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Micro y Nanosistemas
5.1. MICRO Y NANOSISTEMAS
Introduccin
Esta rea del conocimiento se dedica a investigar y desarrollar micro y nanosistemas que
trabajan dentro de los campos de la energa, los alimentos, la biomedicina, la ptica, el reci-
clado de basura, los sensores y los detectores. Segn el enfoque que se tome de los nanosis-
temas nos podemos referir a sistemas integrados por nanomateriales funcionalizados, mejo-
rados y adaptados a sus aplicaciones visin de abajo hacia arriba (Bottom-up) o mirando los
nanosistemas desde el dispositivo, sistemas nano electromecnicos (Top-down). Actualmente
se trabaja en la integracin de estas dos reas, con el objetivo de lograr un desarrollo colabo-
rativo que permita potenciar la nanoescala.
Nanosistemas
Los sistemas Micro/Nano electromecnicos (MEMS NEMS por sus siglas en ingls) se forman
de la integracin de elementos mecnicos, sensores, actuadores y electrnica en un sustrato
comn. En tanto los componentes electrnicos se fabrican utilizando la tecnologa de circuitos
integrados (IC), por ejemplo, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), Bipolares o
BICMOS, los componentes micro/nano mecnicos son fabricados usando procesos de
micromecanizado compatibles, que tallan selectivamente distintas partes del sustrato o
agregan nuevas capas estructurales para formar los dispositivos mecnicos y elec-
tromecnicos. Los NEMS prometen revolucionar todas las ramas de la produccin, reuniendo
la nanoelectrnica basada en silicio con la tecnologa micro/nano mecanizado posibilitando la
realizacin de sistemas completos e integrados.
Los sistemas Nano electromecnicos estn avanzando y se suman al uso cotidiano integrn-
dose a gran variedad de productos, tambin cabe destacar que la oferta de esta tecnologa
aumenta y permite la creacin de nuevas categoras y subproductos. Este impulso ha sido dado
a travs de la miniaturizacin, la fabricacin por lotes, y la integracin con la electrnica, esta
tecnologa permitir el desarrollo de productos inteligentes, proporcionando la interfaz nec-
esaria entre la potencia computacional disponible y el mundo fsico a travs de las capacidades
de percepcin y control de dispositivos micro/nano (por ejemplo, sensores y actuadores).
Los dispositivos y sistemas micro/nano electromecnicos son inherentemente ms pequeos,
livianos y rpidos que sus contrapartes macroscpicas, y en muchos casos, tambin son ms
precisos. Estos dispositivos se estn convirtiendo en un diferenciador de productos en numer-
osos mercados. Se espera que la tecnologa NEMS tenga grandes oportunidades en el futuro,
debido a las ventajas del tamao, bajo costo, alta funcionalidad y bajo peso. Esta rama de la
nanotecnologa permite incrementar la funcionalidad de equipos debido a sus ventajas com-
parativas, tamao reducido, bajo peso, bajo consumo, fabricacin por lote.
Uno de los dispositivos nanotecnolgicos que ms ha avanzado en los ltimos aos son los
nanopticos (NOEMS Nano Optics Mechanical Systems). Estos dispositivos se han convertido
cada vez ms importante en el desarrollo redes, telecomunicaciones y sistemas pticos. Las
aplicaciones potenciales incluyen nanosistemas de almacenamiento ptico de datos, sensores
pticos, pantallas y sistemas de proyeccin, Tambin se suman a los dispositivos antes men-
cionados espejo de torsin, dispositivos de micro/nano espejos, escneres, lseres, obtura-
dores pticos, interruptores y reflectores de cubos nanomaquinados (Nano Corner Cube
Reflectors).
Los diferentes procesos realizados para obtener micro y nanodispositivos se llevan adelante a
travs de software de clculo y simulacin que entregan aproximaciones numricas utilizando
maquetas virtuales. Estas herramientas permiten realizar clculo numrico sobre modelos
llamados multifsica que pueden entregar soluciones a varios fenmenos fsicos en el mismo
modelo. Tambin existen herramientas computacionales capaces de proponer resultados
sobre procesos de micro/nanofabricacin a travs de las misma se obtienen maquetas elec-
trnicas de los dispositivos diseados.
Aces (software libre): Este software realiza la simulacin de los procesos de comido qumico
en inmersin en lquido (wet-etch), posee la capacidad de trabajar con varias mscaras a la vez
superponiendo pasos de fabricacin, se pueden definir diferentes sustratos y sus respectivas
orientaciones cristalogrficas segn los ndices de Miller. Los algoritmos de clculo utilizados
son el mtodo cintico de Montecarlo (KMC) y el mtodo de Autmata Celular (CA). Este pro-
grama computacional permite un mejor entendimiento de los procesos de grabado aplicados
en microsistemas, se obtienen aproximaciones numricas y semi-empricas de los procesos de
fabricacin realizados para construir el modelo virtual.
Gmsh Mesh Generator: Este es un programa que permite generar volmenes mallados para
utilizar en software de clculo por elementos finitos a partir de modelos virtuales obtenidos de
programas de diseo (CAD), adems permite realizar el posprocesado de los datos calculados
con software de elementos finitos (software libre). La malla es el conjunto de nodos en los que
se divide un slido, adems se contempla la relacin con los nodos vecinos.
http://geuz.org/gmsh/
Simion 8: Este paquete de clculo se utiliza para modelar la trayectoria de partculas cargadas
que se mueven en campos elctricos o magnticos, permite cargarle a las partculas condi-
ciones iniciales. El software se aplica al diseo de equipos de espectrmetro de masas, movili-
dad inica y lentes electrostticas y magnticas para sistemas pticos.
LTspice: es un simulador de circuitos electrnicos que permite armar en forma fcil y sencilla
a travs de los componentes discretos un circuito como si se tratara de plaqueta de pruebas
(protoboard), luego se realiza el modelado de las seales obtenidas del dispositivo (software
libre). http://www.linear.com/designtools/software/
Klayout: programa libre utilizado para visualizacin de mscaras pticas en formatos gds,
gds2, dxf, OASIS, CIF, Gerber PCB. http://www.klayout.de/
Figura 5.2.2: En estas imgenes vemos una sala limpia, all se aprecian los lugares de
trabajo, los operarios estn ataviados con la vestimenta adecuada para proteger al aire
de la sala de las partculas de polvo, a la izquierda la zona de fotolitografa y a la derecha
la zona de fabricacin.
Actualmente existe la posibilidad de realizar el diseo y simulacin del nanodispositivo y envi-
arlo para su construir a nanofbricas situadas en el exterior y luego de realizados son enviados
por va postal. En este caso los diseos fsicos deben adaptarse a los procesos de fabricacin
establecidos por la fbrica, los usuarios de este servicio de fabricacin envan va web los archi-
vos CAD donde detallan la geometra deseada, existen una gran cantidad de ofertas de procesos
de fabricacin aqu se detallan las empresas mas conocidas:
Memscap: http://www.memscap.com/
TowerJazz: http://www.jazzsemi.com/
IMTMEMS: http://www.imtmems.com/
MOSIS: http://www.mosis.com/
Otro detalle importante es el aire ambiental de la sala limpia, este es filtrado y controlado me-
ticulosamente, la cantidad de partculas y su tamao reciben rigurosas verificaciones, a fin de
cumplir las normas vigentes, el objetivo a lograr es evitar que los dispositivos fabricados sean
daados por las partculas de polvo presentes en el aire. Los operarios reciben vestimenta ade-
cuada para evitar que el polvo que despiden entre en contacto con el aire del laboratorio.
En este link se puede apreciar cual es el proceso de preparacin para ingresar a la sala limpia.
https://www.youtube.com/watch?v=ggG_smKxEBI
Este proceso de fabricacin logra transferir un patrn, diseado en una mscara ptica, sobre
un sustrato, que puede tener una capa superficial de unos cientos de nanmetros de metal,
xido o nitruro, aplicado por procesos de deposicin, PVD (Physical Vapor Deposition) o CVD
(Chemical Vapor Deposition). Luego se realizan procesos de limpieza superficial al sustrato
para eliminar cualquier resto de suciedad o humedad; a continuacin se aplica una capa de
resinas fotosensibles, el equipo utilizado recibe el nombre de spinner, esta mquina aplica la
resina sobre el sustrato y al mismo tiempo se aplica un giro (aproximadamente 2000 rpm). La
altura de la capa depende de la resina y de las revoluciones por minuto que se apliquen con el
spinner, luego se somete a la oblea a un recocido trmico durante algunos minutos, despus
se coloca la oblea en el alineador de mscaras, previamente se coloc una mscara ptica con
el patrn que se desea transferir, esta mscara est realizada en vidrio y el patrn en cromo.
Luego se coloca la mscara sobre la oblea y se irradia con luz ultra violeta. La posicin y distan-
cia entre la oblea y la mscara caracterizan el proceso de fotolitografa.
La mscara posee zonas opacas y zonas transparentes, al hacer pasar la luz a travs de la
mscara las zonas trasparentes logran que la resina fotosensible sea irradiada cortando las
cadena de la resina, para el caso de que la resina sea positiva, de ser negativa, su composicin
es distinta y la luz ultravioleta logra polimerizacin logrando su cohesin en los lugares donde
incide la luz UV. Despus se vuelve a calentar la oblea para mejorar la estabilidad de la resina,
posteriormente se coloca la oblea en un recipiente donde se la sumerge en un revelador, gen-
eralmente cido clorhdrico o cido ntrico, luego de este proceso se aprecia visualmente el
patrn de la mscara transferido sobre la oblea, as se completa el proceso de fotolitografa
quedando la oblea lista para el proceso siguiente.
La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV) del espectro. Cuanto
ms corta la longitud de onda, mayor la resolucin que se puede alcanzar, por lo que siempre
se han buscado fuentes de luz (lmparas o lseres) con menor longitud de onda. Inicialmente
se utilizaron lmparas de mercurio (Hg), y posteriormente empezaron a utilizarse lmparas del
tipo lser, con longitudes de onda ms cortas. Actualmente se utilizan principalmente los
lseres de KrF (fluoruro de kriptn), con la longitud de onda de 248 nm y ArF, con una longitud
de onda de 193nm, que es lo que se conoce como Ultravioleta profundo (Deep UV o DUV en
ingls).
Aqu adjunto un video explicativo del proceso de fotolitografa filmando en las instalaciones de
la Universidad de Cornel (Cornell Nanoscale Facility).
https://www.youtube.com/watch?v=9x3Lh1ZfggM
Deposicin de capas:
En este proceso de fabricacin el material slido usado como blanco es arrancado a travs del
bombardeo con iones energticos. Estos iones se obtienen de un plasma, existen gran varie-
dad de tcnicas para modificar las propiedades del plasma, con el objetivo de aumentar su
densidad y as mejorar las condiciones de volatilizacin. Entre estas variantes se puede nom-
brar, el uso de corrientes alternas de radio frecuencia, uso de campos magnticos y la apli-
cacin de un potencial de volatilizacin. Este proceso es causado por el intercambio de
momento entre los iones y los tomos del material debido a las colisiones entre ambos. El
material vaporizado se deposita sobre la oblea en capas muy delgadas, los tomos no estn
en equilibrio termodinmico, por esto tienden a condensarse y volver a su estado slido al
impactar con cualquier superficie. Los factores que ms influyen en este proceso de fabri-
cacin son, la energa, la masa de los iones incidentes, los tomos usados como blanco y la
energa de enlace del slido.
Figura 5.2.5: Este diagrama describe la tcnica PVD, primero se genera un
plasma a partir de molculas de argn las cuales bombardean un material
de aporte, este sale despedido y se deposita sobre el substrato generando
una capa delgada. Esta tcnica posibilita buen control del espesor de la
capa depositada.
Aqu tenemos un link donde se puede apreciar el armado del equipo y su funcionamiento.
https://www.youtube.com/watch?v=Ukvs6Rct4w8
Deposicin de Qumica de Vapor CVD: Esta tcnica denominada CVD (de sus siglas en ingls
Chemical Vapor Deposition) es un proceso fsico-qumico para depositar capas delgadas de
diversos materiales. En un proceso tpico de CVD el sustrato es expuesto a uno o ms precur-
sores en fase gaseosa, que se ionizan dando lugar a la formacin del plasma sobre la superfi-
cie del sustrato originando las reacciones qumicas necesarias para producir el depsito
deseado. Los elementos no intervinientes en la formacin del recubrimiento son eliminados
por el sistema de bombeo.
Electrodeposicin: Una de las tcnicas utilizadas para fabricar capas metlicas de espesores
del orden de micrmetro o superior es la electrodeposicin (tambin llamado electroplateado).
Ataque qumico: Comido por inmersin en un lquido de ataque (wet-etch): este proceso con-
siste en la eliminacin selectiva de material, se coloca el sustrato dentro de un recipiente junto
con un lquido capaz de disolverlo; algunas reas del mismo son protegidas por una mscara
(que ha sido transferida al sustrato), otras se presentan aptas para ser atacadas, se debe elegir
cuidadosamente el material usado como mscara para lograr una alta tasa de ataque entre la
mscara y el sustrato a ser atacado. Ciertos materiales presentan diferente velocidad de
ataque segn su orientacin cristalogrfica, como es el caso del silicio monocristalino.
Esto se conoce como grabado anistropo y uno de los ejemplos ms comunes es el grabado del
silicio en KOH (hidrxido de potasio), donde los planos cristalinos 111 del Silicio se graban
aproximadamente 100 veces ms lento que otros planos (orientaciones cristalogrficas). Por lo
tanto, grabando un agujero rectangular en un plano 100 una oblea de silicio resulta en un
grabado de ranuras en forma de pirmide con paredes en ngulo de 54,7, en lugar de un agu-
jero con paredes curvas como ser el caso de un comido anistropo en el que las velocidades
de ataque son iguales en todas las direcciones.
Grabado por plasma (Dry etch): en este caso el comido se realiza en un plasma, donde se
forman iones, los cuales bombardean toda la superficie del sustrato, el que es protegido por
una mscara. Uno de los ejemplos que se puede citar es el ataque por iones reactivos RIE
(Reactive Ion Etching en ingls) el sustrato se coloca dentro de un reactor en el que se introdu-
cen varios gases. La fuente de radio frecuencia pulsada (RF) genera los iones a partir de gas en
es reactor. Los iones son acelerados y interactan con la superficie del material formando
otros gases, parte qumica del proceso de RIE, este proceso tiene adems una parte fsica simi-
lar al proceso de Sputtering, si los iones poseen muy alta energa pueden impactar fuera del
material a ser grabado sin reaccionar qumicamente, este proceso se basa en equilibrar el
grabado qumico y fsico, modificando este equilibrio se puede lograr procesos ms isotrpicos
(parte qumica) o ms anisotrpicos (parte fsica), con esta combinacin se pueden lograr pare-
des verticales rectas o curvas.
Figura 5.2.7: Esquema de funcionamiento del equipo en el cual se genera un plasma desde el gas de aporte y una
fuente de radio frecuencia (RF) acelera los iones del plasma hasta el sustrato, logrando el grabado del mismo.
DRIE (RIE profundo) es una subclase del anterior: En este proceso, las profundidades de
grabado son de cientos de micrmetros y se alcanzan con paredes casi verticales. La
tecnologa ms conocida se llama proceso Bosch, donde la combinacin de gases diferentes se
alterna en el reactor. Actualmente hay dos variaciones de la DRIE. La primera modificacin
consiste en tres pasos (herramienta UNAXIS), mientras que la segunda variacin tiene dos
pasos (ASE utilizado en la herramienta de STB). En la primera variante el ciclo de procesado
comienza con un grabado isotrpico con SF6, luego se utiliza C4 F8 como pasivante y final-
mente SF6 ataque anisotrpico para limpieza de la superficie. La segunda modificacin com-
bina los pasos 1) y 3). En ambos casos el C4 F8 crea un polmero sobre la superficie del sustrato
y el (SF6 y O2) graba el sustrato. El polmero se utiliza para detener el ataque anisotrpico
sobre las paredes verticales. Como resultado de ello, el grabado se alcanzar relaciones de
aspecto de 50 a 1. El proceso puede ser utilizado fcilmente para grabar completamente a
travs de un sustrato de silicio, y las tasas de grabado son 3 - 4 veces ms altas que el grabado
lquido de inmersin.
Figura 5.2.8: En esta imagen se esquematiza en detalle como se produce el ataque con iones
liberados del plasma permitiendo grabar la superficie del sustrato no protegidas por la ms-
cara que fuera transferida sobre el sustrato.
Este equipamiento trabaja con un haz de iones de alta energa focalizados (aprox. 5 manmet-
ros) esto produce un comido de las muestras que puede ser usado para realizar diseos geo-
mtricos tambin permite realizar deposicin de capas por el mtodo de PVD (pulverizacin
andica).
Figura 5.2.9: A la izquierda una foto del FIB instalado en la sede del INTI en San Martn y a la
derecha vemos el smbolo de la institucin fabricado en platino por el mismo equipo.
Implantador de iones: La implantacin inica consiste en bombardear iones seleccionados en
una cmara de vaco (<10-4 mbar) sobre la superficie de un material, con una energa situada
entre 50 a 200 KeV. Los iones penetran fuertemente la superficie del material, y a continuacin
se detienen y pierden su energa mediante colisiones y acomodndose en la estructura cris-
talina del sustrato.
El proceso de plasma fro, que se lleva a cabo a baja temperatura (<100 C) en una cmara de
vaco, modifica la estructura del material a una profundidad de una fraccin de un micrn, sin
necesidad de aadir una capa adicional (no se trata de un proceso de revestimiento).
Hornos de difusin
Difusin en estado slido: En la fabricacin acta circuitos integrados uno de los procesos es la
difusin. Era una tcnica muy empleada en los aos 1970 para definir el tipo (N o P) de un semi-
conductor. Hoy en da tambin se usa aunque de forma diferente.
Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta tem-
peratura a que ste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentracin de
dopantes que disminuye proporcionalmente.
La difusin en estado slido puede ser clasificada en, concentracin constante en superficie, se
mantiene constante la concentracin de impurezas en la superficie del semiconductor y desde
ah son difundidas al interior, o por concentracin constante total, se deposita la cantidad final
de impurezas en la superficie de la oblea y desde ah se difunden.
El uso de este tipo de dispositivos se ha diversificado en los ltimos tiempos, sus principales
aplicaciones son: laboratorios en un chip lab on a chip, sistemas de liberacin controlada de
medicamentos drug delivery y sensores.
Laboratorios en un chip: Estos dispositivos permiten anlisis rpidos con pequeas cantidades
de muestra, combinando fludica, electrnica, mecnica y tcnicas de manufactura. Las
tecnologas lab on a chip desplazan a grandes equipos, muchas veces reemplazan a equipos
multianlisis por nanodispositivos de aplicaciones especficas.
Tambin existen algunos desarrollos como los propuestos por la universidad de Purdue, que
present un parche con microagujas que controla el suministro de medicamentos.
http://www.purdue.edu/newsroom/research/2010/100831ZiaiePatches.html
Nanosensores: estos pueden clasificarse segn su campo de aplicacin en, pticos, qumicos,
electroqumicos, sensores de masa, biosensores y aplicaciones electrnicas. Al igual que el
resto de nanotecnologa el campo de los nanosensores tiene carcter transversal y las reas
estancas no existen, cada una de las nanomquinas est conformada por ms de un campo del
conocimiento e implica gran especializacin para resolver los problemas tecnolgicos plantea-
dos.
El desafo ms importante con el que se encuentra esta rea del conocimiento es convertir
los desarrollos cientficos de los ltimos aos en productos tecnolgicos que lleguen al
mercado de consumo. De esta forma modifiquen la realidad cotidiana de las personas. La
nanotecnologa futura se presenta desarrollndose en todo el espectro cotidiano como lo
son, las energas, la medicina, los alimentos, los materiales, el transporte, las comunica-
ciones y los sistemas informticos entre otros.
Medicina: los sistemas NEMS se aplican cada vez ms en estas rea un ejemplo de esto son
los parches adhesivos electrnicos para el monitoreo de la salud.
https://www.youtube.com/watch?v=dxhoLxRYsRU
Tambin se han presentado patentes de dispositivos mdicos de aplicacin quirrgica, la
propuesta contempla almacenar informacin del paciente y el seguimiento a travs de
sistemas radio frecuencia (RFID).
http://www.google.com.ar/patents/US8753344