Microfabricao

principais etapas de microfabricao

I substrato

construo de microestruturas
II (canais, bombas, vlvulas, filtros,
sensores) sobre o substrato

III selagem

Substratos
silcio
quartzo
vidro
metais
cermicas
polmeros*

* polimetilmetacrilato, polietileno, polidimetilsiloxano,

polietilenotereftalato, policarbonato, poliuretana,
polimida, poliamida e outros
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1
 Propriedades para escolha do substrato

pticas : transparncia radiao UV < 300 nm

ausncia de fluorescncia
Eltricas: isolante eltrico
Trmicas: isolante trmico
selagem a baixa temperatura
Mecnicas: adequao ao processo de microfabricao
Qumicas: inrcia qumica
Financeira: baixo custo
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Processos de Microfabricao

Tcnicas convencionais
fotolitografia
LIGA

Tcnicas no-convencionais (alternativas)

micromoldagem (litografia macia, estampagem e injeo)
ablao a laser
impresso direta
4

2
 Processos Fotolitogrficos

FOTO + LITO + GRAFIA

luz pedra escrita

tecnologia desenvolvida nas dcadas de 1970

e 1980 para a indstria de semicondutores e
circuitos integrados (chips)
silcio, quartzo e vidro so os substratos mais empregados
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Processos Fotolitogrficos

Fotolitografia usada para produzir imagens

de 2 1/2-D, usando um fotoresiste sensvel luz,
por meio de exposio controlada

Microfotolitografia a tcnica empregada para

imprimir padres em ultra-miniatura usada
primeiramente na indstria de semicondutores

3
 Principais etapas do processo fotolitogrfico
metal ou SiO2
deposio de filme metlico
ou crescimento de SiO2 substrato (vidro ou silcio)
fotorresiste
deposio de fotorresiste

radiao
fotomscara
fotoexposio

revelao

corroso da mscara e
remoo do fotorresiste

corroso do substrato

remoo da mscara de corroso 7

Deposio de filme metlico

Substrato de vidro ou quartzo:

Filmes metlicos de Cr e Au, com espessuras da ordem de

dezenas de nanmetros, so depositados sobre o substrato,
por evaporao trmica ou sputtering.

filme Cr/Au
vidro ou quartzo

- a camada de metal utilizada como mscara

durante a etapa de corroso do substrato
8

4
 Crescimento de SiO2

Substrato de silcio

Uma camada de xido de silcio crescida pela oxidao da

superfcie do substrato em altas temperaturas e presena
de oxignio

filme SiO2

Si

- a camada de SiO2 utilizada como mscara

durante a etapa de corroso do substrato 9

Aplicao do Fotoresiste

spin coater

espessura: viscosidade da soluo

velocidade de rotao
tempo de rotao 10

5
 Soft bake

aquecimento a 75 100 oC

elimina parcialmente o solvente

reduz tenso mecnica do filme
aumenta aderncia do fotoresiste
melhora a uniformidade
melhora a resistncia corroso
excesso de aquecimento diminui a fotossenbilidade

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Alinhamento

cromo
alinhamento

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quartzo

6
 Exposio

fonte de radiao UV
transfere a imagem da
mscara para o wafer mscara
recoberto com o
fotoresiste
ativa os componentes
fotossensveis do

fotoresiste
fotoresiste
resiste

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Tipos de Fotoresiste

negativo: imprime um padro que o oposto do padro

da mscara
positivo: imprime um padro idntico ao da mscara

14

7
 Litografia Negativa

radiao UV
rea exposta luz
polimeriza-se e resiste
revelao qumica
mscara de
cromo sobre mscara transferida
vidro rea
exposta janela
fotoresiste
sombra no
fotoresiste

fotoresiste
xido

substrato de silcio substrato de silcio

padro resultante aps o

resiste ser revelado
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Fotoresiste Negativo

bisarilazida

poliisopreno reticulado

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8
 Litografia Positiva

radiao uv
rea exposta luz
torna-se solvel
mscara de
cromo sobre mscara transferida
sombra no
vidro fotoresite
janela
fotoresiste

rea exposta

fotoresiste
xido xido

substrato de slcio substrato de silcio

padro resultante aps o

resiste ser revelado
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Fotoresiste Positivo

polimetilmetacrilato (PMMA)
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9
 Revelao do Fotoresiste

- reas solveis do fotoresiste so dissolvidas pelo

solvente revelador, transferindo o padro da fotomscara
para a camada de fotoresiste

Fotorresiste Revelador

KOH (sol.aquosa), hidrxido de

Positivo
tetrametilamnio, acetona

Negativo Xileno

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Corroso da mscara

fotoresiste
substrato
metal

substrato

Au: solues de KI/I2 ou HCl/HNO3 (gua rgia)

Cr: solues de K3Fe(CN)6 ou de Ce(NH4)2(NO3)6
SiO2: soluo de HF
20

10
 Remoo do Fotoresiste

substrato
metal

substrato
metal

- soluo de HNO3 ou H2SO4/ H2O2 (piranha)

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Corroso do Substrato

- padro microfludico transferido para o substrato

pela remoo (qumica ou fsica) de material no
protegido pela mscara

substrato
metal

metal

corroso mida (soluo) ou seca (plasma)

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11
 Corroso do Substrato

Isotrpica:
taxa de corroso igual em todas as direes

mscara

Substrato Substrato

23

Corroso do Substrato
Isotrpica:

24

12
 Corroso do Substrato

Anisotrpica:
taxa de corroso maior em uma direo

mscara

substrato substrato

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Corroso do Substrato

Anisotrpica:

26

13
 Corroso do Substrato

Corroso Corroso Corroso

Corroso mida
Substrato mida Seca Seca
Anisotrpica
Isotrpica Isotrpica Anisotrpica
Solues de
Vidro HF/NH4F ou ____ Plasma Plasma
HF/HNO3

Solues de KOH,
NaOH, LiOH,
Solues de NH4OH,
Silcio Plasma Plasma
HF/HNO3
hidrxido de
tetrametilamnio

plasma: CF4, SF6, Ar, CHF3

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Remoo da mscara

metal / SiO2

Au: solues de KI/I2 ou HCl/HNO3 (gua rgia)

Cr: solues de K3Fe(CN)6 ou de Ce(NH4)2(NO3)6
SiO2: soluo de HF
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14
Dispositivos feitos por fotolitografia

29

Dispositivos feitos por fotolitografia

dispositivo em substrato de vidro para

separao de DNA, RNA, protenas
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15
 Dispositivos feitos por fotolitografia

microcanal de separao

microdispositivo para eletroforese em substrato de vidro

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Construo de moldes para micromoldagem

radiao UV

fotomscara

fotoresiste SiO2

Si

revelao

corroso

molde32

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 Moldes para micromoldagem

substrato

molde

Moldagem

Desmoldagem

microdispositivo

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Moldes para micromoldagem

rplica em PMMA
Molde de Silcio
altura: 5 m; largura 0,8 m

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 Processo LIGA

processo desenvolvido na Alemanha em 1982

envolve litografia, eletroformmao e moldagem

LIthographie Litografia

Galvanoformung Eletroformao

Abformtechnik Moldagem

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LIGA radiao

mscara
Litografia
fotorresiste exposto
Eletroformao
fotoresiste revelado

substrato metlico

Moldagem molde metlico

polmero moldado

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 Fotoresiste para litografia profunda

Caractersticas requeridas:
alta adeso no substrato
alto coeficiente de absoro da radiao (raios-X ou UV)
alta solubilidade no revelador

Exemplos:
Polimetilmetacrilato (PMMA) (positivo)
SU-8 (negativo), resina epxi desenvolvida pela IBM

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Fotoresiste para litografia profunda

SU-8 fotofresiste

SU-8 apresenta maior estabilidade trmica

e resistncia qumica que o PMMA 38

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 Processo LIGA

Fotomscara
I

II

Radiao I II
UV cromo quartzo
berlio,
Raios-X ouro poliimida,
Si, Si3N4
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Processo LIGA
Radiao

Ultravioleta:
fonte: lmpada de vapor de mercrio
comprimento de onda: 350 a 500 nm
energia do fton: 10 a 15 eV

Raios-X
fonte: radiao sncrotron
comprimento de onda: 0,2 a 1 nm
energia do fton: 5 a 15 keV
40

20
 LNLS
LABORATRIO NACIONAL DE LUZ SNCROTRON

espectro contnuo desde infra-vermelho a raios- X

feixe colimado e de alta intensidade
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Litografia profunda por raios-X (sncrotron)

elevada razo de aspecto (100-150 : 1)

alta resoluo (pequeno efeito de difrao)

paredes com alta verticalidade (alta colimao do feixe).

Erro de verticalidade tpica de 0,1 m para cada 200 m
de espessura do filme

paredes com com baixa rugosidade (10 nm)

custo elevado

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21
Litografia profunda por raios-X (sncrotron)

postes obtidos aps revelao de

fotoresiste de PMMA exposto a raios-X
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Litografia profunda por UV

no necessita de fontes de radiao complexas

menor custo

resoluo inferior

menor razo de aspecto (< 20:1)

maior rugosidade de superfcie (1 mm)

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 Litografia profunda por UV
fotoresiste SU-8 125m com UV

engrenagens (detalhe)

postes (detalhe)
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Produzidas no LNLS

Processo LIGA - eletroformao

Cu Ni

Ni

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 Processo LIGA - aplicaes

Seqenciador e Separador de DNA

Molde de Ni Polmero moldado

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Processo LIGA - vantagens

alta razo de aspecto

paredes verticais e baixa rugosidade de superfcie

grande variedade de materiais:

polmeros

cermicas

metais

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