gsi n cristal. Dac electronul are o energie B ,
caz n care
d 2
=0, (6.150)
d 2

masa efectiv este infinit, astfel c un cmp exterior nu are nici o aciune asupra
d 2
electronului. Dac energia electronului este egal cu C , atunci < 0 i masa efectiv
d 2
va fi negativ. n acest caz un cmp exterior va frna electronul. n cazul tridimensional
masa efectiv este un tensor, iar acceleraia nu mai este coliniar cu fora.

6.4. Proprietile electrice ale corpului solid


6.4.1. Conductibilitatea electric

365
FIZICA CORPULUI SOLID

Teoria clasic. Pe baza existenei electronilor liberi n metale, care din electroni de
valen devin electroni de conducie, prima teorie clasic a conduciei electrice a fost
elaborat de P. Drude la nceputul secolului XX. Electronii liberi, constituind un gaz, se
comport, ca i atomii i moleculele unui gaz, adic executa o micare termic haotic n
lipsa unui cmp electric exterior, care s le ordoneze micarea. ntre dou ciocniri
succesive acetia parcurg un drum liber mediu c = u , unde u este viteza medie dintre
dou ciocniri (viteza termic). Sub aciunea unui cmp electric exterior E , electronii liberi
din metal se vor deplasa dup direcia cmpului exterior cu acceleraia:
eE
a= . (6.151)
m
Se poate considera c viteza medie a electronilor n cmpul exterior este dat de relaia:
a eE c
v= = . (6.152)
2 2m u
Dac n este concentraia de electroni, densitatea de curent electronic este egal cu:
ne 2 E c
j = nev = , (6.153)
2mu
iar intensitatea curentului devine:
ne 2 E c S
I = jS = , (6.154)
2mu
U
unde E = , U fiind tensiunea electric i l lungimea conductorului. Relaia (6.154)
l
poate fi scris sub forma legii Ohm:
ne 2 c S S
I= U = U , (6.155)
2mu l
unde conductibilitatea electric este dat de expresia:
ne 2 c
= . (6.156)
2mu
Conform relaiei (6.156) valoarea conductivitii electrice depinde de concentraia
de electroni liberi. Aceast teorie a lui P. Drude a fost completat de H. A. Lorentz care a
aplicat gazului de electroni liberi dintr-un metal statistica clasic Maxwell- Boltzmann,
adic a calculat viteza medie a electronilor pe baza acestei statistici. Dar, H. A. Lorentz a
adus o corecie funciei de distribuie a electronilor liberi pentru a corespunde i cazului
prezenei cmpului electric exterior. Relaia obinut a fost identic cu (6.6). Introducnd
noiunea de mobilitate a electronilor, definit ca:
v e e c
= = = (6.157)
E 2m 2mu
relaia (6.156) se poate scrie sub forma:
= ne , (6.158)
care este folosit cel mai frecvent pentru expresia conductibilitii electrice.
Relaiile (6.156) i (6.158) explic corect dependena lui de concentraia de
electroni, dar nu explic corect rezultatele experimentale privitoare la dependena de
temperatur a conductibilitii electrice. Astfel, din msurtorile experimentale se tie c
1
t = = 0 , (6.159)
t 1 + t

366
FIZIC

unde t este rezistivitatea la temperatura t , iar coeficientul de variaie cu temperatura


a rezistivitii (conductibilitii) electrice. Dar, dac n relaia (6.156) se nlocuiete viteza
3kT
termic prin u = , rezult pentru expresia:
m
ne 2 c 1
= , (6.160)
2 3mk T
care este n total neconcordan cu (6.160). Pe baza celor prezentate mai sus rezult c
electronii nu se pot mica complet liber printr-un metal.

Teoria cuantic. Nivelele energetice ale electronilor unui metal se gsesc n zona de
valen sub nivelul Fermi, deasupra acestuia rmnnd o serie de nivele neocupate. n
prezena unui cmp electric, orict de mic, datorit intervalului energetic foarte mic dintre
nivelele energetice ocupate de electroni i cele neocupate (separate de nivelul Fermi), unii
electroni pot trece de pe nivelele ocupate pe cele neocupate, obinndu-se o micare dirijat
a electronilor n cadrul benzii energetice permise, adic un curent electric n metal cu
densitatea de curent: r r
j = nev , (6.161)
r r
unde v este viteza electronilor sub aciunea cmpului electric E exterior.
r
Dac intensitatea cmpului electric E este constant, acceleraia corespunztoare
r
va fi i ea constant, iar viteza v va crete liniar cu timpul. Deci, unui cmp electric
exterior constant ar trebui s-i corespund un curent electric care s creasc n timp. Dar,
msurtorile experimentale arat c unui cmp electric exterior constant i corespunde un
curent electric de intensitate constant. Aceasta indic faptul c exist un fenomen de
frnare n procesul de micare dirijat al electronilor, care se datoreaz ciocnirilor elastice
ale electronilor liberi cu ionii pozitivi, aflai n nodurile reelei cristaline.
La o temperatur T 0 nodurile reelei cristaline oscileaz n jurul poziiei de
echilibru, acestor oscilaii asociindu-li-se cvasiparticulele numite fononi. Astfel conducia
electric n metale poat fi interpretat ca datorndu-se deplasrii electronilor care se
ciocnesc cu fononii reelei cristaline. Aceleai fenomene se pot interpreta prin difracia
undelor asociate electronilor pe reeaua cristalin.

6.4.2. Supraconducia

Descrierea fenomenului. Fenomenul de supraconducie, descoperit de K. Onnes n anul


1911 la un conductor de mercur rcit sub temperatura de 4,15 K i const n anularea
rezistenei electrice a substanelor cnd sunt rcite sub temperatura de tranziie Tc , numit
temperatur critic. Datorit anulrii rezistenei, aceste substane au fost denumite
supraconductori. Teoretic toate substanele pot trece n starea supraconductoare, dar pentru
substanele pure temperatura critic este foarte cobort (tabelul 22. 1), ceea ce face
dificil aplicarea lor practic. n anul 1987 este realizat compusul format din oxid de cupru,
bariu i ytriu (YBaCuO) care devine supraconductor la 93 K. Aceast temperatur are
avantajul c pentru aplicaii se poate folosi azotul lichid.
n tabelul 6. 1 sunt date valorile temperaturilor critice pentru cteva substane. La
toate substanele care au fost aduse n starea supraconductoare trecerea de la starea
conductoare la cea supraconductoare se face brusc, ntr-un interval de temperatur de
ordinul a cteva sutimi de grad n jurul temperaturii de tranziie.
Starea de supraconducie poate fi observat experimental n dou moduri:

367
FIZICA CORPULUI SOLID

a) Legnd un supraconductor la un circuit electric i scznd temperatura. n momentul


tranziiei n starea supraconductoare diferena de potenial dintre capetele
supraconductorului se anuleaz.
b) Aeznd o spir supraconductoare ntr-un cmp magnetic cu inducia magnetic
perpendicular pe suprafaa spirei. Dup ce spira este rcit sub Tc cmpul magnetic n
interiorul spirei se anuleaz. Ca rezultat se induce n spir un curent electric care se
menine un timp practic nelimitat. n anul 1959, G. Collins a comunicat c nu a observat
nici o atenuare a unui astfel de curent timp de doi ani i jumtate.
Se observ c pe lng lipsa rezistenei electrice starea supraconductoare se
caracterizeaz i printr-o inducie magnetic nul n supraconductor, dac acesta este
aezat ntr-un cmp magnetic exterior. Acest ultim efect a fost pus n eviden n anul 1933
de W. Meissner i R. Ochsenfeld i poart numele de efectul Meissner. Se poate spune c
starea supraconductoare are permeabilitatea magnetic nul, adic un supraconductor este
un diamagnetic perfect (diamagneticii se caracterizeaz prin < 1 ).

Tabel 6. 1.

Substana Tc (K) Substana Tc (K)


Al 1,17 Ta 4,48
Ti 0,40 Re 1,7
U 5,30 Os 0,71
Zn 0,88 Ir 0,14
Ga 1,1 Hg 4,15
Zr 0,75 Te 1,37
Nb 9,5 Pb 7,2
Mo 1,0 La 5,8
Tc 11,2 Th 1,4
Rn 0,47 Nb 3Sn 1,82
Rh 1,70 Pb 2 Au 7,0
Cd 0,56 NbN 14,7
In 3,37 MoTe 14,0
Sn 3,7 V3Si 17,0
Hf 0,37 Nb 3 Al 0,8 Ge 0,2 20,05

Un cmp magnetic exterior suficient de intens distruge starea supraconductoare.


Valoarea induciei magnetice care distruge starea supraconductoare poart numele de cmp
critic (de prag) i se noteaz cu Bc . Valoarea lui Bc depinde de temperatura probei. La
temperatura critic, Bc = 0 . Cu scderea temperaturii valoarea lui Bc crete tinznd spre
valoarea Bc 0 corespunztoare la T = 0 K (fig. 6. 20).

368
FIZIC

Fig. 6. 20. Dependena induciei cmpului magnetic critic de temperatur.

Efectul Meissner evideniaz faptul c starea supraconductoare reprezint mai mult


dect anularea rezistenei electrice a conductorului. Supraconducia este un fenomen n
care efectele cuantice se manifest la scar macroscopic (un alt astfel de fenomen este
suprafluiditatea heliului lichid).

Teoria BCS. Perechile Cooper. Teoria supraconduciei a fost formulat n anul 1957 de J.
Bardeen, L. Cooper i J. R. Schrieffer. Ea poart numele de teoria BCS. n cele ce urmeaz
vor fi prezentate ideile fundamentale ale acestei teorii. Supraconducia poate fi explicat
dac se ine seama de faptul c electronii dintr-un conductor sunt supui n afarar de fora
de respingere coulombian la o for de atracie spinorial (interacie de schimb), care n
starea supraconductoare devine predominant. Ca rezultat, electronii de conducie cu spinii
antiparaleli se combin formnd perechile Cooper. Aceste perechi au spinul nul i devin
bosoni, adic pot ocupa orici aceeai stare. Astfel, n starea supraconductoare, perechile
Cooper se aeaz n starea cu energia minim, din care este dificil s fie transferai ntr-o
stare excitat. Atunci, perechile Cooper execut o micare ordonat ntr-un cmp electric
exterior, rmnnd n starea fundamental un timp nelimitat i formnd curentul electric
supraconductor. Un electron care se deplaseaz printr-o reea cristalin, care are ioni
pozitivi n noduri, modific cmpul electric al reelei cristaline (l deformeaz). Ca rezultat
al acestei deformri, electronul este nconjurat de un nor de sarcin pozitiv care se mic
prin reea mpreun cu electronul. Sistemul electron-nor pozitiv este ncrcat pozitiv i
atrage un alt electron. Astfel, reeaua cristalin ionic joac rolul de mediu intermediar, a
crui prezen duce la atracia dintre electroni.
n limbaj cuantic atracia dintre electroni este explicat prin schimb de fononi ntre
acetia. Un electron care se deplaseaz printr-un conductor modific condiiile de oscilaie
ale reelei producnd aceti fononi. Energia de excitaie este transmis altui electron care
absoarbe un fonon. Prin acest schimb de fononi apare o interacie suplimentar ntre
electroni care are natura unei interacii de atracie. La temperatur sczut aceast
interacie depete repulsia coulombian n starea supraconductoare.
Interacia prin schimb de fononi se manifest mai puternic ntre electronii cu spini
de semn opus. Ca rezultat, doi astfel de electroni se combin formnd o pereche Cooper.
Electronii dintr-o astfel de pereche se gsesc la o distan relativ mare unul de altul, de
o
ordinul lui 10 4 A , adic de 10 4 ori mai mare ca distana interatomic.
Nu toi electronii de conducie se combin n perechi Cooper. La o temperatur T
diferi de 0 K exist o probabilitate nenul ca perechea Cooper s fie distrus. n
consecin, pe lng perechile Cooper exst i electroni obinuii care se deplaseaz prin
conductor dup legile cunoscute. Cu ct T este mai aproape de valoarea Tc cu att mai
mare este fraciunea de electroni obinuii, care devine egal cu unitatea pentru T = Tc .

369
FIZICA CORPULUI SOLID

Formarea perechilor Cooper conduce la rearanjarea electronilor pe nivelele


energetice din conductor. Pentru a excita un sistem de electroni aflat n stare
supraconductoare, este necesar s se distrug cel puin o pereche Cooper. Pentru aceasta
este necesar o energie egal cu energia de legtur W p a perechii. Aceast energie este
egal cu energia minim pe care o poate primi o pereche de electroni dintr-un
supraconductor. Rezult un salt (gap) cu limea W p n regiunea nivelului Fermi. Valorile
energiei aparinnd acestui gap sunt interzise. Existena acestui gap a fost verificat
experimental. Rezult c starea excitat a unei perechi Cooper ntr-o stare
supraconductoare este separat de starea fundamental printr-o band interzis de ltimea
W p . De aceea tranziiile cuantice ale acestor electroni sunt puin probabile. La viteze mici
sistemul electronic nu va fi excitat i aceasta explic micarea fr frecare, adic rezistena
electric nul. Lrgimea benzii interzise scade cu creterea temperaturii i se anuleaz la
temperatura de tranziie Tc . La aceast temperatur toate perechile Cooper se disociaz i
substana trece n starea normal, conductoare.
Rezult din teoria supraconduciei c fluxul magnetic printr-o spir
supraconductoare, prin care circul un curent electric, trebuie s fie un multiplu ntreg al
mrimii
h
0 = , (6.162)
q
adic
= n 0 , (6.163)
unde 0 este cuanta de flux magnetic. Cuantificarea fluxului magnetic a fost pus n
eviden experimental n 1961 de B. Deaver i W. Fairbank i independent de acetia de R.
Doll i M. Nbauer. n experienele efectuate de Deaver i Fairbank s-a gsit c fluxul
magnetic este un multiplu ntreg de cuante 0 dac q = 2e , ceea ce confirm existena
perechilor Cooper.

Teoria London. O alt teorie a supraconduciei, mai uor abordabil i coninnd mai
puine detalii dect teoria BCS a fost propus n 1939 de ctre F. H. London. Aceast
teorie, avnd o baz fenomenologic i utiliznd, n general, principii clasice, ajunge la
rezultate i concluzii care decurg n anumite limite direct din teoria BCS. n teoria London
se face ipoteza c ntr-un supraconductor se gsesc dou tipuri de electroni: normali i
suprafluizi. Se noteaz cu n n i n s concentraiile de electroni normali i respectiv
suprafluizi i cu v n i v s vitezele acelorai electroni. Astfel, concentraia de electroni:
n = nn + n s . (6.164)
Deoarece mecanismul de mprtiere al celor dou tipuri de electroni este diferit, n
sensul c electronii suprafluizi sunt mai puin mprtiai dect electronii normali, vor
rezulta ecuaii de micare diferite. Electronii normali dintr-un supraconductor fiind
mprtiai prin mecanismele uzuale, acetia se comport ca i electronii liberi dintr-un
conductor, se supun unor legi identice cu a acestora i au o densitate de curent:
r r r
j n = E = e n n v n . (6.165)
r
Electronii suprafluizi sub aciunea unui cmp electric exterior E efectueaz o
micare cu acceleraia
r
r d vs
as = (6.166)
dt

370
FIZIC

ecuaia de micare a acestora fiind:


r r
d vs
eE = m . (6.167)
dt
Densitatea curentului determinat de electronii suprafluizi este dat de expresia:
r r
j s = en s v s , (6.168)
a crui derivat n raport cu timpul este egal cu:
r r
d js d vs
= en s . (6.169)
dt dt
Din ecuaiile (6.167) i (6.169) se obine prima ecuaie London, sub forma:
r
d j s ns e 2 r
= E. (6.170)
dt m
Aplicnd relaiei (6.170) operatorul rotori innd seama de ecuaia Maxwell-
Faraday a induciei electromagnetice:
r
r B
rot E = (6.171)
t
se obine succesiv
r r
dj s ns e 2 r n s e 2 B
rot = rot E = . (6.172)
dt m m t
Integrnd ecuaia (6.172) n raport cu timpul i alegnd constanta de integrare astfel
ca ecuaia s fie compatibil cu efectul Meissner, rezult a doua ecuaie London, adic:
r n e2 r
rot j s = s B . (6.173)
m
Relaia (6.173) conduce la efectul Meissner. Pentru aceasta se neglijeaz curentul
electric produs de electronii normali, efectul Meissner aprnd la o temperatur sczut la
care electronii normali sunt foarte puini. Pornind de la ecuaia Maxwell-Ampre, scris n
lipsa cmpului electric:
r r
rot B = j s , (6.174)
creia i se aplic operatorul rotor i innd cont de teorema lui Gauss pentru cmpul
magnetic
r
divB = 0 (6.175)
se obine succesiv
r r ns e 2 r 1 r
B = rot j s = B = 2 B, (6.176)
m
unde
m
2 = , (6.177)
ns e 2
reprezentnd adncimea de ptrundere London, iar
r r v
rot rot B = grad div B B . (6.178)
Pentru un supraconductor obinuit, 10 7 m. Alegnd direcia Oy normal la
suprafaa supraconductorului i inducia magnetic variaz doar dup aceast direcie,
astfel c ecuaia (6.176) devine:

371
FIZICA CORPULUI SOLID

r
d2B 1 r
= B, (6.179)
dy 2 2
a crei soluie este:
r r y
B ( y ) = B (0 )exp . (6.180)

r
Din soluia (6.30) se observ c inducia magnetic B ptrunde doar pe o adncime
n supraconductor ceea ce explic efectul Meissner.

6.4.3. Efectul Josephson

Acest efect a fost descoperit n anul 1962 de B. Josephson i se bazeaz pe efectul


tunel al perechilor Cooper dintr-un supraconductor printr-un strat izolator ntr-un alt
supraconductor. Un astfel de dispozitiv formeaz o jonciune Josephson (fig. 6. 21).
o
Stratul dielectric are o grosime foarte mic, de ordinul zecilor de A , pentru a permite
perechilor Cooper o traversare, cu o probabilitatate apreciabil a jonciunii.
Pentru a calcula densitatea de curent prin jonciune se presupune c acesteia i se
aplic o tensiune continu U . n fiecare supraconductor perechile Cooper se afl n
2
aceeeai stare cuantic. Se noteaz cu 1 densitatea de probabilitate de localizare a
2
perechii de electroni n regiunea 1 a jonciunii i cu 2 densitatea de probabilitate de
localizare n regiunea 2 a jonciunii.

Fig. 6. 21. Jonciunea Josephson.

n cei doi supraconductori ecuaia Schrdinger temporal se scrie:


1
ih = hT2 eU1 (6.181)
t

i h 2 = hT1 + eU2 (6.182)
t
unde U este tensiunea aplicat jonciunii. Dar, atunci cnd o pereche de electroni trece
prin jonciune, variaia energiei sale poteniale devine egal cu qU = 2eU i se poate
considera c de o parte a jonciunii perechea de electroni are energia potenial eU , iar
de cealalt parte energia potenial eU . Factorul hT aplicat celor dou funcii 1 i 2 ,
reprezint efectul cuplajului perechilor de electroni sau interacia de transfer prin
dielectric. Factorul T are dimensiunea unei frecvene i este o msur a ptrunderii
funciei 1 n regiunea 2 i respectiv a funciei 2 n regiunea 1 . Dac dielectricul are o
2 2
grosime prea mare, T = 0 i efectul tunel dispare. Deoarece 1 n1 i 1 n2 ,

372
FIZIC

unde n1 i n 2 sunt concentraiile de perechi Cooper din cei doi supraconductori, se pot
alege expresiile:
1 = n1 exp(i 1 ) i 2 = n2 exp(i 2 ) . (6.183)
nlocuind expresiile (6.183) n ecuaiile (6.181) i (6.182), rezult
1 1 dn1 d ie
= exp(i 1 ) + i1 1 = iT2 + U1 (6.184)
t 2 n1 dt dt h
2 1 dn2 d ie
= exp(i 2 ) + i2 2 = iT1 U2 (6.185)
t 2 n 2 dt dt h
care se pot rescrie sub forma:
1 d n1 d i eU
+ i n1 1 = n1 iT n1n2 exp[i( 2 1 )] (6.186)
2 dt dt h
i respectiv
1 d n2 d i eU
+ i n2 2 = n2 i T n1n2 exp[i( 2 1 )] . (6.187)
2 dt dt h
Egalnd prile reale i imaginare ale relaiilor (6.186) i (6.187) rezult ecuaiile:
1 d n1
= 2T n1n 2 sin ( 2 1 ) (6.188)
2 dt
1 d n2
= 2T n1n 2 sin ( 2 1 ) (6.189)
2 dt
d 1 eU n
= T 2 cos ( 2 1 ) (6.190)
dt h n1
d 2 eU n
= T 2 cos ( 2 1 ) . (6.191)
dt h n1
Din ecuaiile (6.188) i (6.189), rezult:
d n1 dn
= 2 . (6.192)
dt dt
Densitatea de curent electronic de la regiunea 1 la regiunea 2 este proporional cu
d n2 d n1
sau cu . Din ecuaiile (6.190) i (6.191) considernd c n1 n 2 (dac
dt dt
supraconductorii sunt identici), rezult c:
d( 2 1 ) 2eU
= , (6.193)
dt h
care, dup integrare conduce la:
2eU
= 2 1 = 0 t, (6.194)
h
unde 0 este faza relativ a vectorilor de stare la momentul t = 0 . tiind c densitatea de
curent depinde de variaia n timp a concentraiei de perechi Cooper, din relaiile (6.188) i
(6.194) se poate scrie c aceast densitate este de forma :
2eU
J = J 0 sin 0 t, (6.195)
h
care oscileaz cu pulsaia

373
FIZICA CORPULUI SOLID

2eU
= , (6.196)
h
unde h = 2eU este cuanta de energie a perechii Cooper.

Etalonul pentru volt. B. Josephson a prezis n anul 1962 c acest fluid curios de perechi
Cooper poate traversa barierele de dielectrici i c intensitatea curentului supraconductor
depinde doar de defazajul dintre vectorii de stare scrii pentru electronii din cele dou
domenii supraconductoare, de o parte i de alta a barierei. Dac se aplic o tensiune U
constant la bornele unei jonciuni Josephson se observ trecerea unui curent electric
2e
sinusoidal cu pulsaia U . Pentru a transforma acest oscilator cuantic ntr-un etalon de
h
tensiune l iradiem cu o radiaie electromagnetic de frecven , ceea ce face ca pe curba
de dependen a curentului de tensiune s apar o serie de paliere echidistante, pe care
tensiunea rmne constant cu o incertitudine de 10 13 V. n anul 1986 J. Niemeyer de la
Physikalisch Technische Bundesansalt din Braunschweig (RFG) a realizat voltul
Josephson cu ajutorul a 1440 jonciuni Josephson identice, fiecare fiind de forma unui
sandwich minuscul format din dou straturi subiri de aliaj de plumb separate printr-o
pelicul izolant subire (12 nm) de oxid de plumb. Jonciunile sunt aezate n serie, n 12
ramuri de cte 120 jonciuni fiecare. ntreg sistemul se afl la temperatura heliului lichid de
4,2 K. Dispozitivul constituie un etalon de tensiune electric, avnd o precizie foarte
nalt. Acesta rmne stabil pn la 5 ore cu o precizie de 10 9 V. Jonciunea Pb/PbO/Pb
se autodistruge la temperatura camerei, fiind dificil conservarea ei. Jonciunea
niobiu/alumin/niobiu, mai dificil de obinut, se menine i la temperatura camerei.

6.5. Proprieile magnetice ale corpului solid


6.5.1. Diamagnetismul i paramagnetismul

Proprietile magnetice pot fi explicate numai cu ajutorul mecanicii cuantice,


deoarece un sistem clasic n echilibru termic nu poate s posede un moment magnetic chiar
n cmp magnetic (la limita clasic h 0 ). Momentul magnetic al unui atom poate fi
determinat n principiu de: spinul electronilor, momentul cinetic orbital al micrii n jurul
nucleului i modificarea momentului cinetic orbital, indus de un cmp magnetic aplicat.
Primele dou efecte dau contribuiile paramagnetice la magnetizare iar al treilea d
contribuia diamagnetic. Starea fundamental 1s a unui atom nu are moment magnetic
orbital, acesta fiind determinat n principal de spinul electronului mpreun cu un moment
diamagnetic indus slab (exemplu: hidrogenul). Atomii care au pturi electronice complete
au momentele de spin i orbitale nule; momentele magnetice sunt asociate cu pturile
incomplete. Magnetizarea (intensitatea de magnetizare) M este definit ca momentul
magnetic pe unitatea de volum iar susceptibilitatea magnetic pe unitatea de volum, m
M
este dat de relaia : m = unde B este inducia cmpului magnetic macroscopic.
B
Substanele cu o susceptibilitate magnetica negativ, foarte mic i practic independent
de temperatur se numesc diamagnetice. Introduse n cmp magnetic, substanele
diamagnetice sunt mpinse spre zonele de cmp mai slab deoarece au permeabilitatea
magnetic relativ mai mic dect unu. Exemple de materiale diamagnetice:
- unele metale (Bi, Ag, Au, Ag, Pb etc.) i hidrogenul;
- toi metaloizii (cu excepia oxigenului) etc.;

374
FIZIC

- cea mai mare parte a compuilor (moleculele de


H, C, N, S, P, CCl, CBr, C14 H 10 , C10 H 8 , C 6 H 6 , CN, CO 3 , NO 3 , SO 4 , H 2 O,... ).
Substanele care au susceptibilitatea magnetic pozitiv i invers proporional cu
temperatura la temperaturi ridicate (legea Curie) se numesc paramagnetice. Introduse n
cmp magnetic sunt atrase n regiunile cu cmp magnetic mai intens, deoarece au
permeabilitatea magnetic relativ mai mare ca unu. Din categoria materialelor
paramagnetice fac parte:
- unele metale (Al, Cr, Mn, K, Na, Sn, etc.) ;
- gazele biatomice O 2 i NO ;
- ionii trivaleni ai pmnturilor rare;
- srurile din grupul Fe .
Orice substan paramagnetic se manifest n general i diamagnetic, acest efect
fiind mult mai mic dect primul. Att substanele diamagnetice ct i cele paramagnetice
r r
fac parte din categoria materialelor magnetice liniare: M = m H , H fiind intensitatea
cmpului magnetic.
Momentele magnetice nucleare dau natere paramagnetismului nuclear.
Momentele magnetice ale nucleelor sunt ca ordin de mrime de 10 3 ori mai mici dect
momentul magnetic al electronului. Fosforul, arsenicul i stibiul se comport ca donori
cnd sunt prezeni n siliciu. Fiecare atom donor posed cinci electroni din care patru intr
diamagnetic n reeaua legturilor covalente ale cristalului iar al cincilea electron se
1
comport ca un centru paramagnetic de spin s = . Interacia magnetic ce exist ntre
2
momentul magnetic al unui electron i momentul magnetic al unui nucleu se numete
interacie hiperfin. Energia de interacie hiperfin (n cazul solidelor) este dat de relaia:
r r r r r
W = I B = a I S unde I este spinul nuclear n uniti h iar a este constanta
hiperfin. ntr-un cmp magnetic puternic schema nivelelor de energie ale unui atom sau
ion liberi, este dominat de despicarea de energie Zeeman a nivelelor electronice. Interacia
hiperfin d o despicare adiional (despicarea hiperfin) care n cmpuri puternice are
valoarea: U ' a m S m I unde m S i m I sunt numerele cuantice magnetice, (regulile de
selecie fiind m S = 1, m I = 0 ). n cazul donorilor de P i As (care posed un
singur izotop natural), numrul componentelor structurii hiperfine este 2 I + 1 = 2 pentru P
i 4 pentru As . n cazul Sb (care are doi izotopi naturali 121 Sb cu I = 5 / 2 (56 de
procente) i 129 Sb cu I = 7 / 2 (44 de procente), numrul total de linii observate
experimental este 6+8=14, aa cum prevede i teoria. 28 Si (92 de procente) cu spin
nuclear egal cu zero nu produce despicare hiperfin n timp ce 29 Si cu I = 1 / 2 d o
anumit contribuie suplimentar la despicarea hiperfin care poate fi studiat cu ajutorul
tehnicii de rezonan dubl electronic i nuclear care dau informaii asupra funciilor de
und ale electronilor de conducie i a poziiei n zona Brillouin a marginii benzii de
conducie n siliciu.

6.5.2. Feromagnetismul i antiferomagnetismul

Materialele feromagnetice se caracterizeaz printr-o magnetizaie ridicat, care


depinde de cmpul magnetic dup o curb (ciclu) de histerezis (fig. 6. 22). Variind
intensitatea cmpului magnetic ntre dou limite simetrice H m i + H m , punctul

375
FIZICA CORPULUI SOLID

reprezentativ al strii de magnetizare evolueaz iniial de-a lungul curbei de prim


magnetizare 0 H m pn cnd magnetizarea atinge valoarea M s (magnetizare de saturaie)
i aceasta nu mai crete indiferent de valoarea lui H .

Fig. 6. 22. Curba de histerezis.


La scderea lui H , revenirea se face pe curba H m M r astfel nct la H = 0
materialul rmne magnetizat (magnetizaia remanent M r ). Pentru a anula magnetizaia,
trebuie aplicat un cmp magnetic H c (cmp magnetic coercitiv) .a.m.d. n cazul
substanelor feromagnetice care fac parte din categoria materialelor neliniare (din cauza
r r
relaiei neliniare dintre M i H ), susceptibilitatea magnetic m trebuie s fie
( )
r r
interpretat cu panta unei tangente la curba M = f H , ntr-un punct corespunztor unei
M
valori particulare a lui H: m = . Pentru explicarea fenomenologic a
H
feromagnetismului se consider n materialul feromagnetic preexistena unor regiuni
magnetizate spontan, aa-numitele domenii Weiss, care au dimensiuni liniare de ordinul
10 2 10 3 cm i sunt orientate sub efectul cmpului magnetic. Susceptibilitatea
materialelor feromagnetice este dat de relaia:
C
m = , pentru T > Tc (6.197)
T Tc
unde C este o constanta de proporionalitate iar Tc este temperatura Curie (temperatura la
care dispare magnetizaia spontan). Principalele materiale feromagnetice sunt: fierul,
cobaltul, gadolinul . a.
Exist unele substane paramagnetice, de exemplu CO3Fe, care au susceptibiliti
magnetice care trec printr-un maxim cnd temperatura scade (fig. 6. 23). Sub temperatura
T corespunztoare maximului substana devine antiferomagnetic.

376
FIZIC

Fig. 6. 23. Dependena susceptibilitii magnetice de temperatur n cazul


unui antiferomagnet.

Peste aceast temperatur susceptibilitatea magnetic a materialului variaz dup legea:


C
m = (6.198)
T + TN
unde TN este temperatura Nel, n general pozitiv. Sub temperatura T (analogul
temperaturii Curie pentru feromagnetici) apar noi fore care tind s realizeze progresiv
antiparalelismul momentelor magnetice ale ionilor (antiferomagnetism). La aceast
temperatur se produce o tranziie de faz de ordinul doi, de tipul ordine-dezordine care
este nsoit de o anomalie a cldurilor specifice i o discontinuitate a coeficienilor de
dilatare i compresibilitate. Cele mai cunoscute substane antiferomagnetice sunt: CO3Fe,
MnO2, FeFe2, OFe2, OCo, ONi.

6.5.3. Ferimagnetismul

Din categoria materialelor magnetice neliniare fac parte i feritele. Acestea au un


ciclu histerezis apropiat de forma dreptunghiular i o rezisten electric foarte mare, care
le micoreaz mult pierderile prin cureni turbionari, chiar la frecvene relativ ridicate. n
cazul feritelor unii ioni ocup poziii tetraedrice, iar alii ocup poziii octaedrice. ntre
ionii din poziiile tetraedrice i octaedrice se exercit fore de schimb intense de tip negativ
n timp ce ntre ionii care ocup poziii de acelai tip, se manifest fore de schimb mult
mai slabe. Feritele cele mai importante sunt materialele sinterizate din oxizi de fier i de
mangan sau alte metale, formula brut a compuilor cristalizai fiind MFe2O4, unde M este
un metal bivalent (Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Mg).

6.6. Semiconductori
6.6.1. Noiuni generale

Semiconductorii sunt materiale a cror conductivitate electric este cuprins n


intervalul 10 10 10 3 (m ) , fiind plasai ntre conductori i izolatori. Conductivitatea
1

electric a semiconductorilor crete cu temperatura n timp ce n cazul conductorilor


aceasta scade cu creterea temperaturii. n plus, conductivitatea electric a
semiconductorilor este puternic influenat de defectele existente n structura cristalin, n
timp ce la conductori prezena acestor defecte de structur nu are nici o influen. Conform
teoriei benzilor de energie, banda de valen are toate nivelele ocupate cu cte doi
electroni, cu spinii antiparaleli, la temperatura 0 K, iar nivelul Fermi se afl n banda
interzis de deasupra benzii de valen. La temperatura camerei semiconductorii se afl n

377
FIZICA CORPULUI SOLID

stare solid, fiind din punct de vedere chimic elemente ca: germaniu, siliciul, telurul,
seleniul sau compui ca: oxizi, sulfuri, selenuri etc. ale diferitelor metale. n funcie de
existena impuritilor (ali atomi n nodurile reelei) semiconductorii se mpart n
semiconductori intrinseci (fr impuriti) i semiconductori extrinseci (cu impuriti).

6.6.2. Semiconductori intrinseci

Conducia electric a acestor semiconductori se datorete procesului de trecere, prin


salt cuantic, al electronilor din banda de valen n banda de conducie (fig. 6. 24). Pentru a
explica procesul de conducie al acestui tip de semiconductori se alege ca exemplu cristalul
pur de germaniu. Atomul de germaniu fiind tetravalent, adic avnd patru electroni de
valen, pentru a-i asigura configuraia stabil de opt electroni pe ultimul strat electronic,
folosete n comun cu ali patru atomi vecini cei patru electroni de valen. Acest tip de
legtur se numete legtur covalent. Datorit simetriei, electronii supui legturilor
covalente se gsesc sub aciunea unor fore stabile i astfel noiunea de electroni liberi nu
mai are sens. Odat cu creterea temperaturii, datorit agitaiei termice, unele legturi
slbesc, putndu-se rupe, ceea ce are ca rezultat eliberarea unora dintre electroni, care
devin liberi, deplasndu-se haotic prin reeaua cristalin. Aceti electroni se pot mica
dirijat sub aciunea unui cmp electric exterior, deci sunt electroni de conducie. Atomul de
germaniu rmas fr un astfel de electron, prezint o sarcin pozitiv necompensat numit
gol. Apare tendina ca ionii de germaniu cu un astfel de gol s ncerce s-i completeze
configuraia cu electroni luai de la ali atomi de germaniu. n acest mod lipsa de electron,
adic golul, se deplaseaz prin cristal. Sub aciunea cmpului electric exterior, trecerea
electronilor de la un atom la altul este nsoit de o deplasare n sens opus a golurilor.
Astfel, ntr-un semiconductor intrinsec apar dou feluri de purttori de sarcin:
electronii i golurile. Golul, considerat ca o particul cu mas efectiv i sarcina + e , nu
este totui, o particul elementar, n sensul strict al cuvntului. Astfel, n vid, electronul
este o realitate evident, iar noiunea de gol nu are nici un sens. Deci, golul are o realitate
fizic numai n cazul corpurilor solide, reprezentnd de fapt un anumit mod de comportare
al electronilor de valen ai corpului solid considerat. Din punct de vedere energetic,
procesul are loc conform fig. 6. 24.

Fig. 6. 24. Reprezentarea schematic a producerii unui gol ( ).

Pentru ca un electron, legat de atomul de germaniu, s devin liber, adic electron


de conducie, trebuie s fac saltul din banda de valen n banda de conducie, adic
trebuie s-i mreasc energia cu W care poart numele de energie de activare. n urma
acestui salt energetic, efectuat n mod obinuit de ctre electronii ce se afl pe nivelele

378
FIZIC

energetice superioare ale benzii de valen, rmn goluri pozitive care tind s fie ocupate
de electronii de pe nivelele inferioare. Aceasta duce la deplasarea golurilor, din cadrul
benzii de valen, de la nivelele superioare spre cele inferioare. Sub aciunea cmpului
electric exterior, cele dou tipuri de purttori de sarcin vor avea mobiliti diferite
deoarece au mase efective diferite. Dac se noteaz cu n concentraia de electroni liberi,
cu n mobilitatea acestora, cu p concentraia de goluri i cu p mobilitatea acestora,
rezult pentru conductibilitatea electric a semiconductorlor expresia: = ne n + pe p ,
care n cazul semiconductorilor intrinseci, fr impuriti, cnd n = p , devine:
( )
= ne n + p . n cazul unui semiconductor intrinsec, n lipsa unui excitator extern,
numrul electronilor liberi de conducie, respectiv numrul golurilor, depinde numai de
temperatur i valoarea energiei de activare W .
Pentru electronii care trec din banda de valen n banda de conducie se consider
drept energie de referin valoarea minim a benzii de conducie Wc . innd seama de
faptul c n fiecare stare energetic se pot gsi doi electroni i considernd c energia
benzii de conducie poate varia de la valoarea minim Wc la infinit, rezult c pentru
concentraia electronilor care se pot gsi n banda de conducie exist relaia:
3/ 2

1 2m n (W Wc )1 / 2
n= 2 dW , (6.199)
2 W WF
Wc 2 h 1 + exp
kT
unde m n este masa efectiv a electronilor. Analog, pentru concentraia de goluri, innd
seama c nivelul maxim ocupat de acestea este marginea superioar a benzii de valen Wv
(se alege valoarea zero la baza benzii de valen), se poate scrie c:
3/ 2
Wv
1 2m p
(Wv W )1 / 2
p= 2
dW (6.200)
2 h
2 W + WF
exp +1
kT
unde m p este masa efectiv a golurilor. n cele prezentate mai sus s-a inut cont de faptul
c un gol nseamn lips de electroni, deci probabilitatea de apariie a golului este
W WF
exp
1 kT 1
1 = = (6.201)
W WF W WF W WF
exp + 1 exp + 1 exp +1
kT kT kT

Semiconductori nedegenerai. Dac banda interzis dintre banda de valen i banda de


conducie este suficient de larg pentru ca nivelul Fermi s se gseasc la distane
energetice mai mari ca 2kT de cele dou benzi, se poate considera c: W WF >> kT ,
electronii supunndu-se statisticii clasice Maxwell-Boltzmann. n acest caz se poate scrie:

379
FIZICA CORPULUI SOLID

3/ 2
1 2m
W WF
n 2 2n (W Wc )
1/ 2
exp dW
2 h Wc kT
3/ 2
1 2mn kT W WF W WF
= 2 exp c = N c exp c , (6.202)
2 h 2 2 kT kT
3/ 2
2mn kT
unde N c = 2 reprezint densitatea strilor din banda de conducie.
h2

Pentru determinarea numrului de goluri din unitatea de volum din banda de
valen se utilizeaz aceeai aproximaie ca n cazul electronilor, adic:
3/ 2
1 2m p Wv
W WF

(Wv W )
1/ 2
p 2 exp dW
2 h 2
kT
3/ 2
2mp kT W Wv W Wv
= 2 2

exp F = N v exp F (6.203)
h kT kT
3/ 2
2m p kT
unde N v = 2 este densitatea de stri energetice din banda de valen.
h2

Fcnd produsul relaiilor (6.202) i (6.203) rezult expresia:

3 3
2kT W Wv 2kT 3/ 2 W
np = 4 2 (mnmp ) exp c (mnmp ) exp
3/ 2
= 4 , (6.204)
h kT h2 kT
unde W = Wc Wv este lrgimea benzii interzise. Se observ c produsul concentraiilor
de electroni i goluri nu depinde de energia corespunztoare nivelului Fermi ci doar de
temperatur i de parametri care caracterizeaz materialul ( mn , m p , Wv , Wc ).
Relaia (6.204) este cunoscut sub numele de legea aciunii maselor, aceasta
evideniind faptul c dac ntr-un semiconductor dintr-un motiv oarecare crete
concentraia unuia din purttorii de sarcin, concentraia celuilalt trebuie s scad, dac
temperatura rmne constant. n cazul semiconductorilor extrinseci relaia (6.204) are o
importan deosebit deoarece permite reducerea, uneori chiar total, a purttorilor de
sarcin dintr-un cristal impur, prin introducerea constant a unor impuriti potrivite. n
cazul semiconductoarelor intrinseci concentraia electronilor din banda de conducie este
egal cu cea a golurilor din banda de valen, adic este ndeplinit condiia: ni = n = p .
n acest caz rezult pentru concentraia de purttori de sarcin expresia:
3/ 2
2kT W W
ni = 2 2 (m m )
n
3/ 4
p exp = AT exp
3/ 2
. (6.205)
h 2kT 2kT
Relaia (6.205) arat c la T = 0 K nu exist purttori liberi de sarcin ntr-un
semiconductor intrinsec, iar la o alt temperatur concentraia de purttori depinde i de
lrgimea benzii interzise. Astfel, la T = 300 K , WSi = 1,14 eV i niSi = 1,5 1016 m 3 ,
iar WGe = 0,67 eV i niGe = 2,4 1019 m 3 .

380
FIZIC

Semiconductori degenerai. Dac nu este respectat condiia de nedegenerare, ceea ce se


ntmpl n majoritatea cazurilor se poate scrie c:
2m kT
n = 2 n2 F1/ 2 ( ) = N c F1/ 2 ( ) . (6.206)
h
2 1/ 2
x dx
unde F1 / 2 ( ) = sunt integrale de tip Fermi, care sunt tabelate, iar
0 1 + e x
W Wc W Wc
x= i = F .
kT kT
Concentraia de goluri poate fi exprimat sub forma:
2m p kT
p = 2 F ( ) = N F () . (6.207)
h 2 1/ 2 v 1/ 2

2 y 1 / 2 dy W W W WF
unde F1/ 2 ( ) = y
, y= v i = v .
0 1+ e kT kT
Dac pentru o anumit temperatur, numit temperatur critic, Tc , nivelul Fermi
WF coincide cu una din marginile celor dou benzi permise, adic WF = Wc , deci = 0 ,
sau WF = Wv , deci = 0 , n cele dou cazuri concentraiile celor dou tipuri de purttori
3/ 2 3/ 2
8 2mn kTc
8 2m p kTc

de sarcin au valorile: n , p .
3 h 2 3 h 2

6.6.3. Semiconductori extrinseci

Semiconductorii care conin impuriti poart denumirea de semiconductori


extrinseci. Introducerea impuritilor d natere unor defecte de structur i, ntruct n
cazul semiconductorilor extrinseci atomul de impuritate se fixeaz ntr-un nod al reelei,
substituind unul din atomii reelei, defectele respective se numesc substituie. ntre atomul
de impuritate introdus n mod artificial i atomii cristalului de baz, adic ntre electronii
lor de valen, se stabilesc legturi covalente n sensul obinerii unor condiii de stabilitate
optim. Comportarea n ansamblu a unui asemenea semiconductor cu impuriti depinde de
natura atomului de impuritate introdus, adic de numrul electronilor de valen pe care i
are acest atom de impuritate n raport cu cel al atomului cristalului de baz. Din acest punct
de vedere apar dou situaii distincte legate de natura atomilor de impuritate:
a) atomii de impuritate au un numr de electroni de valen mai mare ca atomul de baz,
b) atomii de impuritate au un numr de electroni de valen mai mic ca atomul de baz.
n cazul a) rmne un electron al atomului de impuritate nefolosit n legturile cu
ceilali atomi vecini ai reelei. Acesta devine liber, asigurnd conducia electric prin
cristal. Atomul de impuritate care elibereaz un electron se numete atom donor.
Pentru a nelege comportarea acestui electron liber se consider c acest electron
se deplaseaz pe o orbit circular n jurul nucleului atomului de impuritate, ca n modelul
lui Bohr, n mediul dielectric al cristalului. Conform modelului lui Bohr, raza orbitei este
0 r h 2 mn* e 4
dat de relaia ( n = 1 ): r1 = i energia de ionizare: Wionizare = .
e 2 mn* 8h 2 02 2r
Considernd exemplul germaniului, pentru care r = 15,8 i mn* = 0,12 m , rezult pentru

381
FIZICA CORPULUI SOLID

atomul impuritate de stibiu valorile: r1 = 70 10 10 m i Wionizare = 6,5 10 3 eV , iar


pentru siliciu, n care mn* = 0,25 m i r = 11,7 rezult pentru acelai atom-impuritate:
r1 = 25 10 10 m i Wionizare = 2,5 10 3 eV . Comparnd aceste valori cu cele ale
electronului din atomul de hidrogen ( r1 = 0,53 10 10 m i Wionizare = 13,6 eV ) se
observ c electronul atomului de impuritate se deplaseaz pe o orbit foarte mare care
depete cu mult i constanta reelei ( aGe = 5,65 10 10 m i aSi = 5,43 10 10 m ) i c
energia de ionizare este foarte mic. Rezult c acest electron devine foarte uor liber.
Apariia acestui electron liber de la fiecare atom de impuritate este echivalent cu
apariia unui nou nivel energetic permis n banda interzis, numit nivel donor (fig. 6. 25).

Fig. 6. 25. Reprezentarea schematic a nivelelor energetice n cazul unui semiconductor care
conine impuriti donoare de electroni.

Acest nivel este plasat aproape de banda de conducie, deoarece energia de activare
a atomului de impuritate este mult mai mic dect cea a cristalului de baz. Din acest
motiv electronii de valen ai atomului de impuritate trec cu uurin n banda de conducie
a cristalului de baz, devenind electroni de conducie. Conducia electric la acest tip de
semiconductori, cu impuriti donoare de electroni poate fi considerat doar de natur
electronic i este denumit conducie de tip n.
n cazul b) atomului de impuritate i lipsete un electron pentru a-i stabili o
legtur stabil cu atomii vecini din cristal. Acesta primete electronul care i lipsete de la
un atom al cristalului, deci este un acceptor de electroni. Apare un gol, adic o lips de
electron, care este echivalent cu o sarcin pozitiv. n urma unor raionamente ca n cazul
electronului (folosind modelul Bohr) rezult n cazul germaniului, care formeaz cristalul
gazd i are m *p = 2,5 m , o energie de ionizare pentru indiu egal cu 0,015 eV, iar n cazul
siliciului, care are m *p = 2 m , o energie de ionizare a ionului acceptor de indiu egal cu
0,05 eV. i de data aceasta valorile numerice gsite permit considerarea golului ca fiind
liber prin cristal. Energetic, apare un nivel permis n banda interzis, numit nivel acceptor,
care este plasat n apropierea banzii de valen (fig. 6. 26). Prin trecerea unui electron din
banda de valen pe nivelul acceptor, n banda de valen apare un gol care, fiind
compensat electric de electroni de pe nivelele inferioare ale benzii de valen, face ca
acesta s se deplaseze n cadrul reelei, constituind un purttor de sarcin pozitiv liber, ce
poate ntreine un curent electric sub aciunea unui cmp electric exterior. Semiconductorii
cu impuriti acceptoare, prezentnd o conductibilitate electric prin goluri, poart
denumirea de semiconductori de tip p.

382
FIZIC

Fig. 6. 26. Reprezentarea schematic a nivelelor energetice n cazul unui semiconductor care
conine impuriti acceptoare de electroni.

Ecuaia de neutralitate electric. Expresiile care permit calcularea concentraiilor n i p


ale electronilor i golurilor presupun cunoaterea poziiei nivelului Fermi. Dar, nivelul
Fermi nsi depinde de temperatur i de concentraia de purttori. Poziia lui se poate
modifica substanial cnd sunt introduse impuriti responsabile pentru strile localizate
(nivelele din banda interzis). Acest lucru este normal deoarece nivelul Fermi determin
distribuia electronilor pe stri i prin introducerea impuritilor se creaz stri localizate n
banda interzis, care pot fi ocupate att cu electroni ct i cu goluri. Prin crearea nivelelor
discrete n banda interzis are loc o redistribuire a electronilor n stri ceea ce este
reprezentat prin variaia poziiei nivelului Fermi. Ecuaia din care se deduce energia
corespunztoare nivelului Fermi W F poart numele de ecuaia de neutralitate electric.
Se noteaz cu N d i N a concentraiile de impuriti donoare i respectiv acceptoare. Ca
rezultat al ionizrii termice se creaz n semiconductor un numr de electroni i goluri.
Purttorii de sarcin liberi se creaz ca rezultat al ionizrii att a atomilor de impuritate ct
i a atomilor cristalului. Sarcina total a tuturor particulelor ncrcate electric trebuie s fie
zero, deoarece cristalul nu este ncrcat electric. Condiia de neutralitate electric se aplic
att ntregului cristal ct i unitii de volum de cristal.
Sarcina negativ este creat de electronii liberi i ionii acceptori i este egal cu
( )
n + N a e , iar sarcina pozitiv este creat de golurile libere i ionii donori, fiind egal
cu ( p + N )e . Condiia de neutralitate este: ( p + N )e ( p + N )e = 0 sau
+
d
+
d

a
p + N (n + N )= 0 . Notnd numrul de electroni i goluri care ocup nivelele donoare
+
d

a
i respectiv acceptoare prin nd , p d , na i pa se poate scrie c:
nd = N d N d+ = N d p d sau N d+ = N d n d = p d i p a = N a N a = N a na
sau N a = N a p a = n a . Pe baza celor prezentate mai sus condiia de neutralitate se
poate scrie sub forma: n + n a ( p + p d ) = 0 sau n + n d ( p + p a ) = N d N a .

Probleme
P.6.1. S se gseasc lungimea de und pentru care se obin maxime de interferen cu o
reea cubic simpl pentru o direcie dat a fasciculului incident de raze X.

Rezolvare. n cazul reelei cubice simple maximele de interferen se obin din relaiile
(ecuaiile Laue):

383
FIZICA CORPULUI SOLID

d (cos cos 0 ) = k1 , (P.6.1.1)


d (cos cos 0 ) = k 2 , (P.6.1.2)
d (cos cos 0 ) = k 3 , (P.6.1.3)
unde d este constanta reelei, reprezint lungimea de und, k1 , k 2 , k 3 sunt numere
ntregi care determin maximele de interferen, iar 0 , 0 , 0 i , , sunt
unghiurile fcute de raza incident respectiv reflectat cu axele x, y, z . ntre
unghiurile , , exist relaia:
cos 2 + cos 2 + cos 2 = 1 . (P.6.1.4)
Rezolvnd sistemul de ecuaii (P.6.1.1)-(P.6.1.3) cu condiia (P.6.1.4) se obine
lungimea de und pentru care se obin maxime de interferen sub forma:
k1 cos 0 + k 2 cos 0 + k 3 cos 0
= 2d . (P.6.1.5)
k12 + k 22 + k 32

P.6.2. Considernd un oscilator amortizat de mas m i sarcin q s se calculeze


contribuia a N astfel de oscilatori pe unitatea de volum la constanta dielectric fr a ine
seama de interaciunea dintre oscilatori.

Rezolvare. Pentru oscilatorul descris mai sus ecuaia de micare este de forma:
d 2 x 1 dx
m 2 + + 02 x = q E 0 e -it (P.6.2.1)
dt d t

unde 0 este pulsaia la rezonan, E0 este intensitatea cmpului electric cu pulsaia ,
iar este timpul de relaxare. Admindu-se soluii de forma:
x = x 0 e -it (P.6.2.2)
din ecuaia (P.6.2.1) se obine:
qE 0 m
x0 = . (P.6.2.3)
i
02
2

Momentul dipolar avnd amplitudinea p 0 = x 0 q mai poate fi scris sub forma
p 0 = E 0 de unde rezult pentru polarizabilitatea expresia:
q2 m
= . (P.6.2.4)
i
02 2

N
Polarizarea definit ca momentul dipolar al unitii de volum are expresia n = :
V
nq 2 E 0 m
P = nq x 0 = . (P.6.2.5)
2 2 i
0

Permitivitatea electric relativ r a unui mediu izotrop se poate calcula cu relaia:
0 E + P 1 P
r = = 1+ (P.6.2.6)
0 E 0 E

384
FIZIC

astfel c din ecuaiile (P.6.2.5) i (P.6.2.6) se obine expresia:


n q 2 m 0
r = 1+ . (P.6.2.7)
2 2 i
0

P.6.3. Se consider un conductor de Cu avnd seciunea S = 1 mm 2 aflat la temperatura


camerei. innd seama c densitatea de curent electric n Cu se datorete micrii
electronilor (un electron pentru fiecare atom) s se calculeze: a) numrul de purttori de
sarcin pe unitatea de volum i b) viteza de deplasare a electronilor pentru un curent egal
cu 1 A (model clasic). Se dau pentru Cu: masa atomic A = 63,5 , densitatea sa
1
= 8,57 10 3 kg m 3 , iar numrul Avogadro N A = 6,02 10 26 i sarcina electric
kmol
elementar e = 1,6 10 19 C .

Rezolvare. a) Numrul de purttori din unitatea de volum, V este:


N N A
n= = = 8,14 10 28 m 3 . (P.6.3.1)
V A
b) innd seama de formula densitii de curent
I
j= = nev (P.6.3.2)
S
rezult:
I
v= 10 4 m s . (P.6.3.3)
neS

P.6.4. S se calculeze conductivitatea la temperaturi joase (T = 90 K ) , respectiv nalte


(T 300 K ) , pentru un material semiconductor avnd mobilitatea golurilor
p = 10 2 m 2 / V s i concentraia impuritilor acceptoare N a = 10 24 m -3 . Se
consider atomul acceptor aflat pe un nivel de energie situat n zona interzis la o distan
W = 0,5 eV deasupra benzii de valen. Se dau: constanta Planck h = 6,63 10 34 J s ,
constanta Boltzmann k = 1,38 10 23 J / K , m*p m0 = 9,11031 kg i sarcina
electronului e = 1,6 10 19 C.

Rezolvare. n cazul temperaturilor joase conductivitatea se calculeaz cu ajutorul relaiei:


3/ 4
2m*p kT W
= pe p = (2N a ) e p
1/ 2 exp 11 1 -1
= 4,110 m . (P.6.4.1)
h2 2kT

La temperaturi ridicate se poate aproxima
p Na (P.6.4.2)
deci
= N a e p = 1,6 10 3 -1 m 1 . (P.6.4.3)

385
FIZICA CORPULUI SOLID

P.6.5. S se determine valoarea energiei medii, W a electronilor din banda de conducie


a unui semiconductor nedegenerat aflat la temperatura T .

Rezolvare. Energia medie a electronilor din banda de conducie a unui semiconductor


nedegenerat este:

exp ( W ' / kT ) d W '
3/ 2

W ' 3kT
0
W =
= . (P.6.5.1)
2
exp ( W ' / kT ) d W '
1/ 2
W '
0

P.6.6. Fie dou jonciuni Josephson legate n paralel. S se calculeze curentul total care
curge prin cele dou jonciuni i s se arate c diferena de faz de sosire a curenilor pe
drumuri diferite d fenomenului un aspect de interferen.

Rezolvare. Pe baza modelului teoretic prezentat n paragraful 19.2.4. curentul total (suma
celor doi cureni prin cele dou jonciuni Josephson) se poate scrie sub forma:
e e e
J = J 0 sin 0 + + sin 0 = J 0 sin 0 cos , (P.6.6.1)
h h h
unde este fluxul magnetic. Valoarea maxim a curentului este:
e
J max = J 0 cos , (P.6.6.2)
h
maximul expresiei obinndu-se pentru:
h
= n . (P.6.6.3)
e
Deci curentul va nregistra maxime pentru fluxuri magnetice maxime i respectiv,
minime pentru fluxuri magnetice minime.

P.6.7. Se fac dou msurtori de susceptivitate pentru un material feromagnetic la


temperaturile t1 = 225 C i t 2 = 250 C mai mari dect temperatura Curie, obinndu-
se 1 = 10 3 respectiv 2 = 5 10 4 . S se deduc valorile: a) constantei i b)
temperaturii Curie pentru materialul considerat.

Rezolvare. La temperaturi mai mari dect temperatura Curie materialul este paramagnetic
iar susceptibilitatea depinde de temperatur dup legea:
C
= , (P.6.7.1)
T TC
unde C i TC reprezint constanta i respectiv temperatura Curie. n condiiile problemei
C C
1 = , 2 = . Rezolvnd sistemul celor dou ecuaii rezult:
T1 TC T2 TC
T 2T2
a) Tc = 1 1 = 467 K (P.6.7.4)
1 2
i

386
FIZIC

b) C = 2 (T2 Tc ) = 1 2
(T2 T1 ) = 25 10 3 K . (P.6.7.5)
1 2

P.6.8. Se consider o prob de fier pentru care dependena dintre inducia magnetic B i
intensitatea cmpului magnetic H este dat n fig. P.3.10.1. Aceasta se afl n interiorul
unei bobine avnd diametrul d = 310 1 m , seciunea S = 5 10 4 m 2 i N = 800 spire
fiind parcurs de un curent cu intensitatea I = 3 A . tiind c bobina are un ntrefier
b = 2 10 3 m i neglijnd dispersia liniilor de cmp n ntrefier, s se calculeze
permeabilitatea magnetic r a probei de fier. Se d permeabilitatea absolut a vidului
0 = 1,26 10 6 H/m .

Fig. P.6.8.1. Dependena dintre inducia magnetic i intensitatea


cmpului magnetic.
r
r r r r D r
Rezolvare. Din legea circuitului magnetic H dr = J dS + dS se obine n
S S
t

NI 0 d b
condiiile problemei B = H = H . Ecuaia dreptei intersecteaz axele
b b
kA
n punctele B0 = 1,3 T i H 0 = 0,33 . Din intersecia dreptei B = H (relaiai a
m
curbei B = f (H ) (fig. P.3.10.1.) rezult r = 310 3 .

387