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Bloque de Memoria
El chip FPGA cyclon III 3C16 que se incluye en la tarjeta DE0 proporciona
recursos de memoria dedicados llamados bloques M9K. Cada bloque M9K tiene
9216 bits de memoria, que puede ser configurado para implementar memorias
de varios tamaos. Un trmino comn usado para especificar el tamao de una
memoria es su relacin de aspecto, lo que da la profundidad en las palabras y
la anchura en bits (profundidad x anchura). Algunas relaciones de aspecto
apoyados por el bloque M9K son: 8K x 1, 4K x 1, 1K x 9, 512 x 18, 256 x 36.
Vamos a utilizar el modo 2K x 4 en este laboratorio, solo utilizando las primeras
16 palabras en la memoria.
Parte I
2. Crear otro archivo VHDL con el mdulo lpmram y que incluya los pines
de entrada y salida necesarios de la tarjeta DE0. Los interruptores SW3-0
cambian la entrada de un byte de datos en la ubicacin RAM identificado
por una direccin de 4 bits especificado con los interruptores SW7-4.
Utilice SW9 como la seal de escritura y utilizar KEY0 como entrada de
reloj. Muestre el valor de la seal de escritura en LEDG0. Mostrar el valor
de la direccin en la display HEX3 de 7 segmentos, mostrar los datos
que se introducen en la memoria en HEX1, y muestran los datos ledos
de la memoria en HEX0.
En el chip cyclon III FPGA, una instruccin de este tipo puede ser implementada
ya sea mediante el uso de los flip-flops que cada elemento lgico contiene o,
de manera ms eficiente, mediante el uso de bloques M9K. Hay dos maneras
de asegurar que se utilizarn los bloques M9K. Una de ellas es el uso de un
mdulo de LPM de la Biblioteca del parametrizado de mdulos, como vimos en
la Parte I. El otro es para definir los requisitos de memoria mediante el uso de
un estilo adecuado de cdigo VHDL a partir del cual el compilador Quartus II
puede inferir que un bloque de memoria debe ser usado.
Parte IV
Para esta parte se creara un tipo de mdulo de memoria, en la que hay un
puerto para la direccin de una operacin de lectura, y un puerto separado que
da la direccin de una operacin de escritura. Lleve a cabo los siguientes
pasos.