Sunteți pe pagina 1din 25

LICEUL TEHNOLOGIC AUREL RAINU FIENI

PROIECT PENTRU OBTINEREA CERTIFICATULUI DE


CALIFICARE PROFESIONALA NIVEL IV

Filiera:Tehnologica

Domeniul:Electronica automatizari

Profil:Tehnic

Specializare:Tehnician in automatizari

Indrumator : Candidat:

Prof.Raduta Cristinel

Clasa a XII-a E

Iunie 2017
TEMA PROIECTULUI :
Cuprins

Cap 1 Argument

Cap 2 Continut propriu zis

2.1 Generalitati

2.2

2.3

2.4

2.5

Sanatatea si securitatea in munca .

Bibliografie .

Anexe ....
Cap. 1 Argument
Lumea modern, dominat de efectele ultimelor descoperiri
tehnico-tiinifice, de mobilitatea profesiunilor i a forei de munc, solicit
astzi, mai mult ca oricnd, formarea personalitilor rapid adaptabile la noile
schimbri, ca posibil s caute soluii originale la problemele din ce n ce
mai complexe i mai neprevzute.

Evoluia rapid a civilizaiei impune colii contemporane pregtirea


generaiilor tinere astfel nct acestea s se poat integra, fr dificulti,
n societatea informaional de mine.

Automatizarea i cibernetizarea implic tot mai multe procesele intelectuale


n prelucrarea iinterpretarea datelor oferite de computere intensificnd domeniile
concepiei, comenzii, controlului, i organizrii muncii.

Educaiei i revine, mai mult ca oricnd, un rol decisiv n dezvoltarea social


i transformrilecalitative ale vieii.

Ca urmare, programul de instruire n coal trebuie s fie conceput din


perspectiva pedagogiei prospective, tinerii fiind nvai s descopere noi
instrumente ale cunoaterii, s pun noi probleme, sgseasc noi soluii.

Orizontul de cultur general nu mai estecomplet fr modulul tehnic i cel


tehnologic, care permit absolvenilor nu numai policalificri rapide ci i
nelegerea mai profund a sensului marilor invenii i descoperiri,
stimulndu-le curiozitatea tiinific, spiritul de cercetare i descoperire.

n acest context, electronica este disciplina de nvmnt, creia i


revine o responsabilitatedeosebit.

Extraordinara sa dezvoltare, ptrunderea n toate domeniile de


activitate tiinifico- tehnice,industriale i economico-sociale impun
pregtirea unei fore de munc, att la nivel mediu ct i la nivel superior,
n rezonan cu cerinele actuale ale societii.
Eu am ales tema : tipuri de diode semiconductoare deoarece reprezinta o
categorie foarte importanta de componente electronice si ele sunt utilizate in foarte
multe scheme electrice si electronice.

Studiul acestor diode m-a ajutat sa-mi aprofundez cunostintele necesare


pentru a le putea folosi in diverse scheme.

Pregatirea profesionala intra adeseori in contact cu acest tip de diode


semiconductoare si de aceea este obligatorie cunoasterea constructiei,functionarii
si a diverselor utilizari ale acestor diode.

Prin realizarea acestui proiect am consultat o bibliografie prin care mi-am


largit cunostintele in studiul diodelor semiconductoare.

De aceea, acest proiect va constitui un bogat material de studiu pentru elevii


dornici de a se specializa in domeniul electronicii si a automatizarilor.

Cele mai des folosite diode semiconductoare sunt diodele redresoare,ele


funcioneaz datorita proprietii de a se comporta diferit la tensiuni de polarizare
directe i tensiuni de polarizare inverse,astfel la tensiuni de polarizare directe
rezistena direct este foarte mic iar la polarizarea invers rezistena invers este
foarte mare.
Datorit acestei proprieti ca la aplicarea unei tensiuni alternative ele
funcioneaz pe alternana pozitiv conducnd un curent mare (de ordinul mA sau
A), pe alternana negativ se vor bloca lsnd s treac cureni foarte mici de
ordinul mA sau mA care pot fi neglijai.
Utilizarile diodelor semiconductoare se bazeaza pe proprietatile jonctiunii pn
studiate anterior.

In functie de proprietaea folosita, diodele semiconductoare se impart in mai


multe categorii.In activitatea practica se intalnesc diferite marimi fizice ,care se
deosebesc intre ele calitativ si cantitativ .

Evaluarea cantitativa a unei marimi de o anumita natura se realizeaza prin


masurare.

A masura o marime inseamna a compara cu o marime de aceeasi natura


considerate conventional drept marime de masura si a vedea de cate ori unitatea de
masura se cuprinde in marimea de masurat .
Cap. 2 Continut propriu-zis

2.1 Generalitati
Este format din dou zone semiconductoare, una de tip p i una de tip n, iar
la suprafaa lor de contact definim jonciunea p-n.
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic constituit dintr-
o jonciune pn prevzut cu contacte metalice la regiunile p i n i introdus ntr-o
capsul din sticl,metal, ceramic sau plastic.
Regiunea p a jonciunii constituie anodul diodei, iar jonciunea n , catodul.
Dioda semiconductoare se caracterizeaz prin conductivitate unidirecional,
ca i dioda cu vid:- n cazul polarizrii n sens direct permite trecerea unui curent
mare (curent direct),- n cazul polarizrii n sens invers permite trecerea unui
curent mic (curent invers).

In figura am desenat golurile cu rosu ,electronii cu albastru iar zona desenata cu


verde este chiar jonctiunea .
Cele mai des folosite diode semiconductoare sunt diodele redresoare .

Ele funcioneaz datorita proprietii de a se comporta diferit la tensiuni de


polarizare directe i tensiuni de polarizare inverse.

Astfel la tensiuni de polarizare directe rezistena direct este foarte mic iar
la polarizarea invers rezistena invers este foarte mare.

Datorit acestei proprieti ca la aplicarea unei tensiuni alternative ele


funcioneaz pe alternana pozitiv conducnd un curent mare .

Pe alternana negativ se vor bloca lsnd s treac cureni foarte mici de


ordinul mA sau mA care pot fi neglijai.

Acest proces de transformare a unui semnal alternativ ntr-un semnal


continuu poarta numele de redresare.

Aceste diode sunt folosite la construcia redresoarelor care lucreaz cu


semnale mari i frecvene mici (50Hz ).

Utilizarile diodelor semiconductoare se bazeaza pe proprietatile jonctiunii pn


studiate anterior. In functie de proprietaea folosita, diodele semiconductoare se
impart in mai multe categorii.

Deoarece jonctiunea pn are o mare diversitate de proprietati, exista un numar


mult mai mare de tipuri de diode semiconductoare, decat de diode cu vid sau cu
gaz.
2.2 Caracteristica statica a diodei
semiconductoare

ID curent direct
UD tensiune direct
UP tensiune de prag
reprezinta tensiunea de
deschidere a diodei
UP = 0,2 0,4 V pentru Ge

Uinv tensiune invers


Iinv current invers
Isat current de saturaie

Graficulreprezint caracteristica de transfer a diodei semiconductoare. Ud


reprezint tensiunea de polarizare direct a diodei iar UINVeste tensiunea invers de
polarizare a diodei.

n polarizare direct dioda ncepe s conduc numai dac tensiunea direct


aplicat pe ea este mai mare dect valoarea barierei de potenial care este de 0,2 V
la Ge i 0,6 V la Si.

In cazul n care tensiunea de polarizare invers, UINV, aplicat diodei


depete valoarea tensiunii de strpungere invers, dioda va conduce din nou.

Acest mod de lucru al diodei este ns periculos i poate conduce la


distrugerea diodei, dac nu limitm curentul invers prin diod cu rezistene
exterioare.
Fenomenul de strpungere al jonciunii p-n n polarizare invers este numit:
- efect Zener, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mic de 5V;
-- efect de avalan, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mare
de 5V;

Dac semiconductorul nu primete energie din exterior, toi electronii de


valen rmn n legturi covalente i materialul se comporta dielectric ,cnd un
electron de valen primete energie din exterior, mai mare dect nlimea zonei
interzise, el poate rupe legtura covalent devenind electron liber.

Legtura nesatisfcut corespunde unei sarcini pozitive, numit gol , atunci


cnd un electron prsete atomul, devenind electron liber, are loc generarea unei
perechi electrongol.

ntr-un semiconductor de conductibilitate intrinsec are loc un proces


continuu de generare a perechilor electrongol, simultan se produc i recombinri
electrongol, rezultnd atomi neutri .

2.3 Jonctiunea pn
Jonciunea pn reprezint suprafaa de contact dintre dou regiuni una de tip
p i cealalt de tip n, create ntr-un monocristal pur de Ge sau Si prin impurificare
cu alte elemente.

Germaniul Ge i siliciul Si sunt semiconductoare pure (intrinseci),


tetravalente.

Regiunea p (semiconductor extrinsec) - se obine prin impurificare( dopare)


cu elemente trivalente (Bor, Galiu) avnd golurile ( + ) purttori majoritari.

Regiunea n se obine prin impurificare cu elemente pentavalente (Arsen,


Bismut) avnd electronii ( - ) purttori majoritari.
2.4 Jonctiunea pn polarizata direct

Jonciunea pneste polarizat direct dac polul pozitiv al sursei de tensiune se leag
pe regiunea p, iar polul negativ pe regiunea n .

Prin jonciune trece un curent de difuzie de la p la n numit curent direct Id


[mA, A] dat de purttorii majoritari golurile
Regiunea de barier se micoreaz Id (curentul direct) crete exponenial cu
creterea tensiunii de polarizare direct
2.5 Jonctiunea pn polarizata invers

Jonciunea pn este polarizat invers dac plusul sursei de tensiune se aplic


pe regiunea n i minusul pe regiuneap.

Prin jonciune trece un curent invers Iinv [A, nA] de la nla p dat de purttorii
minoritari numit si curent de camp .

Regiunea de barier crete.Atunci cand anodul diodei (p+) se conecteaza la


borna negativa a sursei de tensiune iar catodul (n-) se conecteaza la borna pozitiva
a aceleiasi surse, avem o dioda cuplata la tensiune in polarizare inversa.

Dioda semiconductoare in polarizare inversa blocheaza curentul electric sa


treaca prin ea ,dioda conectata in acest fel la un circuit se comporta ca un
intrerupator care deschide circuitul (impiedica circulatia curentului prin circuit).

Tensiunea de polarizare inversa are in acest caz acelasi sens cu potentialul


intern echivalent zonei de trecere ,se poate considera ca bariera de potential
creste ca urmare a polarizarii inverse.

Curentii de difuzie,dati de purtatorii majoritari nu pot depasi aceasta 'bariera'


si deci in aceasta situatie se reduc curentii de difuzie pana la anulare.
Sensul campului creat in zona de bariera permite insa trecerea purtatorilor
minoritari sub forma curentilor de camp,golurile regiunii n dirijandu-se spre
regiunea p si electronii din p spre n.

Valoarea curentului nu depinde in anumite limite de tensiunea de


polarizare,de aceea curentul rezultat prin jonctiune coincide practic cu suma
curentilor de camp,el purtand numele de curent de saturatie.

Daca la extremitatile unei jonctiuni pn se aplica o sursa exterioara de


tensiune cu polul negative la regiunea p si cel pozitiv la regiunea n se spune ca
jonctiunea pn este polarizata invers .

2.6 Tipuri de diode semiconductoare


2.7 Dioda redresoare -
Diodele redresoare (rectifier diodes) sunt dispozitive electronice
semiconductoare din siliciu, utilizate n circuitele de conversie c.a.-c.c., de limitare
a amplitudinii tensiunilor etc.

Dioda redresoare este un dipol constituit dintr-o jonciune PN abrupt,


legat la doi electrozi externi, numit anod (A) i catod (K).

In functie de polaritatea tensiunii uAK aplicate la bornele diodei,


componenta se poate gsi n una din cele dou stri i anume :

- n stare de conductie, atunci cnd dioda este polarizat n sens direct ( uAK
0 );

- n stare de blocare, atunci cnd dioda este polarizat n sens invers ( uAK
0 ).
2.8 Dioda tunel

Dioda tunel este un dispozitiv electronic, cu proprieti diferite de cele ale


unei diode obinuite ,o diod tunel sau diod Esaki este un tip de
diod semiconductoare capabil de operare la viteze foarte mari, n domeniul
microundelor (frecvene de ordinal gigahertzilor), utiliznd efecte cuantice.

Numele de diod Esaki vine de la Leo Esaki, care n 1973 a primit premiul
nobel pentru fizic pentru descoperirea tunelrii electronilor, efect folosit n aceste
diode.

Diodele tunel au o jonciune p-n puternic dopat, cu o lime de doar 10 nm


(100 ).

Doparea puternic are ca rezultat un spaiu rupt ntre benzile de electroni,


unde nivelele electronilor din banda de conducie de pe partea n sunt mai mult sau
mai puin aliniate cu nivelele electronilor din banda de valen a golurilor din zona
p.

Diodeletunel sunt diode speciale, de mic putere, destinate


oscilatoarelor defoarte nalt frecventa .

2.9 Dioda Zener

Dioda zenereste un dispozitiv electronic ce permite trecerea curentului


doar ntr-o singur direcie.

O diod n mod normal conduce ntr-un sens i blocheaz n cellalt. La


polarizarea direct aceasta are o cdere de tensiune de aproximativ 0,7V.

La o polarizare invers dioda blocheaz trecerea curentului pana la o


anumit tensiune, numit tensiune de strpungere (invers) i este notat cu
Vs.
Dioda nu poate suporta o tensiune de polarizare invers infinit de mare.
Dac aceast tensiune devine prea mare, dioda va fi distrus datorit unei
condiii denumite condiie de strpungere.

Tensiunea de strpungerea crete odat cu creterea temperaturii i scade


odat cu scderea temperaturii exact invers fa de tensiunea de polarizare
direct.

Din pcate, cnd diodele redresoare normale ating punctul de strpungere,


acest fapt duce i la distrugerea acestora.

Totui, se pot construi diode speciale ce pot suporta tensiunea de strpungere


fr distrugerea complet a acestora.

Acest tip de diod poart numele de diod Zener, iar simbolul este cel din
figura alturat.

Diodele Zener sunt proiectate s funcioneze polarizate invers.

Tensiunea la care aceste diode ncep s conduc este denumit tensiune


Zener.
Dioda Zener poate funciona pe post de stabilizator de tensiune

La polarizarea direct, diodele Zener se comport precum diodele redresoare


standard: tensiunea direct are valoarea de 0,7 V, conform ecuaiei diodei.

La polarizarea invers ns, acestea nu conduc curentul dect peste o


anumit valoare a tensiunii de alimentare, valoare denumit tensiune Zener.
3.0 Dioda Varicap

Sunt diode cu jonctiune care functioneaza in regim de polarizare invers pana


la valoarea de strapungere.

Aceste diode utilizeaza proprietatea jonctiunii p-n de a se comporta ca o


capacitate ce depinde de tensiunea continua de polarizare inversa (acesta este
capacitatea de bariera).

Aceasta posibilitate de a varia o capacitate intr-un circuit prin varierea unei


surse de polarizare este necesara in circuitele de schimbare a frecventei.

Circuitele de reglaj automat al frecventei precum si modulatia frecventei.

Diodele varicap au capacitati de ordinul pF sau zecilor de pF si se


construiesc din siliciu pentru a avea o rezistenta interna mai mare in polarizarea
inversa.
In acest fel ele pot fi asimilate cu un condensator cu pierderi neglijabile.

3.1 Dioda cu contact puntiform

Este folosita pentru frecvente inalte , este alcatuita din:

- o capsula de sticla strabatuta de 2 electrozi metalici.

La capatul unui electrod se gaseste un monocristal de germaniu


(semiconductor de tip n).

Celalalt electrod se continua cu un conductor de wolfram care vine in


contact cu monocristalul.

Daca se trece un impuls de curent scurt dar puternic la contactul dintre


conductori si monocristal in interiorul acestuia din urma se formeaza o regiune de
tip p .
Apare astfel o jonctiune de tip p-n de suprafata foarte mica, cu o capacitate
foarte mica ( < 1pF ).

Datorita acestei jonctiuni dioda functioneaza la frecvente foarte inalte.Acest


tip de dioda poate fi folosit ca detector, schimbator de frecventa sau ca dioda de
comutatie.

Datorit faptului c dioda cu jonciuni prezint o capacitate echivalent de


minimum civa pF, ea nu poate fi folosit la frecvene foarte nalte unde i
capaciti de acest ordin de mrime au efecte lturalnice (secundare) considerabile.

Pentru acest domeniu de frecvene se folosesc diode de o alt construcie


tehnologic, numite diode cu contact punctiform.

3.2 Dioda electroluminiscenta

Dioda electroluminiscenta este foarte des cunoscuta cu denumirea Led


(Light Emitting Diode ) .

Dioda electroluminiscenta este o diode semiconductoare ce emite lumina la


polarizarea directa a jonctiunii p-n .

Ledul este un convertor de energie cu ajutorul caruia energia electrica este


transformata in energie luminoasa .

Ledul se foloseste ca indicator de lumina sau pentru afisarea numerica sau


alfa numerica a instalatiilor electrice.
Reprezinta un dispozitiv fotoelectronic construit dintr-o jonctiune pn
polarizata direct realizat dintr-un material semiconductor.
Sanatatea si securitatea in munca

Din punct de vedere juridic, normele de santate si


securitatea muncii sunt acele norme de convieuire social care
garanteaz sau nu prinfor deconstragerea
statului,reglementeaz conduita oamenilor ncadrul unor
comuniti productive, determinand condiiile care urmeaza s
efectueze diferite operaii concrete n utilizarea echipamentelor i
obiectelor muncii i excluzand orice riscuri, urmrind cu prioritate
aprarea santii a integritii corporale a executantului.

Fiecare prevedere reprezint n sine o msur de prevenire tehnic sau


organizatoric a riscului producerii accidentelor de munc i mbolnvirilor
profesionale.

NORME DE PROTECIA MUNCII N LABORATOARELE


COLARE

Laboratoarele colare sunt locurile n care studentii sunt mult expui


riscurilor cauzate de existena reactivilor chimici, ustensilelor de laborator i
aparatelor electrice.

Se vor avea n vedere urmtoarele reguli generale:

Instruciunile scrise s fie afiate la loc vizibil i regulile de securitate evideniate;


Instruciunile de securitate s fie prezentate verbal i comunicate la nceputul
fiecrui experiment;

Elaborarea unui set de Fie tehnice de securitate pentru reactivii chimici


periculoi folosii astfel nct proprietile fizico-chimice i toxicologice, efectele
asupra sntii, msurile de protecie necesare la manipularea lor i procedurile de
urgen s fie cunoscute;
Laborantul trebuie s aib un comportament exemplar din punct de vedere al
securitii;

S existe o supraveghere suficient a elevilor n orice moment;

Trebuie purtat echipamentul individual de protecie i mbrcmintea de lucru


adecvate;

Aparatura electric s fie verificat i ntreinut n mod regulat, aparatele


electrice s aib mpmntare;

Reactivii chimici i ustenislele de laborator s fie depozitai n locuri sigure pentru


a preveni utilizarea lor neautorizat;

Laboratoarele colare s fie ventilate i iluminate corespunztor, s aib un nivel


adecvat de umiditate, spaiu suficient i s fie curate;

Pardoselile s fie bine ntreinute, pstrate curate pentru reducerea riscurilor de


alunecare i mpiedicare;

S fie asigurat dotarea corespunztoare pentru prim ajutor pentru utilizare n


cazul unui eveniment sau situaie de urgen.

S fie asigurate msurile i mijloacele de prevenire a incendiilor.


Bibliografie

http://www.proiecte.ro/electrotehnica/diode-semiconductoare-52996
http://www.iprotectiamuncii.ro/norme/norme-generale-protectia-muncii
http://cis01.central.ucv.ro/psi/normele_generale_de_protectie_a_muncii.pdf
http://www.referate10.ro/diode-semiconductoare-2504.html
http://www.phys.ubbcluj.ro/~anghels/teaching/Electronics/capitole
%20electronica%20pdf/Dioda%20semiconductoare.pdf
http://www.unibuc.ro/prof/dinca_m/miha-p-dinc-elec-manu-
stud/docs/2011/sep/19_11_17_04cap_3_v3.pdf
N. Drgulnescu, Agenda radioelectronistului, Editura Tehnic, Bucureti,
1989
http://www.preferatele.com/docs/diverse/9/diode-semiconductoar22.php
http://aei.geniu.ro/downloads/dce/laboratoare/dioda-semiconductoare-
lab1.pdf
https://mail.uaic.ro/~ftufescu/CURS%20DCE-3%20Jonctiuni%20pn.Dioda
%20semiconductoare.pdf
D. Cosma i alii: Electronic , Editura CD Press , Bucureti , 2008
M. Robe i alii: Componente i circuite electronice , Ed. Economic,
Bucureti,2000
R. Tudoricescu: Componente i circuite electronice n telecomunicaii-MP,
2009
T. Coloi, R. Morar, C. Miron : Tehnologie electronic componente
discrete. IPCN, Facultatea de Electrotehnic, 1979
A. Chivu , D. Cosma : Electronica analogic . Electronica digital lucrri
practice, Editura Arves , 2005
Anexe