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Proyecto 2 TA 4

Trabajo autnomo 4: Estadstica de semiconductor al equilibrio

Para un semiconductor como el Silicio, simular la densidad de electrn y de hueco


usando para 2 temperaturas T = 1K y 300K. Considerar:

Caso Intrnseco
Caso Extrnseco con un dopaje de tipo n y de tipo p

Para los 2 casos comparar el caso degenerado y nondegenerado. Para el caso


extrnseco elegir el dopaje que les parece el ms representativo para est simulacin.

Describir exhaustivamente el desarrollo terico. Para el clculo de la integral de


Fermi usar rutinas preexistente de Matlab. Ensear claramente los parmetros
(energa de conduccin, valencia, gap, masa efectiva etc.) del Si que se us para su
trabajo; citar las fuentes.

Marco Terico:

Densidad de Estados:

El primer paso en la determinacin de la concentracin de portadores y distribucin de


energa de portadores dentro de un semiconductor es el clculo de la funcin de densidad
de estado g(E) , finalmente integrando esta funcin entre dos estados de energa E , E
1 2

esta entrega un nmero que es el estado permitido disponible para electrones por unidad de
volumen en la energa citada.

m 2 mE
g ( E )=
2 3

Masa Efectiva:

Para obtener la densidad de estado de la banda de conduccin y de valencia, cerca de los


bordes de banda de un material real, es necesario emplear la masa efectiva del portador.
m

Ec
Para esto consideremos que la energa de conduccin toma en cuenta la energa
Ev
mnima de electrn tomada de la banda de conduccin y la energa de valencia es la
energa mxima de agujero tomada de la banda de valencia. Por lo que se reemplaza
E=EE c E=E v E
para un estado en la banda de conduccin y para un estado en
la banda de valencia.

{
mn 2 mn ( EEc )
g c ( E )= E Ec
g (E ) 2 3
m p 2m p ( E v E )
gv ( E )= E Ev
2 3

Tomando en cuenta que para el Si y Ge:

EE c = A k 12 + B ( k 22 +k 32 )

As:

mij =0

Si:

2A 2A 2B
i j=>mxx1= 2
, m yy1= 2 =m zz1= 2

Dnde:

m11
: Direccin del espacio k a lo largo del eje de revolucin llamado m l masa
longitudinal efectiva

m22=m33
; Direccin perpendicular al eje de revolucin llamado m t masa transversal
efectiva

Los valores para masa efectiva del Si, Ge, GaAs se los puede obtener de las siguientes
tablas:

Masa Efectiva Ge Si GaAs


ml 1.588 0.9163 ___
m0

mt 0.08152 0.1905 ___


m0

me ___ ___ 0.067
m0

mhh 0.347 0.537 0.51


m0

mhl 0.0429 0.153 0.082


m0

mso 0.077 0.234 0.154


m0

Banda de Conduccin:
1 /3
m n=62/ 3 ( ml mt 2 ) => Si

Banda de Valencia:

3 / 2 2/ 3
[ 3 /2
m p= ( mhh ) + ( mlh ) ] => Si

Los valores para masa efectiva del Si, Ge, GaAs se los puede obtener de las siguientes
tablas:

Masa Efectiva Ge Si GaAs


mn T = 4K 0.533 1.062 0.067
m0 T = 300K ___ 1.182 0.0655

m p T = 4K 0.357 0.59 0.532


m0 T = 300K ___ 0.81 0.524

En base a estos datos se tiene la primera parte de nuestra simulacin la cual involucra el
siguiente contexto en Matlab:

Para una temperatura de 4K usaremos los siguientes valores:

05 eV
k =8.633310 Constante de Boltzmann
K
31
m0=9.1110 Masa del electrn


mn
=1.062 Masa efectiva relativa del electrn
m0

m p
=0.59 Masa efectiva relativa del hueco
m0

Para una temperatura de 300K usaremos los siguientes valores:

eV
k =8.63331005 Constante de Boltzmann
K

m0=9.111031 Masa del electrn

mn
=1.182 Masa efectiva relativa del electrn
m0

m p
=0.81 Masa efectiva relativa del hueco
m0

Funcin densidad de estado de la banda de conduccin:


3 /2
m n

gc ( E )=
( )
m0
m 0 2 m0 ( EE c )

2 3

Funcin densidad de estado de la banda de valencia:


3/2
m p

gv ( E )=
( )
m0
m0 2 m0 ( Ev E )

2 3

Funcin de distribucin de Fermi Dirac:


Esta funcin da la probabilidad en que un estado de energa cuntica puede estar ocupado
por un electrn.

1
f ( E)= EE f
kT
1+ e

Dnde:

EF Determina solo la distribucin estadstica de los electrones

El valor de la funcin de Fermi Dirac puede tener diferentes valores para diferentes
temperaturas:

T = 0K.

f ( E< EF )=1

f ( E> EF )=0

Los electrones estn en el nivel ms bajo de estado posible de energa, todos los estados
E EF
bajos de la energa fermi F estn llenos y sobre estn vacos.

T > 0K.

1
f ( E=E F ) =
2

T >> 0K.
( EE f )
kT
f ( E) e Aproximacin Maxwell Boltzmann

Por consiguiente la funcin de fermi dirac quedara de la siguiente forma:

T = 4K.

1
f ( E) Para distribucin de los electrones y huecos:
2

T = 300K
( EE f ) Eg ( E Ec )
kT 4 kT kT
f ( E) e e e Para distribucin de los electrones

( Ev E ) 3 Eg ( E v E )
kT 4 kT kT
[ 1f ( E ) ] e e e Para distribucin de los huecos

Concentracin de electrones y huecos.

Recordamos que la concentracin de electrones en el equilibrio trmico est dado por:



n0= gc ( E ) f ( E )
Ec

Asumiendo que la energa de Fermi est dentro del bangap, podemos decir que si
Ec E F kT EE F kT
es equivalente a de esta forma se reduce la aproximacin
de Boltzmann para la funcin de probabilidad de Fermi
( EE f )
kT
f ( E) e

Entonces:
3/ 2 ( E Ef ) ( Ec E f )

4 ( 2 mn ) 2 mn kT 3 /2
n0=
Ec h3
EE c e kT
=2
( h2 ) e kT

Donde podemos decir que:


3 /2
m n kT
N c =2 ( 2 2 ) para T =300 K , N c 1019 cm3

Ahora en la concentracin de huecos en el equilibrio trmico est dado por:


Ev
p0= g v ( E ) [ 1f ( E ) ]

Asumiendo que la energa de Fermi est dentro del bangap, podemos decir que si
E< E v E FE v kT
es equivalente a de esta forma se reduce la aproximacin de
Boltzmann para la funcin de probabilidad de Fermi
( E f E)
kT
1f ( E ) e

Entonces:
3/ 2 ( Ef E ) 3 / 2 ( Ef E v )
Ev
4 ( 2m p ) 2 mp kT
p0=
h3
E v E e kT
=2
( h2 ) e kT

Donde podemos decir que:


3 /2
m p kT
N v =2 ( 2 2 ) paraT =300 K , N c 1019 cm3

El producto de las concentraciones nos da como resultado:


( E c Ef ) ( E f Ev ) ( Eg )
kT kT kT
n0 p 0=N c e Nv e =N c N v e

Caso Intrnseco

n0=ni

p0= pi

( E g)
2 kT
ni =N c N v e


mp
1 3
E Fi= ( Ec + Ev ) + kTln
2 4 m n ( )
Donde:

1 Eg
( Ec + Ev ) =
2 2

Caso Extrnseco

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