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Introduo eletrnica em RF 2
Why learning RF?
Fast increasing number of
applications, including some kind
of wireless communication
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Introduo eletrnica em RF 3
Associated market
communications
WMAN
WPAN
multimidia
60 GHz for
http://www.comlab.hut.fi/opetus/4210/presentations/25_wpan.pd
(person
centered)
centered ) WLAN
Car tracking
http://www.nitrobahn.com/conceptz/self-driving-cars-is-that-the-future/
http://engweb.info/courses/wdt/lecture04/WIMAX_Technology_r.html
Self driving
cars
Space
communication
f
RFID
www.yourdictionary.com/computer/802-11
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Mobile
WBAN
Phone
Wireless sensor
Networ
k
networks
Defense
2G, 3G,
4G
http://giladlotan.org/thesis/methodology.html
http://www.fmv.se/WmTemplates/page.aspx?id=2160 Introduo eletrnica em RF 4
The vision of a Guru (Jan Rabaey)
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Introduo eletrnica em RF 5
http://bwrc.eecs.berkeley.edu/People/Faculty/jan/presentations/SwarmKeynote%20MSE11.pdf
Frequency allocation
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Introduo eletrnica em RF 6
http://www.anatel.gov.br/Portal/verificaDocumentos/documento.asp?numeroPublicacao=98580&assuntoPublicacao=
Quadro%20de%20Atribui%E7%E3o%20&caminhoRel=Cidadao&filtro=1&documentoPath=radiofrequencia/qaff.pdf
RF spectrum
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Introduo eletrnica em RF 7
Service distribution
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Introduo eletrnica em RF 8
What changes in RF?
Wire and devices Conexes have
the same physical dimension of
the signal wavelength.
Parasitic effects are very
important
Wire are modeled as transmission
lines (distributed behavior)
Capacitors, resistors e indutors
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Introduo eletrnica em RF 10
AM Broadcasting
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Introduo eletrnica em RF 11
Source: Prof . Duttons notes
Cell phones
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Information
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Introduo eletrnica em RF 13
Why modulate ?
Antenna size for efficiency a fraction of
Ex: f=1 kHz =c/f=3108/103 =300 km !!!
Modulation
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Introduo eletrnica em RF 15
Modulation
Representation of a modulated
signal:
Introduo eletrnica em RF 16
Frequency conversion
fRF=fLOfI
UP-Conversion
fLO
fI fLO f
OL fI 0 fLO-fI fLO+fI
FI
DOWN-Conversion
fRF fIF=fRFfLO
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fLO fRF f
0 fRF- fRF+fLO
RF fLO fLO
OL
Introduo eletrnica em RF 17
Basic analog transceiver
IF
PA
LO2 LO1
0 RF f IF f
0 f
RF IF
LNA
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LO1 LO2
Introduo eletrnica em RF 18
RF transceivers
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Introduo eletrnica em RF 19
Modern Integrated transceivers
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Introduo eletrnica em RF 20
WLAN transceiver
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Introduo eletrnica em RF 21
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 22
Before Marconi (1)
(1820-1870) Oerstedt, Ampere, Faraday,
Maxwell developed the theoretical basis for
the radio revolution.
Oerstedt: flowing currents induce magnetic fields
Ampere: mutual forces between current carrying
conductors
Faraday: Magnetism could be transformed in
electricity
Maxwell : Unified the concepts
Olivier Heaviside: Compacted the original 20
Maxwell equations in 4, as we know them today
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Schwab, A.J.; Fischer, P.; , "Maxwell, Hertz, and German radio-wave history," Proceedings of
the IEEE , vol.86, no.7, pp.1312-1318, Jul 1998, doi: 10.1109/5.681365
Introduo eletrnica em RF 23
Before Marconi (2)
Hertz (1857-1894): Demonstrated the Maxwell
predictions.
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Schwab, A.J.; Fischer, P.; , "Maxwell, Hertz, and German radio-wave history," Proceedings of
the IEEE , vol.86, no.7, pp.1312-1318, Jul 1998, doi: 10.1109/5.681365
Introduo eletrnica em RF 24
Marconi experiments
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Introduo eletrnica em RF 25
Birth of Radio
First tranmission at Villa Griffone (Italy), in
1885.
Transmission across the Atlantic Ocean, in
1901.
In 1896, Marconi was awarded the British
patent 12039: Improvements in transmitting
electrical impulses and signals and in
apparatus therefore, for radio
The famous 7777 ("four-seven's) patent
Improvements in apparatus for wireless
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decision affirmed
Nikolai Tesla as the
inventor of radio
Introduo eletrnica em RF
http://www.marconicalling.com/museum/html/objects/ephemera/objects-i=651.001-t=2- 27
n=0.html
http://www.sparkmuseum.com/RADIOS.HTM
Landell de Moura
"Wireless Telephone US
patent N.775.337, Nov 22,
1904.
Introduo eletrnica em RF 28
J.C. Bose
The galena detector (1904)
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Regenerative
receiver (1912)
Superheterodyn
e receiver (1919)
FM Radio (1935)
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Brittain, J.E.; , "Electrical engineering Hall of Fame-Edwin H. Armstrong," Proceedings of the IEEE , vol.92, no.3, pp. 575- 578, Mar
2004, doi: 10.1109/JPROC.2003.823150
Armstrong, E.H.; , "Some recent developments inIntroduo
the audionreceiver,"
eletrnicaProceedings
em RF of the IEEE , vol.51, no.8, pp. 1083- 1097, Aug. 1963 30
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 31
System level notions
Mobile network cells
Blockers
DSP (W/Hz)
Piso de rudo
Interferncia
Sinal de interesse
Interferncia
Banda de recepo
Interferncia fora da faixa
Frequncia (Hz)
Si
Ni
The receivers hard task
Circuito RF
S0
N0
GSM Power Mask
Unidades para sinais RF
Pwatt
PdBm 10 log
1mW
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Introduo eletrnica em RF 37
Why modulate ?
1 -Antenna size for efficiency a fraction of
Ex: f=1 kHz =c/f=3108/103 =300 km !!!
Modulation
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Introduo eletrnica em RF 39
Modulation
Representation of a modulated
signal:
fRF=fLOfI
UP-Conversion
fLO
fI fLO f
OL fI 0 fLO-fI fLO+fI
FI
DOWN-Conversion
fRF fIF=fRFfLO
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fLO fRF f
0 fRF- fRF+fLO
RF fLO fLO
OL
Introduo eletrnica em RF 41
Heterodyne receivers
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Introduo eletrnica em RF 42
Direct Conversion Receivers
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Introduo eletrnica em RF 43
Notions about Technology
Passive devices
Linhas de transmisso
As leis de Kirchhoff
no se aplicam
quando o comprimento
de onda se aproxima
das dimenses do
circuito
Os valores de tenso e
de corrente mudam
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em funo da posio
e do tempo
Introduo eletrnica em RF 46
Linhas de transmisso
As leis de
Kirchhoff voltam a
ser aplicveis se
tomarmos um
elemento
diferencial do
circuito
O modelo
considera as
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perdas hmicas no
condutor e no
dieltrico
Introduo eletrnica em RF 47
Componentes passivos em RF
Anlise AC convencional
Resistncia: Impedncia independe da
freqncia
Capacitor: XC= 1/C
Indutor: XL= L
Mas na realidade, um indutor pode se
comportar como um capacitor (ou vice-
versa) em funo da freqncia de
operao
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l
RDC
r 2
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r
L RDC
Introduo eletrnica em RF 49 2
Resistor
Modelo simples de um resistor em altas freqncias
Ls R
Efeito
pelicular Cp Capacitncia
parasita
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1
Z R jLs
1
jC p
R
Introduo eletrnica em RF 50
Resistores tpicos
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Introduo eletrnica em RF 51
Capacitores
Introduo eletrnica em RF 52
Modelo de um Capacitor
Resistncia Perdas no
Efeito dos terminais dieltrico
pelicular
Rp
Ls Rs
C
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1
Z C jLs Rs
1
jC
Rp
Introduo eletrnica em RF 53
Escolha do capacitor
Em funo da grande diversidade de
capacitores disponves, escolher
aquele que se adequa sua
aplicao um verdadeiro dilema.
Fatores a considerar: tamanho,
perdas, tenso, tolerncia, custo,
construo.
O primeiro passo a guiar a escolha
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Introduo eletrnica em RF 54
Dieltricos tipicamente encontrados
Ar
Vidro
Cermica
Mica
Filmes plsiticos
Aluminio
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Tntalo
Introduo eletrnica em RF 55
Fator de dissipao
Desconsiderando-se Ls e Rp,
calculam-se o fatores de
dissipao e de potncia do
capacitor por
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Introduo eletrnica em RF 56
Capacitor x temperatura
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Introduo eletrnica em RF 57
Construo dos capacitores
SMD
Axial
Radial
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Integrado
Introduo eletrnica em RF 58
Capacitor varivel
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Introduo eletrnica em RF 59
Tabela comparativa entre tipos de
capacitores
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Introduo eletrnica em RF 60
Indutor
L Rs
Cp
1
ZL
1
jC p
jL Rs
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Introduo eletrnica em RF 61
Tipos de indutores
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Introduo eletrnica em RF 62
http://www.newark.com/pdfs/techarticles/vishay/Inductors101.pdf
Clculo de indutores
http://en.wikipedia.org/wiki/Inductor
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Introduo eletrnica em RF 63
Seo transversal de um processo CMOS
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Introduo eletrnica em RF 64
Componentes Ativos
O transistor em RF
Viu-se que em altas
frequncias no se pode
prever o comportamento
de um capacitor apenas
a partir de sua
capacitncia, assim
como um indutor no se
comporta como apenas
uma indutncia. Modelos
mais complexos so
necessrios.
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Modelo para
baixas
frequncias
Modelo para altas
frequncias
compacto
Efeitos do encapsulamento e
terminais
Indutncia dos
terminais
relevante em RF
Obtendo o modelo a partir do
datasheet
Encontrando r e C
Resumo de procedimentos para
encontrar parmetros do modelo
Defina o ponto de operao DC do transistor
Encontre o valor de gm
Encontre no datasheet o valor de hfe
correspondente ao ponto de operao DC
Calcule r
Encontre no datasheet o valor de C ou Cbc
(capacitncia da juno base-coletor)
Encontre no datasheet o valor da frequncia de
transio fT
Calcule C
Estime rx a partir do valor da constante de tempo
da juno base-coletor, encontrada no manual.
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Introduo eletrnica em RF 71
Representao de circuitos por
quadripolos lineares
Quadripolos lineares
Um quadripolo um circuito com dois
acessos (portas), cada um deles conectado
por dois plos.
Podem ser passivos ou ativos, lineares ou
no-lineares, estveis ou no-estveis.
A relao entre entradas e sadas
totalmente descrita por uma matriz
caracterstica
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Introduo eletrnica em RF 73
Representao por matriz de impedncias
(parmetros Z)
Na representao por parmetros de
impedncia, o circuito representado
por uma matriz, cujos coeficientes tm
unidades de impedncia
z11 z12
[Z ]
z21 z22
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V1 V1 V2 V2
z11 z12 z21 z 22
I1 I 2 0
I2 I1 I 2 0
I2 I1 074
I1 0 eletrnica em RF
Introduo
Obteno dos parmetros Z
Alimenta-se um acesso do quadripolo com
uma fonte de corrente
A outra porta colocada na condio de
circuito-aberto
Mede-se a tenso na porta associada ao
parmetro procurado
V1
z11
I1
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I 2 0
Introduo eletrnica em RF 75
Representao por matriz de admitncias
(parmetros Y)
Na representao por parmetros de
admitncia, o circuito representado
por uma matriz, cujos coeficientes tm
unidades de admitncia
y11 y12
[Y ]
y21 y22
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I1 I1 I2 I2
y11 y12 y21 y22
V1 V V2 V1 V V2 V1 76
2 0 V1 0 eletrnica em RF
Introduo 2 0
0
Obteno dos parmetros Y
Alimenta-se um acesso do quadripolo com
uma fonte de tenso
A outra porta colocada na condio de
circuito-aberto
Mede-se a tenso na porta associada ao
parmetro procurado
I1
y11
V1 V
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2 0
Introduo eletrnica em RF 77
Parmetros S
A modelagem por parmetros Z ou Y i nconveniente em
altas frequncias pois se baseam em curto-circuitos e
circuitos abertos. Estas impedncias so crticas, pois
esto associadas a coeficientes de reflexo elevados.
A modelagem por parmetros S implica em adotar as ondas
incidentes e refletidas nas portas de acesso ao quadripolo
como variveis de sinal.
Alm disso, em vez de considerar curto-circuitos ou circuitos
abertos, impem-se terminaes com impedncia igual
impedncia caracterstica do sistema de medio.
Z0 Z0
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Introduo eletrnica em RF 78
Obteno da matriz S
ZS a1 a2
b1 TWO-PORT
PORT b2
Z0 Z0
NETWORK ZL
Interpretao
da matriz S
Definio de ai e bi
Significado da matriz S
S11 o coeficiente de reflexo na entrada do
quadripolo (quando no h reflexo na sada)
b1 Z in Z 0
S11 in
a1 a2 0
Z in Z 0
S21 o ganho de tenso do quadripolo
(considerando as condies de adaptao)
V2
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b2 Z0 V2
S 21 2
a1 a2 0
V1 VS
Z0
I2
Introduo eletrnica em RF0 ,V2 0 81
Reflexo nas portas
S
2
Z0 Z0
1 L
Se ZLZ0, ento
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Introduo eletrnica em RF 82
Converso entre matrizes
Tcnicas de circuito
Redes passivas
Circuito RLC
A diviso entre altas e baixas freqncias
acontece na ressonncia
Na ressonncia (0), a parte reativa da
impedncia se cancela
1 1
I C L R Y j C
R L
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1
0
LC
Introduo eletrnica em RF 85
Circuito RLC Ressonncia
A parte reativa da impedncia se
anula, mas as correntes individuais
nos componentes so
surpreendentemente grandes
V RI
V R
IL I
XL 0 L
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V
IC 0 RC I
XC
Introduo eletrnica em RF 86
Fator de qualidade
energia armazenada
Q
potncia mdia dissipada
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Q depende da carga do
circuito !
Introduo eletrnica em RF 87
Q do circuito tanque (QL)
Na ressonncia, o pico
1 2
Etot CV pk
de energia no capacitor 2
ou indutor igual a
energia total armazenada 2
na rede a q.q. instante
1 V pk
Pavg
O circuito RLC torna-se 2 R
um resistor
O Q do circuito tanque 1
CV pk2
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R R
Q Q
0 L LC
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Introduo eletrnica em RF 89
Q ntrinseco de um componente
dissipao do componente
Introduo eletrnica em RF 90
Q ntrinseco de um indutor
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito srie:
Ls
Ls
Rs QL , S
Rs
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Introduo eletrnica em RF 91
Q ntrinseco de um indutor (2)
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito paralelo:
Lp Rp
RP
QL , S
LP
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Introduo eletrnica em RF 92
Q ntrinseco de um capacitor
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito srie:
1
QC ,S
Cs Rs
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Introduo eletrnica em RF 93
Q ntrinseco de um capacitor(2)
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito paralelo:
QC , P CP RP
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Introduo eletrnica em RF 94
Transformao de impedncias
Ls
Lp Rp
Zp
Zs
Rs
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j0 L p R p
Z P Z S j0 Ls Rs
j0 L p R p
Introduo eletrnica em RF 95
Transformao de impedncias
Rp
RS
1 Q 2
2
Q
Ls L p
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1 Q 2
Introduo eletrnica em RF 96
Carta de Smith
Origens
A carta de Smith foi originalmente
concebida por volta de 1930 por
Phillip Smith, engenheiro do Bell
Labs.
Smith buscava um mtodo fcil
para resolver problemas
relacionados teoria de RF, que
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Introduo eletrnica em RF 98
Uso da carta de Smith
Mesmo com o avano das ferramentas
EDA, a carta de Smith continua sendo
bastante til para representar
impedncias complexas.
Alm disso, por ser um mtodo
grfico, permite uma rpida
compreenso do problema de
adaptao de impedncia, sem ser
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R X
zL j
Z0 Z0
Construo da carta de Smith
R X
Z L R jX zL j r jx
Z0 Z0
zL 1 r jx 1
p jq p jq
zL 1 r jx 1
r 2 1 x2 2x
p q
2 2 (r 1) 2 x 2 (r 1) 2 x 2
1 1
p 1 q
2
x x
2 2
r 1 pr 1 r 2 1
2
p q
2
x
r 1 r 1 1 p
Demonstrar
Construo da carta de Smith
2 2
r 1
p q 2
r 1 r 1
Construo da carta de Smith
2 2
1 1
p 1 q
2
x x
Carta de Smith bsica
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Z L R jX
R X
zL j
Z0 Z0
z L r jx
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Vi(s) Vo(s)
H(s)
G(s)
Vo ( s) H ( s)
Vi ( s) 1 H ( s)G ( s)
Critrio de Barkhausen
Vi(s) Vo(s)
H(s)
Se s j1 ,
G(s)
H ( j1 )G ( j1 ) 1
Vo ( s) H ( s) H ( j1 )G ( j1 ) 1800
Vi ( s) 1 H ( s)G ( s)
Denominador se anula
quando:
H (s)G(s) 1
Condies de Barkhausen para oscilador
LC com nico transistor
VDD VDD
L RP C L RP C
IBIAS
IBIAS
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L RP C L RP C
Soluo k/Gm
Q Q Transformador
de impedncia
1/Gm 1/Gm
IBIAS
IBIAS
Carga vista do emissor = 1/Gm
Reduz drasticamente o Q do circuito tanque
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1/Gm
1/Gm
IBIAS
1/Gm
IBIAS
IBIAS
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Transformador explcito
Colpitts Hartley
VDD
RP L
Q C1 C1
RP L
1/Gm
C2 C2
IBIAS
1/Gm
Oscilador Colpitts Rede ressonante
C1
C1 L RP C1 C2/(C1+C2)
L RP C2 L RP
C2 1/Gm
Gm/(C20)2 Gm/(C20)2
1
L RP Req 2 L L C1 C2/(C1+C2)
C1
Gm
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C1 C2/(C1+C2) C1 C2
RP|| Req
n
VDD
Vout
RP L C1 Vin
1/Gm
Vout LL RP
GmVin
C2
Q C1
1/Gm Vin
C2
Vout
IBIAS
2IBIASsint
LL Req Ceq
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Vout
VDD 1
2IBIASsint
LL Req Ceq
RP L
LCeq
Vout
C1
Q
C1C2 1
1/Gm Vin
Ceq Req RP || 2
C2 C1 C2 n Gm
IBIAS
C1 Vin
n
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Vout
C1 C2 n
2IBIASsint
VDD
LL Req Ceq
RP L Na ressonncia,
Vout
Q C1
Vin 1
Vin Vout 2 I BIAS Req 2 I BIAS RP || 2
1/Gm
C2
n n Gm
IBIAS
Vout 2 I BIAS RP (1 n)
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gmVinsint
VDD
LL Req Ceq
pequeno, assim pode-se considerar a
transcondutncia para pequenos
sinais
RP L
Vout
Vin 1
Q C1
Vout g mVin Req g mVin RP || 2
1/gm Vin n n gm
C2
1
IBIAS
gm g m,min
RP (n n )
2
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G(s)
Se s j1 ,
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Vo ( s) H ( s) H ( j1 )G ( j1 ) 1
Vi ( s) 1 H ( s)G ( s)
H ( j1 )G ( j1 ) 1800
Introduo eletrnica em RF 130
Circuit-level abstraction
VDD
RP L
Q C1 C1
RP L
1/Gm
C2 C2
IBIAS
1/Gm
Passive network analysis and Resonance
C1
C1 L RP C1 C2/(C1+C2)
L RP C2 L RP
C2 1/Gm
Gm/(C20)2
Gm/(C20)2
1
L RP Req 2 L L C1 C2/(C1+C2)
C1
Gm
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C1 C2/(C1+C2) C1 C2
RP|| Req
n
Vout
VDD 1
2IBIASsint
LL Req Ceq
RP L
LCeq
Vout
C1
Q
C1C2 1
1/Gm Vin
Ceq Req RP || 2
C2 C1 C2 n Gm
IBIAS
C1 Vin
n
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Vout
C1 C2 n
Presented at
ISCAS 2012
Introduo eletrnica em RF 137
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Pesquisas em RF na UFSC
Grupo de Pesquisas em RF
e Instrumentao sem fio
Linhas de Pesquisa
Circuitos de RF, RFIC, MMIC
Instrumentao sem fio
Biosensores
Bioeletrnica
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Circuito de leitura
Au/Ti
GND
Grafeno
Epxi
Azul da prssia / GOD
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Dixido de silcio
Silcio
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