ELECTRNICA II

RESPUESTA EN FRECUENCIA
CATEDRTICO:
ING. JOS ROBERTO RAMOS LPEZ
GRUPO DE LABORATORIO: 01
INSTRUCTORA:
BR. JOCELYN REGINA BOLAOS ESQUIVEL
ESTUDIANTES:
BR. CRISTIAN ANTONIO AGUILAR QUINTANILLA AQ13003
BR. JAVIER ALEJANDRO HENRIQUEZ VALENCIA HV13008

CIUDAD UNIVERSITARIA, 22 DE ABRIL DE 2016

RESUMEN.

Se construir un amplificador de emisor comn haciendo uso del transistor BJT 2N2222. En primer
lugar, se realizar el diseo para que el punto de operacin del transistor sea con una corriente de
colector IC = 10 mA y una tensin VCE = 10 V, con el teorema de Miller se encontrar un valor
aproximado de la frecuencia de corte superior fH; adems se calculara la ganancia de banda media. El
circuito contara con dos resistencias de emisor (RE1 y RE2), todos los clculos y pruebas sern para
dos valores de RE1 los cuales sern 0 y 24 . Como parte final de la prctica se realizar la
construccin de un amplificador cascodo BJT y de esta manera poner estudiar cmo es que el ancho
de banda de un amplificador se ve ampliado, aunque su ganancia de banda media se vea reducida.

MATERIALES Y EQUIPO EMPLEADO EN LABORATORIO.

2 Transistores NPN 2N2222.

10 Resistencias: 33 2%, W; 100 1%, 50 ppm, W; 220 2%, W; 330
2%, W; 2 de 540 2%, W; 560 1%, 50 ppm, W; 1 k 2%, W; 6.2 k
2%, W; 10 k 2%, W.
Capacitores electrolticos: 10 F, 16 V; 2 de 10 F, 50 V; 22 F, 50V, 47 F, 16 V; 100 F,
50 V; 3 de 2200 F, 50V.
1 Protoboard con fuentes de voltaje incorporadas ETS-7000 K&N.
1 Generador de funciones 33210A Agilent Technologies.
1 Osciloscopio digital DSO1012A Agilent Technologies.
1 Multmetro digital PM 2518 Philips.
1 Multmetro digital K-7905A Knight.

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 1

INTRODUCCIN.

La configuracin para un amplificador BJT es la de emisor comn (CE). En la Figura I.1 se muestra
que, para establecer una tierra de seal en el emisor, se conecta un condensador de gran tamao C E,
por lo comn en el intervalo de los F, entre el emisor y la tierra. Este condensador provee una
impedancia muy baja a tierra en todas las frecuencias de seal de inters. De esta forma la corriente
de seal del emisor para por CE a tierra y, por tanto, evita la resistencia de salida de la fuente de
corriente I (y cualquier otro componente de circuito que pudiera estar conectado al emisor); por tanto,
CE se llama condensador de derivacin.

Figura I.1 Amplificador de emisor comn.

El condensador CC1, conocido como condensador de acoplamiento, se requiere para funcionar como
cortocircuito perfecto a las frecuencias de seal de inters mientras bloquea la dc. Con el objetivo de
no alterar las corrientes y voltajes de polarizacin de dc, la seal por amplificar, mostrada como fuente
de tensin vsig con una resistencia interna Rsig, se conecta por medio de CC1. CC2 cumple la misma
funcin que CC1.
Al colocar en cascada una etapa de amplificador de base comn con una de emisor comn, se obtiene
un amplificador muy til y verstil. Se le conoce como configuracin cascodo, y su idea fundamental
es combinar la alta resistencia de entrada y la gran transconductancia obtenida en un amplificador
emisor comn con la propiedad de bfer de corriente y la respuesta superior de alta frecuencia del
circuito base comn.

Figura I.2 Configuracin general del amplificador cascodo BJT.

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 2

DESCRIPCIN DE LOS CIRCUITOS.

El circuito mostrado en la Figura C.1 se puede apreciar la estructura del amplificador de emisor
comn, los valores de los capacitores se realizarn para los casos en que RE sea 0 y 24 , siempre
para una frecuencia de corte en baja frecuencia fL de 100 Hz. Para el clculo de los parmetros del
transistor en alta frecuencia se usarn los parmetros proporcionados por la hoja tcnica del 2N2222,
y el circuito a usar ser el modelo hibrido del transistor BJT ya implementado en el amplificador
de emisor comn como se muestra en la Figura C.2.

Figura C.1 Circuito del amplificador de emisor comn.

Para el modelo en alta frecuencia se ha obviado la resistencia interna r ya que posee un valor muy
grande del orden de los M.

Figura C.2 Circuito en alta frecuencia para el amplificador de emisor comn.

Con el objetivo de mejorar el desempeo en respuesta en frecuencia del amplificador de emisor

comn se conectar el emisor de un transistor Q1 que funciona como etapa amplificador base comn
con el colector de un transistor Q2 que opera como amplificador emisor comn formando la
configuracin cascodo mostrada en la Figura C.3

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 3

 Figura C.3 Amplificador Cascodo BJT.

Los valores de los capacitores estn hechos en base a una frecuencia de corte inferior fL de 100 Hz.
Los clculos de las resistencias han sido en base a valores estndares disponibles.

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 4

RESULTADO DE LAS MEDICIONES.

Amplificador de Emisor Comn.

Se muestran las grficas sobre el comportamiento del amplificador de emisor comn cuando se
modifica el valor de RE1 y la frecuencia, para poder observar el comportamiento de la salida VO.

a) b)

c) d)

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 5

 e) f)
Figura 1. Grficos de la forma de onda VSENAL (amarrilla) y VO (verde) para el amplificador de emisor
comn: a) Para RE1 = 0 y VO = VO MAX. b) Para RE1 = 0 y VO = VO MAX/2 a baja frecuencia. c)
Para RE1 = 0 y VO = VO MAX/2 a alta frecuencia. d) Para RE1 = 33 y VO = VO MAX. e) Para RE1 =
33 y VO = VO MAX/2 a baja frecuencia. f) Para RE1 = 33 y VO = VO MAX/2 a alta frecuencia.

Amplificador Cascodo BJT.

Las grficas mostradas a continuacin muestran el comportamiento del amplificador cascodo cuando
se varia el valor de la frecuencia, para observar los efectos de la salida VO.

a) b)
Figura 2. Grficos de la forma de onda VSENAL (amarrilla) y VO (verde) para el amplificador de
cascodo BJT: a) Para VO = VO MAX. b) Para VO = VO MAX/2 a baja frecuencia.

Estimacin de fH. Debido a que el generador de funciones empleado en laboratorio no ofrece

frecuencias mayores de 10 MHz, se recurre de manera experimental midiendo el tiempo de subida t r
a alta frecuencia, de preferencia cercana a fH terica.

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 6

 a) b)
Figura 4. Graficas de las formas de onda VSENAL (azul) y VO (magenta) al ingresar una seal cuadrada
con frecuencia cercana a fH: a) Medicin de la amplitud de VO. b) Medicin del tiempo de subida tr,
para estimar el valor de fH.

1.1
= 2.2 =

1.1 1.1
= =
40 109

= 8.75 []

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 7

DISCUSIN.

Amplificador de Emisor Comn.

Aplicacin del anlisis en DC para encontrar la corriente de polarizacin IC para cada valor de
resistencia de degeneracin RE1. VCC = 15 V, VEE = -15 V, VBE = 0.7 V, VT = 26 mV, r0 = 22.5 k,
hFE = 225, RB = 10 k, RC = 540 k.

+ + + (1 + 2 ) = 0

+ 1
+ ( + 2 ) =
1

=
+1
+ (1 + 2 )

= = ( ) ( ) = ( ) ( )

= + +

Para RE1 = 0 :

= 10.59 []

= 9.98 []

Para RE1 = 33 :

= 10.41 []

= 10.08 []

Calculo de la ganancia de voltaje en la banda media AM y la frecuencia de corte fH. Como las
corrientes de polarizacin varan para cada valor de RE1 se harn clculos separados.

1 1
1 = = 407.34 [ ] 2 = = 399.93 [ ]

1 = = 552.36 [] 1 = = 562.60 []
1 1

||1
1 = 1 ( || || ) = 93.75 [ ]
+ ||1

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 8

 [( + 1)( + )]|| ||
2 = 2 = 9.15 [ ]
+ [( + 1)( + )]|| + 1

En alta frecuencia, se tiene rx = 18.75 , C = 8 pF, C = 196 pF.

1
1 = = 2.517 []
2 ( + (1 + 1 ( || || ))) (1 ||( + || ))

1
2 =
2( + )

( + 1 )
0 = = 8.616199 []
+ 1 + (1 + 2 1 )

0 = 971.8477 []

2 = 16.691 []

Recalculando capacitores de acoplamiento para una frecuencia de 100 Hz.

Para RE1 = 0.

1
1 = = 27.75 []
2 0.1 ( + || )

1
2 = = 15.60 []
2 0.1 ( + )

1
= = 746.7219[]
2 0.8 ( + || )

Para RE1 = 33 .

1
1 = = 4.1942 []
2 0.1 ( + ||( + ( + 1)1 ))

1
2 = = 15.60 []
2 0.1 ( + )

1
= = 76.016 []
||
2 0.8 (1 + ( + ))
+ 1

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 9

Figura 5. Simulacin de la respuesta en frecuencia de la ganancia de voltaje del amplificador emisor
comn con RE1 = 0.

Figura 6. Simulacin de la respuesta en frecuencia de la ganancia de voltaje del amplificador emisor

comn con RE1 = 33 .

Amplificador Cascodo BJT

Anlisis en DC para encontrar la corriente de polarizacin.

[ 2 ]
1+ 2
1
2 = = 10.33 []
+ (1 + )

1 = 1 = 2 = 10.28 []

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 10

Calculo de la ganancia en la banda media.

1 1
1 = = 395.38 [ ] 2 = = 397.13 [ ]

1 = = 569.08 [] 1 = = 566.56 []
1 1

2 1 [( )|| || ]
= = 88.89 [ ]
+ 2 + + ||

Calculo de la frecuencia de corte fH.

(1 + 2 2 ) + 2
2 =

2 =
1
2 = ||{1 ( + || }

[ + ]
1 +
1
=
= 10.29 []
2( (2 + 2 ) + (2 + ( )|| || ))

Recalculando capacitores de acoplamiento CC1, CC2 y CE para una frecuencia de 100 Hz (anlisis en
baja frecuencia). CE contribuir con el 80 % de fL, mientras que CC1 y CC2 lo harn con el 10 % cada
uno. Esto har que el polo donde se encuentre CE sea el polo dominante.

1
1 = = 27.02 []
2 0.1 ( + 2 || ))

1
2 = = 15.60 []
2 0.1 ( + || )

1
= = 712.36 []
+ ||
2 0.8 ( ||( 2 ))
1 +

Grfica de la simulacin de la respuesta en frecuencia de la ganancia de voltaje del amplificador

cascodo.

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 11

Figura 7. Simulacin de la respuesta en frecuencia de la ganancia de voltaje del amplificador cascodo.

Laboratorio II: Respuesta en Frecuencia. 12

CONCLUSIONES.

La respuesta en frecuencia es un factor importante a tomar en cuenta al momento de disear

o analizar circuitos, ya que de esto depende el funcionamiento de los amplificadores, ya sea
a bajas o altas frecuencias. Y de ello depende los parmetros externos a los mismos,
especficamente los capacitores de acoplamiento, los cuales definen los polos de la funcin
de transferencia.

Aadir una resistencia de degeneracin RE1 a la configuracin emisor comn incrementa el

ancho de banda, pero reduce drsticamente la ganancia de voltaje. Esto es un defecto
indeseable, ya que se desea aumentar el ancho de banda sin reducir la ganancia de voltaje.

Un amplificador cascodo ofrece un producto ganancia-ancho de banda mayor al amplificador

emisor comn con RE1. Lo anterior es debido a que el efecto en sus capacitancias intrnsecas
se ve reducido por la forma en la que stas se encuentran conectadas. El cascodo, como se
comprob en esta prctica, rene lo mejor de las configuraciones emisor comn y base
comn.

BIBLIOGRAFA.

Informacin consultada:

Sedra, A. S.; Smith, K. C. 2006. Circuitos Microelectrnicos. 5ta edicin. McGraw-Hill.

Hoja tcnica anexa:

http://www.solarbotics.net/library/datasheets/2N2222.pdf

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