GICEP

Grupo de Investigacin en Calidad de la Energa y Electrnica de potencia

150
Profesor Titular:
10
0

5
Armando Jaime Ustariz Farfn
E-Mail: ajustarizf@unal.edu.co
0

-
5
0

-
10
0

-
150

0 2 4 6 8 1 12 14
Profesor Asistente:
0

Andrs Felipe Guerrero Guerrero

t
[
m
s
]

E-Mail: afguerrerog@unal.edu.co

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CAPTULO 1: Introduccin a la electrnica de potencia

1.3. Dispositivos semiconductores de potencia

GICEP
Grupo de Investigacin en Calidad de la Energa y Electrnica de potencia

150
Profesor Titular:
10
0

5
Armando Jaime Ustariz Farfn
E-Mail: ajustarizf@unal.edu.co
0

-
5
0

-
10
0

-
150

0 2 4 6 8 1 12 14
Profesor Asistente:
0

Andrs Felipe Guerrero Guerrero

t
[
m
s
]

E-Mail: afguerrerog@unal.edu.co

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Clasificacin

Sin control
DIODOS

Solo con control de encendido

SCR : Silicon-Controlled Rectifier
TRIAC: Triode for Alternating Current

Con control de encendido y apagado

BJT Bipolar Junction Transistor
IGBT Insulated-gate Bipolar Transistor
MOSFET Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor

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Dispositivos semiconductores de potencia: Definiciones

ton Fmax
D ; Ts ton toff
Ts

D: Ciclo de trabajo f (t )
ton : Duracin dispositivo en conduccin
toff : Duracin dispositivo en corte
Ts : Perodo de la seal

Fmin

Prdidas estticas
Prdidas en corte o bloqueo
Prdidas en conduccin
PTot PBL PCC PCon PCoff
Prdidas dinmicas
Prdidas conmutacin al bloqueo
Prdidas conmutacin a conduccin

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Diodos de potencia

DIODO :

En (1) : En (3) :
PBL VEmin * I R * (1 D) PCC VF * I max * D

1
En (4) y (5) : Qrr trr * I rr
2
trr
1 Q *V
PCoff VD (t ) * I D (t )dt rr Emin
Ts 0 Ts
tCon
PCoff Qrr * VEmin * f s 1
En (2) : PCon
Ts V
0
D (t ) * I D (t )dt

t t 1
VD VF * ; I D I Dmax * PCon VF * I max * tCon * f s
tCon tCon 3

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Dispositivos semiconductores de potencia: Tipos de Diodos

Tipo VRRM IF trr

Propsito general 100 V - 5000 V 1 A 5000 A > 1 s

Rpido 100 V - 3000 V 1 A 1000 A 100 ns 500 ns
Ultra rpido 200 V - 800 V 1 A 50 A 20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V 1 A 150 A < 2 ns

Estrecha relacin entre: Tiempos de conmutacin, tensin de ruptura y

resistencia en conduccin.

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Ejemplo 1

Calcular prdidas y seleccionar diodo bajo las siguientes condiciones:

VEmax= 100 V
VEmin= -100 V
D=0.5
R= 120
fs= 60 Hz

Ref. VF IR tfr trr Irr Ptot

1N4007
UF4007

Ref. PBL PCC PCon PCoff PTot

1N4007
UF4007

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Transistor - BJT

BJT : Bipolar Junction transistor

En (4) : En (8) :
PCC VCEsat * I Cmax * D PBL VCEmax * I CEO * (1 D )

tCon
1
En (3) : PCon
Ts V
0
CE (t ) * I C (t )dt
En (6) :
t t 1 1
VCE (t ) VCEmax VCEmax * ; I C (t ) I Cmax * PCon VCEmax * I Cmax * tCon * f s PCoff VCEmax * I Cmax * tCoff * f s
tCon tCon 6 6

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Tiristor - SCR

SCR: Silicon-Controlled Rectifier

I GN G
N

GP I
GP

Planteando ecuaciones de transistores:

I C1 1 I A I CBO1
IG=0: 1 + 2 muy pequeo
I C 2 2 I K I CBO 2
I K I GN I A I GP IG>0: 1 + 2 tiende a 1

(1 2 ) I GN 2 I GP I CBO1 I CBO 2
IC
IA
1 (1 2 ) IE

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Tiristor - SCR

SCR: Silicon-Controlled Rectifier

En (1) : En (3) :
PBL VR * I R * (1 D) PCC VF * I max * D
1
En (5) y (6) : Qrr trr * I rr tCon
2 1 t
1
trr
Qrr * VR
En (3) : PCon
Ts VAK (t ) * I A (t )dt VAK (t ) VAKmax VAKmax *
tCon
Ts 0
PCoff VD (t ) * I D (t ) dt 0

Ts t 1
I C (t ) I Amax * PCon VAKmax * I Amax * tCon * f s
PCoff Qrr *VR * f s tCon 6

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Transistor - MOSFET

MOSFET : Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor

En (8) : En (4) :
PBL VDSmax * I DSS * (1 D) PCC RDS ( on ) * I Dmax 2 * D

tCon
1
En (3) : PCon
Ts V
0
DS (t ) * I D (t )dt
En (6) :
VDSmax t 1 1
VDS (t ) VDSmax t ; I D (t ) I Dmax * PCon VDSmax * I Dmax * tCon * f s PCoff VDSmax * I Dmax * tCoff * f s
tCon tCon 6 6

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Dispositivos semiconductores de potencia: Transistor - IGBT

IGBT : Insulated Gate Bipolar transistor

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 Dispositivos semiconductores de potencia: Transistor - IGBT

IGBT : Insulated Gate Bipolar transistor

En (8) : En (4) :
PBL VCEmax * I GES * (1 D) PCC VCEsat * I Cmax * D

tCon
1
En (3) : PCon
T V CE (t ) * I C (t )dt
0 En (6) y (7) :
VCEmax t 1
VCE (t ) VCEmax t ; I C (t ) I Cmax * PCon VCEmax * I Cmax * tCon * f s 1
PCoff VCEmax * I Cmax * tCoff * f s
tCon tCon 6 6
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Dispositivos semiconductores de potencia: Ejemplo 2

Seleccin de transistor para aplicacin

VCC= 1000 V
D=0.6
R= 2 k
fs= 20 kHz

Ref. tr tf ICES/IDSS VCESat Ron

STW9N150
FGA25N120ANTD

Ref. PBL PCC PCon PCoff PTot

STW9N150
FGA25N120ANTD

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