LUCRARE DE LABORATOR 2

EMA: CERCETAREA CARACTERISTICILOR C vPCACITTVE A STRUCTURILOR CU BARIERA

SEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR I METAL-DIELECTRIC-SEMICONDUCTOR

SCOPUL LUCRRII: determinarea parametrilor structurilor cu bariera semiconductor-

semiconductor i metal-dielectric-semiconductor prin metoda msurrii i prelucrrii
caracteristicilor experimentale volt-farad.

Metoda de cercetare a joneinnilor p-n polarizate invers

Pentru determinarea parametrilor diodelor semiconductoare se poate aplica caracteristica volt-
faradic a contactului metal-semiconductor. Fie c Intr-o oarecare suprafa a semiconductorului la
distana xo de la suprafa are loc trecerea din domeniul p n domeniul n. Pentru calcularea barierei de
capacitate trebuie de gsit relaia dintre valoarea invers continue a tensiunii Uia sarcinii Q (unde n
continuare p ;.i Q va fi nsemnat valoarea absolut a sarcinilor Q i ff). Distribuirea potenialului n
jonciunea p-n este determinat de relaia Poisson. O s considerm problema o suprafa plat i
unidimensionala (axa x este perpendicular pe suprafaa jonciunii p-n). Atunci relaia Poisson are
forma:
d2<p o dx2
(2.1
sss0 )
unde: <p = <p(x) - potenial;
p p(x) densitatea sarcinii; e,constanta de transparen a
mediului; eo - constanta de transparen n vid (n SI Q = 8.85xl012
F/m).
S practicm cazul cnd impuritile din semiconductoare se ionizeaz la temperatura camerei. Atunci
densitatea sarcinii de volum este: P1 g(N -N +p-ri) (2.2)
D A
unde: N4, n, p - concentraia donorilor, acceptorilor, electronilor n banda de conducie,
golurilor n banda de valen respectiv, unde q = L6xl0'19 (sarcina electronului).
Concepia sarcinilor (donorilor i acceptorilor) se afl n funcia coordonanei i nu depinde de
potenial. Concentraia sarcinilor n micare (electronilor n zona de conducie i golurilor n zona de
valen) se afl n funcie de potenial; acest factor ngreuneaz integrarea egalitii 2. Pentru
simplificarea calculelor de obicei se consider c trecerea are granie bine limitate, adic n afara
jonciunii p-n sarcinile impuritilor ionizate sunt complet compensate de sarcinile mobile, iar n
interiorul jonciunii p-n nu exist sarcini mobile (are loc aa numita srcire total a jonciunii p- ).
Din aa considerente densitatea specific de volum a sarcinii n interiorul jonciunii p-n se determin
numai de sarcinile care sunt nemicate i este descris de relaia:
p = (ND-NJ=qN(x) (2.3)
n afara jonciunilor p-n i n limitele graniei cmpului electric este egal cu zero:
<P'x\x=xp =x\x^xn =0 (2.4)
Mrimea absolut a sarcinilor pozitive i negative este egal:
x
n
(2.5)

p
unde: S - aria jonciunii p-n.

Cmpul electric ntr-o oarecare suprafa a jo ciunii p-n, pentru tensiunea corespunztoare U, poate fi
gsit {rt metoda integrrii egalitii Poisson (aici n continuare determinm mrimea absolut a
cmpului electric):
 (2,6
((/,*).__ [#(*)<& fe-(x)], SXSQ f )
seo
unde <2 sarcina de ionizare a impuritilor tn p-n jonciune poate fi primit prin metoda integralei

n expresia (2.7) al doilea integral e primit din

primul prin metoda schimbrii ordinului de
integrare. nlimea barierei de potenial ntre
zonele p i n se determin din expresia:

duble a egalitii Poisson.

(2 .8 )

unde: k - constanta Bolman (k = 0.86ICT21 eV/grad); T- temperatura absolut;

Ni - concentraia electronilor n zona de conducie n semiconductorul propriu
(Intrinsec), Pp, n - concentraia golurilor n zona de valen pe domeniul p i a electronilor n zona
de conducie a domeniului n.

Pentru domeniul p cnd x < xp rezulta po = NA- NO, iar n expresia (2.8) ntr mrimea NA - No cnd
x ~ Xp. Expresia (2.8) este just dac semiconductorul este nedegenerat. S calculm devierile mici a
sarcinii Q i tensiunea U, care corespunde devierilor mici grosimii p-n jonciunii.
Difereniind (2.5) obinem:
Difereniind (2.7) i innd cont de (2.9)
dependena limitelor de integrare de la (2.10)
tensiune, obinem:
dQ = q-S-(N(xp)-dxp) - $ifj| N(x^ dx

Capacitatea de barier a jonciunii p-n

este egal cu produsul dintre sarcina Q
i tensiunea U. Folosind (2.9) i (2.10)
obinem:
 _ _ dQ SSQS
Wr:T? (2.11)
unde: h = xn - xp - grosimea jonciunii p-n.
Din formula (2.11) rezult c msurnd mrimea capacitii de barier, se poate de determinat
grosimea jonciunii p-n. S cercetm cazul care se ntlnete mai des, cnd concentraia impuritilor
n domeniu e cu mult mai mare dect n altul. Pentru concretizare vom cerceta dioda Ifiotabil cu baza
din semiconductorul electronic (de tip ). n acest caz concentraia golurilor n I domeniul p este cu
mult mai mare dect concentraia electronilor n domeniul n (baza diodei). Domeniul p dup
proprietile sale se apropie de a metalului; de aceea se poate constata, c toat sarcina acceptorilor
ionizai n domeniul p e situat pe grania domeniului n i de neglijat ptrunderea cmpului electric n
interiorul domeniului p, totodat cderea de tensiune pe domeniul p. Atunci grosimea jonciunilor p-n
este egal cu grosimea stratului de sarcin n domeniul n, adic I - xo- Condiiile de frontier
pentru cazul dat iau forma:
<P'0 i <p(x0) = 0 (2.1
ix~xn 2)
Integrnd relaia lui Poisson i lund n consideraie condiiile de frontier, obinem:

u + uh = -i- l(x-Xa)N(x)dx (2.13)

0 JL H
e s

Difereniind (2.13) dup parametrul jsg

 (Z 14)
unde; N(XQ + h) - valoarea N(x) pentrux mXo + h Folosind (2. 1) i (2.14) obinem:
dC _ dCb m m (xt ftp)2 '8 dU dh dV
(ZI 5)
q. $. N { X Q + h )
Expresia (2.15) se poate prezenta n forma:

a i6)

Din formula (2.16) rezultfl c tiind dependena dC/dU se poate determina distribuirea
concentraiei impuritii n baza diodei lichiete (n limitele deplasrii frontierei jonciunii p-n la
msurarea tensiunii de la minim, aproape de zero, pn la maximum accesibil a tensiunii inverse).

Determinarea concentraiei impuritii n jonciunea p-n

tiind distribuirea concentraiei n jonciunea p-n se poate gsi dependena capacitii de
[barier de tensiune. La multe cazuri se poate de rezolvat problema invers: tiind dependena
[capacitii de barier de tensiune. La multe cazuri se poate de rezolvat problema invers: tiind
[dependena capacitii de barier de tensiune de gsit distribuirea concentraiei impuritilor In
[jonciunea p-n. Folosind (2.11) obinem:
d C j j S g -gp- S d h dh
d U *" h 2 d U m ~ s s e 0 S d Q (2.17)
Folosind relaia dh = \dxn\ + \dxp\ i relaia (2.9) dup transformri avem relaia:
dCb________Ci
dV ese0 -S2 N(xp) +- (2.18)
Formula (2.18) dup transformri se
poate'de prezentat n forma:

(2.19)
unde: x i xp - frontierele jonciunii p-n
ce corespunde tensiunii inverse Ut \N(xp)\
= \NB + Na\ * * N A - N D ,
cndx~ X p , N ( x J ~ N D - N A , cndx-x*
Din formula (2.19) rezult c n cazul general concentraia impuritilor injonciunea p-n nu
poate s fie ntr-un fel gsit dup dependena barierei de tensiune, adic una i aceeai dependen
a capacitii de barier de tensiune pot s corespund diferitor legi de distribuire a impuritilor n
jonciune. Distribuirea impuritilor injonciunea p-n poate fi gsit numai prin existena condiiilor
adugtoare care leag mrimile: N(xn) i N(Xp).
S precutm unele cazuri frecvente.
Concentraia impuritilor n o regiune este cu mult mai mare dect n cealalt.
Astfel de corelaie are loc n jonciuni p-n formate prin lichiere, totodat n jonciuni p-n
create prin metoda difuziei de scurt durat. Aceste metode dau posibilitatea de a primi jonciuni p-
#de foarte mic adncime (aproximativ 0.2 pm).
Pentru \N(Xp)\ \N(xtJ\, formulele (2.13) i aii) primesc forma:

I Ci mm
* s2 dut
d
Formula (2.20) coincide cu formula (2.16|,
 a) Fie N(x) * No m const. (jonciune p-n format prin lichefiere cu o baz omogen), n est
caz din expresiile (2.7) i (2.11) obinem:
km12-Sp * < / +
[/*) (2.21)
q-N0
q-SQ- (2.22)
CbmS s.'NQ
2-(U + Uk)
.elaia (2.22) poate fi privita ca dependena direct proporional tensiunii ( U + 4).
r >~2 _ 2 (2.23)
S2 q-es-s0-NQ mm
angenta unghiului care este A(C b)/AU d posibilitatea de a gsi concentraia n baza diodei N o.

Jonciunea obinut prin difuzie

Notm prin N 0 concentraia iniial a impuritii n semiconductor. Pentru determinare se va
Honsidera c n semiconductor purttorii de sarcin sunt electronii, iar impuritatea introdus -
Hcoeptorii. Atunci distribuia concentraiilor impuritilor n jonciunea p - n se determin din relaia:

N(x) = ND-NA=NQ-n l-erf (224)

2V1T7J
_|S precutm dou cazuri. n primul caz cnd jonciunea este situat aproape de suprafaa
temiconductorului, distribuia concentraiilor impuritilor este aproape de trecerea brusc a p-n
Jonciunii i dependena capacitii de tensiune se scrie dup formula (2.23); de obicei la difuzia
impuritilor se ine cont de condiia Nsupr No. n alt caz cnd adncimea jonciunii p-n e mare,
listribuirea concentraiei impuritilor n jonciunile p-n este aproape de dreapt, chiar n cazul de
grosimi mici a jonciunii, care corespunde tensiunii maxime inverse. n acest caz de limit se poate
primi, c concentraia impuritii injonciuni se schimb pe grafic dup o linie.
N(x) = ND - NA = a(x-x0) (2.25)
^r-1 - gradientul concentraiei impuritilor n jonciuni p-n.
cbc
Folosind (2.7) i (2.11) primim:

h jl2&o -s 'W + Uk) (2.26)

1 12-(U + Uk)
( 221)
c \ S - q - u ( s 0^ e s )
Expresia (2.27) prezint formula dreptei n coordonate 1/Cb U, unde nclinarea acestei drepte
d posibilitatea de a determina gradientul concentraiei impuritii n p-n jonciune, iar singur dreapta
secionat pe abscis formeaz segmentul egal cu (4,

Metoda de cercetare a parametrilor structurii

metal-dielectric-semiconductor (MDS)
MDS ideal - structura se caracterizeaz cu curba C gj f(U), forma curbei se lmurete astfel,
c capacitatea structurii prezint legarea consecutiv a capacitilor dielectricului C* i a capacitii
Csc
 La polarizarea direct - capacitatea de difuzie Cs&df C<i i atunci C ~ CsC atunci primim
^caracteristica Volt-Farad (CVF). Dac n dielectric este infiltrat o sarcin fix, care nu depinde de [tensiunea
aplicat, atunci capacitatea structurii se schimb, n CVF se deplaseaz cu o anumit jvaloare a tensiunii. La existena
pe frontier a poriunii dielectric-semiconductor a strilor de suprafa (sarcina crora de regul se determin
dup curbura zonelor) CVF se mic, totodat se schimb i forma ei.

Determinarea sarcinii n dielectric

Tensiunea sumar U pe structur este egal cu suma cderii de tensiune pe dielectric Ud i a potenialului
de suprafa a semiconductorului U 3 \
U = U d +U S (229)
n modelul stratului srcit
potenialul suprafeei semiconductorului este:
(2.30)
(2.34)
Cmpul de frontier a semiconductorului cu dielectricul se determin din expresia:
o*.

i atunci cmpul n dielectric n conformitate cu teorema Gauss va fi:

E -i L . E (2.31)
S d - 0
n felul urmtor tensiunea care cade pe dielectric cu grosimea d, avem:
v qd
(2.32)
S
0'Ss

Prezentm mrimea Ud n forma:

(2.33)
i introducem tensiunea caracteristic:

Mrimea Us determin grosimea stratului sarcinii de

unde rezult c capacitatea MDS structura i
dependena ei de tensiune:

Astfel, metoda de determinare a sarcinii n dielectric

conin urmtoarele etape:

C/* #LL^-O-L. 2 (*,)

Atunci obinem:
De mei gsim:
(236)
2. La o concentraie cunoscut N duplbrmula (2.34) se determin mrimea U\ iar dup
s&*S
I Din relaia C d m 2- se determin miimea folosind mrimea experimental C&
acestea din relaia(2.36) se determin dependena
3. Utiliznd naia (2 30) gsim mrimea h , dupfl^easta cu ajutorul (2.37) se construiete dependena teoretic C =
(U). Deoarece deplasarea|jrbei teoretice fa de cea experimental trebuii aflat la nivelul capacitii zonelor
plane de unde gsim relaia:


S.'SQ-S (238)
d + j IkT es 8
Vg N2

aceeai mrime poate fi determinat dup nivelul U f O S S C J - I V (experimental).

Pe graficul C = f ( U ) se traseaz o dreapt orizontal, intersecia crei cu caracteristicile lomparate
dau mrimea deplasrii dup tensiune. Aceasta permite determinarea sarcinii n Ifefectric ca:

a (2.39)
(Ute0f -U^)
cm

Determinarea densitii strilor de suprafa Densitatea strilor de suprafa

este caracteristica principal a structurilor semiconductoare, folosite n producia de circuite integrate. Cu ct
este mai mare densitatea strilor de suprafa cu ptt mai defectuoas este suprafaa, cu ct e mai mic
densitatea cu att e mai perfect suprafaa, In att e mai mic grosimea stratului de suprafa a sarcinii de
volum. Densitatea strilor de [suprafa se poate determina
dup relaia: (2.40)
jy atrbajtor.

<1'S tga curbai

unde tgaair6t t J e g r i tgacuriia exp - tangentele unghiului de nclinaie a curbei teoretice lexperimentale
a graficului C = f(U).
Partea experimental
Pentru msurri se folosete instalaia L.C.R. digital 7-12.
1. Pregtirea instalaiei ctre lucru
1.1. Instalm comutatorul a aparatului n poziia , n rezultat trebuie s {lumineze
panelul cu indicaii luminiscente.
1.2. Permitei nclzirea instalaiei n decursul a 30 min.
1.3. Dup nclzire de efectuat calibrarea msurtorului, pentru care de instalat | ntreruptoarele
dispozitivului n urmtoarele poziii:
I - . CG;
- . 1;
- XI;
-
n afar de aceasta trebuie periodic s lumineze indicatorul .
1.4. De instalat n aa fel indicaiile ca s fie zero dup C i G corespunztor organelor de | reglare
(cuiburile sub li C i G). considerm calibrarea finisat.
2. Msurarea caracterului C(U)
2.1. De instalat comutatorul pe panoul din spate n poziia .
2.2. De instalat comutatorul tipului de lucru n poziia V (voli), comutatorul mrimii deplasrii n
poziia 00.0.
2.3. De instalat dioda cercetat n instalaia de conectare lund n consideraie c pe structur se aplic
tensiune invers (cu alte cuvinte, anodul se conecteaz n borna iar catodul n
*n
2.4. De instalat comutatorul n poziia (pF). De apsat butonul i de nregistrat
de pe indicatorul din stnga mrimile capacitii (pF)- n cazul cnd capacitatea obiectului e mai mare de 20
pF, de ales limita necesaiftjifermutnd comutatorul . n poziia n care se vor stinge LED-
urile fotodidajlb.
2.5. De nregistrat mrimile capacitii diodei polariznd diferite tensiuni pn la 10 V cu ajutorul comutatorului
voli de la panoul de comand. Dup ncheierea msurilor asupra structurii date acest comutator de
instalat n poziia 00.0.
2.6. De repetat msurrile pentru o alt diod.
2.7. De efectuat msurrile caracteristicii C-V a structurii MDS. Pentru aceasta de conectat la instalaie cutia de
fixare a contactelor pentru TEC, innd cont de polaritate. S se nregistreze valorile capacitii structurii
modificnd tensiunea Ug(j de la -IOV pn la +10V. Comutarea polaritii se efectueaz cu comutatorul
respectiv Ugd+ pe cutia de fixare a contactelor pentru TEC-MOS (tranzistor cu efect de cmp MOS).
Dup efectuarea msurrilor de conectat instalaia conform indicaiilor profesorului sau inginerului.

SARCINA
1. De calculat coeficienii numerici n relaiile
(2.41)
12

... 2 < q e , s a - S 2
(2.42)

^SS'SQ'S
1
(2.43)

pentrue s = 11.7; 8o ~ 8.85-10'12F/m; S = 0.19610 m. i 2. De msurat dependenele experimentale a capacitii

de barier de tensiunea polarizrii C ( U ) a modelelor Nr. 1 i 2 n conformitate ele regulile de aplicare din
partea experimental.
3. De determinat dependena N ( h ) , diferena de potenial de contact /* i a, n conformitate cu
dependenele experimentale Cb(U).
4. De msurat caracteristica experimental Volt-Farad a structurii Me-Si02-Si.
5. De determinat concentraia dup capacitatea zonelor plane.
6. Calcularea sarcinii fixe ncorporat n SiC>2.
7. De determinat densitatea strilor de suprafa.
8. folosind mrimile obinute Qd de apreciat calitatea dielectricului i frontierele de separare.

BIBLIOGRAFIE
1. P. Gain, P. Gauga, A. Foca. Fizica dispozitivelor semiconductoare, F.E.P. Tipografia central,
Chiinu, 1998.
2. C.M. M., , 1984. .
3. . . .
: , 1978,18-22.