Subiecte DCE Licenta

1) Jonciunea p-n. Ecuaia caracteristic (curent-tensiune) a diodei semiconductoare. Regiuni de func ionare.
Valori maxime absolute. Dependena de temperatur. Modele de semnal mare i modelul de semnal mic.
Structur i simbol
Figura 2.1 prezint structura n timp ce figura 2.2 prezint simbolul unei diode "p-n".
unde:
Joniune
metalurgic
vA
A C
A C
p NA n ND iA

Figura 2.1 Figura 2.2

A anod;
C catod;
vA valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
iA valoarea instantanee total a curentului prin diod;
NA concentraia de atomi acceptori;
ND concentraia de atomi donori;
n concentraia de electroni;
p concentraia de goluri.
practic - curentul prin diod circul numai de la anod spre catod. Acest efect poart numele de efect de diod

Regimuri de functionare:
1. regim cvasistatic de semnal mare;
2. regim cvasistatic de semnal mic;

2.2.1 Ecuaia caracteristic static

Ecuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a diodei ideale este:
v
i A I S exp A 1
eT
(2.5)
unde:
kT
eT
q
(2.6)
i poart numela de tensiune termic. S-au folosit notaiile:
k constanta lui Boltzman
q sarcina electronului
T temperatura absolut
La temperatura ambiant VT are valoarea:
eT25 mV (2.7)
Reprezentnd grafic (2.5) se obine figura 2.4

iA D

IS V

A B C uA

Figura 2.4
1
unde:
IS curent rezidual (ntre 10-9A pentru germaniu i 10-12A pentru siliciu)
V tensiune de prag (0.2 V pentru germaniu i 0.6 V pentru siliciu)
Se pot pune n eviden 3 regiuni importante:
Regiunea AB Regiunea de blocare la polarizare invers.
Regiunea BC Regiunea de blocare la polarizare direct.
Regiunea CD Regiunea de conducie.

2.2.2 Modele liniare de semnal mare

- poart numele de model de ordin zero.

iA

Model de ordin zero Caracteristica real

vA

Schema echivalent este:

A C
Diod n conducie
A C
A C
Diod blocat

2.3 Comportarea DS n regim cvasistatic de semnal mic

-semnalul pe diod este mai mic de 10 mV aa numita condiie de semnal mic
VQ
I S exp
d iA eT I A IS
ga
dv A eT eT
v A VQ
(2.17)
unde ga este conductana (inversul rezistenei) de semnal mic.

Caracteristic neliniar

Regiune liniar

Q(VQ, IQ)

v
v

Figura 2.15
VT 25 mV
Amintind c , n final se obine pentru ga expresia:
ga mS 40 IA mA

Modelul matematic
ia g a v a
(2.4)
unde ga are valoarea dat de (2.17).
Schema echivalent asociat acestui model este prezentat n figura 2.16
2
 va
ga
ia
A C

Figura 2.16

2) Diode Zener. Caracteristica static. Regiuni de funcionare. Dependen a de temperatur. Mecanismele de

stabilizare a tensiunii. Stabilizator parametric cu DZ.
.
n general regiunea de strpungere trebuie evitat n funcionare normal ntruct n absena unor circuite de limitare a
curentului, dioda se poate distruge. Exist ns o categorie de diode i anume diodele stabilizatoare sau Zener care
iZ
IZM

vZ Strpungere

A C IZm
iZ Regiune de Regiune de VZ vZ
polarizare polarizare
direct invers

Figura 2.8. Figura 2.9

lucreaz tocmai n acest regiune. Figura 2.8 prezint simbolul unei asemenea diode, iar figura 2.9 caracteristica static.
Se poate constata c att timp ct curentul prin diod satisface condiia:
I Z m iZ I Z M
(2.8)
cderea de tensiune pe diod va avea valoarea:
v Z VZ
(2.9)
2.2.4 Limitri n funcionare
Analiza prezentat pn n acest moment a considerat c att tensiunile de pe diod ct i curenii prin diod pot lua
orice valori. n situaii reale exist anumite limitri pentru a evita distrugerea dispozitivului. Funcie de aplicaie, cele
mai uzuale limitri sunt:
a. diode redresoare
IFM curentul direct maxim admisibil; reprezint valoarea maxim a curentului direct prin diod
cnd ea se afl n conducie; proiectantul trebuie s aib grij ca n funcionare normal curentul direct
s nu depesc aceast valoare.
VBR tensiunea de stpungere; reprezint valoarea maxim a tensiunii inverse pe diod;
proiectantul trebuie s aib grij ca n funcionare normal tensiunea invers s nu depesc aceast
valoare
b. diode stabilizatoare
VZ tensiunea nominal de stabilizare; de obicei n catalog sunt prezentate limitele maxime i
minime.
IZM curentul maxim admisibil prin diod; spre deosebire de I FM, acest curent circula prin diod
cnd aceasta lucreaz n regiunea de stpungere.
11.2 Stabilizatoare parametrice
Se va prezenta stabilizatorul parametric cu diod Zener.
RB
iRED iL
3 iZ
vRED vL RL
Dz

Figura 11.7
a.) Schema este prezentat n figura 11.7.
b.) Rolul elementelor
RL rezistor de sarcin;
iZmin iZ iZmax
RB rezistor de balast; asigura condiia indiferent de variaiile lui vRED, precum i
ale lui RL;
Dz diod Zener; caracteristica static este prezentat n figura 11.8; n regim normal (regimul n
care tensiunea de la bornele ei este VZ) aceast diod lucreaz la polarizare invers n
regiunea de strpungere; dac valoarea curentului prin ea respect condiia:
iA

VZ
vA
iZmin

Domeniu de stabilizare

iZmax

Figura 11.8
iZmin iZ iZmax
(11.7)
atunci tensiunea la bornele ei este aproximativ VZ.
c.) Analiza de semnal mare. Se prezint calculul caracteristicii de transfer:
vL=vL(vRED) (11.8)
Acest lucru presupune parcurgerea algoritmului tipic de rezolvare a oricrei probleme de electronic:
I ) Modelarea circuitului Schema echivalent de semnal mare a circuitului din figura 11.7 este prezentat n
figura 11.9.
RB
iRED iL
iZ

RZ
vRED vL RL
vZ

Figura 11.9
Se poate observa c modelul de semnal mare al diodei Zener cuprinde sursa de tensiune V Z nseriat cu
rezistorul de valoare RZ. Valorile acestor elemente de circuit se determin cu ajutorul caracteristicii statice.
Ele reprezint:
VZ valoarea tensiunii Zener;
RZ panta global a caracteristicii n domeniul de stabilizare.
II. ) Dezvoltarea modelului matematic. Aplicnd teoremele lui Kirchhoff se obine:
iRED=iZ+iL (11.9)
VZ=-iZRZ+iLRL (11.10)
-VZ=iREDRB+iZRZ-vRED (11.11)
III.) Determinarea soluiei. Introducnd notaiile:
4
 D 1
GB
RB
(11.12)
D 1
GL
RL
(11.13)
D 1
GZ
RZ
(11.14)
expresia tensiunii de ieire devine:
GB GZ
vL vRED VZ
GB GL GZ GB GL GZ
(11.15)
Reprezentarea grafic este prezentat n figura 11.10
vL Limit impus de Limit impus de
valoarea lui i Zmin valoarea lui i Zmax

VZ

vRED

Figura 11.10
innd seama de faptul c n situaiile reale
RB>>RZ (11.16)
RL>>>RZ (11.17)
relaia (11.15) se aproximeaz suficient de bine:
vL VZ
(11.18)
ceea ce susine afirmaia c montajul din figura 11.7 se comport ca un stabilizator de tensiune.
d.) analiza de semnal mic. Prezint calculul coeficientului de stabilizare i al rezistenei de ieire.
d1.) calculul coeficientului de stabilizare. Se va aplica relaia (11.2). Pentru acest lucru este necesar ca
schema din figura 11.7 s fie modelat n semnal mic(fig. 11.11).
Se poate constata c dioda stabilizatoare a fost modelat prin rezistena ei n semnal mic. Prin simpla
RB

Vred rz RL Vl

Figura 11.11
inspecia a schemei se obine:
RL rz
Vl Vred
RB RL rz
(11.19)
ntruct n situaiile reale

5
 rz<<RL (11.20)
relaia condiii (11.19) se aproximeaz:
rz
Vl Vred
RB rz
(11.21)
Factorul de stabilizare devine:
RB rz
S
rz
(11.22)
Dac n aceast ultim relaie se ine cont de simplificrile introduse de observaia coninut n relaia (11.17)
pentru factorul de stabilizare se obine expresia uzual:
RB
S
rz
(11.23)
d2.) calculul rezistenei de ieire. n acest caz schema echivalent de semnal mic este:

RB

rz ro

Figura 11.12
Se poate constata c intrarea a fost pasivizat. Rezistena de ieire va fi:
ro R B rz rz
(11.24)
e.) mbuntiri. n continuare se vor prezenta cteva variante de stabilizatoare parametrice care rezolv
urmtoarele dou probleme:
1. mrirea coeficientului de stabilizare
2. mrirea curentului de ieire
e1.) Mrirea coeficientului de stabilizare; Pentru mrirea coeficientului de stabilizare una dintre cele mai
comode soluii o constituie cuplarea n cascad a mai multor etaje de tipul celui analizat. Schema din figura
vRED

RB1 RB2 RB
iRED iL

vRED Dz1 Dz2 vL RL T

iL
Dz
vL RL

Figura 11.13 Figura 11.14

11.13 prezint un montaj format din dou etaje
Este uor de observat c n acest caz:
R B1 R B2
S
rz1 rz 2
(11.25)
6
 ro rz 2
(11.26)
e2) Mrirea curentului de ieire Introducerea tranzistorului T intre sarcin i ieirea diodei Zener, ca n
figura 11.14, permite mrirea curentului din sarcin de aproximativ ori. Inspecia schemei pune n eviden
faptul c RB i Dz joac rolul unui stabilizator parametric obinuit. Tranzistorul T (conexiune colector
comun) joac rolul unui etaj tampon ntre sarcin i stabilizatorul parametric amintit. Acest observaie pune
n lumin un alt avantaj major al montajului i anume micorarea rezistenei de ieire . Aceasta are valoarea
aproximativ:
rz
ro

(11.27)
Tensiunea de pe sarcin va avea valoarea:
vL=VZ-VBE (11.28)
rmnnd practic constant.

3) Redresoare de tensiune: redresorul monofazat monoalternan cu sarcin rezistiv, cu i fr condensator de

filtraj. Descrierea funcionrii, forme de und.

3.1 Redresor monoalternan cu sarcin rezistiv

a.) Schema este prezentat n figura 3.1.
b. ) Rolul elementelor; notaii folosite
RL - rezisten de sarcin;
Vs
Tr D RL

iL
t
Vp Vs vL vL

Vs
VL

t
2 3 4 5

Figura 3.1 Figura 3.2

D - element neliniar, asigur efectul de redresare;

Tr - transformator de alimentare;
Vp - amplitudinea tensiunii alternative din primar;
Vs - amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
vL - valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin;
iL - valoarea instantanee a curentului prin sarcin.
c.) Funcionarea
Pe alternana pozitiv dioda D conduce. Curentul va circula pe traseul: borna superioar a secundarului
transformatorului, dioda D, rezistena de sarcin, borna inferioar a secundarului transformatorului.
Pe alternana negativ dioda D este blocat. Prin sarcin nu va circula curent. Tensiunea pe sarcin va fi nul
Figura 3.2 prezint formele de und asociate acestei prezentri. Se poate observa c alternana pozitiv se regsete,
practic, pe sarcin, n timp ce alternana negativ este, practic, eliminat.

3.4 Redresor monoalternan cu filtru capacitiv

a.) Schema este prezentat n figura 3.6.

7
 Tr D RL
iL

+
Vp Vs vL

Figura 3.6
b. ) Rolul elementelor; notaii folosite
RL - rezisten de sarcin
D - element neliniar, asigur efectul de redresare.
Tr - transformator de alimentare
C -condendator de filtraj; n timpul alternanei pozitive pentru o scurt perioad de timp (notat n
figura 3.12) se ncarc, iar n restul intevalului de timp se descarc prin rezistena de sarcin,
asigurnd astfel permanent curent prin sarcin.
Vp - amplitudinea tensiunii alternative din primar
Vs - amplitudinea tensiunii alternative din secundar
vL - valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcin
iL - valoarea instantanee a curentului prin sarcin
c.) Funcionarea
Analiza funcionrii trebuie s nceap cu observaia c dioda D conduce un interval relativ mic de timp ,interval
cuprins n alternana pozitiv, pentru restul perioadei dioda fiind blocat.
Pe intervalul de timp , cnd dioda conduce curentul va circula pe traseul: borna superioar a secundarului
transformatorului, dioda D, iar n continuare o component ncarc condesatorul C iar cealalt trece prin
rezistena de sarcin, n final circuitul nchizndu-se prin borna inferioar a secundarului transformatorului
(sgeile pline).
Pe intervalul de timp T-, cnd dioda D este blocat condensatorul C se va descrca prin rezistena de sarcin.
(sgeile punctate).
Figura 3.7 prezint formele de und asociate acestei prezentri. Se poate observa c, prezena condensatorului duce la
nivelarea (filtrarea) tensiunii de pe rezistena de sarcin.
D conduce D blocata
C se ncarca C se descarca
V
Vs
VL Vl

t
T

Figura 3.7
Vs -amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
Vl -amplitudinea componentei alternative a tensiunii de pe sarcin;
VL -valoarea componentei continue a tensiunii de pe sarcin;
a -intervalul de timp de conducie al diodei;
T -perioada.

4) Tranzistorul bipolar. Efectul de tranzistor. Conexiunile tranzistorului. Caracteristici statice. Regimuri de

lucru.Valori maxime absolute.

Exist dou tipuri de tranzistoare bipolare:

8
Jonciunea Jonciunea Jonciunea Jonciunea
emitorului colectorului emitorului colectorului
E n++ p n C E p++ n p C

B B

tranzistoare npn (figura 4.1) tranzistoare pnp (figura 4.2)

unde:
E emitor; are rolul de a emite (genera) purttori;
C colector; are rolul de colecta purttorii emii de emitor;
B baza-are rolul de a controla fluxul de purttori dintre emitor i colector
C iC C iC
iB vCB iB vBC

vCE vEC
B B
vBE vEB
E iE E iE

Figura 4.3 Figura 4.4

Notaiile folosite au urmtoarele semnificaii:
iC curent de colector;
iE curent de emitor;
iB curent de baz;
vCE tensiune colector-emitor;
vCB tensiune colector-baz;
vBE tensiune baz-emitor;

4.1.3 Conexiunile tranzistorului.

a.) Conexiunea emitor comun. Este prezentat in figura 4.5
Semnalele de intrare (sau de comand) sunt:
tensiunea vBE tensiunea baz emitor, i
curentul iB curentul de baz
Semnalele de ieire (sau comandate)
tensiunea vCE tensiunea colector emitor, i
curentul iC curentul de colector

Figura 4.5

b.) Conexiunea colector comun. Este prezentat in figura 4.6

9
 iE

iB
vEC Iesire
Intrare vBC

Semnalele de intrare (sau de comand) sunt:

tensiunea vBC tensiunea baz colector, i
curentul iB curentul de baz
Semnalele de ieire (sau comandate)
tensiunea vEC tensiunea emitor colector, i
curentul iE curentul de emitor
c.) Conexiunea baz comun. Este prezentat in figura 4.7
iE iC

Intrare vEB vCB Iesire

Figura 4.7
Semnalele de intrare (sau de comand) sunt:
tensiunea vEB tensiunea emitor baz, i
curentul iE curentul de emitor
Semnalele de ieire (sau comandate)
tensiunea vCB tensiunea colector baz, i
curentul iC curentul de colector.

Caracteristici statice. n mod uzual acestea sunt:

iC iC vCE , i B
(4.9)
i B i B v BE , vCE
(4.10)
Prezentul subcapitol ii propune s prezinte forme explicite pentru expresiile (4.9) i (4.10), iar pe baza lor s dezvolte
modele aproximative pentru tranzistoarele bipolare.
iC iC vCE iB const.

(4.11)
relaie cunoscut sub numele de caracteristica de ieire, i
i B i B v BE vCE const.

(4.13)
relaie cunoscut sub numele de caracteristica de intrare, i
a.) Caracteristica de ieire este prezentat n figura 4.8. Pe aceast caracteristic se pot pune n eviden cele trei
regimuri de funcionare .Fiecrui regim i corespunde o regiune dup cum se vede n figur, i anume: regiunea de
saturaie; regiunea activ normal i regiunea de blocare.
iC

vCB=0 iB4
Regiunea activ normal
Regiunea de iB3
saturatie
iB2
Regiunea de
blocare iB1

vCE

10
Figura 4.8
b.) Caracteristica de intrare este reprezentat n figura 4.9.
iB
vCE1

vCE2>vCE1

V vBE

Figura 4.9
Se constat c:
1. este vorba de caracteristica unei diode,
2. practic iC nu depunde de vCE

4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim cvasistatic de semnal mic

Modelul matematic pentru regimul cvasistatic de semnal mic - al oricrui dispozitiv electronic
ic g m vbe
(4.23)
vbe
ib
r
(4.24)
unde:
diC I
gm C
dv BE eT
- (4.25)

poart numele de transconductan (pant). Uzual relaia (4.25) se scrie sub forma:
gm[mS]=40IC[mA] (4.26)
i
1 1
r
di B diC di B gm
du BE du BE diC
(4.27)
numit rezisten de intrare.
Schema echivalent este prezentat n figura 4.17

ib ic ib ic
B C B C
vbe r gmvbe r ib

E E

Figura 4.17 Figura 4.18

Din (4.27) se deduce rapid relaia
g m r
(4.28)
care induce o nou formulare a modelului matematic se semnal mic regim cvasistatic pentru tranzistorul bipolar i
anume:
i c ib
(4.29)

11
 vbe
ib
r
(4.30)
n aceast situaie schema echivalent este prezent n figura 4.18

5) Circuite de polarizare a tranzistorului bipolar. Dependena de temperatur i compensarea acesteia. Modelul

de semnal mare al tranzistorului bipolar.

4.4.2 Circuit elementar de polarizare.

a.) schema
Este prezentat n figura 4.19
I
EC RB RC
B C
RB RC EC
IB VBE
IB VCE

Figura 4.19 Figura 4.20

b.) rol elemente, notaii folosite
RB rezisten pentru polarizarea bazei.
RC rezisten de sarcin.; are importan n analiza de curent alternativ
c.) analiza de semnal mare
EC VBE

RB
IC=IB = (4.34)
Modele aproximative pentru TB
a.) Modele aproximative pentru regimul de blocare.
Tranzistorul are jonciunile polarizate invers i deci curenii sunt aproximativ zero. Ecuaiile de dispozitiv sunt:
B C

vBE vCE

E
Figura 4.10
iB=0 (4.15)
iC=0 (4.16)
Schema echivalent este prezentat n figura 4.10
b.) Modele aproximative pentru regimul de saturaie.
n aceast situaie ambele joctiuni sunt polarizate direct. Tranzistorul se comport, practic ca un scurtcircuit. Ecuaiile de
dispozitiv devin:
iB iC
B C

E
Figura 4.11
vBE=0 (4.17)
vCE=0 (4.18)
Schema echivalent este prezentat n figura 4.11.
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal.
Pentru acest regim se vor prezenta mai multe tipuri de modele care vor diferi ntre ele prin nivelul de aproximare
acceptat.
Model de ordin zero

12
Acest model presupune uBE constant i egal cu o valoare cuprins ntre 0.6V - 0.7 V, precum i egalitatea curentului de
emitor cu cel de colector. Ecuaile de dispozitiv devin:
vBE=const. (4.19)
iC=iE (4.20)
Pentru modelul de ordin zero nu se construiete schem echivalent.
Model de ordin unu
Modelul de ordin unu are la baza ecuaiile 4.8 i 4.9
iB
B C
vBE F iB

E
Figura 4.12
iC i B
(4.8).
v BE V
(4.9)
Schema echivalenta este prezentat n figura 4.12
Model de ordin doi
Acest tip de model utilizeaz un model matematic mai evoluat pentru tranzistor i anume:
iB
B C
IS/ F FiB

E
Figura 4.13
v BE
iC I S exp
eT
(4.21)
IS v
iB exp BE
F eT
(4.22)
unde IS poart denumirea de curent de saturaie. Schema echivalent este prezentat n figura 4.11.
Variaia cu temperatura a principalilor parametri electrici ai tranzistorului bipolar. Parametrii n discuie sunt cei ce
apar n schemele echivalente prezentate n subcapitolul 4.2. Pentru regiunea activ normal este mai variatia lui v BE.,
Referitor la vBE - fiind tensiunea unei jonciuni polarizat direct - respect legea de variaie amintit n subcapitolul 2,
Valoarea coeficientului cVF este cuprins ntre 2-2.5mV/oC.

6) Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar (Giacoletto). Conexiunile tipice. Amplificator de semnal mic
n conexiunea EC la joas frecven: impedana de intrare; amplificarea n curent; amplificarea n tensiune;
impedana de ieire.

Modelul matematic pentru regimul cvasistatic de semnal mic - al oricrui dispozitiv electronic
ic g m vbe
(4.23)
vbe
ib
r
(4.24)
unde:

13
 diC I
gm C
dv BE eT
- (4.25)

poart numele de transconductan (pant). Uzual relaia (4.25) se scrie sub forma:
gm[mS]=40IC[mA] (4.26)
1 1
r
di B diC di B gm
du BE du BE diC
i (4.27) numit rezisten de intrare.

Schema echivalent este prezentat n figura 4.17

ib ic ib ic
B C B C
vbe r gmvbe r ib

E E

Figura 4.17 Figura 4.18

Din (4.27) se deduce rapid relaia
g m r
(4.28)
care induce o nou formulare a modelului matematic se semnal mic regim cvasistatic pentru tranzistorul bipolar i
anume:
i c ib
(4.29)
vbe
ib
r
(4.30)
n aceast situaie schema echivalent este prezent n figura 4.18
n configuraia emitor comun semnalele de intrare se aplic ntre baz i emitor i se culeg ntre colector i emitor.
Emitorul este din punct de vedere alternativ la mas.
c.) Analiza de semnal mic
c1.) Amplificarea n tensiune este definit ca:
Av g m RC
(5.16)
Relatia (5.16) dovedete c:
Etajul defazeaz cu 1800 (semnul minus)
Amplificarea n tensiune este mare.
c2.) Rezistena de intrare
Este definit ca:
R in R B r
(5.21)
ntruct n multe cazuri:
r
RB>> (5.22)
(5.21) poate fi rescris sub forma:
R in r
(5.23)

14
 r
n concluzie valoarea rezistentei de intrare este moderat. i egal cu
c3.) Rezistena de ieire este definit ca:
Ro=RC (5.26)
n concluzie rezistena de ieire are o valoare moderat, egal cu RC.
+E C
R B1
RC It
It
B C It +
C2 +
+
C1 RC Vt
Vt RB r Vbe gmVbe RC Vt
CS -
R B2 RE CE -
- E

Figura 5.9 Figura 5.10 Figura 5.11

7) TEC-J: Structura fizic a TEC-j. Simboluri. Caracteristici statice, regimurile de lucru ale TEC-j. Ecua iile
TEC-j.
Structur, simbol, notaii
Figura 6.1 prezint o structur de principiu. n figura este reprezentat un TECJ cu canal n. Exist de asemenea TECJ cu
canal p care are ns o structur complementar.
unde:
S electrod surs
jonciune G jonciune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S

Figura 6.1.
G electrod gril (poart)
D electrod dren
B electrod substrat - joac rol de gril doi.
Figura 6.2.a i 6.2.b prezint att simbolurile ct i notaiile uzuale pentru TECJ cu canal n, respectiv canal p.
D D
iD iD
vDG vGD
iG iG
G vDS G vSD
vSGS iS S
v iS
S
G
S S

Figura 6.2 a. Figura 6.2 b

S-au folosit notaiile:
iD curent de drena;
iS curent de surs;
15
 iG curent de gril.
Comportarea TECJ bipolar n regim cvasistatic de semnal mare. Caracteristici statice
O funcie de dou variabile se reprezint uzual n plan sub forma a dou caracteristici de forma:

iD iD (vDS )
u GS const.

(6.4)
numit caracteristica de ieire i:

u DS const.

iD=iD(vGS) (6.5)
numit caracteristica de intrare.
a.) Caracteristica de ieire
se pot pune n eviden, existena mai multor regiuni:
I.) Regiunea liniar este regiunea n care tranzistorul se comport ca rezisten comandat; valorile acestei rezistene
sunt n general mici lucru atestat de panta caracteristicii; n aceast regiune dependena curentului de dren de tensiunea
dren-surs poate fi aproximat de o dreapt.
II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziie; de obicei tranzistoarele nu funcioneaz n acest regiune; caracteristica
se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaie; n aceast regiune tranzistorul funcioneaz ca generator comandat; comanda este dat prin
intermediul tensiunii gril surs.

iD
Regiune vGS-vT
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=0.1V
liniara
vGS=0V
Regiune de
vGS=2V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Figura 6.6
IV.) Regiunea de blocare; n aceat reginea tranzistorul se comport ca un circuit ntrerupt; este caracterizat de faptul
c tensiunile pe trazistor lua orice valori (n limitele normale), dar curentul este nul.
b.) Caracteristica de intrare .
Este prezentat n figura 6.7.
iD

IDSS

VT vGS

Figura 6.7
Se pun n eviden mrimile:
IDSS curentul de dren corespunztor tensiunii gril surs nul
VT tensiunea de prag
Caracteristica poate fi aproximat printr-o parabol.
Comportarea TECJ in regim cvasistatic de semnal mic
ig=0 (6.13)
id=gmvgs (6.14)
unde
ig curent de gril (valoare instantanee de semnal)
16
 id curent de dren (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar
diD 2 I DSS VGS 2I D
gm 1
dvDS QP VT VT VGS VT
(6.15)
poart numele de tranconductan mutual. Schema echivalent corespunztore este prezentat n figura 6.13.

G D

vgs gmvgs
8) Amplificatoare
S electronice:
definiii,
Figura 6.13 parametrii
amplificatoarelor, cuplaje, clasificri.
Definiii
n mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei bloc din figura 10.1

xi xo
a
unde:

Figura 10.1
xI valoarea instantanee a semnalului de intrare sau excitaie,
x0 valoarea instantanee a semnalului de ieire sau rspuns,
a factor de transfer al amplificatorului (ideal o constant).
Parametrii amplificatoarelor
rezistena de intrare;
rezistena de ieire;
factorul de amplificare (imitana de transfer);
banda de lucru;
nivelul de distorsiuni.
Definirea parametrilor. Se vor prezenta definiiile pentru regimul cvasistatic de semnal mic. Rezistena de intrare,
rezistena de ieire precum i imitana de transfer au prezentate anterior. n continuare se vor prezenta doar definiiile
pentru banda de lucru i nivelul de distorsiuni.
a) Frecvenele superioare i inferioare de lucru
Gv dB
-3dB
Gv

ln f

Frecvena inferioar Frecvena superioar

Se observ din aceast Figura 10.6

figur c att frecvena de
jos ct i cea de sus se definesc n punctele n care aceast caracteristic cade cu 3dB. Tot cu ajutorul acestei figuri se
mai definete banda de lucru a amplificatorului ca fiind:
B=fs-fj (10.27)
unde:

17
 B banda de lucru
fj frecvena inferioar de lucru;
fs frecvena superioar de lucru
b) Nivelul distorsiunilor.
A fost menionat c ntr-un amplificator se produc dou tipuri de distorsiuni:
distorsiuni neliniare datorate neliniaritii caracteristicilor statice ale elementelor active;
distorsiuni liniare datorate neuniformitii caracteristicilor amplitudine-frecven, respectiv faz-frecven
Distorsiunile liniare se pot, de asemenea mpri n dou categori:
distorsiuni de amplitudine datorate amplificrii inegale a spectrului semnalului aplicat la intrare;
distorsiuni de faz datorate modificrii relaiei de faz ntre componentele spectrale ale semnalului aplicat la
intrare.
Factorul de distorsiuni se definete:
2 2
V 'o V ''o ...
100 %
Vo
(10.30)
Clasificri
1. a
mplificator de semnal mic regim cvasistatic
2. amplificatoare de semnal mare regim cvasistatic
3. amplificator de semnal mic regim dinamic
4. amplificatoare de semnal mare regim dinamic

9) TEC-MOS: Structura fizic a TEC-MOS. Simboluri. Caracteristici statice, regimurile de lucru ale TEC-MOS.
Structur
a.) TECMOS cu canal iniial
Structura este prezentat n figura 7.1. S-au folosit notaiile:
S surs;
D dren;
G grilasau poart;
B substrat
S G D

SiO2
n
n++ n++

canal
p

B
S

Figura 7.1
Canal=regiunea prin care tranziteaz purttorii n drumul lor dintre surs i dren
SiO2=strat izolator de bioxid de siliciu; izoleaz grila de canal.

18
Observaie Figura 7.1 prezint un TECMOS cu canal iniial de tip n. Exist i structura complementar i
anume TECMOS cu canal iniial de tip p.
Figura 7.2 prezint simbolul unui TECMOS cu canal iniial de tip n, iar figura 7.3 prezint simbolul unui TECMOS
cu canal iniial de tip
iG D iG D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vDS iS vSD iS
S
S

Figura 7.2 Figura 7.3

S-au folosit notaiile:
iD curent de drena
iS curent de surs
iG curent de gril
vGS tensiunea gril surs;
vDS tensiunea dren surs;
vDG tensiunea dren gril .

b.) TECMOS cu canal indus

Structura este prezent n figura 7.4
S G D

SiO2
++
n n++

canal
p

B
S

Figura 7.4
Observaie Figura 7.4 prezint un TECMOS cu canal indus de tip n. Exist i structura complementar i
anume TECMOS cu canal iniial de tip p.
Figura 7.5 prezint simbolul unui TECMOS cu canal indus de tip n, iar figura 7.6 prezint simbolul unui TECMOS cu
canal indus de tip p
Comportarea TECMOS n regim cvasistatic de semnal mare
iG iG
D D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vGS iS vSG iS

S S

Figura 7.5 Figura 7.6

1 Caracteristici statice
Urmnd metodologia din capitolul precedent se vor prezenta cele dou caracteristici statice uzuale:
a.) Caracteristica de ieire

19
Figura 7.10 prezint caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal iniial tip n, iar figura 7.11 caracteristicile
de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip n. Se constat c alura caracteristicilor este asemnatoare, diferind
domeniul tensiunilor de comand vGS.
Ca atare se pot pune n eviden, i n acest caz, existena mai multor regiuni:

iD
Regiune vGS-vT
de cot
de saturatie
Regiune de
Regiune vGS=4V
=8V
liniara
vGS=2V
=6V
Regiune de
vGS=0V
=4V
blocare
vvGS
GS=-4V
=2V
vGS=VT
vDS

7.10
Figura 7.11
I.) Regiunea liniar este regiunea n care tranzistorul se comport ca rezisten comandat; valorile acestei rezistene
sunt n general mici lucru atestat de panta caracteristicii; n aceast regiune dependena curentului de dren de tensiunea
dren-surs poate fi aproximat de o dreapt.
II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziie; de obicei tranzistoarele nu funcioneaz n acest regiune; caracteristica
se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaie; n aceast regiune tranzistorul funcioneaz ca generator comandat; comanda este dat prin
intermediul tensiunii gril surs.
IV.) Regiunea de blocare; n aceast regine tranzistorul se comport ca un circuit ntrerupt; este caracterizat de faptul
c tensiunile pe trazistor pot lua orice valori (n limitele normale), dar curentul este nul.
b.) Caracteristica de intrare
Figura 7.12 prezint caracteristicile de intrare pentru un TECMOS cu canal iniial tip n, iar figura 7.13 caracteristicile
de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip n. i de .
unde:

iD iD

IDSS

VT vGS VT vGS

Figura 7.12 Figura 7.13

IDSS curentul de dren corespunztor tensiunii gril surs nul
VT tensiunea de prag
i de acest data, caracteristicile pot fi aproximate prin parabole deosebirile fiind legate de domeniul n care poate varia
tensiunea vGS.
Comportarea TECMOS in regim cvasistatic de semnal mic
ig=0 (7.8)
id=gmvgs (7.9)
unde
ig curent de gril (valoare instantanee de semnal)
id curent de dren (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar

20
 di D
gm v GS VT
dv DS QP

(7.10)
G D

vgs gmvgs

10) Etajul diferenial. Schem, funcionare, parametrii caracteristici.

a.) Schema de principiu este prezentat n figura 10.10
b.) Notaii folosite;
+EC
rolul elementelor.
vI1; vI2
RC RC
valori
vO1 vO2
Figura iC1
7.17 iC2

T1 T2

vI1 vI2

IE RE

-EE

Figura 10.10
instantanee ale tensiunii de intrare
vO1;vO2 valori instantanee ale tensiunii de ieire
RC rezistene de sarcin
IE; RE circuit de polarizare echivalat Norton; poate fi o rezisten sau o surs de curent realizat cu
tranzistoare.
T1, T2 tranzistoare identice; pentru buna funcionare a etajului este necesar ca aceste tranzistoare s aib
caracteristicile ct se poate de apropiate
c.) Analiza de semnal mare Se vor studia caracteristicile de transfer:
vO1=vO1(vI1,vI2) (10.31)
vO2=vO2(vI1,vI2) (10.32)
Schema echivalent de semnal mare a circuitului din figura 10.10 este prezentat n figura 10.11.

+EC

RC RC

vO1 vO2

B C C B

vBE1 iC1 iC2 vBE2

vI1 vI2
E E

IE RE

-EE

Figura 10.11
21
Expresiile curenilor de colector sunt:
:
IE
v
1 exp ID
eT
iC1= (10.47)
IE
v
1 exp ID
eT
iC2= (10.48)
Reprezentarea grafic a acestor dou funcii se poate vedea n figura 10.13
Figura 10.13 pune n eviden trei dintre caracteristicile acestui etaj:
vOD

IERC

-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT

-IERC
vID
1*
Figura 10.13 Expresiile tensiunilor de ieire:
vO1=EC-

IE
v
1 exp ID
eT
RC (10.49)
IE
v
1 exp ID
eT
vO2=EC- RC (10.50)
n multe aplicaii semnalul de interes este dat de semnalul diferenial de la ieire:
vOD=vO1-vO2 (10.51)
nlocuind (10.49) i (10.50) n (10.51) se obine:
vID

eT
vOD=REIEtanh (10.52)
2* d.) Analiza de semnal mic.
Relaia (10.52) permite introducerea conceptului de amplificare pe mod diferenial. Prezenta seciune ii propune s
prezinte modul n care se poate calcula aceast amplificare.
Analiza pe mod diferenial Schema etajului devine:
+EC

RC RC

T1 T2

Vid Vid

2 2
IE RE

-EE

Figura 10.15 22
Acest circuit simplificat este denumit semicircuitul pe mod diferenial, fiind foarte util n analiza funcionrii etajelor
difereniale.
Iid B C

Vid Vod
r1 Vbe1 gmVbe1 RC
2 2
E

Figura 10.17
Definind amplificare pe mod diferenial
Ca atare amplificarea pe mod diferenial:
Add g m RC
(10.56)

11) Amplificatoare de semnal mare: clase de funcionare.

Din punctul de vedere al principiului de funcionare, literatura de specialitate prezint o clasificare de altfel foarte
uzual funcie de clasa de funcionare Din acest punct de vedere, cele mai cunoscute sunt:
etaje clas A;
etaje clas AB;
etaje clas B;
etaje clas C;
etaje clas D.
Clasa de funcionare este determinat de poziia punctului static de funcionare i nivelul semnalului. Astfel:
clas A - elementul activ (tranzistorul) conduce pe durata ntregii perioade; se spune c unghiul de conducie este 360 0;
figura 10.18 pune n eviden acest lucru.
Semnal Valoare continu (P.S.F).

Unghi de conducie
conducie

Figura 10.18
clas AB - unghiul de conducie este mai mare de 1800 i mai mic dect 3600; figura 10.19 exemplific acast situaie.
Semnal Valoare continu (P.S.F).

Unghi de conducie
conducie

Figura 10.19
Clas B; unghiul de conducie este 1800; figura 10.20 exemplific aceast situaie.

Semnal

Unghi de conducie
continu

23
Figura 10.20
Clas C: unghiul de conducie este mai mic dect 1800; figura 10.21 exemplific acast situaie.
Semnal

Unghi de conducie

Figura 10.21
Clas D elementul activ lucreaz n regim de comutaie; acest tip de amplificator nu face obiectul prezentei lucrri.

12) Reacia n amplificatoare. Expresia amplificrii cu reacie negativ. Imbunt irea parametrilor
amplificatoarelor prin utilizarea reaciei negative
Xi X Xo
A

+
a
Xf -

Structura general a unui amplificator cu reacie este prezentat n figura 10.32

unde:
Xi semnal de intrare;
Xo semnal de ieire;
X semnal de eroare;
Xf semnal de reacie;
A funcia de transfer a amplificatorului cu reacie;
a funcia de transfer a amplificatorului de baz;
f funcia de transfer a reelei de reacie;
sumator.
Se observ c:
Xo
a
X
(10.84)
i
Xf
f
Xo
(10.85)
circuitul sumator realizeaz funcia
X=Xi+Xf (10.86)
iar
Xo
A
Xi
(10.87)

Rezult imediat:

24
 a
A
1 af
(10.90)
Reacia negativ, definit de:
Aa
(10.93)
sau
1 af 1
(10.94)
n amplificatoare se folosete n mod exclusiv reacia negativ. Reacia pozitiv este caracteristic oscilatoarelor.
Trebuie de asemenea adugat c:
T af
(10.95)
reprezint transmisia pe bucl. Dac:
T>>1 (10.96)
caz suficient de des ntlnit n practic, (10.90) devine:
1
A
f
(10.97)
Avantajele folosirii reaciei negative la amplificatoarele electronice.
Utilizarea reaciei negative n amplifcatoare are urmtoarele efecte benifice:
Desensibilizarea amplificatorului cu reacie; reacia negativ reduce n mod semnificativ efectul temperaturii,
dispersiei parametrilor sau al mbtrnirii asupra amplificatorului cu reacie.
mbuntirea raportului semnal zgomot
Reducerea distorsiunilor neliniare.
Creterea benzii de trecere.
Modificarea impedanelorde intrare
Modificarea impedanelor de ieire

13) Topologii de reacie negativ. Caracteristici generale

I.) Serie-paralel. Se mai numete reacie de tensiune-serie. Culege informaie de tensiune iar rspunsul este n tensiune
(fig.10.33)
Vi Vf V Vo

+
av
RL
-

fv

Figura 10.33
Identificnd principalele mrimi electrice prin raportarea acestei scheme la schema din figura 10.32 obine:
mrimea de intrare Xin=Vin tensiune
mrimea de ieire Xo=Vo tensiune
semnalul de reacie Xf=Vf tensiune
semnalul de eroare. X=V tensiune
Rezult imediat:
Funcia de transfer a amplificatorului de baz este:

25
 Vo
av
Vin
(10.98)
i este reprezentat de amplificarea n tensiune.
Funcia de transfer a cii de reacie este:
Vf
fv
Vo
(10.99)
i este reprezentat tot de amplificarea n tensiune.
Amplificarea amplificatorului cu reacie se obine prin aplicarea formulei (10.90) este:
av
Av
1 f v av
(10.100)
(10.103)
II.) Paralel-paralel. Se mai numete reacie de tensiune paralel (fig.10.36) Culege informaie de tensiune iar rspunsul
este n curent.
Ii If I Vo

+
az
RL
-

fy

Figura 10.36
Schema bloc este prezentat n figura 10.36. Prin identificarea principalelor mrimi electrice se obine:
mrimea de intrare Xin=Iin curent
mrimea de ieire Xo=Vo tensiune
semnalul de reacie Xf=If curent
semnalul de eroare. X=I curent
Rezult imediat:
Funcia de transfer a amplificatorului de baz este:
Vo
az
I in
(10.104)
i este reprezentat de o transrezisten.
Funcia de transfer a cii de reacie este:
If
fy
Vo
(10.105)
i este reprezentat de o transconductan.
Amplificarea amplificatorului cu reacie se obine prin aplicarea formulei (5.8) i este tot o transrezisten:
az
Az
1 f y az
(10.106)
III.) Paralel-serie. Se mai numete reacie de curent paralel (fig. 10.39) Culege informaie de curent iar rspunsul este
n curent.
Ii If I Io

+
aI
RL
-

fI
26

Figura 10.39
Identificnd principalele mrimi electrice prin raportarea acestei scheme la schema din figura 10.32. se obine:
mrimea de intrare Xi=Ii curent
mrimea de ieire Xo=Io curent
semnalul de reacie Xf=If curent
semnalul de eroare. X=I curent
Rezult imediat:
Funcia de transfer a amplificatorului de baz este:
Io
ai
Ii
(10.109)
i este reprezentat de amplificarea n curent.
Funcia de transfer a cii de reacie este:
If
fi
Io
(10.110)
i este reprezentat de tot de amplificarea n curent.
Amplificarea amplificatorului cu reacie se obine prin aplicarea formulei (10.90) i este tot amplificare n
curent:
ai
Ai
1 fiai
(10.111)
(10.114)
IV.) Serie-serie. Se mai numete reacie de curent serie. Schema bloc a unui amplificator cu reacie serie-serie este
prezentat n figura 10.42 Se obsev c reacia culege informaie n curent iar rspunsul este n tensiune.
Vi Vf V Io

+
ay
RL
-

fz

Figura 10.42
Prin identificare se observ c:
mrimea de intrare Xi=Vi tensiune
mrimea de ieire Xo=Io curent
semnalul de reacie Xf=Vf tensiune
semnalul de eroare. X=V tensiune
Rezult imediat:
Funcia de transfer a amplificatorului de baz este:
Io
ay
V
(10.115)
i este reprezentat de o transadmitan.
Funcia de transfer a cii de reacie este:
Vf
fz
Io
(10.116)
i este reprezentat de o transimpedan.
Amplificarea amplificatorului cu reacie are expresia:

27
 ay
Ay
1 fz a y
(10.117)

14) Oscilatoare armonice: definiii, principiul de funcionare, clasificare, parametrii caracteristici ai nunui
oscilator.
Clasificri
IN funcie de:
tipul de elemente reactive oscilatoarele se clasific n:
oscilatoare RC; reeaua de reacie cuprinde rezistoare i capacitoare
oscilatoare LC. reeaua de reacie cuprinde rezistoare i bobine
domeniul de lucru se submpart n
oscilatoare de audiofrecven; lucreaz din domeniul hertzilor pn n cel al sutelor de kilohertzi;
oscilatoare de radiofrecven; lucreaz din sutelor de kilohertzi pn n cel al sutelor de megahertzi;
oscilatoare de microunde; peste un gigahertz.
Principiul de funcionare. Relaia lui Barkhausen
Figura 12.1 prezint schema general a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacie pozitiv.
Xi 0 X Xo

+
a
Xf +

Figura 12.1
Notaiile sunt cele folosite i n cazul amplificatoatelor:
Xi
semnal de intrare;
Xo
semnal de ieire;
X
semnal de eroare;
Xf
semnal de reacie.
S-au folosit notaii fazoriale ntruct semnalul este sinusoidal. Schema bloc prezentat este asemntoare celei
prezentate la studiul reaciei n amplificatoare, totui exist dou deosebiri eseniale:
semnalul de reacie nu mai este defazat de reeaua de reacie cu 1800;
semnalul de intrare este zero.
a
A
1 a f
(12.8)
Aplicarea condiiei (12.4) asupra relaiei (12.8) conduce la condiia:
a f 1
(12.9)
denumit relaia lui Barkhausen. Relaia se poate scrie i pe componente. Notnd:
a a exp j a
(12.10)
28
 f f exp j f
(12.11)
relaia lui Barkhausen devine:
a f 1
(12.12)
a f 2k k Z
(12.13)
Relaia (12.12) se mai numete condiia de amplitudine, iar relaia (12.13) condiia de faz. n cazuri concrete (12.12)
permite determinarea condiiei de amorsare a oscilaiei, adic valoarea minim a amplificrii amplificatorului de baz
pentru a exista oscilaii. Relaia (12.13) permite calcului frecvenei de oscilaie.

15) Stabilizatoare de tensiune continu cu reacie: definiii, parametrii caracteristici, clasificare. Specificai rolul
elementelor din schema de mai jos.
T2 iO
R4

R3 R2
T1 RL
vO
+vRED

Dz R1

Stabilizatorul de tensiune este un circuit care asigur la ieire o tensiune independent de:
tensiunea de alimentare;
curentul de ieire;
temperatur.
Figura 11.1 prezint modul de definire a principalelor mrimi electrice utilizate n studiul stabilizatoarelor.
iRED iL
Stabilizator
vRED de vL RL
E
tensiune

Figura 11.1
unde:
vRED, iRED=tensiunea i curentul de alimentare a stabilizatorului. Indicele " RED" semnific faptul c aceste mrimi
sunt culese de la ieirea unui redresor (valori instantanee totale);
vL, iL=tensiunea i curentul debitate de stabilizator valori instantanee totale);
RL=consumatorul (sarcina).
Parametrii :
a.) coeficient de stabilizare,

29
 1 1
S
vL

vRED PSF
Vl
I L const
Vred
T const

(11.2)
b.) rezisten de ieire

vL Vl
ro
iL PSF Il V RED const

T const

(11.3)
c.) coeficient de stabilizare termic

vL Vl
ST
T PSF T V RED const

I L const

(11.4)
Clasificri uzuale ale stabilizatoarelor. Exist mai multe criterii de clasificare a stabilizatoarelor. Se vor prezenta
numai trei dintre ele i anume:
dup principiul de funcionare;
dup mrimea electric comandat;
dup alura caracteristicii externe.
1. Dup principiul de funcionare stabilizatoarele se mpart in:
parametrice; funcionarea lor se bazeaz pe neliniaritatea caracteristicii curent-tensiune a unui dispozitiv
electronic (de obicei diod Zener)
cu reacie; funcia de stabilizare este realizat prin intermediul unei reacii negative; aceast clas de
stabilizatoare, de altfel cea mai rspndit, se mparte n alte dou subclase:
subclasa stabilizatoarelor n comutaie; cele n care dispozitivele active lucreaz n comutaie
subclasa stabilizatoarelor analogice; cele n care dispozitivele active lucreaz n regim activ normal; n
principiu ele lucreaz n regim liniar.
2. Dup mrimea electric comandat exist de asemenea dou subclase:
stabilizatoare serie, stabilizatoare care sunt conectate n serie cu sarcina. Figura 11.2 prezint o asemenea
situaie. Se poate observa c stabilizatorul a fost reprezentat ca o rezisten variabil. Din acest punct de vedere
ntreg ansamblul se comport ca un divizor de tensiune, rezistena variabil fiind astfel comandat, nct
Stabilizator
RV de tensiune
iRED

vRED vL RL

Figura 11.2
tensiunea pe sarcin s rmn constant.
stabilizatoare paralel, stabilizatoare care sunt conectate n paralel cu sarcina. n figura 11.3 se prezint schema
de conectare a unui asemenea stabilizator. De aceast dat ntreg ansamblul se comport ca un divizor de
curent, aceasta explicnd necesitatea introducerii rezistenei de balast R B
3. Dup alura caracteristicii externe a redresorului.

30
 stabilizator cu limitare la o valoare fix a curentului de ieire (figura 11.5); se poate constata c pn la

Stabilizator ideal Stabilizator real

de tensiune VL de tensiune

IL

ICOT ISCURTCIRCUIT

Figura 11.5
valoarea ICOT stabilizatorul se comport ca o surs de tensiune; este de dorit ca:
ICOT=ISCURCIRCUIT (11.7)
-stabilizator cu limitare prin ntoarcere a curentului de ieire (figura11.6)

VL

IL

ISCURTCIRCUIT ICOT

Figura 11.6

rolul elementelor este uor identificabil din figur. Se poate constata c sursa de referin este n fapt un stabilizator
parametric (Dz i R3) iar amplificatorul de eroare este n principiu un etaj cu sarcin distribuit. (rezistena dinamic r z a
diodei Zener reprezint sarcina din emitor, iar R4 i T2 sarcina din colector).

31