UNIVERSIDAD TECNOLGICA DEL VALLE DE TOLUCA

DIRECCIN DE CARRERA DE MECATRNICA Y SISTEMAS PRODUCTIVOS

MATERIA:
ELECTRONICA ANALOGICA

DISPOSITIVOS DE POTENCIA

PRESENTA:

SOSTENES ALCANTARA JOSE ALEJANDRO

GENERACIN
ENERO 2017 ABRIL 2019

LERMA, ESTADO DE MXICO, 2016

 INTRODUCCION.

Cada vez son ms los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus etapas son accionados por
energa elctrica. Los accionamientos consisten, en general, en procesos que transforman la energa
elctrica en otro tipo de energa, o en el mismo tipo, pero con diferentes caractersticas. Los
encargados de realizar dichos procesos son los Sistemas de Potencia.

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar en tres

grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conduccin o
cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos
no disponen de ningn terminal de control externo.

2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los
SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating Current). En ste caso su
puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en
uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso
de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la
puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.

3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT
(Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.

De esta manera, la electrnica de potencia permite adaptar y transformar la energa elctrica para
distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energa elctrica de
continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de mquinas elctricas, etc.
mediante el empleo de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores.

Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control, sistemas de compensacin de factor de

potencia y/o de armnicos como para suministro elctrico a consumos industriales o incluso la
interconexin de sistemas elctricos de potencia de distinta frecuencia.

El principal objetivo de esta disciplina es el manejo y transformacin de la energa de una forma

eficiente, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de prdidas
por efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as
como semiconductores trabajando en modo corte/saturacin (on/off, encendido y apagado).
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA

SCR

El rectificador controlado de silicio (SCR) es un dispositivo semiconductor que es miembro

de una familia de dispositivos de control conocido como Tiristores, este SCR posee tres
terminales

nodo, ctodo y puerta (gate).

al igual que el diodo scockley, presenta dos estados de operacin abierto y cerrado.

Es un dispositivo rectificador correccionalista (es decir, que deja circular la corriente elctrica
en un solo sentido: desde A hacia K como un diodo rectificador semiconductor), pero adems
del estado "on" (cerrado, conduciendo) del diodo comn, tiene un segundo estado estable:
"off" (cortado, abierto, sin conducir). Si el voltaje VGK entre G y K es el adecuado, conduce
desde A hacia K.

APLICACIONES DEL SCR

Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores
(dimmer) de lmparas,

calentadores elctricos y motores elctricos.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Tensin de nodo negativa respecto a ctodo (VAK < 0):

Los diodos U1 y U3 quedan polarizados en inverso y U2 en directo. La corriente del diodo

viene dada por:
MTODOS DE DISPARO:

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo ctodo debe estar polarizada
en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para
permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente
necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.

Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una
corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de
bloqueo directo.
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Por puerta.

Por mdulo de tensin. (V)

Por gradiente de tensin (dV/dt)

Disparo por radiacin.

Disparo por temperatura.

DISPARO POR PUERTA

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la
puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez
que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.
Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo por puerta. En estas
condiciones, si queremos bloquearlo, debemos hacer que VAK < VH y que IA < IH

Condiciones necesarias para el control de un SCR

Disparo

Polarizacin positiva nodo - ctodo.

La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento
tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la
intensidad de enganche.

Corte

Anular la tensin que tenemos aplicada entre nodo y ctodo.

Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a la corriente
de mantenimiento (IH), o forzar a que IA < IH.

Caractersticas estticas:

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores
mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT, ITAV,
ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.

Caractersticas dinmicas:

Tensiones Transitorias

Son valores de tensin que van superpuestos a la seal sinusoidal de la fuente de

alimentacin. Son de escasa duracin, pero de amplitud considerable.

El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos:

Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.

Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

Construccin de la curva caracterstica de puerta:

La unin puerta ctodo se comporta como un diodo, por lo que representamos la

caracterstica directa de dicho diodo. Para una misma familia de tiristores existe una gran
dispersin. Para no complicar demasiado el proceso, se dibujan nicamente las dos curvas
extremas, puesto que todas las dems quedan comprendidas entre ambas.
Para ello tomamos un tiristor tpico con los
valores nominales y las caractersticas de
puerta siguientes:

VRGM max= 5V

PGAV max= 0.5W

PGM max = 5W

VGT > 3.5V

IGT > 65mA

Tensin insuficiente para disparar ningn elemento < 0.25V.

EJEMPLOS PRACTICOS DE APLICACION CON TRIAC.

CONTROL DE MOTOR

En la siguiente figura puede verse una aplicacin prctica para el control de un motor de c.a.
mediante un triac. La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando
exterior a la puerta inversora, que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que circular
corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo
emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de R2 tomando la tensin del
nodo del triac de potencia.

Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal que pasa
al estado de conduccin provocando el arranque del motor.

Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa
por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en cada
semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que
consideremos oportuno.
Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sita una red RC
cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se
puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no
deseados.

Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor, de
forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.

CONTROL DE ILUMINACIN PARA LMPARAS (DIMMER)

 TRIAC
Qu es un Triac?

A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta

El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de

control: los tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo, pero
conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen). Este
componente slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la
compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser
positiva y otra negativa.

Funcionamiento del Triac

La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya
habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba
hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:

La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya
habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo
hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba). Para ambos semiciclos la seal de
disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo interesante es, que se
puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que
cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo conduce cuando ha sido
disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor
mnimo para cada tiristor). Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en
conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente
la potencia que consume.
Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas
incandescentes (circuito de control de fase).

Donde:

Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)

L: lmpara
P: potencimetro
C: condensador (capacitor)
R: Resistor
T: Triac
A2: Anodo 2
A3: Anodo 3
G: Gate, puerta o compuerta

El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente

entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando
la corriente no circula). Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un
capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de
alimentacin y la que se aplica a la compuerta
Notas:

La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo
(diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas.
En este documento se utiliza el termino tiristor como sinnimo de SCR.

Mtodos de endencido

Debido a que el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G, la
polaridad de la compuerta y la polaridad del nodo 2, se mide con respecto al nodo 1. Puede
dispararse desde el cuadrante I o III. A los tipos de disparos se les denominan, I (+), I (-), III
(+), III (-).

Disparo cuadrante I (+)

En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 y la de la compuerta son positivas, con
respecto al nodo MT1. Este mtodo es el ms comn. La corriente de compuerta circula
internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte por la zona P2. Se observa
como la corriente pasa por la ruta desde MT2 de: P1N1 y P2N2 para llegar a MT1. (Ver figura
5).

Disparo cuadrante III (-)

En este tipo de disparo es aquel en quela tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta
son negativos con respecto a MT1.Esto hace que el TRIAC conduzca desde MT1 sta MT2
pasando por la rutaP2N1P1N4.

Disparo cuadrante I (-)

En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1,
mientras que la compuerta. Tiene una polaridad negativa con respecto al nodo MT1. El
TRIAC conduce del nodo MT2 al MT1 pasando inicialmente por la ruta P1N1P2N3, y
despus por la ruta principal P1N1P2N2

Disparo del cuadrante III (+).

En este modo la tensin del nodo MT2 es negativa con respecto a la del nodo MT1 y la
tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1. Este mtodo
conduce por la ruta P2N1P1N4 de MT1 hacia MT2.

Aplicaciones
 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas

sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de

luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada
semiciclo de la onda de corriente alterna.

OPTOACOPLADORES

Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor, un

fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos
elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del Optoacoplador

La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. Los

optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa
modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador
reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y
salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten
rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores.

Cuando aparece una tensin sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos
infrarrojo que transmite a travs de una pequea gua-ondas de plstico o cristal hacia el
fotorreceptor. La energa luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una
tensin elctrica a su salida. Este responde a las seales de entrada, que podran ser pulsos
de tensin.

DIFERENTES TIPOS DE OPTOACOPLADORES

Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un

transistor BJT.

Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac

Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de
cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmutas al triac slo en los cruces por
cero de la corriente alterna.

Aplicaciones.
La principal necesidad de los optoacopladores es el aislamiento. Los optoacopladores no solo
aslan potencia, sino tambin ruido y tienen varias ventajas sobre otros dispositivos que
realizan la misma tarea.
Pueden reemplazar interruptores y rels dando mayores velocidades de conmutacin, con
eliminacin de rebotes, mejor confiabilidad y mejor aislamiento elctrico, salvo en
configuraciones especiales.
Pueden reemplazar transformadores de pulso en aplicaciones de punto flotante. Los
optoacopladores pueden transmitir DC y AC de muy baja frecuencia, mientras que los
transformadores de pulso solamente acoplan los componentes de la seal de entrada de alta
frecuencia y se requiere de seguros (latches) para reconstruir la informacin DC.
En la trasmisin de informacin digital en presencia de ruido en modo comn. En algunas
situaciones en la prctica donde el ruido de modo comn puede alcanzar los varios cientos de
voltios cuando su valor tpico es de 30V, los optoacopladores pueden llegar a proveer
proteccin, incluso sobre los miles de voltios. La tabla 5 muestra las propiedades de los
dispositivos de acoplamiento de seal.
Aplicaciones industriales.
Hoy en da en la mayora de los procesos industriales se utilizan los Controladores Lgicos
Programables (PLC) para sensar, realimentar y controlar. Estos dispositivos en muchos casos
funcionan en medios donde las seales de temperatura, presin y nivel que muestrean se ven
expuestas a ruido elctrico severo. La conexin entre los sensores y el controlador por lo tanto
requiere del uso de tecnologa de comunicacin altamente inmune al ruido.
Una solucin a este problema de comunicacin ms utilizado, es la implementacin de un lazo
de corriente. Este circuito convierte la seal de salida de un sensor de proceso en una seal
de corriente DC. A diferencia de las tcnicas de control por voltaje, los lazos de corriente
tienen la ventaja de una mayor precisin, pues eliminan el error producido por la resistencia
de lnea. Si adems se utiliza un optoacoplador para aislar la etapa de sensado del
controlador, el ruido elctrico puede ser reducido al mnimo posible. El aislamiento galvnico y
la reduccin de ruido deben ser optimizados tanto en el receptor como en el emisor, puede
haber aplicaciones en las que solo sea posible aislar uno de los dos extremos.

Detector con fibra ptica.

Esta es una de las aplicaciones ms comunes de los optoacopladores, en su construccin se
ve el uso de la fibra ptica para elaborar el camino que llevar la luz fotogenerada. Esta
aplicacin es altamente utilizada en telecomunicaciones ya que es TTL compatible, o sea su
uso se concentra en circuitos digitales, la figura 2.6 lo muestra.

Fig. 2.6 Detector con fibra ptica.

La seal cuadrada en la entrada es llevada a un mdulo transmisor, el cual la convierte a una

seal de corriente.
Esta pasa a travs del diodo fotoemisor ILD. Cuando la corriente es la apropiada, este diodo
emite luz de alta intensidad, la cual est enfocada sobre el cable de fibra ptica. La onda
luminosa se transmite por reflexin al lado del receptor. Este es un diodo fotodetector PIN. En
este momento la onda luminosa se acopla del cable al detector y este convierte a la luz en un
flujo de corriente. El mdulo receptor convierte la corriente en una rplica de onda cuadrada
de la seal de entrada, y de esta manera el optoacoplador es perfecto.
Optoacoplador
Econmico. Resistencia de encendido
Confiabilidad de estado y
slido. apagado finitas. (Limitacin
Velocidad de transmisin
de media a alta. del ciclo de trabajo).
Transmisin DC y de baja Baja eficiencia de
frecuencia. transmisin CTR.
Alto aislamiento de voltaje.
Alta impedancia de
aislamiento.
Tamao pequeo del
encapsulado.
Eliminacin de rebotes.
Bajo consumo de potencia.

IGBT

QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor
bipolar de puerta de salida

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del
TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms
comnmente usado se muestra en la figura. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no
exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente
se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control
de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin
son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20
KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C)
y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a

su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe
ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es
aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con
respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al
gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain
iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del
control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La
transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro
segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado
y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo
cercano a los 2 V.
Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba
de 15 V, y la corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de
corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:

IDmax Limitada por efecto Latch-up.
VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 &#956;s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como &#945; es muy baja, ser
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan
valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
La tensin VDS apenas vara con la temperatura &#8658; Se pueden conectar en
paralelo fcilmente &#8658; Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

A continuacin, se presentan algunas de las presentaciones ms comunes de un IGBT.

 CONCLUSIONES

Dentro de la electrnica es de suma importancia conocer los diferentes tipos o dispositivos de

potencia, sus partes, su funcionamiento y sobre todo sus aplicaciones, para de esta manera
poder hacer el uso correcto de los mismos y la aplicacin e implementacin dentro de los
distintos circuitos.

FUENTES:

https://es.scribd.com/doc/60173074/DISPOSITIVOS-DE-POTENCIA
 http://www.ancap.com.uy/docs_concursos/ARCHIVOS/2%20LLAMADOS
%20FINALIZADOS/2013/REF%2040_2013%20%20%20T%C3%89CNICO%20AYUDANTE
%20MANTENIMIENTO%20E%20INGENIER%C3%8DA%20(ELECTROELECTR
%C3%93NICO)/MATERIAL%20DE%20ESTUDIO/CONOCIMIENTOS%20ESPEC
%C3%8DFICOS/DISPOSITIVOS%20DE%20ELECTRONICA%20DE%20POTENCIA.PDF

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr
%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Estructura_y_principio_de_funcionamiento

http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html

http://www.uv.es/emaset/descargas/IEP1-0506.PDF

http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Dispositivos%20de%20Potencia.pdf