Dispositivos activos de microondas

Mezcladores,
multiplicadores
y osciladores de
microondas
Carles Recasens i Aloy
PID_00193562
CC-BY-SA PID_00193562 Mezcladores, multiplicadores y osciladores de microondas
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ndice
Introduccin............................................................................................... 5
Objetivos....................................................................................................... 7
1. Diodos de microondas...................................................................... 9
1.1. Diodo de barrera Schottky .......................................................... 9
1.1.1. Ventajas e inconvenientes del diodo Schottky .............. 10
1.1.2. Algunas aplicaciones del diodo Schottky ...................... 11
1.2. Diodo PIN .................................................................................... 17
1.2.1. Ventajas e inconvenientes del diodo PIN ...................... 17
1.2.2. Algunas aplicaciones del diodo PIN .............................. 18
1.2.3. Tcnicas de polarizacin de diodos ............................... 23
1.3. El Diodo de avalancha IMPATT .................................................. 24
2. El transistor MESFET........................................................................ 29
2.1. Caracterstica I-V del transistor MESFET ..................................... 30
2.2. Circuito equivalente en pequea seal ...................................... 31
2.3. Magnitudes ms relevantes del transistor MESFET ..................... 33
3. El transistor bipolar BJT................................................................. 36

3.1. Circuito equivalente en pequea seal ...................................... 37
4. El mezclador........................................................................................ 39
4.1. Diagrama de bloques .................................................................. 39
4.2. Anlisis no lineal ........................................................................ 41
4.3. Figuras de mrito del mezclador ................................................. 45
4.3.1. Ganancia de conversin ................................................ 45
4.3.2. Aislamiento entre puertos ............................................. 46
4.3.3. Adaptacin ..................................................................... 47
4.3.4. Factor de ruido .............................................................. 47
4.3.5. Nivel de cancelacin de modulacin AM en el
oscilador local ................................................................ 48
4.3.6. Nivel de intermodulacin ............................................. 48
4.4. Mezclador simple con diodo ...................................................... 51
4.5. Mezclador simple con transistor MESFET ................................... 55
4.5.1. Anlisis funcional del circuito ....................................... 56
4.5.2. Transconductancia de conversin ................................. 57
4.6. Mezclador simple con transistor bipolar BJT .............................. 61
4.6.1. Anlisis funcional del circuito ....................................... 62
4.6.2. Transconductancia de conversin ................................. 63
4.7. Mezclador equilibrado ................................................................ 68
4.7.1. Adaptacin y aislamiento entre puertos ....................... 70

4.8. Mezclador doblemente equilibrado ............................................ 72
4.8.1. Mezclador pasivo mediante puente de diodos .............. 72
4.8.2. Clula de Gilbert ........................................................... 77
4.9. Otros tipos de mezcladores y aplicaciones ................................. 78
4.9.1. Mezclador con rechazo a la frecuencia imagen ............. 78
4.9.2. Mezclador subharmnico .............................................. 79
4.9.3. Algunas aplicaciones de los mezcladores ...................... 82
4.10. Resumen y tabla comparativa ..................................................... 88
5. Osciladores de microondas.............................................................. 90
5.1. Osciladores de resistencia negativa ............................................. 90
5.1.1. Osciladores con diodo IMPATT ..................................... 94
5.2. Osciladores con transistor ........................................................... 98
5.2.1. Anlisis del circuito oscilador ........................................ 100
5.2.2. Oscilador con resonador dielctrico .............................. 104
5.3. Caracterizacin de osciladores .................................................... 108
5.3.1. Ruido en osciladores ...................................................... 112
6. Multiplicadores de frecuencia........................................................ 116

6.1. Mtodos para la generacin de seal de microondas ................. 116
6.2. Formas de onda ........................................................................... 119
6.3. Figuras de mrito de un multiplicador de frecuencia ................. 121
6.4. Multiplicadores de frecuencia con diodos .................................. 123
6.4.1. Multiplicador simple con varistor ................................. 123
6.4.2. Multiplicador simple con varactor ................................ 125
6.4.3. Multiplicador equilibrado con diodos ........................... 126
6.5. Multiplicadores de frecuencia activos ......................................... 129
6.5.1. Varios ejemplos de multiplicadores activos ................... 130
Resumen....................................................................................................... 134
Ejercicios de autoevaluacin.................................................................. 139
Solucionario................................................................................................ 143
Abreviaturas............................................................................................... 144
Bibliografa................................................................................................. 145
CC-BY-SA PID_00193562 5 Mezcladores, multiplicadores y osciladores de microondas
Introduccin
Adems de dispositivos pasivos y lineales, para completar las posibilidades de

un circuito de microondas, muchas veces tambin es necesario que incorpore
dispositivos activos y no lineales, capaces de generar y transformar seales a
estas frecuencias.
En el presente mdulo se presentan los dispositivos activos bsicos utilizados

en los circuitos de microondas como son el diodo y el transistor.
Para analizarlos se recomienda, en primer lugar, repasar la estructura y funcio-

namiento de los dispositivos semiconductores y en particular, de la unin P-N,
ya sea mediante el apartado "Unin P-N" del "Anexo" de este material didcti-
co o mediante el mdulo sobre diodos de la asignatura Tecnologa electrnica.
En el apartado "Diodos de microondas" se analizan las principales caracte-

rsticas de diferentes tipos de diodos segn sea su estructura interna: diodos
Schottky, PIN e Impatt. Para cada uno de ellos, se analizan varias de sus po-
sibles aplicaciones, tales como conmutadores, atenuadores, desfasadores, de-
tectores, etc.
A continuacin se analiza, en los apartados "El transistor MESFET" y "El tran-

sistor bipolar JBT", el dispositivo activo transistor y, en concreto, dos de los
tipos ms utilizados en microondas: el transistor MESFET y el transistor bipo-
lar BJT. La caracterizacin de los transistores se puede hacer segn su modelo
lineal de pequea seal, en forma de parmetros S, o segn su modelo fsico de
pequea seal, o bien segn su modelo no lineal. Su estudio segn el modelo
lineal de parmetros S ya se ha abordado ampliamente en el mdulo "Ampli-
ficadores lineales de microondas". Aqu nos centraremos ms en analizar su
modelo fsico y no lineal, dado que el tipo de circuitos que estudiaremos y de
los que forman parte, como los mezcladores y los multiplicadores de frecuen-
cia, se basan precisamente en sus caractersticas no lineales.
En el apartado "El mezclador" nos detendremos en el anlisis de este disposi-

tivo avanzado de microondas, que est compuesto por al menos un dispositi-
vo no lineal, ya sea un diodo, un transistor o una combinacin de varios de
ellos. El mezclador es uno de los dispositivos avanzados de microondas ms
interesantes, dado que ha permitido un avance importante en el terreno de
las telecomunicaciones gracias a su capacidad para trasladar fcilmente una
seal de una frecuencia a otra frecuencia distinta. Esto ha permitido la cons-
truccin de sistemas que proporcionan una mayor versatilidad y mejora en las
caractersticas, tanto de la seal transmitida como de la seal recibida. Buen
ejemplo de estos sistemas son las estructuras homodinas, las heterodinas y las
superheterodinas, que aprovechan la propiedad de conversin de frecuencia
del mezclador para facilitar el tratamiento analgico de la seal.
Veremos diferentes estructuras para construir un mezclador y las ventajas e

inconvenientes de utilizar cada una de ellas: mezclador con diodo, con tran-
sistor, simple, equilibrado, activo, doblemente equilibrado, etc.
En el apartado "Osciladores de microondas" se presentan los principales facto-

res a tener en cuenta para disear osciladores, otro de los dispositivos avanza-
dos de microondas ms importantes, as como sus principales figuras de m-
rito. Podemos considerar al oscilador como un caso particular de amplificador
realimentado de forma controlada para conseguir tener una fuente generado-
ra de seal de microondas a una frecuencia determinada, muy til para ser
utilizada, por ejemplo, como oscilador local en estructuras superheterodinas
de conversin de frecuencia.
En el diseo del oscilador habr que tener en cuenta, en primer lugar, a qu

frecuencia queremos que oscile, pero tambin deberemos asegurar que entre-
gue un determinado nivel de potencia y que la seal generada sea lo ms pura
y estable posible. Todas estas caractersticas constituyen las principales figuras
de mrito de un oscilador, las cuales sern analizadas en este mdulo.
Finalmente, en el apartado "Multiplicadores de frecuencia" se analiza otra apli-

cacin importante de los dispositivos no lineales: los multiplicadores de fre-
cuencia. Estos dispositivos posibilitan la generacin de seales a frecuencias
muy elevadas, en las que difcilmente puede disearse un oscilador o un am-
plificador con la tecnologa actual. En general, siempre es ms sencillo y eco-
nmico disear osciladores o amplificadores cuanto menor sea la frecuencia
de funcionamiento. Gracias a los multiplicadores, generando una seal a una
frecuencia f1, seremos capaces de obtener una seal de parecidas caractersticas
a las frecuencias 2f1, 3f1 o superiores. Por tanto, podremos obtener seales a
frecuencias ms elevadas diseando los circuitos bsicos a frecuencias meno-
res, generalmente ms sencillos y econmicos.
Objetivos
Con el estudio de este mdulo se persiguen los objetivos siguientes:
1. Describir el funcionamiento y propiedades de los principales tipos de dio-

dos utilizados en microondas, as como sus aplicaciones.
2. Analizar los modelos en pequea seal de los tipos de transistor ms uti-

lizados en los circuitos de microondas.
3. Mostrar las principales clases de mezcladores utilizadas para la conversin

de frecuencia y las ventajas e inconvenientes de cada una de ellas.
4. Introducir los conceptos bsicos para el diseo de osciladores y presentar

sus figuras de mrito ms importantes.
5. Introducir los conceptos bsicos de los multiplicadores de frecuencia y des-

cribir varias de las estructuras bsicas.
1. Diodos de microondas
Para una mejor comprensin del presente apartado, es recomendable haber Ved tambin
repasado antes los conceptos fsicos bsicos sobre semiconductores y, en par-
Vase el apartado "Unin P-N"
ticular, sobre la unin P-N. del "Anexo" de este material
didctico y tambin el mdulo
sobre el diodo de la asignatura
Una vez repasadas las bases del funcionamiento de la unin P-N semiconduc- Tecnologa electrnica.
tora, en este apartado estaremos en disposicin de analizar los diodos ms co-

mnmente utilizados en los circuitos de microondas, veremos sus caracters-
ticas y algunas de sus aplicaciones ms importantes.
1.1. Diodo de barrera Schottky
El diododebarreraSchottky recibe su nombre del fsico alemn Wal-

ter H. Schottky, y consiste en una unin metal-semiconductor, que
le confiere una serie de caractersticas que lo hacen apropiado para di-
ferentes aplicaciones en circuitos de microondas, como veremos ms
adelante.
La figura 1 muestra imgenes de encapsulados de diodos Schottky comerciales.
Figura 1. Imgenes de encapsulados de diodos Schottky comerciales
Encapsulados
Los encapsulados para diodos de microondas y, en general, para cualquier componente de

microondas, son de muy reducidas dimensiones para evitar efectos parsitos y para que
las dimensiones no afecten al comportamiento del dispositivo, pues pueden empezar a ser
comparables con la longitud de onda de la frecuencia de trabajo. Por ejemplo, a 24 GHz
la longitud de onda en el aire es de = 12 mm. En un circuito impreso ser algo menor
debido a la constante dielctrica del sustrato, por lo que podemos esperar longitudes del
orden de tan solo 2 mm o menores para una lnea en /4 (inversora de impedancias).
Por tanto, a 24 GHz, dimensiones de componentes del orden de 2 mm o superiores son
prohibitivas por el impacto que tendran en el comportamiento del circuito.
La caracterstica I-V del diodo Schottky en polarizacin directa es muy similar Ved tambin
a la de cualquier diodo respondiendo a la siguiente ecuacin:
del "Anexo" del material didc-
tico.
5.1
donde es el factordeidealidad y posee un valor entre 1 y 2. Para diodos

Schottky suele valer en torno a = 1,2.
Tambin se explica que el diodo Schottky polarizado en inversa presenta un

efecto varactor, es decir, presenta una capacidad cuyo valor depende de la
tensin de polarizacin aplicada, segn la siguiente ecuacin:
5.2
siendo Vb el llamado potencial de la unin, que suele estar por debajo de

0,4 Volts.
La figura 2 muestra la caracterstica I-V (corriente en funcin de la tensin) de

un diodo Schottky tpico.
Figura 2. Caracterstica I-V tpica del diodo Schottky
1.1.1. Ventajas e inconvenientes del diodo Schottky
Las ventajas que presenta el diodo Schottky son las siguientes:

Presentan un mejorcomportamientoenfrecuencia que otro tipo de dio- Ved tambin

dos. Debido a su arquitectura interna como unin metal-semiconductora,
La capacidad de difusin Cdif y
presentan una capacidad de difusin muy baja, , por este motivo el la resistencia serie RS son dos
diodo Schottky podr funcionar a frecuencias ms elevadas que otro tipo parmetros del modelo de pe-
quea seal del diodo que po-
de diodos, sin apenas cambiar sus caractersticas de aislamiento. dis consultar en el apartado
"Unin P-N" del "Anexo" del
material didctico para dispo-
Flancosbruscosdeconmutacin: por la misma razn que antes, , ner de ms detalles.
se consiguen tiempos de conmutacin muy bajos, del orden de 1 ns, lo que

les hace especialmente indicados en aplicaciones que requieran conmutar
rpidamente seales de microondas.
Tensindecodobaja: permite obtener un mejor comportamiento como

rectificador, dado que entrar en conduccin a niveles de tensin ms ba-
jos que otros diodos, distorsionando as mucho menos la seal a rectificar.
Resistenciaserie,RS: se pueden conseguir valores menores que en diodos

construidos con otras tecnologas.
Los inconvenientes que presenta el diodo Schottky son los siguientes:
La tensinderuptura,VA,esmenor que en otro tipo de diodos. Habr

que tenerlo muy en cuenta en los diseos donde el nivel de seal pueda
ser elevado.
La corrienteinversadepolarizacin,IS, esrelativamentemayor que en

otros diodos. Esto puede provocar inestabilidad en algunos diseos.
1.1.2. Algunas aplicaciones del diodo Schottky
Aplicacin como rectificador y detector de microondas
La figura 3 ilustra el concepto de circuito rectificador en los dominios temporal

(a y b) y de la frecuencia (c y d). Se trata de obtener una seal de continua a la
salida del rectificador (b y d) cuyo nivel sea proporcional al nivel de la seal
de microondas aplicada a la entrada (a y c).
Figura 3. Concepto de circuito rectificador en tiempo y en frecuencia
En cualquier aplicacin del diodo en circuitos de microondas, deberemos

siempre polarizarlo en continua en un punto de trabajo y, superpuesto a la
tensin de polarizacin V0, aadiremos la seal til de microondas vi, que va-
mos a considerar es una portadora de amplitud v0 mucho menor a la tensin
de polarizacin V0, y de frecuencia 0:
5.3
Segn las ecuaciones sobre la unin P-N referente al circuito equivalente en Ved tambin
pequea seal del diodo, tenamos que la corriente en el diodo Schottky era
Las ecuaciones las encontraris
de la forma: en el apartado "Unin P-N" del
"Anexo" del material didctico.
5.4
Con un simple filtro paso-bajo podemos eliminar fcilmente los trminos har-
mnicos y nos quedamos tan solo con la parte continua, en la que vemos que
hay un trmino que depende del nivel de amplitud a la entrada v0, de manera
que ya tenemos el efecto rectificador o detector deseado: una seal continua
a la salida proporcional al nivel de seal de microondas existente a la entrada.
Podemos definir una constante de sensibilidaddecorriente como la rela-

cin entre el cambio de corriente en continua a la salida y la potencia de seal
a la entrada:
5.5
Y ahora, de las ecuaciones del circuito equivalente en pequea seal del diodo: Ved tambin
Las ecuaciones las encontraris

5.6 en el apartado "Unin P-N" del
5.7
obtenemos:
5.8
En la figura 4 se muestra una posible implementacin del circuito rectificador

de microondas (a), con el diodo Schottky D1 en el centro, el transformador
TF1 y C2 que seleccionan la seal de frecuencia 0, y C1 junto con R1 actuando
como filtro paso-bajo. Tambin se muestra el espectro de seales generadas a
la salida del detector (b) as como la respuesta en frecuencia del filtro paso-bajo
que elimina los harmnicos (lnea discontinua).
Figura 4. Circuito rectificador y espectro de la seal de salida

Ejemplo 1
Se pide calcular cul ser la variacin del nivel de corriente continua que atraviesa un
diodo Schottky de un circuito rectificador como el de la figura 4, cuando la seal de
microondas a rectificar tiene los siguientes niveles de potencia: 30 dBm, 20 dBm, 10
dBm, 0 dBm y +10 dBm.
Suponer una temperatura ambiente de 298 K y que el diodo tiene un factor de idealidad
= 1,2 y est polarizado en continua en un punto de trabajo V0 = 5 V, I0 = 200 mA.
Solucin
Primero podemos empezar calculando la sensibilidad del rectificador segn la ecuacin

5.8:
5.9
A continuacin, podemos aplicar la ecuacin 5.5 para encontrar la variacin de corriente

continua Idc en el diodo:
5.10
Para Pi [dBm] = -30 dBm, tenemos una potencia de seal en lineal de Pi [mW] = 1W:
5.11
Siguiendo el mismo procedimiento para cada potencia a la entrada:
5.12
5.13
5.14
5.15
Vemos, pues, que obtenemos una variacin de corriente continua proporcional a la va-
riacin de potencia de seal de microondas a la entrada. Esta caracterstica es completa-
mente lineal y viene determinada por una pendiente igual a . De todas maneras, este
comportamiento no se cumple para cualquier nivel de potencia de la seal de microon-
das, hay un lmite inferior, determinado por el nivel de ruido del dispositivo, y un lmite
superior, determinado por la corriente de saturacin del diodo.
En el ejemplo vemos cmo para 10 mW de seal de microondas la variacin de corriente

del diodo se acerca ya a un valor comparable al de la corriente de polarizacin. Si el nivel
de la seal de microondas sigue creciendo, llegar un momento en que la variacin de
corriente ya no ser proporcional, comenzar a comprimirse la respuesta, dejando de
haber una relacin lineal, debido a la proximidad al nivel de corriente de saturacin del
diodo.
Figura 5. Relacin lineal entre potencia de seal de microondas a la

entrada y variacin de la corriente continua en un diodo de circuito
rectificador
Aplicacin como demodulador de AM
La figura 6 ilustra el concepto de demodulador de AM, en el dominio temporal

(a y b) y en el dominio de la frecuencia (c y d).
Figura 6. Concepto de demodulador de AM en tiempo y frecuencia
Si la seal de entrada analizada anteriormente no fuera una portadora pura

sino que adems tuviera una cierta modulacin de amplitud por una seal
moduladora cuya componente en frecuencia mxima sea m << 0, entonces
el mismo razonamiento anterior nos llevar a que el trmino de continua pro-
porcional a la seal de entrada, no ser ahora una seal plenamente

continua sino que tendr una cierta componente en frecuencia m, dado que
la modulacin AM se caracteriza por generar subharmnicos ubicados a wm
alrededor de la portadora.
Dado que hemos supuesto m << 0, ahora tambin ser sencillo filtrar los
harmnicos que, en este caso, estarn tambin todos modulados en AM, y
separarlos de la componente que anteriormente era continua pero que ahora
ha pasado a ser de baja frecuencia debido a la modulacin de AM, y contiene
la informacin de la seal moduladora a la frecuencia m.
El espectro, segn se puede ver en la figura 7, ser el mismo que en el caso

anterior pero ahora todos los harmnicos (en rojo) tendrn dos (o ms) sub-
portadoras cercanas, ubicadas a m (en amarillo), por lo que seguir siendo
fcil separar todos los harmnicos de la seal de baja frecuencia mediante un
simple filtro paso-bajo (lnea verde de puntos de la figura) igual a como ha-
camos para el caso del rectificador. El circuito bsico de la figura 4 puede ser
tambin vlido como demodulador de AM, aadindole un simple condensa-
dor de desacoplo C3 para eliminar la componente continua.
Figura 7. Circuito y espectro de la seal a la salida del demodulador AM
Aplicacin como conmutador rpido
Gracias a la baja capacidad de difusin del diodo Schottky, este es ideal para ser
utilizado en aplicaciones donde se requiera una conmutacin elctrica muy
rpida, del orden de nanosegundos. Especialmente indicado para radares pul-
sados, donde es necesario conmutar la antena al transmisor para transmitir el
pulso de seal de microondas e inmediatamente conmutarla al receptor para
recibir la seal reflejada en el objetivo. Pensemos que la seal que emita un

objeto situado a medio metro de distancia del radar, tardar en llegar de nuevo
al equipo solo 3,3 ns. Se debe poder conmutar, pues, la antena en un intervalo
de tiempo menor.
Tambin son tiles como conmutadores rpidos de radiofrecuencia y micro-

ondas para seleccionar entre una rama del circuito u otra.
La implementacin y anlisis de los diodos Schottky es anloga a la de los Ved tambin

circuitos pasivos de microondas.
En el mdulo "Circuitos pasi-
vos de microondas" del mate-
Aplicacin como mezclador rial didctico ya se han visto
circuitos de este tipo median-
te diodos PIN, por lo que no es
Aprovechando la zona no lineal de la caracterstica I-V del diodo, conseguire- necesario analizarlos de nuevo.
mos mezclar dos seales de frecuencias distintas para obtener una seal con
una frecuencia suma o diferencia de ambas, filtrndolas adecuadamente. Ved tambin
Veremos esta aplicacin muy

1.2. Diodo PIN en detalle ya que le dedicare-
mos todo el apartado "El mez-
clador" ms adelante.
El diodoPIN debe su nombre a su estructura semiconductora interna,

formada por una zona de tipo P, una zona semiconductora Intrnseca
en el centro y otra zona de tipo N.
Esta sera la estructura del diodo PIN ideal, que har que el diodo presente una
capacidad muy pequea, lo que los hace muy indicados en aplicaciones de
conmutacin donde se requiera mucho aislamiento. Por otro lado, se necesi-
tarn tensiones de polarizacin mayores que en el diodo Schottky para pro-
vocar la ruptura de la unin, lo que los hace especialmente indicados como
rectificadores de potencia a tensiones elevadas.
1.2.1. Ventajas e inconvenientes del diodo PIN
Las ventajas que presenta el diodo PIN son las siguientes: Ved tambin

Su baja capacidad, debido a la estrechez de la z.c.e. permite su utilizacin del "Anexo" del material didc-
a frecuencias elevadas con excelentes caractersticas de aislamiento entre tico.
su entrada y su salida (en el estado OFF de conmutacin). Esto los hace

muy indicados como conmutadoresdemicroondas.
Gracias a la zona intrnseca intermedia el valor mximo del campo elc-

trico ser menor que en otros diodos para una misma tensin de polariza-
cin, lo que permitir trabajar a mayores tensiones sin llegar a la ruptura
de la unin. Especialmente indicados en rectificadoresdepotencia.
El diodo PIN en directa presenta un efecto varistor (resistencia variable en

funcin de la tensin aplicada), lo cual les hace muy indicados en apli-
caciones como limitadoresdesealRFymicroondas. Cuando la seal

es elevada permiten cortocircuitar a masa de manera controlada, con una
resistencia que ser menor cuanto mayor sea la seal RF. Cuando la seal
RF es baja, el diodo no conduce y presenta una impedancia elevada (segn
hemos visto en la primera ventaja de baja capacidad) afectando mnima-
mente a la seal RF.
El tiempo de conmutacin de polarizacin inversa a directa es muy bajo

pues los portadores mayoritarios lo tienen muy fcil para pasar a la zona
intrnseca. Por tanto puede ser muy til como protectordecargasani-
veleselevadosdesealRF.
Los inconvenientes que presenta el diodo PIN son los siguientes:
Si bien el tiempo de conmutacin OFF-ON es muy rpido, no ocurre lo

mismo con el tiempo de conmutacin ON-OFF, que es muy lento. Esto
es debido a que, cuando el diodo PIN est polarizado en directa, la zona
intrnseca intermedia posee una alta concentracin de portadores que, al
cambiar a polarizacin inversa, necesitarn un tiempo elevado para ser
barridos. Esta caracterstica hace que los diodos PIN sean pocoindicados
comorectificadoresdebajapotencia.
1.2.2. Algunas aplicaciones del diodo PIN
En el mdulo "Circuitos pasivos de microondas" ya se han visto algunas de

las aplicaciones ms interesantes de los diodos PIN, como conmutadores y
atenuadores de microondas, ya sean fijos o variables. Ambas aplicaciones son
muy indicadas para este tipo de diodos gracias a las ventajas derivadas de la
baja capacidad que presentan. En el presente subapartado nos centraremos en
otra de las aplicaciones posibles utilizando este tipo de diodos, como son los
desfasadores de microondas.
Dentro de los circuitos desfasadores de microondas podemos distinguir, en-

tre otros, los siguientes tipos: conmutados, mediante lnea cargada y por re-
flexin.
Desfasadores conmutados
Se podra decir que los desfasadores no son ms que un caso particular de

conmutacin. Se trata de conmutar la seal de microondas que entra por el
puerto P1 de la figura 8, bien por una lnea TL2 o por otra TL3, que tienen
diferentes longitudes elctricas, de manera que la fase de la seal a la salida
P2 sea una u otra.
Figura 8. Esquema de concepto de desfasador por conmutacin controlado con diodos PIN
En el circuito de la figura 8 las lneas TL1 y TL4 se suponen de impedancia

caracterstica Z0 = 50 y se han obviado los circuitos de polarizacin de los
diferentes diodos con objeto de simplificar el esquema y centrarnos en la parte
ms interesante.
Esta conmutacin por una lnea o por otra se consigue activando adecuada-
mente los diodos PIN colocados en el circuito. Si queremos que la seal pase
por la rama TL2, entonces activamos los diodos D1 y D3, polarizndolos en
directa, mientras que D2 y D4 los mantenemos polarizados en inversa para
que no conduzcan. Como la capacidad del diodo PIN es muy baja, la seal de
microondas no podr circular por la rama de TL3, de manera que tendr la
fase debida a la longitud L2 de la lnea TL2. Si quisiramos que la seal pasara
por el ramal de TL3, procederamos de manera inversa, obteniendo la seal de
microondas con una fase distinta debido a la diferente longitud de TL3.
Esto es til en cualquier sistema donde se necesite controlar la fase de la seal,

por ejemplo, en matrices (arrays) de antenas para controlar su diagrama de
radiacin.
Con esta tcnica ser posible conseguir cualquier desfase que nos proponga-
mos simplemente con modificar la longitud de cada ramal. En el caso de dos
ramales con lneas TL2 y TL3 de longitudes l2 y l3, la diferencia de fase entre
uno y otro ser:
5.16
donde es la constante de propagacin de la lnea de transmisin.
Normalmente se disean desfasadores donde se pueda escoger de entre un

nmero determinado de desfases discretos, sea por ejemplo 45, 90, 135,
180.
Ejemplo 2
Se pide determinar cul debe ser la longitud de las 3 lneas de transmisin de un desfa-
sador conmutado de tres valores para conseguir un desfase de la seal de microondas de
30, 60 o 90, teniendo en cuenta que la seal de microondas es de 12 GHz y la velocidad
de propagacin vp de las lneas microstrip es de 2 * 108 m/s.
Solucin
Para generar tres desfases necesitaremos tres lneas de transmisin igual pero de diferente
longitud, y cuya constante de propagacin podemos calcular:
5.17
Pasemos ahora los desfases de grados a radianes para trabajar con las mismas unidades:
5.18
5.19
5.20
Utilizando ahora la ecuacin 5.16, podemos ir calculando las longitudes de las tres lneas
de transmisin:
5.21
5.22
5.23
Desfasador mediante lnea cargada
Cuando se quieran obtener pequeas variaciones de fase, basta simplemente

con cargar una lnea de transmisin con una susceptancia jB en paralelo. En-
tonces tendremos que los coeficientes de reflexin y transmisin son:
5.24
5.25
donde:
5.26
es la susceptancia normalizada.
El desfase introducido ser, pues:
5.27
Habr que tener en cuenta que este tipo de desfasadores solo son vlidos para
obtener desfases de pequeo valor, generalmente menores a 45, y adems tie-
nen el problema de introducir desadaptacin, la cual es mayor cuanto mayor
desfase aplicamos, segn puede deducirse de la ecuacin 5.24. Una manera de
minimizar los efectos de la desadaptacin es colocar en vez de una, dos suscep-
tancias en paralelo del mismo valor, ubicadas a una distancia de /4 para que
as la seal reflejada en una se cancele (180) con la seal reflejada en la otra.
El papel del diodo PIN en este tipo de desfasadores es el de actuar directamen-

te como la susceptancia jB en paralelo del desfasador, aprovechando que este
diodo presenta una capacidad cuyo valor se puede controlar mediante la ten-
sin y corriente de polarizacin, o bien simplemente podemos conmutar dife-
rentes susceptancias por medio de sendos diodos colocados en serie con ellas.
La figura 9 ilustra un posible esquema de implementacin para este tipo de

desfasadores, donde el diodo PIN, D1, acta como susceptancia en paralelo a
masa. Depende de cmo polaricemos el diodo D1, este presentar una suscep-
tancia mayor o menor y, por consiguiente, conseguiremos un desfase mayor
o menor de la seal de microondas entre el puerto 1 y el 2.
Figura 9. Esquema de concepto de desfasador mediante lnea cargada

con diodo PIN
Desfasador por reflexin
Para implementar este tipo de desfasadores se requiere un acoplador hbrido

de 90, 2 diodos PIN y dos lneas de transmisin de la misma longitud, tal
como se ilustra en la figura 10.
Figura 10. Desfasador por reflexin con diodos PIN
La seal que aplicamos a la entrada, P1, del acoplador sale por ambos puertos
de la derecha, 3 y 4, con 90 ms de fase. Si los diodos conducen, ambas seales
se reflejan debido al cortocircuito, aadindose 180 en ambas, y se combinan
a la salida de la izquierda, P2, con 90 ms de fase debido al acoplador hbrido.
En definitiva, tenemos las dos seales que se han desfasado 360 en su camino
hasta el puerto 2 y se suman en fase. Gracias a los 2 diodos PIN, podremos
seleccionar aadir o no una cierta fase , dependiendo de si los dos diodos
estn en conduccin (ON) o no (OFF). La fase la controlamos mediante las
lneas de transmisin a masa TL1 y TL2 que deben tener la misma longitud L,
de manera que ambas introduzcan un desfase /2. Si los diodos no estn en
conduccin, entonces las seales en los puertos 3 y 4 recorrern una fase
adicional a los 360 que recorran cuando los diodos estaban en conduccin.
Tenemos as otra manera de aplicar diferentes desfases a una seal de micro-

ondas, gracias a la intervencin de los diodos PIN.
Ejemplo 3
Se quiere disear un desfasador de 45 por reflexin en las mismas condiciones que el

ejercicio 2, es decir, la seal de microondas es de 12 GHz y la velocidad de propagacin
vp de las lneas microstrip es de 2 * 108 m/s. Se pide calcular la longitud que debern tener
las dos lneas a masa.
Solucin
Calculemos primero el desfase deseado en radianes:
5.28
La longitud de ambas lneas deber desfasar la mitad de la cantidad calculada dado que
la seal atravesar toda la lnea primero hacia el punto de cortocircuito y volver a atra-
vesarla en sentido contrario al ser reflejada completamente por el cortocircuito, es decir,
recorre la lnea dos veces.
Por tanto, la longitud de ambas lneas debe ser:
5.29
1.2.3. Tcnicas de polarizacin de diodos
En los diferentes esquemas y ejemplos que hemos ido viendo hasta ahora, Ved tambin
hemos obviado los circuitos de polarizacin de los diodos que intervienen en
Las tcnicas para conseguir la
los diferentes circuitos. Pero en realidad, a la hora de implementar un circuito polarizacin de diodos se ana-
de microondas con diodos, se hace imprescindible incluir tambin el circuito liza en el apartado "Tcnicas
de polarizacin de transistores
que los polarice en continua en un determinado punto de trabajo. de microondas" del mdulo
"Amplificadores lineales de mi-
croondas" del material didcti-
co.
En la figura 11 se presenta una posible implementacin microstrip de circuito
de polarizacin de un diodo PIN o Schottky, sin que influya en el circuito de
microondas, mediante un doble stub, dos condensadores en serie y un stub 3 a
masa. La lnea de color rojo indica cmo la corriente continua de polarizacin
puede fluir a travs del diodo (en el centro) desde la fuente de tensin de
alimentacin continua Vd, hasta la masa GND del stub 3. Los condensadores
C1 y C2 sirven para confinar la corriente continua al diodo y que esta no pueda
fluir por los puertos de entrada o salida y, al mismo tiempo, dejan pasar la
seal de microondas gracias a la baja impedancia que presentan a frecuencias
elevadas.
Figura 11. Implementacin microstrip de circuito de polarizacin de un diodo
La tcnica del doble stub se trata de una lnea de baja impedancia en paralelo Ved tambin
a masa (stub 2) que, a la frecuencia de microondas de funcionamiento del cir-
En el mdulo "Amplificadores
cuito, presenta una impedancia Z2 muy baja, seguida de otra lnea de longitud lineales de microondas" del
material didctico se explica
/4, de manera que la impedancia Z1 que el circuito de microondas ve es muy cmo funciona la tcnica del
elevada, afectndole mnimamente a su comportamiento. doble stub.
Por otro lado, se aade a la salida del diodo otro stub 3 de longitud /4 que,
en este caso est conectado fsicamente a masa a travs de una va, dado que
interesa tanto para que la corriente continua de polarizacin fluya como para
que la seal de microondas vea un cortocircuito, de manera que la impedan-
cia Z3 que ve el circuito a la frecuencia de funcionamiento es muy elevada,
afectando mnimamente a su comportamiento.
La resistencia R1 permite polarizar el diodo con la corriente continua deseada.

1.3. El Diodo de avalancha IMPATT
(1)
Su nombre es un acrnimo del
1
Los diodosdeavalanchaIMPATT son uniones semiconductoras cuya ingls impact avalanche and trans-
mit time.
estructura consta de una zona de tipo P+ altamente dopada de impure-
zas, otra zona de tipo N intermedia y una tercera zona de tipo N+ alta-
mente dopada de impurezas.
Su funcionamiento se basa en la creacin de carga por un proceso de avalancha

del diodo, el cual provoca un desfase entre la tensin V y la corriente I de
polarizacin.
La figura 12 muestra la estructura interna de este tipo de diodos.
Figura 12. Estructura interna de un diodo IMPATT
Se puede observar, a ambos extremos de la estructura interna del diodo, la zona

p+ y la zona n+, separadas por una distancia L. Entremedio distinguimos otras
tres subzonas, la zona inactiva i, la zona de deriva, d, y la zona de avalancha, a.
Estos diodos suelen operar hasta frecuencias elevadas, de entre 3 hasta ms de

150 GHz, y estn diseados para trabajar con niveles de potencia elevados. Se
requiere una elevada tensin de polarizacin, del orden de 70 Volts o superior,
pero es elevada la eficiencia entre tensin continua de polarizacin y potencia
de microondas generada.
Gracias a su caracterstica I-V estos diodos son muy utilizados para disear os-
ciladoresdemicroondas, que es su principal aplicacin. Sin embargo, debido
a la naturaleza aleatoria del proceso de avalancha en el que se basan, tienen
el inconveniente de generar un elevado ruido de fase, en comparacin a otras
arquitecturas de oscilador. Por este motivo no suelen utilizarse como oscilado-
res locales en estructuras receptoras sino que su uso se reduce a transmisores
u otras aplicaciones donde el ruido de fase no es importante.
Este tipo de diodos se disea de manera que el campo Emx est muy cerca del
campo de ruptura de la zona N intermedia, de manera que al polarizarlo con
una seal sinusoidal, durante su semiciclo positivo hace entrar al diodo en
estado de avalancha.
El perfil de carga (a) y campo elctrico (b) en un diodo IMPATT puede apre-
ciarse en la figura 13.
Figura 13. Diodo IMPATT. a) Distribucin de carga. b) Campo

elctrico
Al entrar en avalancha, para Va, se genera un crecimiento exponencial de car-

gas que implica un crecimiento anlogo de la corriente I hasta que la tensin
V entra en el semiciclo negativo, segn se observa en la figura 14.
En ese momento la generacin de cargas por avalancha empieza a decrecer

hasta desaparecer pero sin embargo la corriente se mantiene constante debido
al tiempo de trnsito, , de la carga en la zona de deriva hasta alcanzar el
nodo. En ese punto la corriente desciende bruscamente a cero. Si el diodo se
disea para que este tiempo de transito finalice justo en el inicio del siguiente
semiciclo positivo de la tensin habremos conseguido una caracterstica I-V

en que la tensin y la corriente estn desfasadas 180, es decir, habremos con-
seguido un dispositivoderesistencianegativa:
5.30
Se considera tiempodetrnsitoptimo cuando se cumple:
5.31
siendo T el perodo de la seal de oscilacin generada.
Este tiempo de trnsito depender de la separacin, L, entre las zonas P+ y N

+ y la velocidad de saturacin de la carga Vsat, por lo que el diodo IMPATT se
disea para que tenga una L que cumpla:
5.32
donde f0 es la frecuencia a la cual queremos que el diodo oscile.
La figura 14 ilustra el funcionamiento de un diodo IMPATT, donde se puede

ver la evolucin de la tensin V, la carga Q y la corriente I en el diodo, obser-
vndose que, efectivamente, se produce un desfase entre tensin y corriente
que le confiere las propiedades de resistencia negativa.
Figura 14. Desfase I-V en un diodo IMPATT
Ejemplo 4
Se pide calcular cul debe ser la separacin entre la zona P+ y la zona N+ de un diodo IM-
PATT para que oscile a 77 GHz sabiendo que Vsat = 107 cm/s. Calcular la tensin mnima
necesaria para barrer la zona N central de portadores, sabiendo que Nd = 1021 m3 y r = 12.
Solucin
Aplicamos la ecuacin 5.32 para calcular L:
5.33
Para averiguar la tensin mnima de barrido de portadores, necesitamos saber primero

cul es el campo mximo que habr en la zona central N:
5.34
Para calcular la tensin mnima de barrido, podemos despreciar la longitud de la zona

P+ respecto de L:
5.35
Finaliza aqu el primer apartado de este mdulo, dedicado a analizar diferen- Ved tambin
tes tipos de diodos utilizados en circuitos de microondas. Hemos analizado
Los circuitos mezcladores, os-
los diodos Schottky, los diodos PIN y los diodos IMPATT. Tambin hemos ana- ciladores y multiplicadores se
lizado alguno de los circuitos tpicos de aplicacin de estos diodos, tales co- explican ms a fondo en los
apartados "El mezclador", "Os-
mo rectificadores, demoduladores, desfasadores, etc. Pero lo ms importante ciladores de microondas" y
"Multiplicadores de frecuencia"
es que hemos sentado las bases para poder comprender mejor circuitos ms del presente mdulo.
avanzados de microondas, donde estos diodos juegan un papel fundamental:
son los circuitos mezcladores, osciladores y multiplicadores. No obstante, va-
mos a ver antes otro tipo de dispositivos, los transistores, que tambin sern
el alma de estos circuitos.
2. El transistor MESFET
La mayora de circuitos de microondas de media y baja potencia utilizan dis- MESFET

positivos activos de estado slido, como los transistores, en contraposicin a
MESFET es acrnimo del in-
los antiguos Magnetrones, Klynstron o guas de ondas que, sin embargo, con- gls metal semiconductor field
tinan utilizndose en circuitos de alta potencia, donde a la tecnologa de se- effect transistor (transistor de
efecto de campo metal-semi-
miconductores le es ms difcil competir. conductor).
La razn es obvia, los transistores ya sean bipolares, FET, HEMT (transistor de (2)
En ingls, high electron mobility
2 3
alta movilidad de electrones ), HBT , etc. son dispositivos muy econmicos, transistor.
fiables y, sobre todo, fcilmente integrables en un circuito de microondas en

(3)
Acrnimo de heterojunction bipo-
el que, como ya hemos visto, las dimensiones de los componentes son muy lar transistor.
importantes dado que las longitudes de onda son muy reducidas.
En este apartado veremos el modelo en pequea seal del transistor MESFET,

que da una visin muy prxima al funcionamiento fsico del dispositivo y los
pocos parmetros necesarios para este modelo son muy estables en frecuencia.
No obstante, existe otra manera ms utilizada para modelizar el comporta- Ved tambin
miento de un transistor de microondas, que es mediante los parmetros S.
Este anlisis lineal ya se ha vis-
to sobradamente en el mdulo
Si bien es cierto que los transistores bipolares son ms econmicos, permiten "Amplificadores lineales de mi-
obtener mayores niveles de amplificacin y son capaces de trabajar a mayor co.
potencia que los MESFET. La razn de que estos ltimos sean ms utilizados en
microondas es, principalmente, su capacidad de operar a ms alta frecuencia
(hasta 100 GHz o ms) y su menor nivel de ruido.
La estructura interna de un transistor MESFET es la que muestra la figura 15.
Figura 15. Estructura semiconductora interna de un transistor MESFET
Los tres contactos, drenador D, surtidor S y puerta G, son metlicos y el canal

se implementa tpicamente con GaAs de tipo N en el caso de que el MESFET
sea de canal N, o de tipo P en el caso que el MESFET sea de canal P.
GMM es el contacto metal-metal de la puerta G, GMS es el semicontacto me-

tlico de la puerta G, DMM es el contacto metal-metal del drenador D, DMS
es el semicontacto metlico del drenador D, GDR es la regin de barrido del
canal CHN, WS es la oblea semiconductora, IL es la capa de aislamiento, SMM
es el contacto metal-metal de la fuente S y SMS el semicontacto metlico de
la fuente S.
La longitud L del canal determina en gran medida el factor de ruido del tran-
sistor, mientras que su anchura W determina la potencia mxima que soporta
el dispositivo (cuanto ms ancho sea ms corriente podr pasar).
Se crea una zona barrida de portadores que es modulable aplicando una ten-
sin entre la puerta y el surtidor VGS de manera que se controla el estrangula-
miento del canal.
2.1. Caracterstica I-V del transistor MESFET
Polarizando adecuadamente el transistor MESFET podremos elegir un punto

de trabajo en una zona ms o menos lineal de IDS-VDS en aplicaciones de am-
plificacin, o bien trabajar en las zonas de saturacin y de corte en aplicacio-
nes de conmutacin. La tensin VGS define la curva IDS-VDS de trabajo, segn
puede verse en la figura 16.
Figura 16. Caracterstica I-V de un transistor MESFET de canal N
En zonadesaturacin,SAT, se cumple:
5.36
siendo VGSoff la tensin de estrangulamiento (pinch-off) tambin conocida co-

mo Vp, e IDSS la corrientedesaturacindrenadorasurtidor. Estos parme-
tros suelen ser suministrados por el fabricante o bien pueden medirse experi-
mentalmente. Hay que tener en cuenta que estas desigualdades son vlidas
para un MESFET de canal N. Para un MESFET de canal P se obtienen ecuaciones
anlogas pero con valores de VGSoff y VGS de signo contrario, es decir, positivo.
La zonalineal,LIN, es tambin llamada regin hmica, pues existe un efecto

varistor debido a la variacin lineal de la corriente IDS con la tensin VDS.
En general el MESFET es ms lineal que un transistor bipolar y, por tanto,
ms indicado para ser utilizado como amplificador, y adems tambin es ms
indicado como mezclador pues su caracterstica I-V es cuadrtica mientras que
en el bipolar es de tipo exponencial.
Recordemos que la eleccin del punto de trabajo de un transistor vendr con-

dicionada por el tipo de aplicacin que nos interese implementar:
Amplificacin con mxima ganancia: interesar polarizar en zona de

mxima pendiente I-V, es decir con mxima transconductancia gm para
obtener la mxima excursin posible de IDS en respuesta a pequeas varia-
ciones de VGS.
Amplificacinamximapotencia: en este caso interesa polarizar en un

punto que nos d la mxima corriente IDS pero que sea una zona suficien-
temente lineal para evitar la aparicin de intermodulaciones (aproxima-
damente a un 60% de la corriente de saturacin IDSS).
Amplificacinconmnimofactorderuido: se aconseja polarizar en un

punto situado al 15% de IDSS.
Mezclador: si queremos utilizar el transistor como mezclador buscaremos Ved tambin

un punto de trabajo en una zona poco lineal y muy cuadrtica, para as
Veremos la aplicacin mezcla-
conseguir mejor el efecto de mezcla, por ejemplo, cerca de la zona de sador con detalle en el aparta-
turacin, pero suficientemente lejos para permitir el mximo margen de do "El mezclador" del presente
mdulo.
amplitud posible y teniendo tambin en cuenta los factores anteriores de
ganancia, ruido e intermodulacin.
Tipodeamplificador: habr que tener en cuenta tambin otros factores

como la clase de amplificador (A, AB, B, C, etc.) o el tipo de transistor
(bipolar, FET, HBT, etc.).
En cualquier caso, el diseo deber encontrar el mejor compromiso entre estos

parmetros.
2.2. Circuito equivalente en pequea seal
La figura 17 nos muestra el circuito equivalente en pequea seal del transistor

MESFET.
Figura 17. Circuito equivalente en pequea seal de un transistor MESFET de canal N
Parmetrosdelmodelo
Distinguimos parmetros ajenos a la unin semiconductora (extrnsecos) y los

propios de su arquitectura (intrnsecos).
Los parmetros extrnsecos Rg, Lg, Rs, Ls, Rd, Ld son debidos a efectos parsitos
del encapsulado y de conexin al circuito.
Los parmetros intrnsecos son los siguientes:
Ri: Efecto resistivo del canal en la zona de la puerta. Valor tpico 7 .
Rds: Efecto resistivo del canal. Valor tpico 400 . Aplicando un desarrollo
de Taylor en el punto de trabajo y quedndonos solo con el trmino lineal:
5.37
Cgs: Capacidad puerta-canal surtidor. Valores tpicos 0,3 pF.
Cds: Capacidad drenador-surtidor. Valores tpicos 0,12 pF.
Cgd: Capacidad puerta-canal drenador. Valores tpicos 0,01 pF. Esta capa-
cidad tiene una influencia muy importante en la estabilidad del circuito
pues est relacionada con el parmetro S12. Para un transistor unilateral,
Cgd es nula.
gm: transconductancia. Este parmetro est relacionado con la ganancia

del transistor y su parmetro S21 donde el puerto 2 sera el drenador y el
puerto 1 el surtidor. Valores tpicos son 40 mS. La fuente de corriente

genera una Id = gmVCgs.
Aplicando un desarrollo de Taylor en el punto de trabajo obtenemos gm:
5.38
2.3. Magnitudes ms relevantes del transistor MESFET
Recordamos a continuacin las magnitudes ms relevantes de un transistor

MESFET:
1)FrecuenciadetransicinfT
Este parmetro nos da una idea de la mxima frecuencia en que el transistor

es til.
Se define la frecuencia de transicin fT del transistor como aquella en

que la ganancia de cortocircuito Gisc es igual a la unidad.
Haciendo la aproximacin de transistor unilateral ( ):
5.39
5.40
2)Frecuenciamximadeoscilacin
Es la mxima frecuencia a la que se puede conseguir resistencia negativa y, por

consiguiente, es posible implementar un oscilador.
Se obtiene de la frmula emprica:
5.41
3)GananciamximaunilateralGU
Tal como ya vimos en el mdulo "Amplificadores lineales de microondas", y

suponiendo que es un dispositivo unilateral :
5.42
Tendremos, pues, una ganancia que va decayendo 20 dB por dcada.
A fmx la ganancia es 1.
4)FactorderuidoNF
El factor de ruido mnimo de un transistor MESFET puede calcularse como:
5.43
Minimizar el factor de ruido implica minimizar Rg, Rs y L.
La figura 18 muestra la imagen de dos transistores MESFET comerciales.
Figura 18. Imagen de transistores MESFET comerciales
Veamos a continuacin un ejemplo de clculo de estas magnitudes en un tran-

sistor MESFET comercial, a partir de las caractersticas suministradas por el fa-
bricante.
Ejemplo 5
Para un transistor comercial tenemos los valores siguientes de su modelo de pequea

seal: gm = 45 mS; Rg = 55 m; Rs = 43 m; L = 1 m; Cgs = 0,25 pF.
Se pide calcular los parmetros fT, fmx, GU y NFmn cuando trabaja a f = 6 GHz.
Solucin
La frecuencia de transicin ser:
5.44
La frecuencia mxima de oscilacin ser:
5.45
La ganancia a 6 GHz ser:
5.46
Por ltimo, el factor de ruido:
5.47
Con este ejemplo finalizamos el apartado dedicado al transistor MESFET, en el Ved tambin
que hemos visto sus caractersticas, parmetros ms relevantes y circuito equi-
Los circuitos mezcladores, os-
valente en pequea seal. Todos estos elementos nos servirn para compren- ciladores y multiplicadores se
der mejor circuitos ms avanzados de microondas, donde este tipo de tran- explican en los apartados "El
mezclador", "Osciladores de
sistor es muy utilizado como componente fundamental, tales como circuitos microondas" y "Multiplicado-
res de frecuencia" del presente
mezcladores, osciladores o multiplicadores. Pero antes veamos otro transistor, mdulo.
el BJT, que tambin puede utilizarse en estos circuitos.
3. El transistor bipolar BJT
El transistor bipolar tiene un modelo en pequea seal muy similar al que

hemos visto del transistor MESFET, pero las capacidades de la unin semicon-
ductora son sensiblemente mayores, por lo que fT es mucho menor. Sin em-
bargo el parmetro gm suele ser mayor, por lo que se pueden obtener mayores
ganancias de amplificacin, pero esta ventaja solo ser aprovechable a bajas
frecuencias.
(4)
El transistor bipolar BJT4 ofrece una serie de ventajas respecto al MESFET cuan- Acrnimo del ingls bipolar jun-
ction transistor.
do la frecuencia de trabajo es baja (aproximadamente por debajo de 2 GHz)
como son, una mayor ganancia y un menor coste. Sin embargo, generan ms
seales espurias y ms ruido que los MESFET.
La mxima frecuencia de operacin del transistor bipolar viene determinada

por la longitud de su base, que en los diseos actuales es del orden de decenas
de nanmetros. No obstante sigue siendo interesante en muchos circuitos,
por lo que vamos a analizarlo de modo anlogo a como hemos hecho con el
transistor MESFET.
El transistor bipolar puede ser una unin N-P-N o bien una unin P-N-P. La
figura 19 muestra la estructura semiconductora interna tpica de un transistor
bipolar NPN.
Figura 19. Estructura semiconductora interna de transistor bipolar NPN
Su caracterstica principal es que la relacin I-V entre la corriente de colector

iC y la tensin base-emisor VBE sigue una ley exponencial de la forma:
5.48
Donde se ha definido voltajetrmicoVT, que a temperatura ambiente toma

el valor:
5.49
En la figura 20 se muestra un posible circuito tpico de polarizacin de tran-

sistor bipolar (a) y a la derecha las grficas tpicas de la corriente de colector IC
en funcin de la tensin de colector a emisor VCE y la corriente de base IB (b).
Figura 20. Circuito de polarizacin y caracterstica I-V de transistor BJT
3.1. Circuito equivalente en pequea seal
La figura 21 muestra el circuito equivalente de pequea seal del transistor

bipolar BJT.
Figura 21. Circuito equivalente en pequea seal de un transistor BJT
Parmetrosdelmodelo
Al igual que en el transistor MESFET, existen unos parmetros ajenos a la unin

semiconductora (extrnsecos) y otros propios de su arquitectura y composicin
(intrnsecos). En esta ocasin vamos a centrarnos nicamente en estos ltimos.
Los parmetros intrnsecos del transistor BJT son los siguientes:
Rb: Resistencia de la base, tpicamente 7 .
R: Efecto resistivo base-emisor, llamada resistencia equivalente . Valor

tpico 110 .
C: Capacidad equivalente . Valores tpicos 18 pF.

Cc: Capacidad de colector. Valores tpicos 18 pF. Esta capacidad tiene una
influencia muy importante en la estabilidad del circuito pues est relacio-
nada con el parmetro S12.
gm: transconductancia. Este parmetro est relacionado con la ganancia

del transistor (parmetro S21 donde el puerto 2 sera el drenador y el puerto
1 el surtidor). Valores tpicos 900 mS.
Si observamos los valores tpicos para un transistor bipolar y para un MESFET,

enseguida nos damos cuenta de las diferencias. Por ejemplo, C = 18 pF frente
a Cds = 0,12 pF (ms de 100 veces superior) o gm es del orden de 900 mS en un
BJT y en el MESFET suele estar en torno a 40 mS.
Por tanto, vemos que la transconductancia es mucho mayor en el bipolar,

lo que lleva a conseguir disear circuitos amplificadores o mezcladores con
mayores ganancias con este tipo de transistor.
En cambio podemos apreciar cmo las capacidades son mucho mayores en el

bipolar, provocando, por un lado, mayor riesgo de inestabilidad debido a Cc,
que est relacionada con S12, y, por otro, a una mayor limitacin en frecuencia
pues C reducir mucho la tensin VC a medida que la frecuencia aumente.
FrecuenciadetransicinfT
De forma anloga a como vimos en los transistores MESFET, la mxima fre-

cuencia de operacin del transistor bipolar se puede obtener a partir de fT que,
como ya vimos al tratar el transistor MESFET, se define como aquella en que la
ganancia de cortocircuito Gisc es igual a la unidad. Haciendo la aproximacin
de transistor unilateral ( ) obtenemos:
5.50
5.51
Con esto finalizamos el presente apartado dedicado al transistor bipolar, en el Ved tambin
que hemos visto sus caractersticas ms importantes y su circuito equivalente
Los mezcladores, osciladores
en pequea seal. Los conceptos analizados nos servirn como base para poder y multiplicadores se describen
analizar circuitos ms avanzados de microondas, en los que este tipo de tran- en detalle en los apartados si-
guientes de este mdulo.
sistor es pieza central, tales como mezcladores, osciladores o multiplicadores.
Hasta este punto hemos analizado los dispositivos bsicos (diodo y transistor)
de un circuito de microondas. A partir de ahora vamos a ver tres tipos de cir-
cuito ms avanzados en los que estos dispositivos son la parte fundamental.
4. El mezclador
El mezclador es un circuitonolineal cuya misin es trasladar una se-

al que ocupa una determinada banda de frecuencias a otra banda di-
ferente, es decir, se trata de un dispositivo avanzado de microondas que
permite la conversindefrecuencia de una seal.
Para conseguir este objetivo, deberemos aprovechar alguna caracterstica no

lineal de los dispositivos bsicos analizados en los apartados anteriores, esto es,
el diodo y/o el transistor, de manera que al inyectar dos seales de frecuencias
diferentes obtengamos a la salida combinaciones de harmnicos de ambas, de
entre las cuales seleccionaremos las que ms nos interesan. Se tratar de hacer
trabajar al dispositivo no lineal en un punto de trabajo tal que se optimice el
nivel de seal de esa combinacin de harmnicos que nos interesa obtener,
intentando minimizar todas las dems. Para ello se pueden utilizar diferentes
estructuras que permiten mejorar unas propiedades u otras del dispositivo fi-
nal. Depender de la aplicacin que se elegir entre una u otra estructura.
En el presente apartado se hace primero un anlisis del diagrama de bloques

genrico de un mezclador, para posteriormente realizar un anlisis no lineal
del comportamiento del dispositivo. A continuacin se hace un recordatorio
de las principales figuras de mrito que caracterizan a este dispositivo para pos-
teriormente pasar a analizar una primera estructura mezcladora: el mezclador
simple con diodo. Luego se analiza el mezclador simple con transistor MESFET,
y despus el mezclador simple con transistor bipolar. Se contina avanzando
en el anlisis de estructuras ms complejas de circuitos mezcladores, como el
mezclador equilibrado y el doblemente equilibrado con sus variantes: pasiva
mediante puente de diodos y activa como la clula de Gilbert. Tambin se
analiza otra estructura mezcladora diseada para rechazar la frecuencia ima-
gen. Finalmente, se analizan algunas aplicaciones de los mezcladores y, en el
apartado "Resumen y tabla comparativa", se hace un resumen con una tabla
comparativa entre las ventajas e inconvenientes de cada uno de los tipos de
mezcladores analizados.
4.1. Diagrama de bloques
Cualquier tipo de mezclador, ya sea construido a base de diodos, o a base de

transistores o con cualquier otra arquitectura, responder siempre al diagrama
de bloques de la figura 22.
Figura 22. Diagrama de bloques de un mezclador genrico
Las seales que intervienen en un mezclador son las siguientes:
xr: es la seal de microondas de frecuencia fr la cual queremos trasladar a

otra frecuencia fif. Se conoce como sealdeRFomoduladora.
xlo: es la seal de microondas de frecuencia flo que utilizaremos para tras-

ladar la seal de RF a la frecuencia deseada fif. Se conoce como seal de
osciladorlocal.
xif: es la seal resultante de combinar las dos anteriores y se conoce como

sealdefrecuenciaintermedia. Su frecuencia fif es una combinacin de
harmnicos de fr y flo.
Los diferentes bloques que componen el mezclador son los siguientes:
Combinador (C): Este primer bloque consiste en un circuito donde se

combinan las dos seales, xr y xol, que nos interesa mezclar. Generalmente
se utilizan acopladores direccionales o hbridos.
Reddeadaptacin(A): En microondas siempre deberemos poner especial

cuidado en asegurar una buena adaptacin de impedancias con objeto de
conseguir la mxima transferencia de potencia y sobre todo, evitar seales
reflejadas. Para ello, deberemos incluir una red de adaptacin, que nor-
malmente ser reactiva, para no introducir prdidas de seal. Habr que
tener en cuenta que esta red reactiva es selectiva en frecuencia.
Circuitonolineal(NL): Esta es la pieza clave de un mezclador, sin la cual

no sera posible cumplir su objetivo. Se trata de aprovechar la no linealidad
de un dispositivo bsico (diodo, transistor o combinaciones de ellos) para
conseguir mezclar la frecuencia fr de xr con la frecuencia flo de xlo para ge-
nerar una nueva frecuencia fif. Es decir, estaremos desplazando el espectro
de las dos seales de entrada a diferentes bandas de frecuencias, depen-
diendo del tipo de no linealidad (cuadrtica, cbica, exponencial, etc.). Se
trata de saber controlar la no linealidad para optimizar la intermodulacin
que nos interese, es decir, encontrar el punto de trabajo ptimo del dispo-
sitivo no lineal para maximizar la conversin a la frecuencia fif deseada.
FiltrodeIF: Una vez las dos seales han pasado por el dispositivo no li-
neal, se habrn generado multitud de intermodulaciones. Se trata, en este
punto, de seleccionar tan solo la frecuencia fif que sea de nuestro inters,
mediante un filtro de respuesta hif que deje pasar solo esta frecuencia y
rechace el resto.
El mezclador es, por tanto, un circuito de tres puertos, RF, LO e IF, que se
simboliza como lo muestra la figura 23:
RF simboliza el puerto de radiofrecuencia.

LO es el puerto denominado osciladorlocal.
IF es el puerto de frecuenciaintermedia.
Figura 23. Smbolo del

mezclador
4.2. Anlisis no lineal
Si utilizamos un desarrollo de Taylor para aproximar la no linealidad del dis-

positivo y, suponiendo dos seales de diferentes frecuencias a su entrada tales
como:
5.52
Tendremos que la seal a la salida del mezclador se podr expresar como:
5.53
1)Anlisisparaunanolinealidadcuadrticai=2
Analicemos el caso particular del trmino cuadrtico dejando de lado el resto

de trminos i. La ecuacin 5.53 quedar reducida a la expresin siguiente:
5.54
Desarrollndola:
5.55
5.56
(5)
Vemos que, si bien a la entrada solo tenamos dos frecuencias fr y flo, a la salida Acrnimo del ingls lower side
band.
del mezclador se ha generado una componente continua, otra componente a
2fr, otra a 2flo y por ltimo, dos componentes intermedias, (fr flo) denominada (6)
Acrnimo del ingls upper side
5 6
LSB y (flo + fr) denominada USB . band.
La figura 24 muestra el espectro de seales generadas a la salida, en rojo, y las

seales a la entrada, en azul, mientras que en color amarillo se simboliza la
llamada frecuencia imagen, cuyo significado se explica ms adelante.
Figura 24. Espectro de las seales que intervienen en un mezclador con no linealidad
cuadrtica
(7)
Una posibilidad para implementar un mezclador sera que el filtro hif selec- Acrnimo del ingls single side
band.
cionara tan solo la componente continua y la componente fif = |fr flo| repre-
sentado por la lnea verde discontinua en la figura 24, tratndose en este ca- (8)
Acrnimo del ingls double side
so de un filtro paso-bajo. La componente continua es fcilmente eliminada band.
a posteriori mediante un simple condensador de desacoplo en serie. En este
caso, pues, estaramos seleccionando tan solo la LSB y rechazando el resto de
seales a la salida, incluida la USB, por lo que tendramos un mezclador que
acta como moduladorSSB7 pues rechazamos una de las dos frecuencias in-
termedias, siendo finalmente fif = |fr flo| la banda escogida. Si conservramos
ambas utilizando otro filtro adecuado (LSB y USB) entonces al modulador se
le llamara DSB8.
2)Frecuenciaimagen
Un fenmeno que habr que tener muy en cuenta en los mezcladores es el

de la llamada frecuencia imagen. Para el caso analizado, tenemos que fr = flo +
fif. Entonces, una seal xi que estuviera centrada a una frecuencia fi = flo fif,
haciendo el mismo anlisis que para el caso anterior, veramos que producira
una frecuencia intermedia que cae exactamente en la misma banda que la
producida por la seal xr, debido al valor absoluto de la diferencia: fif = |fr flo|.
Por tanto, si a la entrada del mezclador hubiera una seal indeseada centrada
a esta frecuencia imagen, sufriramos una interferencia directamente sobre la
seal til de frecuencia intermedia, xif.
Esta frecuencia fi es la que se conoce con el nombre de frecuenciaimagen. En

la figura 24 se ha dibujado dnde estara ubicada, con una lnea discontinua
en amarillo.
Para evitarla se puede recurrir al filtrado, pero debido a la proximidad con la

seal til, es muy difcil conseguirlo, debera ser un filtro extremadamente se-
lectivo, imposible de implementar en la mayora de los casos prcticos. Otra
estrategia que resulta ms efectiva es la utilizacin de estructuras mezcladoras
especiales que cancelen los efectos de esta seal y consecuentemente minimi-
cen su interferencia, como es el caso del mezclador equilibrado que veremos
ms adelante.
La frecuencia imagen no tiene por qu ser debida a seales interferentes ex-

ternas al mezclador, en ocasiones puede estar generada por el propio sistema,
como vamos a ver en el ejemplo siguiente, por lo que un filtro, aunque pudiera
implementarse, no solucionara el problema.
Ejemplo 6
Sea un mezclador con no linealidad cuadrtica, es decir, consideramos el trmino [ ]2

de la ecuacin 5.53. La seal de oscilador local es de flo = 2,450 GHz y la seal de RF a
convertir en frecuencia es de fr = 2,440 GHz. Se pide calcular la frecuencia intermedia fif
para el caso de modulador SSB seleccionando la LSB y determinar cul es la frecuencia
imagen para este caso.
Solucin
Segn la ecuacin 5.56 tendremos componente continua, componente a 2fr, otra a 2flo
y por ltimo, dos componentes intermedias, |fr flo| y (flo + fr). Como nos piden SSB
seleccionaremos con un filtro adecuado bien |fr flo| o bien (flo + fr), y como nos piden LSB
seleccionaremos |fr flo| mediante un filtro paso-bajo. Por tanto la frecuencia intermedia
ser:
5.57
Para encontrar la frecuencia imagen fi podemos partir de la frecuencia intermedia encon-

trada fif y sumarle la de oscilador local flo:
5.58
La figura 25 ilustra donde se ubica cada frecuencia.

Figura 25. Espectro de las seales que intervienen

en el mezclador con no linealidad cuadrtica del
ejemplo 6
Notar que en este ejemplo la frecuencia imagen y la frecuencia RF han intercambiado su

posicin respecto a la del oscilador local, comparado con las de la figura 24.
El caso de mezclador con no linealidad cuadrtica que selecciona solo la LSB

que hemos estudiado anteriormente es la base de un receptorheterodino de
conversin a baja frecuencia o downconverter.
Este tipo de receptores han supuesto un avance importante en las comunica-

ciones de radio debido a la posibilidad que ofrecen de amplificar a baja fre-
cuencia seales que en origen son de alta frecuencia gracias a la conversin
que realiza el mezclador. Los amplificadores de baja frecuencia son mucho
menos ruidosos que los de frecuencias elevadas, mejorndose de este modo la
sensibilidad del receptor respecto a uno de conversin directa.
Otra ventaja importante es que, modificando la frecuencia del oscilador local,

LO, se puede sintonizar fcilmente de entre diferentes portadoras dentro de un
amplio ancho de banda, evitando as tener que usar un amplificador de banda
ancha que abarque todas las frecuencias y bastando con un nico amplifica-
dor de banda estrecha y baja frecuencia para cubrir la recepcin de todas las
portadoras de la banda a sintonizar.
El mezclador se puede utilizar tambin para convertir de una frecuencia baja a

otra mayor, esto es, como upconverter, donde fr = flo + fif, especialmente indicado
en transmisores, y muy til teniendo en cuenta que un mismo oscilador local
LO se puede utilizar tanto para el subsistema transmisor como para el receptor.
La figura 26 ilustra el concepto de utilizacin del mezclador como conversor

a baja frecuencia o downconverter a la izquierda, o como conversor a alta fre-
cuencia o upconverter a la derecha.
Figura 26. a) Mezclador como downconverter. b) Mezclador como upconverter
4.3. Figuras de mrito del mezclador
Antes de comenzar a analizar diferentes estructuras de circuitos mezcladores,

conviene hacer un repaso de las principales figuras de mrito de un mezclador
con objeto de comprender mejor los conceptos que se van a tratar.
4.3.1. Ganancia de conversin
La gananciadeconversin de un mezclador se define como la relacin

entre el nivel de potencia de la seal ya convertida en frecuencia a su
salida, Pif y el nivel de potencia disponible de la seal que se quiere
convertir a la entrada,
5.59
En ocasiones, en lugar de ganancia de conversin se habla de prdidas

deconversinLC. Su definicin se hace a la inversa:
5.60
Notar que la definicin as realizada se refiere a un mezclador como conversor

a frecuencias bajas. Para un conversor a frecuencias altas, invertiramos las
potencias de IF y RF en las ecuaciones 5.59 y 5.60, dado que entonces IF sera
el puerto de entrada y RF el puerto de salida.
Los valores tpicos en un mezclador pasivo con diodos son del orden de
(o ) y su valor depende en gran medida de la potencia
entregada al puerto LO. Los valores tpicos ptimos de potencia de oscilador
local que maximizan GC, estn alrededor de en el caso de un
mezclador con diodos.
En mezcladores activos con transistor, la ganancia de conversin es positiva,

con valores tpicos del orden de y la potencia necesaria de osci-
lador local suele ser menor, del orden de .
4.3.2. Aislamiento entre puertos
El aislamiento entre puertos es una manera de medir y cuantificar el nivel de

acoplamiento de la seal de un puerto en el otro.
Dado que el mezclador es un dispositivo de tres puertos, se pueden definir los

siguientes tres aislamientos mostrados en la figura 27.
Figura 27. Aislamientos entre puertos en un

mezclador
De forma analtica, los aislamientos entre los puertos de un mezclador se de-

finen de la manera siguiente:
AislamientoLO-RF: es la relacin entre el nivel de seal LO aplicado a

este puerto, Plo y el nivel de esta seal que aparece por el puerto RF, Plo|r:
5.61
AislamientoLO-IF: es la relacin entre el nivel de seal LO aplicado a este

puerto, Plo y el nivel de esta seal que aparece por el puerto IF, Plo|if:
5.62
AislamientoRF-IF: es la relacin entre el nivel de seal RF aplicado a este

puerto, Pr y el nivel de esta seal que aparece por el puerto IF, Pr|if:
5.63
Es importante que los aislamientos sean lo ms elevados posible, pues cual-

quier pequea desadaptacin hace que muchos harmnicos y productos de
intermodulacin sean reflejados y regresen de vuelta al mezclador, que a su
vez generar nuevos espurios. Adems, amplificadores de etapas posteriores
pueden verse afectados por estas seales que, aunque estn fuera de la banda
de trabajo, pueden provocar intermodulaciones que s caigan en la banda de
inters. Tambin, en receptores es importante el aislamiento LO-RF para evitar
radiar con la antena receptora la frecuencia del oscilador local e interferir a
otros sistemas de comunicacin RF.
4.3.3. Adaptacin
En un mezclador es muy importante conseguir una buena adaptacin de im-

pedancias en sus puertos a sus respectivas frecuencias de trabajo, para evitar
reflexiones que, debido a la naturaleza no lineal del dispositivo, puedan pro-
vocar intermodulaciones en la banda de trabajo.
4.3.4. Factor de ruido
Ved tambin
El factorderuidodeunmezclador se define como la relacin entre la
relacin seal a ruido, SNR, a su entrada y la SNR a su salida: Se trata del mismo concep-
to que ya vimos en el mdulo
"Amplificadores lineales de mi-
5.64 co.
Debido al fenmeno de la frecuencia imagen, en un mezclador, adems del

ruido de la banda de trabajo, se nos aade el ruido existente en la banda de la
frecuencia imagen, y esto no es posible evitarlo por la dificultad de hacer un
filtro tan selectivo. Por este motivo, el mejor de los mezcladores nunca tendr
un factor de ruido mejor a 3 dB.
As, por ejemplo, para el caso de un conversor a baja frecuencia o downconverter Ved tambin
deberemos considerar el ruido de la banda centrada a fr que ser:
Vase el apartado "Figuras de
mrito de amplificadores" del
"Anexo" de este material di-
5.65 dctico.
Pero adems tendremos la misma aportacin de ruido por parte de la frecuen-

cia imagen, sumndose ambas potencias equivalentes de ruido en la banda fif.
Por tanto el factor de ruido a fif ser:
5.66
Es decir, aunque consiguiramos hacer un mezclador perfecto con componen-

tes de factor de ruido 0 dB, el factor de ruido del mezclador sera como mni-
mo 3 dB.
El factor de ruido de un mezclador es importante dado que este disposi-

tivo acostumbra a ser uno de los primeros circuitos en la cadena recep-
tora, por lo que tendr mucha influencia en las caractersticas finales
del receptor.
4.3.5. Nivel de cancelacin de modulacin AM en el oscilador

local
Otra figura de mrito importante en un mezclador es la que mide su estabi-

lidad en su comportamiento y caractersticas ante cambios en el nivel de se-
al a la entrada de sus puertos. Generalmente, en los mezcladores las seales
tiles sern la del puerto RF y la del puerto IF. El puerto de oscilador local
se excitar con una seal que por s misma no contiene informacin, simple-
mente la usamos a modo de "palanca" para desplazar, bien la seal de RF a
una frecuencia IF menor (en modo downconverter), o bien la seal de IF a una
frecuencia RF mayor (en modo upconverter). Esta seal de LO debe tener un
nivel adecuado para hacer trabajar al dispositivo no lineal (diodo, transistor,
etc.) en una zona determinada de trabajo. Si su nivel de potencia vara con el
tiempo, o por ejemplo, tiene asociada una modulacin de AM, esto har que el
dispositivo no lineal trabaje en diferentes zonas, afectando de distinta manera
a la conversin de frecuencia de la seal y, por tanto, distorsionndola.
Con objeto de minimizar estos efectos, aparte de, obviamente, procurar apli-
car una seal con un nivel lo ms constante posible al puerto LO, se recurre
tambin a arquitecturas circuitales que minimicen este fenmeno, como pue-
den ser los llamados mezcladoresequilibrados los cuales analizaremos ms
adelante.
4.3.6. Nivel de intermodulacin
Por ltimo, dada la naturaleza no lineal que le estamos exigiendo al mezclador Ved tambin
para poder realizar la conversin de frecuencias, se generarn adems multitud
Vase el mdulo "Amplificado-
de harmnicos y productos de intermodulacin adicionales no deseados, que res lineales de microondas" y el
harn perder ganancia de conversin pero que, adems, tambin pueden llegar "Anexo" del material didctico.
a distorsionar la seal debido a que algunos de ellos pueden caer en la banda

de la seal til. Este fenmeno no es solo caracterstico de los mezcladores
sino que aparece en cualquier dispositivo activo no lineal, que son todos. As,
para un dispositivo no lineal podemos escribir su funcin de transferencia en
tensin como una serie de Taylor:
5.67
donde podemos apreciar que la aportacin de cada trmino depende del

valor de su constante kn.
Para un amplificador ya vimos que interesa que k1 (que es su ganancia) pre-

domine respecto a todos los dems (idealmente, todos cero excepto este), de
manera que tengamos a la salida una rplica exacta de la entrada, amplificada
por un valor k1.
En un mezclador, en cambio, no interesa tener el trmino lineal k1vi y, en cam-

bio, normalmente interesa tener solamente el trmino cuadrtico (en algunos
casos como en mezcladores subharmnicos interesa el trmino cbico), es de-
cir, que k2 predomine ampliamente sobre el resto de constantes kj (j 2). Ideal-
mente interesara que el resto fueran nulas, incluida k1 que, en un mezclador,
no interesa dado que provoca un bajo aislamiento entre puertos. Es ms, de
los harmnicos producidos por el trmino cuadrtico, tan solo nos interesar
uno (caso de modulador SSB) o como mucho dos (caso de modulador DSB).
En general, dados dos tonos a la entrada de un dispositivo no lineal, se gene-

rarn infinitos harmnicos de la forma:
5.68
de los que, en un amplificador, solo interesarn los harmnicos r y lo mien-

tras que, en un mezclador, normalmente solo interesar el producto r lo
en el caso de un downconverter, o el r + lo en el caso de upconverter (vase
la figura 26).
Por tanto, para el caso de un mezclador, tendremos que considerar tambin la Ved tambin
figura de mrito del niveldeintermodulacin, que se medir con los deno-
Vase el mdulo "Amplificado-
minados puntosdeintercepcin, de forma anloga a como lo hacemos para res lineales de microondas" y el
los amplificadores. "Anexo" del material didctico.
Del mismo modo que ocurra en los amplificadores, se podrn definir tambin Ved tambin
otras dos figuras de mrito en los mezcladores. Son el puntodecompresin
Su significado es el mismo que
a1dB y el margendinmicolibredeespurios(SFDR). en el mdulo "Amplificadores
lineales de microondas" y el
La figura 28 muestra diferentes implementaciones de mezcladores comercia-
les, desde los encapsulados conectorizados (conector SMA), los de tipo Min-
Pac, los encapsulados MMIC de montaje superficial SMD, o los de soldadura
directa sobre la oblea de silicio de dimensiones inferiores al milmetro, que re-
quieren de la tcnica de soldadura microscpica conocida como wire bonding.
Figura 28. Diferentes implementaciones de mezcladores comerciales. a) En formato MinPac. b)

Conectorizados con conectores SMA. c) Micromtrico directamente en oblea de silicio. d) En
formato MMIC SMD
Ejemplo 7
Dado el mezclador PE4140 con las caractersticas de la tabla 1, se desea realizar una con-
versin de frecuencia desde el puerto de RF a 2.070 MHz al puerto IF a 70 MHz. Se pide:
1) Cul ser el mximo nivel de seal que es posible obtener en el puerto IF a 70 MHz
antes de llegar al nivel de compresin a menos 1 dB.
2) Cul ser el nivel de seal del oscilador local a 2.000 MHz que se obtiene a la salida IF
suponiendo que la potencia de oscilador local es de +17 dBm.
3) Determinar cul ser el SFDR del mezclador si sabemos que su factor de ruido SSB es
NFSSB = 9 dB, el ancho de banda de la seal es B = 10 MHz y la temperatura ambiente
es T = 298 K.
Tabla 1. Caractersticas del mezclador comercial PE4140
Fuente: Extrado de Peregrine Semiconductor (2005-2009). Peregrine Semiconductor Corp. PE4140. Document
Number 70-0089-09.
Solucin
1) De la tabla 1 de datos del mezclador sabemos que Pr-1dB = 22 dBm. Este ser el mximo
nivel de la seal RF a 2.070 MHz que podremos inyectar a la entrada del mezclador antes
de entrar en compresin. Por otro lado, las prdidas de conversin son Lc = 8,5 dB, lo que
significa que a la salida del puerto IF tendremos una seal de 70 MHz con un nivel:
5.69
2) Por un lado la potencia de oscilador local es Plo = +17 dBm. Por otro lado el aislamiento
tpico entre los puertos LO e IF es de 26 dB. Por lo tanto, el nivel de seal LO a la salida
IF ser:
5.70
3) Para calcular el SFDR necesitamos conocer dos parmetros: el nivel de ruido a la entrada
RF y el nivel de seal a la entrada RF para el cual el nivel de la intermodulacin de tercer
orden a la salida del puerto IF iguale al nivel de ruido en ese puerto.
El nivel de ruido a la entrada RF ser:
Ved tambin
Las ecuaciones las encontraris en el subapartado "Figura de ruido" del "Anexo" del ma-
terial didctico.
5.71
Y ahora calculamos el nivel de ruido a la salida IF:
5.72
Notar cmo hemos aadido 3 dB al ruido SSB de la entrada, debido a que debemos con-
siderar que se aadir a la salida IF el mismo nivel de ruido debido a la frecuencia imagen
ubicada en:
5.73
Ahora ya no queda ms que averiguar cul es el nivel de seal a la entrada RF para el cual
a la salida IF obtenemos 100,36 dBm de intermodulacin de tercer orden.
De la tabla 1 sabemos que IIP3 = 32 dBm. Entonces debe cumplirse:
5.74
5.75
donde m = 3, dado que es la intermodulacin de tercer orden.
Despejando Pr:
5.76
Finalmente, podemos obtener ya el SFDR:
5.77
4.4. Mezclador simple con diodo
El mezclador ms simple que se puede implementar incorpora un simple dio-

do como dispositivo no lineal. Esta estructura de mezclador normalmente for-
mar parte de estructuras ms complejas, pero puede ser suficiente en algunos
casos donde la frecuencia de trabajo sea muy elevada y, por tanto, se requiera
la mxima simplicidad de circuitos, o donde el coste sea un aspecto comple-
tamente prioritario.
En la figura 29 podemos ver un esquema de este mezclador simple.

Figura 29. Mezclador simple con diodo. Distinguimos un subcircuito combinador, C, red de
adaptacin, A, circuito no lineal, NL, y filtro, hif
Sean las seales de entrada al mezclador:
5.78
Se combinan inicialmente por medio de un subcircuito combinador (C) y se

adaptan a la impedancia del diodo mediante una red de adaptacin (A), de
manera que a la entrada del diodo tendremos la suma de las dos seales:
5.79
El diodo se polariza adecuadamente con una corriente, I0, mediante una resis- Ved tambin
tencia y la tensin continua Vdc, inyectada a travs de las bobinas de choque L1
Las tcnicas de polarizacin
y L2 o bien utilizando las tcnicas de polarizacin microstrip, para que trabaje microstrip se describen en el
apartado "Tcnicas de polari-
en una zona no lineal, buscando potenciar el trmino cuadrtico para generar zacin de transistores de mi-
la frecuencia intermedia deseada, por ejemplo r lo. croondas", del mdulo "Ampli-
ficadores lineales de microon-
das" del material didctico.
Segn la aproximacin de pequea seal del diodo tenemos que la corriente

que atraviesa el diodo, I, cumple la ecuacin:
Ved tambin
La aproximacin de pequea
5.80 seal del diodo se analiza en
el apartado "Unin P-N" del
Tendr, pues, una componente continua, I0 (la polarizacin) fcilmente elimi-
nable mediante un condensador de desacoplo en serie Cs, los harmnicos r y
lo debidos al trmino lineal, que tambin se podrn filtrar sin dificultad,
y adems tendremos el trmino cuadrtico, que es el que nos interesa:
5.81
Sustituyendo v por la ecuacin 5.79:
5.82
Mediante un sencillo filtro paso-bajo, de respuesta hfi, podremos seleccionar

tan solo el trmino de frecuencia intermedia deseado, r lo y rechazar todos
los dems, gracias a su lejana: el de continua, el (lo + r) y los de frecuencia
doble 2r y 2lo, todos ellos situados a una octava o, en el caso de la continua,
fcilmente eliminable mediante el condensador de desacoplo Cs.
Por tanto nos quedamos solo con el trmino:
5.83
La figura 30 muestra un ejemplo de implementacin fsica de mezclador sim-

ple con diodo, donde se aprecia que el combinador se ha realizado mediante
un acoplador hbrido con tecnologa microstrip y la alimentacin del diodo
utiliza stubs de baja impedancia tambin microstrip. La salida a frecuencia in-
termedia implementa un filtro tambin con esta tecnologa.
Figura 30. Ejemplo de implementacin microstrip de mezclador simple con

diodo
Ejemplo 8
Sea un mezclador simple como el de la figura 29 implementado con el diodo de micro-

ondas HSMS-286B. Dada su caracterstica I-V extrada de su hoja de datos segn se ve en
la figura 31, seleccionar un punto de trabajo para conseguir que su comportamiento sea
til como mezclador, teniendo en cuenta que queremos convertir una seal de 3 GHz
a 200 MHz y la tensin de alimentacin es 5 Vdc. Deducir la corriente de microondas
generada en el diodo a la frecuencia intermedia de 200 MHz para una seal de RF a la
entrada de 60 dBm, suponiendo que existe adaptacin de impedancias a 50 . Despre-
ciar los efectos parsitos del diodo, as como su resistencia interna y considerar bobinas
de choque, combinador y filtro ideales, sin influencia sobre la seal til. La potencia de
seal del oscilador local es de +7 dBm.
Figura 31. Caracterstica I-V del diodo comercial

HSMS-286B
Fuente: Extrado de (2001) HSMS-286x Series Surface Mount Microwave

Schottky Detector Diodes Technical Data. Agilent Technologies, Inc.
5988-0970EN.
Solucin
Dada la caracterstica I-V de este diodo seleccionaremos un punto de polarizacin donde

esta sea poco lineal, con objeto de generar harmnicos y as obtener la mezcla deseada.
Un punto que parece razonablemente no lineal a cualquier temperatura es el I0 = 10 mA,
V0 = 0,4 V, que est ubicado en la zona de codo de la respuesta I-V. Por tanto, vamos a
calcular primero el circuito de polarizacin para este punto de trabajo:
5.84
5.85
Ya tenemos calculada la resistencia de polarizacin. Ahora, para averiguar la corriente de

frecuencia intermedia generada, recurrimos a la ecuacin 5.83:
5.86
donde:
5.87
pues:
5.88
y:
5.89
donde hemos supuesto Zlo = 50 .
Tenemos que fr = 3 GHz y flo = 2,8 GHz, dado que queremos fif = 200 MHz.
Por otro lado:

5.90
pues:
5.91
y:
5.92
donde hemos supuesto Zlo = 50 .
Segn las ecuaciones del apartado "Unin P-N" del "Anexo" del material didctico:
5.93
5.94
Se genera, pues, en el diodo una corriente de amplitud 10 nA a la frecuencia deseada de

200 MHz, cuando a la entrada aplicamos una seal de RF de 60 dBm a 3 GHz.
4.5. Mezclador simple con transistor MESFET
Hemos visto anteriormente que el dispositivo no lineal de un mezclador sim-

ple puede ser un diodo, pero tambin puede ser un transistor FET o MESFET
si es debidamente polarizado, ms aprovechando que este tipo de transistor
tiene una caracterstica I-V semicuadrtica muy bien definida, a diferencia del
transistor bipolar en la que es predominantemente exponencial, tal y como
veremos en el apartado siguiente.
La figura 32 muestra una posible configuracin del transistor MESFET para ser
utilizado como un mezclador simple.
Figura 32. Esquema de mezclador simple con transistor MESFET
4.5.1. Anlisis funcional del circuito
Antes de entrar en el anlisis del circuito, vamos a hacer primero un anlisis

funcional de sus diferentes partes.
Por un lado, vemos que en esta estructura entramos la seal que queremos
trasladar en frecuencia, esto es, el puerto RF, por la puerta del transistor, G
(Gate). En este puerto, como en los otros dos, tendremos un circuito adapta-
dor para acoplar la seal al circuito, representado por un transformador y un
condensador de sintonizacin, en el caso del puerto RF es el condensador C1 =
CRF . A frecuencias elevadas de microondas, ya no es posible utilizar este tipo
de componente, transformador o balun, y se recurre a acopladores hbridos y/
o direccionales, que desempean la misma funcin.
En cualquier caso, este acoplador o transformador debe estar diseado para

estar sintonizado a la frecuencia de la seal que pretendemos inyectar. En el
esquema, esta sintonizacin se representa con el condensador CRF, de mane-
ra que la inductancia del transformador en paralelo con esta capacidad pre-
sentar una impedancia elevada a la frecuencia de la seal RF, rechazando el
resto del espectro. De esta manera conseguimos inyectar la seal a la puerta
del transistor. Ntese que, analizando el circuito en continua, la bobina del
transformador fuerza la puerta del transistor a masa.
Por otro lado, la seal de oscilador local LO se introduce por el terminal de

surtidor S. Tambin se recurre a la misma estrategia del transformador o aco-
plador, pero esta vez sintonizado a la frecuencia LO mediante el condensador
C2 = CLO. A diferencia de los otros puertos, en este se ha aadido la red de
polarizacin del transistor, formada por la resistencia R1 y el condensador de
desacoplo C4 = CDC. Si analizamos en continua, este condensador se ver co-

mo un circuito abierto y la resistencia R regular la corriente de polarizacin
deseada, pues queda conectada a masa por la bobina del transformador.
Por el contrario, si analizamos en pequea seal a frecuencia de microondas,

el condensador CDC, que se elige de valor elevado, se ver como un cortocir-
cuito, debido a su baja impedancia a frecuencias elevadas, haciendo que la
resistencia R no afecte para nada a la seal a frecuencia LO, por lo que solo
intervendr el circuito resonante formado por COL y la bobina que actan co-
mo filtro selectivo a esta frecuencia.
Por ltimo, la seal de frecuencia intermedia, IF, se extrae por el mismo m-

todo del transformador o acoplador, sintonizado en esta ocasin mediante C3
= CIF. Es en este puerto por donde inyectamos la fuente de tensin SRC1, con
una tensin VDD para polarizar el transistor en continua. La bobina secunda-
ria del transformador acta al mismo tiempo de choque de radiofrecuencia,
haciendo que la fuente de tensin no cargue al circuito a la frecuencia IF.
4.5.2. Transconductancia de conversin
Una vez analizado funcionalmente el circuito, vamos a proceder ahora a su

estudio analtico. Si queremos mezclar dos seales tales como:
5.95
donde xs(t) es la seal de RF que queremos convertir de frecuencia, y est mo-

dulada en amplitud con una seal de informacin vs(t), y vo(t) tiene amplitud
constante vlo que es mucho mayor a la amplitud de xs(t).
De la polarizacin del transistor se encarga la resistencia R, que le confiere un

punto de trabajo. La cada de tensin en la resistencia ser:
5.96
Por otro lado, segn vimos al analizar el transistor MESFET de canal N, la co- Ved tambin
rriente IDS tiene una relacin semicuadrtica con la tensin aplicada VGS, se-
El transistor MESFET se expuso
gn vimos en la ecuacin 5.36 y la figura 16. en el subapartado "Caracters-
tica I-V del transistor MESFET"
del presente mdulo.
Aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de la figura 32, deber cumplirse que:
5.97
Sustituyendo VGS(t) en 5.36 y desarrollando la expresin cuadrtica obtendre-

mos varios trminos, uno de continua, otro a frecuencia s, otro a lo, a 2s,
a 2lo, a lo s y a lo + s.
Si lo comparamos con un transistor bipolar, el transistor MESFET genera mu-

chas menos seales espurias y son de fcil filtrado por ubicarse entre ellas a
una octava de distancia, y esto es debido a su caracterstica cuadrtica. Este
es uno de los principales motivos por los que en microondas casi siempre se
utilizan los MESFET, si bien la ganancia de conversin acostumbra a ser menor
que la de un bipolar.
Si analizamos las amplitudes de los trminos de inters del desarrollo tendre-

mos que:
Trmino en lo:
5.98
Trmino en s:
5.99
Trmino en if = lo s:
5.100
Se define transconductanciadeconversin como la relacin entre la

corriente existente a la salida a frecuencia intermedia y la tensin de
seal a la entrada a frecuencia RF:
5.101
Trabajamos mejor con transconductancia en lugar de con ganancia para as

independizar los resultados de la topologa y del nivel de adaptacin de los
circuitos resonantes en cada puerto.
Vemos que la ganancia del mezclador no solo depende de las caractersticas

del transistor ( e IDSS) sino tambin de la tensin de oscilador local vlo.
Veamos entonces cul ser el valor ptimo de vlo . Para ello, vamos a tener en
cuenta que VGS(t) est limitada al margen:
5.102
que es donde se cumple la ecuacin 5.36 y fuera de este rango el transistor

est en corte o saturacin.
Sustituyendo 5.97 en 5.102:
5.103
5.104
Veamos, pues, las condiciones para que se cumplan ambas desigualdades, po-
nindonos en las peores condiciones, es decir, cuando xs(t) y vo(t) sean mxi-
mas o mnimas:
cota inferior:
5.105
cota superior:
5.106
Tenemos dos inecuaciones, 5.105 y 5.106, con tres incgnitas, por lo que el
sistema es irresoluble. Sin embargo podemos imponer una tercera condicin,
y es la que al principio ya hemos sugerido sobre vo(t), que tenga amplitud
constante vlo y sea mucho mayor a la amplitud de xs(t). En estas condiciones
podremos hacer una aproximacin razonable despreciando xs(t) dado que xs(t)
<< vlo de manera que, haciendo esta aproximacin, nos quedar el sistema de
la manera siguiente:
cota inferior:
5.107
cota superior:
5.108
En estas condiciones, ahora s podremos resolver el sistema:
5.109
5.110
Es decir, debemos polarizar el transistor de manera que VDC est justo a la

mitad del valor de y el oscilador local debe excitarse con una seal de
amplitud de ese mismo valor. En estas condiciones de polarizacin, tendremos
que la transconductancia de conversin ptima toma el valor siguiente:
5.111
Y ahora s, solodependedelosparmetrosdeltransistor.
Vamos a comparar GC con las transconductancias de pequea y gran seal:
Granseal: estaremos en esta situacin para lo:
5.112
Por tanto, en un transistor MESFET, la ganancia en gran seal tiene un valor

doble a la ganancia de conversin:
5.113
Pequeaseal: estaremos en esta situacin para s:
5.114
Conclusinimportante: un mezclador simple con transistor MESFET

posee el mismo valor de ganancia en pequea seal que en gran seal
cuando se polariza en el punto de trabajo ptimo y su valor duplica al
de la ganancia de conversin.
Ejemplo 9
Se quiere construir un mezclador con transistor FET simple segn el circuito de la figura
32 con el transistor comercial NE3517S03, que segn su hoja de datos posee una IDSS =
40 mA para una VDS = 2 V, y una Voff = 0,7 V. Calcular el circuito de polarizacin para
trabajar en el punto ptimo que maximice la excursin de una seal a la entrada de
20 GHz, que se quiere trasladar en frecuencia a 500 MHz. Calcular el nivel de seal de
oscilador local ptimo y la ganancia de conversin ptima del mezclador. Suponer todos
los transformadores ideales y con relacin 1:1.
Solucin
En primer lugar, calculamos el circuito de polarizacin.
Segn la ecuacin 5.110, la cada de tensin ptima en la resistencia, R, de polarizacin

debe ser:
5.115
Dado que VDS = 2 V, habr que alimentar al circuito con una tensin de alimentacin:
5.116
Por otro lado, dado que, segn la ecuacin 5.109 debe cumplirse:
5.117
Por tanto deberemos hacer que el punto de trabajo de VGS sea:
5.118
De la figura 33, extrada de la hoja de datos del transistor, se desprende que para VDS = 2
V y VGS = 0,35 V la corriente ID es aproximadamente 18 mA.
Figura 33. Caracterstica ID versus VDS del transistor NE3517S03
Fuente: Extrado de NEC (2009) NE3517S03 Hetero Junction Field Effect Transistor.
Document Number PG10787EJ01V0DS. California Eastern Laboratories.
Por tanto, la resistencia R de polarizacin deber ser:
5.119
Por tanto, tenemos ya diseado el circuito de polarizacin.
Ahora, la ganancia de conversin ptima la calculamos aplicando la ecuacin 5.111:
5.120
Por ltimo, calculada la tensin ptima de oscilador local, 0,35 V, el nivel de potencia
ptimo de oscilador local, suponiendo adaptacin de impedancias a 50 , ser:
5.121
4.6. Mezclador simple con transistor bipolar BJT
Hasta aqu hemos visto mezcladores simples con diodo o con transistor MES-
FET. Pero tambin podemos plantearnos implementar un circuito mezclador
utilizando un transistor bipolar, si bien, como ya hemos comentado, estos
transistores son ms limitados en frecuencia y son ms ruidosos que los MES-
FET, pero a bajas frecuencias pueden ser competitivos debido a su mayor ga-
nancia y bajo coste. Sin embargo, siempre tendrn la desventaja de generar
ms espurios debido a su caracterstica I-V de tipo exponencial.
En la figura 34 se presenta un posible circuito mezclador simple implementado

con un transistorbipolarBJT, y a continuacin haremos un anlisis sobre
este circuito concreto para averiguar sus parmetros ms importantes.
Figura 34. Mezclador simple con transistor bipolar
4.6.1. Anlisis funcional del circuito
Al igual que hacamos con el transistor MESFET, aqu tambin utilizaremos

transformadores sintonizados (o bien acopladores hbridos a frecuencias ele-
vadas) para inyectar o extraer las seales de RF.
Ahora, la seal a trasladar en frecuencia RF se entra por la zona de la base del

transistor, B. El condensador Cr sintoniza a esta frecuencia de RF, mientras que
C5 bloquea en continua la corriente de polarizacin de la base ib obligndola
a fluir por el transistor y, al mismo tiempo es visto como un cortocircuito a
la frecuencia RF, pues se elige con una capacidad suficientemente elevada. El
circuito sintonizado a LO es visto como un cortocircuito a fRF, por lo que el
emisor se ve a masa a esta frecuencia. La seal de oscilador local LO se entra
por la zona del emisor, E, utilizando la misma tcnica de siempre, en este caso
Clo sintoniza a frecuencia flo, y, a nivel de continua, el emisor E est a masa.
Analizando a frecuencia flo, la base se ve a masa pues C5 y el resonador a RF son

un cortocircuito. Por ltimo, la seal de frecuencia intermedia, IF, se extrae por
la zona de colector, C, mediante otro transformador que Cif sintoniza a fif. Es en
esta rama del circuito donde se inyecta la corriente continua de polarizacin
del transistor, iC(t), siendo la resistencia RC quien la controla, juntamente con
Rb. El condensador C6 se encarga de hacer que la seal a fif vea este punto
como masa.
La figura 35 muestra el circuito que se vera en continua.
Figura 35. Circuito equivalente

de polarizacin en continua del
mezclador simple con transistor
bipolar
4.6.2. Transconductancia de conversin
Una vez analizado funcionalmente el circuito, vamos a realizar su anlisis.

Queremos mezclar dos seales tales como 5.95, del mismo modo a como hi-
cimos con el mezclador simple con MESFET. Ahora, sin embargo, tendremos
que en un transistor bipolar la relacin I-V es de tipo exponencial, segn vi-
mos en las ecuaciones 5.48 y 5.49.
Por otro lado, teniendo en cuenta el anlisis funcional del apartado anterior
podemos decir que la tensin base-emisor VBE se puede escribir como:
5.122
Luego sustituyendo en la ecuacin 5.48, nos queda que:
5.123
siendo:
5.124
la corriente de polarizacin del transistor BJT y VDC la tensin base-emisor en

continua.
Por tanto, podremos rescribir la ecuacin 5.48 de esta otra manera:
5.125
donde:
5.126
El trmino es una funcin peridica de periodo , por lo que

podr desarrollarse como serie de Fourier, de forma genrica:
5.127
el trmino sin embargo, no es una seal peridica, pues depen-

de de una seal de informacin, vs (t). Pero podremos hacer la aproxima-
cindequasiesttica, pues esta seal es de variacin muy lenta compa-
rado con cos st por lo que podemos aproximar su desarrollo en serie de
Fourier. Por tanto, podremos escribir la corriente de colector, iC(t), como:
5.128
donde:
5.129
es la corriente en "continua", suponiendo vsT(t) de variacin lenta, por lo

que I0(vsT(t)) es tambin de variacin lenta y por tanto, podemos conside-
rar IDC continua.
Ntese que:
5.130
Solo coinciden cuando:
5.131
Por tanto, de la ecuacin 5.128 concluimos que iC(t) tiene infinitas compo-
nentes harmnicas y productos de intermodulacin mfs nflo, de entre los
cuales elegiremos solouno como seal IF mediante un filtro, o dos si es el
caso de sistema DSB.
Normalmente se elegir m = 1 y n = 1, pues a medida que aumentamos el

orden de la funcin de Bessel modificada su amplitud es menor, y por tanto,
obtendramos menor ganancia de conversin. De ah que se seleccione bien
flo fs en un downconverter o bien flo + fs en el caso de un upconverter.
No analizaremos, pues, todos los trminos, que son infinitos y sera absurdo.
Nos centraremos solo en aquellos 4 que nos afectan y suponemos el resto
rechazados por filtrado:
1) Trmino de continua DC:
5.132
2) Trmino de RF(s):
5.133
3) Trmino de LO(lo):
5.134
4) Trmino de IF(if):
5.135
Vamos a analizar ahora cul es la transconductanciadeconversin:
5.136
Dado que ic(t) a frecuencia intermedia no es directamente proporcional a vsT(t)

sino a I1(vsT(t)) aproximaremos I1(vsT(t)) por un desarrollo en serie de Taylor
alrededor de vsT(t):
5.137
El trmino cbico es el que nos va a provocar intermodulacin de tercer orden,

y por el cual deberemos asignar un punto de intercepcin al mezclador. Este
es el precio de utilizar un nico transistor bipolar.
Con todo esto, deberemos marcarnos varias condiciones de diseo:
1)Niveldedistorsin: Si queremos garantizar que el mezclador a disear ten-

ga un nivel mximo de distorsin, esto nos marcar una primeracondicin
dediseo.
Ejemplo 10
Se desea que nuestro mezclador simple con BJT tenga un nivel de distorsin menor al 2%.
Obtener una primera condicin de diseo del mezclador para garantizar que se cumpla
este requisito. Calcular la transconductancia de conversin GC.
Solucin
De la ecuacin 5.137 se deduce que deberemos cumplir lo siguiente:
5.138
Por tanto, ya tenemos un primer condicionante para el mezclador, no podremos utilizar

seales de nivel superior a 10 mV si queremos garantizar un nivel de distorsin menor
al 2%.
Ahora, con esta primera condicin de diseo podemos decir que:
5.139
Por lo tanto, podemos plantear el clculo de la transconductancia de conversin, GC:
5.140
2) Se aprecia que la GC depende ahora de la amplitud Y de la seal de oscilador

local LO. Por tanto, esto nos fijar una segundacondicindediseo, ya que
habr que buscar la amplitud de oscilador local que me maximice la GC.
Segn el comportamiento de las funciones de Bessel:
5.141
De aqu deducimos que interesar Y lo mayor posible para acercarnos a

.
Pero aqu chocamos con la limitacin de cualquier dispositivo activo. No po-

demos aplicar una seal tan grande como queramos, pues llegar un momen-
to en que el dispositivo entrar en su zona de saturacin, la cual no puede ser
sobrepasada. Adems, si bien la seal de LO est convenientemente filtrada a

la salida IF, si hacemos la seal de LO demasiado grande, llegar un momento
que el aislamiento entre puertos LO-IF no podr evitar que la seal LO a la
salida IF sea de un nivel comparable o incluso superior a la de IF. Por tanto,
la segunda condicin de diseo deber cumplir, por un lado, maximizar Y, y
por otro, no llegar a un nivel demasiado elevado que nos empiece a provocar
estos problemas.
Un compromiso emprico generalmente aceptado en transistores bipolares BJT

es escoger . Para este valor de Y tenemos que:
5.142
es decir, , que es casi el mximo que se poda conseguir, pues sabemos

que la mxima ganancia que se puede obtener de un transistor es la de pe-
quea seal. Todo lo cual es un muy buen compromiso y no tendra sentido
aumentar ms Y a cambio de aumentar muy poco GC y, por el contrario, co-
menzar a tener, entre otros, muchos problemas de acoplo LO-IF.
Ejemplo 11
Para el mezclador simple con transistor BJT analizado, calcular cul es el nivel ptimo de
la seal de oscilador local para cumplir con la segunda condicin de diseo planteada
sobre la maximizacin de GC. Comparar el resultado con el obtenido en el ejemplo 10.
Solucin
Ya hemos visto que una condicin emprica para maximizar la GC es hacer que Y = 6.
Para este valor de Y, segn la ecuacin 5.126 tendremos que:
5.143
Si comparamos este resultado con el obtenido en el ejemplo 10, se aprecia que la primera
condicin de diseo es de pequea seal |vs (t)| 10 mV mientras que la segunda condi-
cin, obtenida en este ejemplo 11, es de gran seal: vlo 150 mV.
Finalmente, vamos a ver qu valor se obtendra de las transconductancias a

frecuencia RF y a frecuencia LO para comparar con la que hemos obtenido
de IF:
Transconductancia a frecuencia RF(s):
5.144
donde hemos aproximado:
5.145
Al ser:
5.146
Transconductancia a frecuencia LO(lo):
5.147
Para:
5.148
Vemos que, en gran seal, la transconductancia es menor.
Resumiendo:
5.149
4.7. Mezclador equilibrado
Hasta aqu hemos analizado diferentes tipos de mezclador atendiendo al tipo

de dispositivo no lineal utilizado, ya sea un diodo, un transistor MESFET o
bien un transistor BJT, todas ellas con un nico dispositivo, por lo que se las
conoce como mezcladoressimples.
A partir de ahora veremos varias estructuras compuestas de dos o ms de estos

mezcladores simples, cuyo objetivo es mejorar alguno de los parmetros del
mezclador, ya sea el aislamiento entre algunos de sus puertos, la adaptacin
de impedancias, la inmunidad a variaciones en el nivel de seal, etc.
En el presente apartado vamos a analizar una estructura de mezclador que se

denomina equilibrada porque consigue minimizar los efectos indeseados de-
rivados de tener una amplitud variable en el puerto de oscilador local LO, es la
denominada cancelacindemodulacinAM en el puerto LO. Esta estructura
consiste en combinar dos o ms mezcladores simples mediante un acoplador
hbrido que, dependiendo de si se escoge de 90 o de 180, se optimizar bien
la adaptacin o bien el aislamientoRF-LO respectivamente.
La figura 36 ilustra la estructura bsica de un mezclador equilibrado.

Figura 36. Estructura de mezclador equilibrado con diodos
El mezclador equilibrado ms comn combina dos mezcladores simples, cua-

lesquiera de los que hemos analizado, ya sea de diodo, transistor MESFET o
transistor BJT.
Para centrarnos en su anlisis, vamos a escoger el que utiliza dos mezcladores

simples con diodo como el de la figura 36.
Supongamos que las dos seales que hay que mezclar son las siguientes:
5.150
donde:
5.151
siendo vn (t) una seal de ruido aleatorio.
La cada de tensin en los diodos D1 y D2 ser, para un acoplador hbrido de

90:
5.152
5.153
Sabemos que en la caracterstica I-V de un diodo habr un trmino cuadrtico. Ved tambin
Fijmonos solo en este trmino, que ser del que surja la intermodulacin que
Podis consultar el apartado
buscamos para IF, despreciando el resto de trminos que suponemos podremos "Unin P-N" del "Anexo" del
rechazar por filtrado. Entonces podremos escribir la corriente que circula por material didctico.
cada diodo como:

5.154
5.155
Notar que i2 es negativa porque el diodo 2 est inversamente polarizado res-

pecto al diodo 1 de manera intencionada. Filtrando paso-bajo, nos quedare-
mos con la componente continua y con la componente IF, que escogemos sea
if = r lo:
5.156
5.157
Al combinar ambas corrientes a la salida obtenemos:
5.158
dado que hemos supuesto vn (t) << vlo.
Este resultado muestra que los trminos de primer orden de la tensin de ruido
son cancelados por la propia naturaleza de la estructura del mezclador, mien-
tras que las seales IF deseadas se combinan sumndose en fase. Mezcladores
equilibrados convencionales suelen ofrecer entre 15 y 30 dB de rechazo al rui-
do AM existente en el puerto de LO.
4.7.1. Adaptacin y aislamiento entre puertos
Como ya hemos avanzado, el mezclador equilibrado tambin permitir me-

jorar una de estas dos caractersticas, dependiendo del hbrido escogido para
combinar las seales de entrada. Depender de la aplicacin para la que se
disee el mezclador que nos interese mejorar una u otra caracterstica.
1) Hagamos un anlisis fasorial para ver qu ocurre en los puertos RF y LO de

entrada para el caso de un hbrido a 90:
5.159
5.160
Estamos suponiendo ambos diodos con el mismo coeficiente de reflexin, .

De la asimetra en este parmetro depender en gran medida la capacidad de
aislamiento o adaptacin del mezclador.
Estos dos fasores reflejados llegarn a cada uno de los puertos de entrada, RF
y LO, combinndose con las amplitudes siguientes:
5.161
5.162
Por tanto, el puerto RF est perfectamente adaptado pero al mismo tiempo, la

seal RF reflejada aparece de lleno en el puerto LO. Es decir, que los puertos
RF y LO de un mezclador que utilice un hbrido de 90 tendrn una excelente
adaptacin pero el aislamiento entre ambos puertos ser muy pobre.
2) Veamos qu ocurre si el hbrido es de 180 y aplicamos RF al puerto suma

y LO al puerto diferencia. Los fasores RF reflejados en cada diodo sern ahora:
5.163
Por tanto, las seales reflejadas que aparecen en cada puerto sern:
5.164
5.165
Por otro lado, los fasores LO reflejados sern:
5.166
Y de ah:
5.167
5.168
En ambos casos, pues, aparece la misma desadaptacin mientras que el aisla-

miento entre puertos es perfecto.
4.8. Mezclador doblemente equilibrado
El mezclador simple hemos visto que genera infinitos harmnicos a la salida

IF. La estructura equilibrada con acoplador hbrido de 180 permite mejorar
parcialmente este aspecto, gracias a su capacidad de cancelacin de los har-
mnicos impares generados por el puerto LO. Ahora, con la estructura doble-
mente equilibrada, conseguiremos eliminar los harmnicos impares de ambos
puertos LO y RF. Adems, gracias a la utilizacin de dos acopladores hbridos
de 180, la estructura doblemente equilibrada proporciona un excelente aisla-
miento entre los puertos LO y RF.
Sin embargo, la adaptacin de impedancias de estos puertos no ser muy bue-

na, como ya hemos analizado para el mezclador equilibrado, ni tampoco la
ganancia de conversin.
La figura 37 muestra varias posibles implementaciones de un mezclador do-

blemente equilibrado, ya sea utilizando diodos, transistores bipolares o tran-
sistores MESFET.
Figura 37. Diferentes implementaciones de mezclador doblemente equilibrado: a) mediante diodos, b) transistores BJT o c) MESFET
El ejemplo clsico de mezclador doblemente equilibrado es el implementado

con 4 diodos en anillo, si bien pueden configurarse tambin en estrella.
4.8.1. Mezclador pasivo mediante puente de diodos
Este mezclador consta de 4 diodos en anillo (o estrella) y dos acopladores h-

bridos (en la figura transformadores) de 180, tal como se muestra en la figura
38.
Figura 38. Mezclador doblemente equilibrado a puente de diodos en anillo
Vamos a analizar el circuito para averiguar su ganancia de conversin, GC.
Supongamos las seales siguientes en los puertos LO y RF:
5.169
donde supondremos que se cumple:
5.170
para garantizar que la condicin corte-saturacin de los diodos venga deter-

minada solamente por vo(t).
Suponemos diodos ideales que en corte, Vd 0, presentan impedancia infinita

y en saturacin, Vd > 0, se comportan como una resistencia dinmica de valor
Rd.
Analicemos qu ocurre para vo(t) = +V y para vo(t) = -V:
1) vo(t) = +V
En estas condiciones D1 y D2 conducen (ON) y D3 y D4 estn en corte (OFF),

pues VC = +V y VD = -V.
Por tanto, el circuito equivalente que nos queda ser el de la figura 39.
Figura 39. Circuito equivalente para vo(t) = +V
La cada de tensin en la resistencia RL ser la tensin de frecuencia intermedia,

vif(t):
5.171
2) vo(t) = -V
En estas condiciones D3 y D4 conducen (ON) y D1 y D2 estn en corte (OFF),

pues VC = -V y VD = +V.
Por tanto, el circuito equivalente que nos queda ser el de la figura 40.
Figura 40. Circuito equivalente para vo(t) = -V
La cada de tensin en la resistencia RL ser ahora:
5.172
Por tanto, de 5.171 y 5.172 podemos expresar la seal de IF como:
5.173
La funcin sign es lgicamente peridica, por lo que podr desarrollarse en

serie de Fourier:
5.174
Ntese que, debido a que se trata de una seal cuadrada, tan solo tenemos
harmnicos impares en el desarrollo de Fourier.
Ahora, teniendo en cuenta 5.169 y, sustituyendo 5.174 en 5.173:
5.175
Ntese que no aparecen harmnicos ni a lo ni a s, lo cual implica que habr

un aislamiento infinito entre puertos, aunque esto es solo la teora de una
situacin ideal, en la realidad las imperfecciones de los diodos hacen que no
sean iguales entre s y haya un cierto desequilibrio haciendo que aparezca un
cierto nivel de esos harmnicos.
Por tanto, en la situacin ideal solo tendremos los harmnicos:
5.176
De ellos, interesar tomar el harmnico con una n pequea, pues el nivel va

decayendo debido al (2n + 1) del denominador de la ecuacin 5.175. Por lo
tanto, tomaremos como frecuencia intermedia aquel harmnico para n = 0,
es decir:
5.177
Para calcular la ganancia de conversin, GC, tomaremos la amplitud para este

harmnico y la relacionaremos con la amplitud de seal RF a la entrada:
5.178
5.179
En la prctica no se suele utilizar una seal cuadrada en el oscilador local, entre

otros motivos porque generar una seal cuadrada a alta frecuencia requerira
de un gran ancho de banda. Entonces, para garantizar que tendremos los dio-
dos ON y OFF en cada semiciclo alternndose, se recurre a utilizar una seal
de oscilador local con una amplitud mucho mayor a la tensin umbral de los
diodos, reducindose as la zona de incertidumbre de su estado a pequeos
instantes, de manera que nuestro modelo de onda cuadrada puede conside-
rarse ms que correcto. Sin embargo, esta zona de incertidumbre se traduci-

r, por un lado, en una reduccin de la ganancia de conversin, GC, y, por
otro lado, debido a la caracterstica no lineal de los diodos reales en su zona
de incertidumbre, tendremos intermodulacin con el correspondiente IIP3 del
mezclador.
Figura 41. vo(t) elevada y zona de

incertidumbre, zi, de diodos
Ejemplo 12
Calcular la ganancia de conversin, GC, de un mezclador doblemente equilibrado en

puente de diodos en el que los cuatro diodos son idnticos y estn polarizados en un
punto de trabajo IDQ = 10 mA. Suponer resistencias de fuente, RS, y de carga, RL, de 50 .
Solucin
Primero calcularemos la resistencia dinmica del diodo:
5.180
donde hemos utilizado la ecuacin del diodo del apartado "Unin P-N" del "Anexo" del
material didctico.
Utilizando la informacin del "Anexo", sabemos que a temperatura ambiente VT 25 mV.
Por tanto:
5.181
Ya solo queda aplicar la ecuacin 5.179:

5.182
Vemos que tenemos prdidas, como es lgico en un mezclador pasivo. Esta es la ganancia
de conversin tpica de un mezclador en puente de diodos, si bien, debido a la zona de
incertidumbre comentada anteriormente, se obtendrn valores algo inferiores, del orden
de 6 dB.
4.8.2. Clula de Gilbert
Si el mezclador mediante puente de diodos descrito en el apartado anterior es

el ejemplo clsico de mezclador pasivo doblemente equilibrado, la clulade
Gilbert es la estructura clsica activa de esta clase de mezcladores.
La figura 42 muestra la estructura tpica de este tipo de mezcladores.
Figura 42. Esquema de mezclador del tipo clula de Gilbert
Consiste en dos pares diferenciales mediante transistores FET o MESFET, co-

nectados de tal manera que los diferentes puertos estn aislados entre s. La
seal RF se inyecta a travs de las puertas de los transistores de abajo en con-
trafase. La seal LO se inyecta a travs de las puertas de los transistores de
arriba, tambin en contrafase. Los transistores de abajo se hacen trabajar en
saturacin para amplificar la seal RF, hecho que conferir a la estructura una
cierta ganancia de conversin, GC. La mezcla con la seal LO se produce en
los transistores de arriba.
Se puede ver como un amplificador, que son los transistores de abajo, seguido
de un conmutador inversor de fase, que son los pares diferenciales de arriba.
La salida de IF (Vo en la figura 42), al ser tambin diferencial, elimina los har-
mnicos impares debidos a la no linealidad de los transistores. La linealidad
tambin se ve mejorada por el hecho de que cada transistor de cada par dife-
rencial procesa la mitad de la seal IF, por tanto, soportar el doble de nivel
de seal RF que un mezclador con un nico transistor.
4.9. Otros tipos de mezcladores y aplicaciones
En este apartado vamos a describir otros tipos de mezcladores utilizados para

mejorar alguna caracterstica que, debido a la aplicacin especfica, sea nece-
sario reforzar, y veremos, a nivel descriptivo, diferentes aplicaciones en las que
el mezclador es la pieza clave del sistema.
4.9.1. Mezclador con rechazo a la frecuencia imagen
En algunas aplicaciones ser importante evitar la interferencia de la frecuen-

cia imagen del mezclador. Esto sucede, por ejemplo, en sistemas de comuni-
caciones que utilizan una banda de frecuencias para emitir diversos canales de
un cierto ancho de banda, uno al lado de otro. En estos casos ser interesan-
te recurrir a estructuras que, por su propia naturaleza, impongan un rechazo
importante a la seal de frecuencia imagen, sin necesidad de recurrir a com-
plicados y costosos filtros que deberan ser altamente selectivos para poder
rechazarla.
Este tipo de mezcladores consiste en interconectar un par de mezcladores equi-

librados. La seal de LO se inyecta en fase en ambos mezcladores, mientras
que la seal RF se inyecta desfasada 90 por medio de un acoplador hbrido.
Las salidas de IF pasan a travs de otro acoplador hbrido de 90 que se encarga
de separar la USB de la LSB, y de ellas, una ser considerada la seal til y la
otra la seal indeseada a frecuencia imagen.
La figura 43 muestra el diagrama de bloques de este tipo de mezcladores.
Figura 43. Esquema de mezclador con rechazo a la frecuencia imagen
Vamos a analizar este mezclador. Supongamos la siguiente seal a la entrada

RF:
5.183
Entonces, la seal de entrada a cada uno de los mezcladores 1 y 2 ser:

5.184
5.185
Y la seal de salida de cada mezclador, tras filtrar harmnicos:
5.186
5.187
Combinando ambas seales en el acoplador direccional de 90 de la salida

tendremos:
5.188
5.189
donde x1(t) es la componente LSB y x2(t) es la componente USB. Depender de

la aplicacin que una sea considerada la seal til y la otra la seal a frecuen-
cia imagen. Con esta estructura se consiguen rechazos a la frecuencia imagen
tpicamente de 20 dB.
4.9.2. Mezclador subharmnico
Esta clase de dispositivos tratan de mezclar una seal de alta frecuencia RF con
la seal de un oscilador local LO de una frecuencia mucho menor, obtenin-
dose a la salida IF una seal cuya frecuencia es la diferencia entre la de un
harmnico de la seal de LO y la de la seal de RF. Histricamente esta tcni-
ca se ha utilizado principalmente en las bandas ms altas de las microondas
donde la implementacin de osciladores estables y fiables es imposible o de
un coste prohibitivo.
Si bien en teora podemos aprovechar cualquier harmnico de la seal LO, en

la prctica se suelen utilizar los primeros harmnicos, el segundo o el tercero,
pues los ms elevados suelen implicar mayores prdidas de conversin. Los
dispositivos no lineales ms utilizados son los diodos Schottky y los transis-
tores FET (MESFET o HEMTS). La figura 44 muestra un esquema de la imple-
mentacin ms simple de este tipo de mezcladores, compuesto por un nico
elemento no lineal, en este caso un diodo, se trata del mezcladorharmnico
simplecondiodo.
Figura 44. Esquema de mezclador harmnico simple con diodo
Para conseguir las mnimas prdidas de conversin posibles, se utilizan los

stubs en /4 para suprimir la mezcla del harmnico fundamental. El stub en
cortocircuito est diseado para tener una longitud R/4, es decir, a la frecuen-
cia RF se ver como un circuito abierto y, por consiguiente, esta seal no se
ver afectada, mientras que el resto de seales, LO e IF, que son de mucha
menor frecuencia, vern un cortocircuito.
Por otro lado, el stub en circuito abierto en el ctodo del diodo se disea tam-
bin de longitud R/4, es decir, a la frecuencia RF se ver como un cortocircui-
to, eliminndose por tanto esta seal en este punto, mientras que el resto de
seales, LO e IF, que son de mucha menor frecuencia, seguirn viendo un cir-
cuito abierto, no afectndoles para nada. Finalmente en el puerto LO se coloca
un filtro paso-alto, que deja pasar la seal a fLO pero bloquea la seal de fIF,
mientras que en el puerto de IF se coloca un filtro paso-bajo, con el objetivo
contrario al anterior. Ntese que la bobina a masa podr utilizarse como re-
torno de la corriente de polarizacin del diodo, cuyo circuito se ha obviado
para no complicar la explicacin.
Ejemplo 13
Supongamos un sistema donde fRF = 12,3 GHz, fLO = 1,8 GHz y fIF = 300 MHz. Se utiliza
el sptimo harmnico de LO (12,6 GHz) para generar la mezcla. Es obvio que el stub
diseado a 12,3 GHz se ver transparente a 1,8 GHz y an ms a 300 MHz.
Calcular por simulacin cmo afectar un stub en cortocircuito de 1 mm de longitud y

un stub en circuito abierto de longitud R/4 = 3,2 mm a las diferentes seales RF, IF y LO.
Suponer substrato FR4 de r = 4,6, grosor del dielctrico de 0,813 mm y grosor de las
pistas de cobre de 35 m.
Solucin
Introducidos los datos en el simulador, observamos que, para el caso de stub en corto-
circuito, es preferible sacrificar un poco la seal de RF, menos de 1 dB, con objeto de
maximizar las prdidas a la frecuencia de 1,8 GHz de la seal LO, a un mnimo de 10
dB. Para el caso de stub en circuito abierto, lo ajustamos exactamente a R/4, obteniendo
unas prdidas a 12,3 GHz superiores a 30 dB, mientras que las prdidas a LO e IF son
totalmente despreciables, tal y como se muestra en la figura 45.
Figura 45. Prdidas de insercin simuladas debidas a stub de 1 mm en cortocircuito, SC(dB) y a stub de 3,2 mm en circuito abierto,
OC(dB)
Si bien el mezclador harmnico simple consigue maximizar la ganancia de

conversin, con objeto de disminuir drsticamente los harmnicos generados
a la salida IF, se suele recurrir a estructuras equilibradas para no generar tantos
harmnicos. La ms utilizada es la tcnica del mezclador subharmnico equi-
librado mediante par de diodos antiparalelos que podemos ver en la figura 46.
Figura 46. Mezclador subharmnico

equilibrado mediante par de diodos
antiparalelos
Gracias a su estructura equilibrada se genera una caracterstica I-V simtrica,

que por un lado maximiza los harmnicos impares, y por otro, suprime los
harmnicos pares y elimina la mezcla fundamental entre LO y RF, contribu-
yendo de este modo a mejorar las prdidas de conversin. Tambin, como ya
vimos, la estructura equilibrada ayuda a mejorar mucho la cancelacin de AM
en la seal de LO. Un mezclador similar puede construirse mediante transis-
tores FET en vez de con diodos, en cuyo caso podramos obtener ganancia
positiva de conversin.
En este caso se desea mezclar una seal, RF, de alta frecuencia con otra, LO,
a una frecuencia similar, pero utilizando la frecuencia mitad como oscilador
local, con la ventaja que esto supone, dada la mayor estabilidad, fiabilidad y
economa de implementar un oscilador cuanto menor sea su frecuencia. En-
tonces el stub de longitud LO/2 en cortocircuito es visto como un circuito
abierto a fLO/2, por tanto no afecta a la seal LO/2, pero a la frecuencia fRF es
visto prcticamente como cortocircuito pues su longitud es aproximadamente
RF/2, eliminando de este modo la seal RF de este puerto y mejorando, por
tanto, el aislamiento entre RF-LO. El stub en circuito abierto es visto prctica-
mente como circuito abierto a la frecuencia fRF, en cambio es visto como un
cortocircuito por la seal de frecuencia fLO/2. Por otro lado, fIF est suficiente-
mente lejos para que los stubs le sean transparentes.
4.9.3. Algunas aplicaciones de los mezcladores
Vamos a describir a continuacin diferentes aplicaciones, a nivel funcional, de

los mezcladores estudiados en este apartado. Mencionaremos las ms usuales
aunque la gama de aplicaciones es mucho ms variada.
Downconverter
Los mezcladores significaron un paso de gigante en los sistemas de comunica- Ved tambin
ciones al permitir utilizar la tcnica de la conversin de frecuencia. Mediante
En el subapartado "Anlisis no
esta aplicacin deja de ser necesario el tratamiento de la seal analgica a altas lineal" y el ejemplo 6 de es-
frecuencias, con la complejidad que ello supone, al tener que amplificar en te mdulo ya hemos visto un
anlisis del mezclador como
bandas muy anchas (problemas de intermodulacin, respuesta en frecuencia, downconverter, por lo que no
vamos a insistir ms aqu.
ruido, etc.), requerir de detectores a altas frecuencias, filtros muy selectivos,
etc. Mediante la conversin a bajas frecuencias podemos hacer todo el trata-
miento analgico de la seal en banda base, donde los circuitos resultan ms
sencillos, estables, fiables y econmicos. A alta frecuencia tan solo necesitare-
mos disear el propio mezclador y el oscilador local a una frecuencia deter-
minada.
La figura 47 muestra el concepto del mezclador como conversor a baja frecuen- Ved tambin
cia o downconverter, donde aparece el mezclador y un filtro paso-bajo (LPF) que
La frecuencia imagen se ha
dejar pasar tan solo la frecuencia convertida fif. En amarillo se ha dibujado analizado en el subapartado
"Anlisis no lineal" del presente
la frecuencia imagen. mdulo.
Figura 47. Mezclador como downconverter. a) Espectro de seales. b) Diagrama de bloques

circuital
Demodulador
Ya hemos visto una posible aplicacin del mezclador como demodulador

analgico que nos separa las dos bandas LSB y USB en el subapartado "Mezcla-
dor con rechazo a la frecuencia imagen". Combinando ambas bandas tendra-
mos un demoduladorDSB, mientras que rechazando una de ellas tendramos
un demoduladorSSB. Como caso particular tendramos el mezcladordere-
chazoalafrecuenciaimagen.
Otro caso es el demoduladordeFM. Sea una seal, vFM(T), modulada en FM

que queremos desmodular. Inyectndola a la entrada RF del mezclador retar-
dada un cierto tiempo to, y aplicando como seal de LO esta misma seal mo-
dulada en FM desfasada 90, obtendremos a la salida IF una rplica de la seal
moduladora x(t) en banda base:
5.190
Definimos:
5.191
Entonces a la entrada RF del mezclador tendremos:
5.192
Y a la entrada LO del mezclador:
5.193
La figura 48 muestra el diagrama de bloques del demodulador de FM.
Figura 48. Mezclador como demodulador de FM
La seal a la salida del mezclador vif(t) ser:

5.194
Despus del filtro paso-bajo, LPF, habremos eliminado las componentes a 2fo:
5.195
Haciendo las aproximaciones siguientes:
5.196
Se puede demostrar que son aceptables si se cumple que to y x(t) son de pe-
queo valor.
En estas condiciones, la seal a la salida del demodulador, vifb(t), se puede

aproximar:
5.197
Otras aplicaciones del mezclador como demodulador seran la demodulacin

de seal portadora, de especial aplicacin en demoduladores sncronos, la de-
modulacin de seal digital BPSK o la demodulacin de amplitud, entre otras
muchas.
Upconverter
La aplicacin del mezclador como conversor a frecuencia ms elevada upcon-

verter es la inversa a la ya vista como downconverter, es decir, en lugar de entrar
una seal de alta frecuencia por el puerto RF ahora entraremos una seal de
baja frecuencia por el puerto IF y obtendremos la mezcla de IF con LO a la
salida RF a una frecuencia ms elevada, seleccionndola mediante un filtro
paso-banda, BPF, que se puede distinguir por la lnea roja discontinua de la
siguiente figura 49, en la que se ilustra este concepto.
Figura 49. Mezclador como upconverter. a) Espectro de seales. b) Diagrama de bloques

circuital
Existe la posibilidad de disear moduladores SSB o DSB como un caso particu-

lar de upconverter, combinando acopladores hbridos, del mismo modo a como
hemos visto para los demoduladores.
Modulador
Una posible aplicacin del mezclador es como moduladorBPSK. Entrando

la seal digital por el puerto IF de, por ejemplo, un mezclador en puente de
diodos en anillo como el visto en el subapartado "Mezclador pasivo mediante
puente de diodos" de este mdulo, podemos conseguir desfasar 180 o no una
seal de RF a la salida de LO. La figura 50 ilustra el concepto de esta aplicacin.
Figura 50. Mezclador como modulador BPSK
Existen muchas otras posibles aplicaciones del mezclador como modulador,

como por ejemplo modulador analgico de amplitud AM, con portadora su-
primida o no.
Detector de fase
Otra aplicacin interesante de los mezcladores es su capacidad para detectar

la diferencia de fase entre dos seales con la misma frecuencia. Generan una
seal continua a la salida IF que es proporcional al coseno del desfase entre las
dos seales de la misma frecuencia inyectadas a las entradas RF y LO.
El valor es nulo cuando el desfase es:

5.198
y obtiene mximos y mnimos para desfases:
5.199
Sean xr(t) y xlo(t), dos seales de la misma frecuencia 0 pero distintas fases
r y lo:
5.200
El mezclador, con distorsin cuadrtica, multiplicar ambas seales, obtenin-

dose a IF:
5.201
Filtrando paso-bajo (LPF), nos quedamos solamente con la componente con-

tinua:
5.202
La figura 51 muestra el concepto de mezclador como detector de fase, donde

se aprecia que a la salida obtenemos una seal continua cuyo valor depende
del desfase entre las seales de entrada.
Figura 51. Mezclador como modulador BPSK
(9)
Una de las principales aplicaciones de los detectores de fase la encontramos Acrnimo del ingls phase locked
9 loop.
en los circuitosPLL , que han supuesto un gran avance en los sistemas de
telecomunicaciones, gracias a su capacidad de generar osciladores con una
gran estabilidad, pureza espectral y precisin.
Control automtico de ganancia (AGC)
Se basa en la caracterstica que poseen algunos mezcladores como atenuadores

controlados por corriente. Dependiendo de la corriente inyectada en el puerto
IF, la seal de microondas inyectada por el puerto LO aparece ms o menos
atenuada en el puerto RF.
La figura 52 muestra la caracterstica de un mezclador real, SAM-1 del fabri-

cante Minicircuits, donde se puede apreciar el nivel de atenuacin en dB, entre
los puertos LO y RF en el eje de ordenadas, en funcin de la corriente, en mA,
inyectada al puerto IF, en el eje de abscisas.
Figura 52. Mezclador como atenuador por corriente (Familia SAM de Minicircuits)
Mediante un mezclador con esta caracterstica podremos construir un circuito

de control automtico de ganancia, AGC, aadiendo un circuito rectificador
o detector de envolvente a la salida RF del mezclador, de manera que la seal
continua que genera sea mayor cuanto mayor sea el nivel de seal de micro-
ondas a su entrada. De este modo, atacando adecuadamente al puerto IF del
mezclador con un amplificador inversor, a mayor nivel a la salida RF mayor
corriente genera el rectificador y menor es la corriente inyectada al mezclador
a travs del amplificador inversor y, al disminuir la corriente en el mezclador,
aumentamos la atenuacin LO-RF, disminuyendo as el nivel a la salida RF.
As conseguiremos mantener un nivel de seal de microondas ms o menos

constante a su salida, es decir, construimos un sistema realimentado negativa-
mente que tiende a mantener constante el nivel de seal a la salida, indepen-
dientemente de las variaciones de nivel a su entrada.
La figura 53 muestra el diagrama de bloques de un posible diseo de AGC me-

diante mezclador, en el que se puede apreciar el propio mezclador, el rectifi-
cador, R, un filtro paso-bajo, LPF, que har las funciones de detector de envol-
vente y un amplificador inversor, AMP, que ataca la puerta IF del mezclador,
controlando su nivel de atenuacin entre LO y RF.
Figura 53. Circuito AGC mediante

mezclador
Multiplicador de frecuencia
Otra aplicacin del mezclador es como multiplicador de frecuencia. En este Ved tambin
caso se trata de utilizar una misma seal a una frecuencia determinada para
Dedicaremos todo el apartado
generar harmnicos de ella misma, de los que seleccionaremos el que nos in- "Multiplicadores de frecuencia"
terese por medio de un filtro. a este tipo de dispositivos, por
lo que no nos extenderemos
ms en este apartado.
4.10. Resumen y tabla comparativa
Tras estudiar los parmetros bsicos de diodos y transistores en los apartados

"Diodos de microondas", "El transistor MESFET" y "El transistor bipolar BJT",
en el presente apartado hemos estudiado y analizado una estructura avanzada
superior, el mezclador, que se puede implementar en estructura bsica con
un nico diodo o transistor, ya sea bipolar o MESFET, o en estructuras ms
complejas con una combinacin de ellos, de manera que nos permitan mejorar
alguna caracterstica del comportamiento de este circuito.
Hemos visto cmo, polarizando adecuadamente en una zona no lineal el dis-

positivo no lineal (diodo o transistor), se consigue generar harmnicos de dos
seales a la entrada y optimizar la mezcla deseada que, tras hacer un anlisis
no lineal, vimos que, en general, se suele escoger la mezcla cuadrtica flo fr,
siendo flo la frecuencia de la seal inyectada en el puerto LO y fr la frecuencia
de la seal inyectada en el puerto RF.
El mezclador es entonces un conversor a baja o a alta frecuencia dependiendo

de la mezcla escogida (flo fr o flo + fr).
Hemos repasado las figuras de mrito que caracterizan a un mezclador, el con-

cepto de aislamientoentrepuertos, el nivel de adaptacin, el factorderui-
do, el nivel de cancelacinAM y la linealidad del mezclador encarnada en
el P1dB y el IIP3, etc.
A continuacin, hemos descrito y analizado las tres clases bsicas de estruc-

turas mezcladoras: el mezcladorsimple, el mezcladorequilibrado y el mez-
cladordoblementeequilibrado.
Analizamos tambin el caso pasivo de mezcladorenpuentedediodos, que

nos daba una , y el caso activo de cluladeGilbert con tran-
sistores FET, que permite tener GC > 0 y mejorar la linealidad del mezclador.
Tambin hemos analizado otro tipo de mezcladores, como el mezcladorcon

supresindefrecuenciaimagen y los llamados subharmnicos.
Finalmente, hemos hecho un repaso a las principales aplicaciones de los mez-

cladores en los circuitos de microondas, entre las ms destacadas, como con-
versor de frecuencia, tanto hacia arriba como hacia abajo, modulador, demo-
dulador y detector de fase.
Para terminar el apartado de mezcladores, presentamos una tabla comparativa

de las caractersticas de los diferentes tipos de mezcladores analizados. Qu
tipo de mezclador debemos utilizar? Qu mezclador es mejor? Realmente no
hay un mezclador que sea mejor a los dems en todas las caractersticas. Para
cada aplicacin especfica deberemos escoger el mezclador que optimice el pa-
rmetro que ms nos interesa para esa aplicacin concreta. No existe el mez-
clador perfecto que sirva para todo, deberemos escoger siempre el ms adecua-
do en cada caso particular.
La tabla 2 es tan solo orientativa y est presuponiendo mezcladores implemen-

tados con dispositivos de similares caractersticas. Obviamente si una clase de
mezclador est implementado con transistores de mayor calidad que los de
otra clase de mezclador, esta tabla deja de ser vlida. Tan solo pretende ser una
orientacin a la hora de decidir qu tipo de mezclador es ms conveniente
utilizar en cada caso.
Tabla 2. Tabla comparativa orientativa de caractersticas entre diferentes tipos de mezclador
ROE es acrnimo de relacin de onda estacionaria (en ingls, VSWR) y nos da

una idea del nivel de adaptacin, I es el aislamiento tpico entre puertos, n
se refiere al nmero mnimo de dispositivos no lineales necesarios (diodos o
transistores), Plo es el nivel de potencia necesario tpico de la seal de LO, LC
son las prdidas de conversin tpicas, IIP3 es el punto de intercepcin de tercer
orden, BW se refiere al ancho de banda de operacin tpico, 3h se refiere al
nivel de rechazo tpico de los harmnicos de tercer orden y CX a la complejidad
del circuito.
5. Osciladores de microondas
En cualquier sistema de comunicaciones siempre es necesaria una fuente de

seal de microondas, es la que llamamos oscilador. Convierte la potencia de
la alimentacin continua en potencia de una seal de microondas a una fre-
cuencia determinada. Se trata de uno de los componentes bsicos ms esen-
ciales de los sistemas de microondas. El presente apartado describe los funda-
mentos de los osciladores y la sntesis de frecuencias, incluyendo implemen-
taciones simples basadas en diodos y transistores.
Un oscilador de estado slido utiliza un dispositivo no lineal, ya sea un diodo

o un transistor, conjuntamente con un circuito pasivo con propiedades de fil-
trado selectivo, llamado resonador, con objeto de producir una seal sinusoi-
dal de microondas estable en el tiempo. Al alimentar el oscilador, se inicia una
oscilacin gracias al ruido, tras la cual, si el dispositivo est diseado correc-
tamente, se alcanza un estado estable de oscilacin. Dado que el dispositivo
no lineal est generando potencia de seal de microondas, es necesario que
presente una resistencia negativa.
En este apartado analizaremos en primer lugar los osciladores de resistencia Ved tambin
negativa de un puerto, que generalmente aprovechan esta caracterstica, la
Los diodos IMPATT se analizan
cual presenta ciertos diodos en un determinado margen de frecuencias, tales en el subapartado "El diodo
como el diodo GUNN o el diodo IMPATT. Tambin trataremos los oscilado- de avalancha IMPATT" de este
mdulo.
res mediante transistor, centrndonos en el FET, el cual se configura de tal
manera que presente una resistencia negativa, al hacerlo trabajar en una zona
inestable, de forma totalmente antagnica a como hacamos al disear ampli-
ficadores, y se combina con un circuito resonador, que se encarga de confinar
y estabilizar la oscilacin a una frecuencia f0 determinada. Se analiza poste-
riormente el caso particular de los osciladores con resonador dielctrico, dada
su importancia en muchas aplicaciones de microondas. Finalmente, se anali-
zan las caractersticas principales de un oscilador, entre las que se aborda la
cuestin del ruido y los diferentes conceptos que existen para caracterizar al
oscilador desde este punto de vista, que ser de relevante importancia en el
apartado "Multiplicadores de frecuencia".
5.1. Osciladores de resistencia negativa
Existen bsicamente dos metodologas de anlisis de osciladores. Una trata el Ved tambin
oscilador desde el punto de vista de amplificadorconrealimentacinposi-
Se puede consultar el mdu-
tiva. Este mtodo es muy til en osciladores de baja frecuencia pero poco re- lo "Realimentacin y oscilado-
comendable para analizar osciladores de microondas. res" de la asignatura Tecnologa
electrnica para saber ms so-
bre amplificador con realimen-
tacin positiva.
La otra metodologa es conocida como el mtododelaresistencianegativa.

Se basa en la caracterizacin del dispositivo activo no lineal como un disposi-
tivo de un solo puerto cuya impedancia tiene parte real negativa a la frecuen-
cia de operacin.
La figura 54 muestra el diagrama de bloques bsico de un oscilador genrico

de microondas de estado slido.
Figura 54. Diagrama de bloques de oscilador de microondas de

estado slido
En ella podemos distinguir dos secciones: a la izquierda el dispositivo activo

no lineal actuando a modo de resistencia negativa, R < 0, que presenta una
impedancia Zin y un coeficiente de reflexin in. A la derecha la parte pasiva
del circuito compuesto de una red selectiva [S]out y la carga, que presenta una
impedancia ZL y un coeficiente de reflexin L.
El dispositivo activo puede ser un diodo o un transistor con una red pasiva
de polarizacin, diseada para que sea transparente a la frecuencia de micro-
ondas de trabajo. Este dispositivo, al ser no lineal, presentar una impedancia
dependiente de la amplitud de la seal y tambin depender de la frecuencia:
5.203
mientras que el circuito de la carga, al ser lineal y pasivo, presentar un com-

portamiento que no depende de la amplitud de la seal, aunque s de la fre-
cuencia, pues precisamente se trata de una red selectiva para confinar la osci-
lacin a una determinada frecuencia:
5.204
Con objeto de obtener la mxima transferencia de potencia a la carga, pode-

mos asumir que la red pasiva [S]out es una red sin prdidas, en cuyo caso la
potencia suministrada por el dispositivo activo es entregada totalmente a la
carga RL. En los sistemas de microondas comunes la carga es resistiva y habi-
tualmente igual a la impedancia de referencia, cuyo valor estndar se toma
de 50 .
Un primer anlisis del oscilador se puede abordar analizando el circuito de la

figura 55.
Figura 55. Circuito simplificado de oscilador

de microondas
Asumiendo que existe una seal oscilando en el circuito y, aplicando la ley de

Kirchhoff a la tensin, deber cumplirse:
5.205
Dado que, para que se produzca una oscilacin de la seal de microondas, la

corriente, I, no puede ser nula, entonces una condicinnecesariadeoscila-
cin ser:
5.206
o lo que es lo mismo:
5.207
5.208
Como la carga es pasiva, RL > 0. Entonces debe cumplirse que Rin < 0, es de-
cir, debe ser una resistencia negativa. Una resistencia positiva implica disipa-
cin de potencia, por tanto, una resistencia negativa significar generacin o
fuente de potencia. La condicin impuesta por la ecuacin 5.206 controla la
frecuenciadeoscilacin.
La condicin impuesta por la ecuacin 5.205 implica, a nivel de coeficientes

de reflexin:
5.209
El proceso de oscilacin depende del comportamiento no lineal de la impe-

dancia Zin. Inicialmente, es necesario que todo el circuito sea inestable a una
cierta frecuencia:
5.210
Entonces, cualquier excitacin transitoria o simplemente el ruido causarn

una oscilacin a la frecuencia . A medida que la corriente en el circuito va
creciendo, Rin(I, ) debe ir siendo cada vez menos negativa hasta que se alcance
una corriente estable I0, tal que:
5.211
5.212
Normalmente 0 pues Xin depende de la corriente I.
Por tanto vemos que las ecuaciones 5.207 y 5.208 son necesarias para que os-
cile el circuito, pero no son suficientes para garantizar una oscilacin constan-
te y estable.
Para que el oscilador sea estable se requiere que cualquier perturbacin en la Lectura complementaria
frecuencia o en la corriente del circuito sea absorbida inmediatamente permi-
Podis consultar un estudio
tiendo que el oscilador retorne a su estado original. Esta condicin de estabi- analtico completo en:
lidad puede analizarse por un mtodo grfico que es muy til a frecuencias de K.Kurokawa (1978). "Micro-
wave solid state circuits". Mi-
microondas. Existen otros mtodos analticos pero son de gran complejidad crowave Devices. John Wiley
y no aportan practicidad al diseo. & Sons.
El mtodo grfico se basa en la definicin de dos lneas de impedancia llama-

das lneadedispositivo y lneadecarga, que dependen de las impedancias
de dispositivo, Zin, y de carga, ZL, respectivamente.
La lnea de carga es la representacin grfica en el plano complejo de la impe-

dancia de carga, ZL, la cual depende de la frecuencia . La lnea de dispositivo,
por su parte, es la representacin grfica en el plano complejo de la impedan-
cia del dispositivo cambiada de signo, Zin, la cual depende generalmente de
dos variables, la frecuencia, , y la amplitud de la seal, I. En sentido estricto
no es, pues, una lnea, sino una superficie. En la prctica, sin embargo, la va-
riacin de la impedancia del dispositivo, Zin, en funcin de la frecuencia, ,
es tan pequea comparada con la variacin de la impedancia de carga, ZL, con
la frecuencia, , que podemos considerar que, para pequeas variaciones de
, la impedancia del dispositivo, Zin, es prcticamente constante, por lo que
no depende de ella.
Ved tambin
Entonces, la condicindeestabilidad puede expresarse de la manera
siguiente: para obtener un comportamiento estable en un oscilador, el Veremos un ejemplo en el si-
guiente apartado sobre oscila-
ngulo medido desde la lnea de dispositivo hacia la lnea de carga en dores con diodo IMPATT.
el sentido creciente debe ser menor a 180.
5.1.1. Osciladores con diodo IMPATT
Ya vimos en el apartado "El diodo de avalancha IMPATT" de este mdulo cmo

el diodo IMPATT presenta una resistencia negativa cuando se excita con una
seal de una determinada frecuencia, cuyo medio periodo es comparable al
tiempodetrnsito,, de la carga en la zona de deriva hasta alcanzar el nodo.
Aprovechando esta propiedad de resistencia negativa, este tipo de diodos po-

dremos utilizarlos para disear osciladores de estado slido a frecuencias ele-
vadas de microondas.
La figura 56 muestra, a la izquierda, el circuito equivalente simplificado, solo

vlido a frecuencias de microondas, de un diodo IMPATT, y a la derecha, la
caracterstica no lineal de resistencia negativa dependiente de la corriente de
polarizacin, IP, tpica de este tipo de diodos.
Figura 56. a) Circuito equivalente de diodo IMPATT. b) Resistencia negativa en funcin de la

corriente de microondas
Vemos que se ha simplificado la impedancia Zin del dispositivo no lineal por

una resistencia, RD, que depende de la corriente de microondas, I, y una capa-
cidad C, que responde a la capacidad de carga espacial de la unin semicon-
ductora polarizada en inversa. La caracterstica no lineal de su resistencia ne-
gativa puede aproximarse por la llamada caracterstica de Van der Pol, basada
en una dependencia cbica de la cada de tensin de microondas respecto a
la corriente:
5.213
donde VNL es la cada de tensin no lineal en los terminales de la resistencia

no lineal RD (I), y la corriente de microondas mxima que la atraviesa es I. Por
tanto, deducimos que la resistencia RD (I) ser:
5.214
La figura 57 muestra el circuito simplificado para analizar un oscilador utili-

zando un diodo IMPATT.
Figura 57. Circuito oscilador con diodo IMPATT y resonador serie
Vemos cmo hemos separado la capacidad del diodo, C, de la impedancia del

dispositivo Zin, con objeto de separar la impedancia no lineal RD (I), del resto,
que son lineales.
Normalmente, disearemos el oscilador para conseguir la mximapotencia

de oscilacin posible del diodo o dispositivo activo. El valor que hay que
maximizar es la potencia entregada a la carga, P:
5.215
Para encontrar el punto ptimo, la derivada de P respecto I0 debe anularse:
5.216
Por tanto, la corriente ptima de microondas ser:
5.217
En consecuencia, el valor ptimo de resistencia no lineal ser, segn la ecua-

cin 5.214:
5.218
Este resultado es muy importante dado que se puede interpretar del siguiente
modo:
Un dispositivo no lineal con resistencia negativa gobernado por una ca-

racterstica tensin corriente del tipo Van der Pol, entregar la mxima
potencia a la carga si su resistencia tiene un valor igual a la mitad de su
resistencia de pequea seal.
Segn la ecuacin 5.214, la resistencia de pequea seal tomar el valor de

esta ecuacin cuando la corriente I tienda a cero, es decir:
5.219
Muchos dispositivos poseen esta caracterstica de Van der Pol, por lo que la
ecuacin 5.218 es una aproximacin muy til porque la medida de la impe-
dancia del dispositivo en condiciones de pequea seal es normalmente muy
sencilla. No as la medida bajo condiciones de gran seal, tremendamente
compleja debido a la necesidad de utilizar instrumentacin especial.
De la ecuacin 5.206 deducimos que la resistencia de carga ptima para obte-

ner la mxima potencia de oscilacin debe ser igual a la resistencia no lineal
ptima del dispositivo calculada anteriormente, pero de signo opuesto:
5.220
y la potencia entregada a esta carga ser:
5.221
Finalmente, la frecuencia de oscilacin vendr determinada por el resonador

serie, formado por la propia capacidad, C, del diodo y la inductancia externa,
L:
5.222
Ejemplo 14
Sea el diodo IMPATT cuya caracterstica de su resistencia negativa en funcin de la co-

rriente es la mostrada en la figura 56. Una buena aproximacin de la curva la dan los
coeficientes a = 4,2 y b = 2,2. Utilizando estos valores, calcular el valor ptimo de RD
y RL para conseguir entregar la mxima potencia a la carga. Obtener el valor de esta po-
tencia y estudiar la estabilidad del oscilador utilizando el mtodo grfico de las lneas
de impedancia.
Solucin
En primer lugar calculamos la corriente I0 de microondas que maximiza la potencia en-

tregada a la carga, segn la ecuacin 5.217:
5.223
Una vez conocemos la corriente, podemos calcular la resistencia negativa del dispositivo
segn la ecuacin 5.214:
5.224
Ahora, para obtener la resistencia de carga ptima, RL, utilizamos la ecuacin 5.220:
5.225
Es decir, se cumple la condicin necesaria para oscilacin reflejada en la ecuacin 5.206.
La potencia entregada a la carga ser, segn la ecuacin 5.221:
5.226
Para estudiar la estabilidad por el mtodo grfico veamos cul es la expresin de las lneas
de impedancia:
Lnea de dispositivo:
5.227
Lnea de carga:
5.228
donde vemos que la impedancia de dispositivo depende de la corriente de microondas del

circuito y la impedancia de carga solo depende de la frecuencia, adoptando la expresin
tpica de un circuito resonador serie RLC.
Recordemos que un circuito RLC serie est compuesto de una resistencia, R, en serie con
un condensador, C, en serie con una inductancia, L. La ecuacin que describe el compor-
tamiento de este circuito en funcin de la frecuencia es:
5.229
donde:
Q es el llamado factor de calidad:
5.230
es la llamada desviacin de frecuencia relativa:
5.231
La figura 58 muestra en azul claro la representacin de la lnea de carga, ZL(f), en el plano

complejo R + jX, y a su vez, la representacin de la lnea de dispositivo, Zin(I), en dicho
plano. En este ejemplo particular ha sido fcil dibujar ambas lneas, pues la primera es
de parte real constante RL = 2,1 y parte imaginaria dependiente de la frecuencia, f, y la
segunda es una impedancia real que va variando sobre el eje real del plano complejo en
funcin de la corriente, I. El punto en el que se cortan ambas lneas ser el punto de
trabajo (I0, f0), el cual es estable, dado que se cumple la condicin de estabilidad, pues el
ngulo medido desde la lnea de dispositivo hacia la lnea de carga en el sentido creciente
es menor a 180, en concreto es de 90.
Figura 58. Lneas de dispositivo y carga del oscilador IMPATT
Sin embargo, no siempre ser tan sencillo poder representar ambas lneas, por lo que
habr que recurrir a la ayuda de herramientas de clculo CAD.
5.2. Osciladores con transistor
El principio bsico de cualquier oscilador sinusoidal electrnico radica en el

fenmeno de la resonancia. En el caso de aplicar una energa inicial a un cir-
cuito LC, se produce una seal de oscilacin sinusoidal debido al intercambio
peridico de energa entre la capacidad, C y la inductancia, L. Sin embargo,
debido a las prdidas de ambos componentes, la oscilacin decae exponen-
cialmente en el tiempo. Para mantener la oscilacin, es necesario incorporar
al circuito un dispositivo activo que compense estas prdidas y mantenga la
oscilacin a un nivel constante. La eleccin del dispositivo activo as como del
tipo de circuito resonador y la topologa del circuito depende de la frecuencia
de oscilacin y de la aplicacin particular.
En general, los transistores bipolares son utilizados en radiofrecuencia y en la

banda baja de microondas (unos pocos GHz). Por encima de estas frecuencias
se suelen utilizar transistores FET fabricados con GaAs, gracias a su capacidad
de trabajar hasta elevadas frecuencias, si bien la tecnologa est avanzando y
los transistores HEMT y HBT se muestran vlidos tambin para formar parte
de osciladores a elevadas frecuencias.
Las tcnicas de diseo de osciladores son, en general, independientes del tipo

de dispositivo activo utilizado. Sin embargo, la calidad que se puede alcanzar
en trminos de potencia o de ruido de fase, depende decisivamente de este.
Un oscilador con transistor puede ser visto como un amplificador con tran-
sistor al que se le aplica realimentacin positiva, permitiendo el crecimiento
de cualquier seal de oscilacin iniciada en el circuito, acoplado a un circuito
resonante que sirve para seleccionar la frecuencia de oscilacin. Para iniciar la
oscilacin es necesario que aparezca una seal inicial cuyo espectro conten-
ga una componente a la frecuencia de oscilacin deseada. Esta seal inicial
ya est siempre presente en cualquier circuito electrnico en forma de ruido
blanco de origen trmico. Se le llama ruido blanco por contener una densi-
dad espectral de energa uniforme a todas las frecuencias. El crecimiento de la

seal de oscilacin no puede ser ilimitado, el circuito debe incorporar algn
mecanismo para estabilizar el nivel de seal a un valor determinado.
Para conseguir resistencia negativa, primeramente es necesario polarizar el

transistor en la regin de amplificacin. En segundo lugar, debe acoplarse una
red de realimentacin con la impedancia adecuada para producir realimenta-
cin positiva, ya sea en serie o en paralelo. En este punto debe decidirse la
topologa a utilizar. La figura 59 muestra varias topologas alternativas para
realimentar el transistor.
Figura 59. Topologas genricas de oscilador con

transistor
De este esquema podremos seleccionar una de las topologas con las impedan-
cias complejas Z1, Z2, Z3 o Z4 o combinaciones de varias de ellas. Por ejemplo,
para tener realimentacin serie elegiremos Z3 = y una combinacin libre de
las otras tres, o para tener realimentacin paralelo elegiremos Z2 = 0 aseguran-
do una cierta impedancia Z3 y una combinacin libre de las otras dos.
Finalmente, el tercer paso consiste en acoplar un circuito resonante en alguna

parte del circuito para seleccionar la frecuencia de oscilacin deseada.
De entre todos los tipos de circuitos resonadores nos vamos a fijar en tres, que
suelen ser los ms utilizados en circuitos de RF y microondas:
resonadores compuestos por elementos discretos (RLC)
resonadores distribuidos
resonadores dielctricos.
El resonador RLC, ya sea en topologa serie (RS) o paralelo (RP), est construido
mediante componentes discretos, un condensador de capacidad C, una induc-
tancia de valor L, y una resistencia, R, asociada generalmente a las prdidas de
los dos anteriores. No obstante, en circuitos de microondas no es muy habitual
trabajar con resonadores de componentes discretos debido a las dimensiones
reducidas de la longitud de onda de trabajo, similares o incluso inferiores a
los encapsulados de estos componentes, por lo que se suele recurrir a los re-
sonadores distribuidos, generalmente construidos a base de lneas microstrip
acopladas, acabadas en circuito abierto o en cortocircuito, que resonarn a la
frecuencia que coincida con su longitud elctrica en /4 o en /2. La figura
60 resume varias de las posibilidades de circuitos resonadores serie y paralelo
bsicos, en su versin distribuida y en su versin equivalente mediante com-
ponentes discretos.
Figura 60. Diferentes topologas de circuitos resonantes
DS (distribuido serie) simboliza dos lneas microstrip acopladas una longitud

/4 y a la derecha vemos su equivalente Resonador Serie, RS, implementado
mediante componentes discretos. DP (distribuido paralelo) sera la versin de
resonador distribuido anterior pero terminado en cortocircuito, y a la derecha
vemos su equivalente, resonador paralelo, en componentes discretos, RP.
Otro tipo de resonador tambin muy utilizado en microondas es el que con-

siste en acoplar un resonador dielctrico a una lnea microstrip del circuito os-
cilador, este es el caso del resonador dielctrico, que veremos con ms detalle
en el apartado "Oscilador con resonador dielctrico".
Las topologas ms comunes de osciladores con transistor son, entre otras, las Ved tambin
del oscilador con cristal de cuarzo, el oscilador Colpitts, el oscilador Clapp y
Estas topologas se pueden
el oscilador Hartley. consultar en detalle en el m-
dulo "Realimentacin y oscila-
dores" de la asignatura Tecno-
5.2.1. Anlisis del circuito oscilador loga electrnica.
En un oscilador con transistor, la resistencia negativa de un puerto se crea ter-

minando el transistor con una impedancia, ZT, diseada para llevarlo a una
zona de inestabilidad. El transistor se configura potencialmente inestable con
unos parmetros S determinados, a diferencia de como hacamos con los am-
plificadores, en los que procurbamos que el transistor trabajara en zona in-
condicionalmente estable. Tpicamente, se suelen utilizar transistores FET con
topologas en fuente o puerta comn (emisor o base comn en el caso de tran-

sistores bipolares) que suelen ser potencialmente inestables, a menudo con
realimentacin positiva, con objeto de acentuar la inestabilidad.
La figura 61 muestra el diagrama de bloques del oscilador con transistor.
Figura 61. Diagrama de bloques de oscilador con transistor
Una vez polarizado el transistor en su configuracin, dibujamos el crculo de

estabilidad a la salida en el plano T, y elegimos el coeficiente de reflexin T
para provocar el mayor valor posible de resistencia negativa a la entrada del
transistor. Finalmente, elegimos el valor de la impedancia de carga ZL que se
adapte mejor con la impedancia de entrada del transistor Zin. Sin embargo,
debido a que este anlisis utiliza los parmetros S que solo son vlidos para
pequea seal y en zona lineal, deberemos tener en cuenta que la oscilacin es
un fenmeno de gran seal y la resistencia Rin vara dependiendo del nivel de
seal, en el sentido de volverse menos negativa cuanto mayor es este ltimo.
Entonces deberemos escoger RL para garantizar que:
5.232
de lo contrario la oscilacin cesara.
En la prctica se comprueba que un valor razonable para RL es:
5.233
La parte reactiva de ZL se elige entonces para resonar el circuito:
5.234
Cuando se produce la oscilacin entre la carga y el transistor, simultneamen-

te se producir oscilacin en el puerto de salida, que se puede analizar de la
manera siguiente: para mantener una oscilacin constante en el puerto de en-
trada vimos que deba cumplirse la ecuacin 5.209. Entonces, sustituyendo la

ecuacin 4.18 del mdulo "Amplificadores lineales de microondas" del mate-
rial didctico, donde remplazamos L por T:
5.235
donde viene de la ecuacin 4.107 del mdulo "Amplificadores lineales de

microondas" del material didctico.
Resolviendo ahora para T:
5.236
De la ecuacin 4.19 del mdulo "Amplificadores lineales de microondas" del

material didctico tendremos:
5.237
Lo cual demuestra que la condicin de oscilacin tambin se cumple para la

red de terminacin a la salida del transistor, pues Tout = 1, esto es, Zin = -Zout.
Ejemplo 15
Se pretende disear un oscilador de microondas a la frecuencia de 12 GHz mediante un

transistor MESFET configurado en puerta comn, con una lnea microstrip de 2 mm de
longitud y 150 m de grosor en serie con su terminal de puerta, con objeto de incrementar
su inestabilidad.
Se pide disear una red de terminacin adecuada para una impedancia de 50 y una
red resonadora adecuada.
Los parmetros S del transistor en configuracin de fuente comn son los siguientes:
5.238
Se utiliza para el circuito una placa FR4 de substrato dielctrico con r = 4,8, grosor de
400 m y conductor de cobre de 17 m de grosor.
Solucin
En primer lugar introduciremos los datos aportados de los parmetros S del transistor
en fuente comn para averiguar los parmetros S que resultan al configurarlo en puerta
comn con la lnea microstrip en serie, TL3, segn el esquema de la figura 62. El resultado
de la simulacin del circuito del transistor y la lnea microstrip en su puerta nos da como
resultado los parmetros S siguientes:
5.239
Se aprecia claramente cmo el transistor en puerta comn presenta un parmetro S11

mucho mayor a la configuracin inicial en fuente comn, lo que nos sugiere que la con-
figuracin en puerta comn es mucho ms inestable, siendo favorable para obtener un
oscilador. Tambin se aprecia un incremento considerable del parmetro S12, relacionado
con la realimentacin y la estabilidad.
Ahora, aplicando las ecuaciones del apartado "Crculos de estabilidad" del mdulo "Am-
plificadores lineales de microondas" del material didctico, encontramos el crculo de
estabilidad del transistor en esta configuracin, segn se aprecia en la figura 63:
5.240
5.241
donde:
5.242
Dado que |S11| = 1,743 > 1 significa que la regin estable es la interna al crculo calculado
(ver en amarillo en la figura 63). Por lo tanto, si queremos que el circuito oscile deberemos
escoger un valor de T exterior al crculo de estabilidad, existiendo un amplio grado de
libertad en esta eleccin. No obstante, uno de los objetivos en el diseo de osciladores
con transistor es conseguir una resistencia negativa lo ms grande posible, por lo que
ser mejor escoger un valor de T en la zona del lado opuesto del crculo de estabilidad
dentro de la carta de Smith.
Una posible solucin sera elegir el valor:
5.243
segn se indica en la figura 63. Entonces, mediante una carga de 50 y una simple red
de adaptacin como la de la figura 62, consistente en un stub en circuito abierto, TL4, de
3,6 mm de longitud seguido de una lnea de transmisin, TL2, de 5,1 mm de longitud
y, siendo ambas lneas de impedancia caracterstica de 50 , esto es, de una anchura
adecuada de 750 m, conseguimos fabricar el coeficiente de reflexin T deseado, que se
corresponde con una impedancia ZT = 3,5 j 26,5 .
Figura 62. Esquema del oscilador con transistor MESFET configurado en puerta comn
Finalmente, calculamos el coeficiente de reflexin a la entrada, in, segn las ecuaciones

vistas en el apartado "Ganancia de amplificadores" del mdulo "Amplificadores lineales
de microondas" del material didctico:
5.244
5.245
5.246
Obtenemos pues, una impedancia de valor real negativo, como es necesario para un os-
cilador. Ahora, segn la ecuacin 5.233, debemos tomar un tercio de la parte real de la
impedancia calculada, para asegurar la oscilacin:
5.247
Y la parte imaginaria la tomamos segn 5.234:
5.248
La manera ms sencilla de conseguir este resonador es, por ejemplo, mediante una carga
de 225 y una simple lnea, TL1, de anchura 1,6 mm y longitud 1,81 mm, segn se
puede ver en las figuras 62 y 63. Con esto, quedara finalizado el diseo del oscilador
con transistor.
Figura 63. Carta Smith con los puntos ms

representativos del diseo del oscilador. La zona
amarilla indica la zona estable
5.2.2. Oscilador con resonador dielctrico
En el diseo de osciladores uno de los principales objetivos del diseo ser

encontrar resonadores con factores de calidad, Q, muy elevados, pues por l-
gica esta caracterstica los hace ms estables y menos ruidosos. Cuanto ms
estrecha sea la respuesta en frecuencia del resonador, ms pura y ms estable
ser la portadora generada por el oscilador. En el caso de resonadores mediante
componentes discretos o mediante componentes distribuidos (lneas micros-
trip), estn limitados tpicamente a un factor de calidad de varias centenas co-
mo mucho.
Por otro lado, usar cavidades resonantes de guas de ondas, si bien obtienen
con facilidad valores de Q muy elevados, por encima de 104, no es nada indi-
cado para ser integradas en circuitos miniaturizados de microondas. Adems,
estas cavidades se ven muy afectadas por los cambios de temperatura, que pro-
vocan cambios en sus dimensiones por dilatacin o contraccin y consecuen-
temente variaciones importantes de la frecuencia de resonancia.
La cavidad resonadora dielctrica soluciona la mayor parte de estas limitacio-

nes. Pueden alcanzar valores de factor de calidad, Q, de varios miles, es de re-
ducido tamao y fcilmente integrable en circuitera plana o microstrip y es-
t compuesta de material cermico, altamente estable en temperatura. Por es-
tos motivos los osciladores con resonador dielctrico, DRO, se han convertido
en uno de los ms utilizados en circuitos de microondas durante los ltimos
tiempos.
Normalmente, el resonador dielctrico se acopla al circuito oscilador simple-

mente posicionndolo cerca de una lnea microstrip, a una cierta distancia,
d, que determina la intensidad del acoplamiento y el resonador opera en el
modo TE10, acoplndose magnticamente a la lnea microstrip, por lo que el
resonador aparece como una carga en serie a la lnea. El resonador se puede
modelizar por un circuito equivalente RLC paralelo y el acoplamiento por un
transformador de relacin 1:N, segn se aprecia en la figura 64.
Utilizando la expresin para la impedancia de un circuito resonador RLC pa-

ralelo:
5.249
Tendremos que la impedancia equivalente serie, Z, vista por la lnea microstrip

ser:
5.250
donde hemos incluido el efecto del acoplamiento por su equivalente transfor-

mador 1:N, y Qp es el factor de calidad de resonador paralelo sin carga:
5.251
y la desviacin de frecuencia relativa segn vimos en la ecuacin 5.231.
La frecuencia de resonancia se obtiene segn vimos en la ecuacin 5.222.

Figura 64. Resonador dielctrico. a) Geometra. b) Circuito equivalente
El factor de acoplamiento, g, entre el resonador dielctrico, DR, y la lnea de

transmisin, TL, es la relacin entre el factor de calidad sin carga Qp y el factor
de calidad externo, visto desde la lnea, Qe:
5.252
donde RL = 2Z0 es la resistencia de carga para una lnea con resistencia de fuen-
te y de terminacin de valor Z0. Muchas veces la lnea de transmisin micros-
trip est terminada con un circuito abierto a /4 del resonador, con objeto de
maximizar el acoplamiento magntico. En ese caso RL = Z0 y g toma el valor
doble al de la ecuacin 5.252.
El coeficiente de reflexin visto en la lnea microstrip terminada mirando hacia

el resonador es:
5.253
de donde es muy fcil deducir el factor de acoplamiento, g, simplemente mi-

diendo el coeficiente de reflexin, , a la frecuencia de resonancia.
Existen mltiples configuraciones posibles para construir este tipo de oscila-

dores, ya sea con transistor FET o bipolar, en emisor comn o en base comn,
adems del uso opcional de realimentaciones serie o paralelo para incremen-
tar la inestabilidad. El resonador dielctrico, a su vez, se puede integrar en el
circuito con mltiples topologas, para estabilizar la oscilacin a su frecuencia
de resonancia, las ms comunes podemos verlas en la figura 65.
Figura 65. Topologas de oscilador con resonador dielctrico
La topologa de la derecha (c) corresponde a la configuracin de realimenta-

cin en paralelo, y consiste en un resonador ubicado entre dos lneas micros-
trip, funcionando como un filtro paso-banda de alto factor de calidad, acoplan-
do una parte de la seal de salida a la entrada del transistor. El acoplamiento
se controla mediante la separacin entre el resonador y las lneas, mientras
que la fase se controla mediante la longitud de las lneas. La configuracin de
realimentacin serie de la izquierda (a), es ms simple, utilizando una nica
lnea microstrip, pero normalmente no se obtiene un rango de sintonizacin
tan amplio como el que se consigue con la configuracin en paralelo. Se puede
tambin optar por topologas mixtas como la propuesta en (b).
Ejemplo 16
Se pide disear un resonador dielctrico a 5,8 GHz en estructura de realimentacin serie,

tal como se muestra en la figura 66, mediante un transistor bipolar BJT que presenta los
parmetros S siguientes:
5.254
Determinar el coeficiente de acoplamiento requerido por el resonador dielctrico ubicado

a una distancia de /4 del circuito abierto de la lnea microstrip, y disear una red de
adaptacin microstrip para el circuito de terminacin, el cual debe incluir la impedancia
de carga de salida. Considerar que se utiliza para el circuito una placa FR4 de substrato
dielctrico con r = 4,8, grosor de 400 m y conductor de cobre de 17 m de grosor.
Solucin
Lo primero que observamos en este ejemplo es que, a diferencia del anterior, la impedan-
cia de carga Z0 forma parte de la red de terminacin T a la salida.
Si bien nos podemos apoyar en los crculos de estabilidad del transistor, para disear este
oscilador bastar con escoger un valor de L que asegure un valor elevado de out. De la
ecuacin 5.237 tenemos que:
5.255
Segn esta ecuacin es posible maximizar out haciendo que 1 S11L se acerque al valor
nulo. Entonces, podemos escoger por ejemplo L = |0,64|-100, de manera que obtenemos:
5.256
El coeficiente de reflexin obtenido se corresponde con una impedancia de valor:
5.257
5.258
Vemos que con este diseo, efectivamente, obtenemos una resistencia negativa.
Aplicando la condicin de arranque de oscilacin segn la ecuacin 5.233 y 5.234:
5.259
5.260
Figura 66. Ejemplo de oscilador con resonador dielctrico
Ahora no queda ms que calcular una red de adaptacin para que la carga Z0 presente
esta impedancia ZT. Una posible solucin es la propuesta en la figura 66, que consiste
en utilizar una lnea de transmisin microstrip TL3 con una longitud de 2,2 mm, esto es,
0,08 , y una lnea de transmisin microstrip TL4 terminada en circuito abierto (stub) de
longitud 3,95 mm, es decir, 0,14 , ambas diseadas con impedancia caracterstica de 50
, que, para el substrato utilizado, implica un grosor de la lnea de 750 m.
Finalmente, debemos adaptar L a la red resonadora. De la ecuacin 5.250 sabemos que la

impedancia equivalente del resonador vista desde la lnea microstrip es real a la frecuencia
de resonancia, por lo que el coeficiente de reflexin en ese punto, 'L, debe presentar
una fase nula o bien 180. Para un circuito resonante RLC paralelo acoplado, R < Z0, por
lo que la fase deber ser 180. Esto se puede conseguir fcilmente mediante la lnea de
transmisin microstrip TL2, que se disea para que presente una impedancia caracterstica
Z0 = 50 , de manera que el mdulo del coeficiente de reflexin permanecer constante
y tan solo ir variando la fase:
5.261
lo que nos da una longitud, lt, de la lnea TL2 de 10,7 mm, es decir, 0,389 .
Por lo que la impedancia equivalente del resonador dielctrico a la frecuencia de reso-

nancia es:
5.262
Para terminar, haciendo uso de la ecuacin 5.252 incrementada un factor de 2, por ter-
minar en un stub en /4, podemos calcular el coeficiente de acoplamiento, g:
5.263
5.3. Caracterizacin de osciladores
Para terminar este apartado vamos a enumerar y describir las principales figu-
ras de mrito que caracterizan a un oscilador.
Un oscilador de microondas no es ms que un sistema que transforma una

energa de alimentacin continua en una seal sinusoidal de microondas. Es-
ta seal es, idealmente, una lnea espectral de anchura nula (delta) y energa
constante y de valor finito, conocida como harmnicofundamental del os-
cilador. Sin embargo, las implementaciones reales producen lneas espectrales

con una cierta anchura de banda en las que se producen fluctuaciones aleato-
rias tanto de amplitud como de fase, y aparecen multitud de seales harm-
nicas y subharmnicas del fundamental, generadas por la caracterstica no li-
neal del oscilador.
Veamos entonces cules son los parmetros definidos para poder evaluar y
comparar las prestaciones de un oscilador respecto a otros:
1)Frecuenciafundamental
Este es obviamente el parmetro principal de un oscilador: su frecuencia fun-

damental de funcionamiento. De ella depende la tecnologa que habr que
utilizar en el diseo y gran parte de la topologa de circuito. Deberemos se-
leccionar dispositivos no lineales capaces de trabajar a esta frecuencia y los
componentes de la realimentacin, adaptacin y, sobre todo, el circuito reso-
nador, tambin debern tener un comportamiento correcto en la frecuencia
de trabajo. Dado que la regin de las microondas cubre rangos de frecuencia
muy elevados, una parte importante del diseo ser encontrar y seleccionar
los componentes y tecnologa capaces de trabajar a tan elevada frecuencia.
La medida de este parmetro con precisin requiere de sofisticados instrumen-

tos que, a su vez, incorporen osciladores de elevadas prestaciones que intro-
duzcan el mnimo error e incertidumbre en la medida, generalmente suele
ser de unas decenas de Hz a frecuencias de microondas.
2)Potenciadesalida
Una vez definida la frecuencia de operacin, el siguiente parmetro ms im-

portante que hay que tener en cuenta en el diseo de un oscilador es el del ni-
vel de potencia que el dispositivo es capaz de entregar a la carga. Obviamente,
de nada nos sirve disear un oscilador si luego no podemos obtener un nivel
de seal aceptable para que el sistema pueda funcionar correctamente. Este
parmetro se suele especificar para una impedancia de carga ptima determi-
nada, por lo que deberemos tenerlo en cuenta a la hora de integrar el oscilador
en un circuito. La medida de este parmetro con precisin requiere tambin
de sofisticada instrumentacin con detectores de precisin, y es inevitable un
cierto margen de incertidumbre de aproximadamente 1 dB.
3)Rendimiento
Este parmetro, , nos da una medida de la relacin directa entre la potencia

de seal de microondas a la frecuencia fundamental entregada a una carga,
P, y la potencia de alimentacin continua suministrada al oscilador, PDC. La
diferencia entre estos dos valores ser la potencia que se pierde en forma de
seales a otros harmnicos generados por la no linealidad del oscilador y la
potencia debida a las prdidas del dispositivo:
5.264
4)Impedanciadecargaptima
Ya hemos visto que al disear osciladores estos obtienen el mximo rendi-

miento de potencia entregada para un valor de carga determinado, que en
osciladores de estado slido suele ser de un valor bajo, en general inferior a
los 50 de impedancia estandarizada de referencia en microondas. Si bien los
fabricantes suelen incorporar redes de adaptacin para que esta impedancia
sea 50 , es importante tener en cuenta este parmetro a la hora de integrar
el oscilador en un sistema de microondas.
5)Niveldeharmnicos
Este parmetro mide la calidad de la frecuencia generada por el oscilador, en

trminos del nivel de harmnicos de la frecuencia fundamental que podemos
encontrarnos tambin a su salida, inevitables debido a la naturaleza no lineal
del dispositivo. Se expresa en dBc, siendo la medida relativa entre el nivel de
potencia del harmnico fundamental o carrier, P, y el nivel de potencia del
harmnico de mayor nivel presente a la salida del oscilador, Ph. Suele especi-
ficarse tambin cul es este harmnico, generalmente el 2 o 3. Valores habi-
tuales suelen estar alrededor de 20 dBc. Lgicamente, intentaremos utilizar un
oscilador con el mximo valor posible de este parmetro, dependiendo tam-
bin de la afectacin que la presencia de harmnicos pueda tener en nuestro
sistema:
5.265
6)Niveldeespurios
Es un parmetro parecido al anterior, pero ahora se consideran los espurios

generados que no son harmnicos directos de la frecuencia fundamental. Se
identifica el de mayor valor y se expresa como antes en dBc, es decir, la relacin
entre la potencia del harmnico fundamental y la potencia del espurio con
mayor nivel. Suelen ser valores de entorno a 80 dBc.
7)Estabilidadeneltiempo
La estabilidad es un parmetro que trata de medir las desviaciones que se pro-

ducen en un oscilador real de su frecuencia fundamental respecto al valor no-
minal especificado.
En un oscilador podemos distinguir dos grandes grupos de inestabilidad en la

frecuencia generada. Por un lado tenemos la estabilidadalargoplazo, debida
al proceso de envejecimiento progresivo de los componentes que integran el
oscilador, que provocarn cambios en sus caractersticas y por tanto, cambios
en la frecuencia generada; mientras que por otro lado, tendremos la estabi-
lidad a corto plazo, que es aquella que se produce en un corto espacio de
tiempo, de pocos segundos, y que es debida a la influencia de seales externas
determinsticas o a fuentes de ruido internas o externas de origen aleatorio.
La estabilidad en el tiempo trata de dar una medida de las variaciones que

el oscilador puede experimentar a largo plazo, y se suele expresar en ppm,
esto es, partes por milln. 1ppm significa que la desviacin en la frecuencia
nominal de un oscilador puede variar 1 Hz por cada 106 Hz de la frecuencia de
su harmnico fundamental. Es decir, la variacin de la frecuencia fundamental
respecto a su valor nominal se puede calcular de la manera siguiente:
5.266
Ejemplo 17
Un oscilador se especifica a una frecuencia fundamental de 6 GHz y una estabilidad en

el tiempo de 10 ppm. Calcular qu margen de frecuencias podemos esperar de l.
Solucin
Pasamos primero la frecuencia fundamental a MHz, esto es, mltiplo de 106 Hz:
5.267
Ahora podemos calcular la variacin de frecuencia f:
5.268
Dado que la variacin de frecuencia puede ser tanto positiva como negativa, tendremos
que el margen inferior, fmn, de la frecuencia fundamental ser:
5.269
Y el margen superior:
5.270
8)Estabilidadentemperatura
Normalmente, suelen diferenciarse los cambios en la frecuencia fundamental

debidos a cambios en la temperatura de los debidos al envejecimiento de sus
componentes. La estabilidad en temperatura tambin formara parte de los
factores de estabilidad a largo plazo, pero en intervalos de tiempo mucho ms
cortos, del orden de horas, que los considerados en el envejecimiento, en los
que estaramos hablando de aos. Se expresan tambin en ppm.
9)Estabilidaddecarga
Adems de la estabilidad a largo y a corto plazo, puede existir una variacin

en la frecuencia nominal debida a la utilizacin de impedancias de carga dife-
rentes a la ptima, que afectan al comportamiento del circuito oscilador en su
conjunto, principalmente al factor de calidad, Q, del circuito resonante. Este
parmetro es conocido con el nombre ingls de pulling y suele especificarse
tambin en ppm, para un determinado margen de impedancias o prdidas de
retorno admitidas para su funcionamiento.
10)Estabilidaddealimentacin
Las fluctuaciones en la tensin de alimentacin pueden modificar ligeramente

el punto de trabajo del dispositivo activo que forma parte del oscilador, pro-
vocando una variacin en sus caractersticas no lineales y, por consiguiente,
pudiendo afectar al harmnico fundamental generado. Estas variaciones en la
frecuencia fundamental se miden en ppm/Volt, y significan los Hz respecto a
cada MHz que la frecuencia fundamental puede desviarse respecto a su valor
nominal por cada voltio de variacin en la tensin de alimentacin. Este pa-
rmetro se suele nombrar bajo su acepcin inglesa, pushing.
Finalmente, tratamos de manera ms extensa la figura de mrito del ruido,

debido a la importancia de este parmetro en un oscilador.
5.3.1. Ruido en osciladores
El ruido presente a la salida del oscilador puede verse como la estabilidad a

corto plazo de la frecuencia fundamental debida a variaciones aleatorias en las
caractersticas de sus componentes de origen trmico.
La seal de salida de un oscilador es un fasor que puede considerarse como

la suma de un fasor del harmnico principal (portadora), que es puro y libre
de ruido, ms un fasor resultante de ruido aleatorio. La figura 67 muestra este
concepto de suma de fasores.
Cuando la componente de ruido es paralela a la de la portadora, el vector

suma solo altera la amplitud de la seal de oscilacin, resultando en un ruido
AM. Si la componente de ruido es perpendicular a la de la portadora, entonces
tendremos ruido de fase, es decir, ruido PM. En general, en los osciladores
reales generalmente predomina el ruido de fase respecto al de AM debido al
efecto limitador de la propia naturaleza del circuito, que tiende a mantener
estable el nivel de la seal generada.
El ruido de fase es muy importante a tener en cuenta en un oscilador, dado que

va a afectar a las caractersticas de nuestro sistema. Este ruido aparece en forma
de bandas laterales con un espectro continuo en frecuencia alrededor de la
frecuencia nominal de oscilacin. En sistemas de transmisin con modulacin
de fase, este ruido va a degradar la reconstruccin de la seal en el receptor,

incrementndose la tasa de error de bit, imponiendo de esta manera un lmite
en el flujo de datos que pueden ser transmitidos de forma fiable. La figura 67
ilustra este fenmeno.
Figura 67. Fasor resultante de la portadora ms el ruido
Podemos ver cmo una seal til, representada por su fasor en mdulo y fase
A1, es modificada por un fasor de ruido aleatorio, tanto en amplitud como en
fase, Nn, resultando en una seal cuyo fasor, B2, tiene una amplitud modifi-
cada respecto a la seal til y una fase tambin modificada en una cantidad .
En comunicaciones multicanal, el receptor transferir las bandas laterales de

este ruido de un canal al adyacente al convertirlos a frecuencia intermedia, re-
sultando en problemas de interferencia y limitando el espaciado entre canales.
En radares doppler o FMCW, que miden la variacin de frecuencia entre la seal

emitida y la recibida, el ruido de fase limita la resolucin y la sensibilidad del
sistema radar.
El ruidodefase a una distancia en frecuencia dada respecto a la fre-

cuencia nominal de la portadora se mide como el valor de la densidad
espectral de energa en una ventana de 1 Hz de ancho de banda.
Las unidades de medida habituales para el ruido de fase son dBc/Hz, represen-
tando la densidad espectral referida al nivel de potencia a la frecuencia de la
portadora. Dado que midiendo con un analizador de espectros el nivel depen-
de del ancho de banda de resolucin del detector, el valor medido debe nor-
malizarse a 1 Hz con objeto de obtener una medida estimativa consistente de
ruido de fase. De este modo, el ruido de fase se calcula as:
5.271
donde:
N es el nivel de potencia de ruido en un ancho de banda de 1 Hz medido

a una distancia de fm Hz desde la frecuencia nominal de la portadora.
C es el nivel de potencia de la portadora.
L(fm) es la medida de ruido de fase reconocida por el United States National

Bureau of Standards, y es tambin la ms reconocida forma de expresarlo
internacionalmente, dado que es la ms intuitiva.
Asumiendo fluctuaciones de fase dbiles, para demostrar que L(fm) puede re- Lectura recomendada
lacionarse con la desviacindepicodefase i, y con la densidadespectral
D.B.Leeson (1966, febrero).
depotenciadelasfluctuacionesdefase, S(fm) mediante la ecuacin: "A simple model of feedback
oscillator noise spectrum".
Proceedings of the IEEE (pgs.
329-330).
5.272
Considerando el oscilador como un amplificador con realimentacin tal como

en la figura 59 pero con solo Z3, D. B. Leeson estudi el ruido de fase en esta
estructura circuital y dedujo que el ruido de fase definido con 1 Hz de ancho
de banda a una distancia en frecuencia fm desde la portadora, produce una
desviacin de fase segn la ecuacin:
5.273
donde Vn es la tensin de ruido y Vc la tensin de la seal portadora, las cua-

les estn relacionadas con la potencia de ruido y la potencia de la portadora,
resultando:
5.274
de donde F es la figura de ruido del amplificador, K es la constante de Boltz- Ved tambin

mann y T es la temperatura de operacin.
Existe un anlisis sobre el sig-
nificado de estas variables en
En estas condiciones, la densidad espectral de ruido de fase a la entrada del el apartado "Figuras de mrito
de amplificadores" del "Anexo"
amplificador es: del material didctico.
5.275
Empricamente, se observa que el ruido de fase en frecuencias prximas a la

portadora describe una densidad espectral proporcional a 1/f, por lo que es
posible caracterizarla como un modulador de fase conectado a la entrada del
amplificador. Entonces, la densidad espectral a la entrada ser:
5.276
Considerando la caracterstica paso-banda de la respuesta en frecuencia del

resonador, la respuesta en lazo cerrado del oscilador completo ser:
5.277
Resultando en un ruido de fase dado por la expresin:
5.278
Esta expresin muestra las diferentes regiones del espectro de la seal del os-
cilador asociadas con la relacin 1/f y el ruido blanco y su suelo, que se corres-
ponde con una frecuencia lejana a la portadora. El papel relevante que juega
el factor de calidad Q en la mejora del ruido de fase tambin puede verse re-
flejado.
La figura 68 muestra, a la izquierda (a), el espectro medido de la seal a la salida

de un oscilador, donde se observa claramente que no es un harmnico ideal
(que sera el caso de la delta dibujada en rojo), sino que tiene un cierto ancho
de banda debido al ruido de fase. A la derecha (b) se observa la caracterstica
tpica del ruido de fase de un oscilador de microondas en banda base, donde
se puede apreciar el llamado Flicker corner, FC, que es el punto en el que la
tendencia deja de decrecer segn f1 y se estabiliza a un cierto nivel.
Figura 68. a) Espectro de seal a la salida de un oscilador. b) Respuesta del ruido en banda
base
6. Multiplicadores de frecuencia
El presente apartado analiza uno de los principales mtodos para generar se-
ales de microondas de alta frecuencia, como es el de los dispositivos mul-
tiplicadores de frecuencia. Se trata de dispositivos avanzados de microondas
que tratan de aprovechar la caracterstica no lineal de un dispositivo bsico,
ya sea un diodo o un transistor, para que al aplicarle una seal a su entrada
obtengamos harmnicos a ms alta frecuencia a su salida. Mediante esta estra-
tegia conseguiremos generar seales de alta frecuencia con una buena calidad
a partir de fuentes de seal a ms baja frecuencia, las cuales son mucho ms
simples de disear, estables, fiables y econmicas que a frecuencias elevadas.
Empezaremos enumerando diferentes mtodos de generacin de seales de

microondas para pasar a analizar el caso de los multiplicadores de frecuencia.
Estos pueden mejorar sus prestaciones a base de manipular adecuadamente las
formas de onda de la seal generadora de base. A continuacin se hace un re-
paso de las principales figuras de mrito que caracterizan a los multiplicadores
de frecuencia. Luego se pasa a analizar los multiplicadores simples mediante
diodo varistor o varactor, para ms tarde abordar, a nivel cualitativo, los mul-
tiplicadores activos mediante transistor FET y, en concreto, los casos de dobla-
dor y triplicador de frecuencia as como el multiplicador activo equilibrado.
6.1. Mtodos para la generacin de seal de microondas
Existen varias estrategias o mtodos para generar una seal de microondas:
1)Generacindirectadeseal
El principal mtodo en radiofrecuencia es disear directamente un oscilador a

la frecuencia fundamental de trabajo. El oscilador bsicamente consta, como
ya se ha visto en el apartado "Osciladores de microondas", de un componente
activo funcionando en zona inestable y un circuito resonador que lo estabiliza
a una frecuencia determinada. Sin embargo, a frecuencias elevadas de micro-
ondas topamos con varios problemas. Por un lado, los dispositivos activos son
limitados en frecuencia. Si bien la tecnologa avanza y es posible encontrar
transistores que cada vez tienen mayor frecuencia de transicin, siempre habr
un lmite difcil de superar. Por otro lado, los circuitos resonantes empiezan
a tener efectos parsitos y dificultades para conseguir buena precisin cuanto
mayor es la frecuencia de resonancia, debido principalmente a las reducidas
dimensiones a las que obliga la longitud de onda fundamental.
2)Mezcladoressubharmnicos
Ya hemos visto en el apartado "El mezclador" en qu consisten estos disposi-

tivos. Bsicamente consiguen que, en una aplicacin con mezclador, no sea
necesario aplicar una seal de oscilador local de frecuencia fundamental f0,
sino que basta con aplicar una seal de frecuencia f0/n. Con ello conseguimos
trabajar a altas frecuencias utilizando fuentes de generacin de seal de ms
baja frecuencia.
3)Mezcladorcomoupconverter
Esta es otra posible estrategia para conseguir generar una seal de alta frecuen-
cia con fuentes generadoras de ms baja frecuencia. Utilizando el mezclador
como conversor de frecuencia hacia arriba, podemos utilizar dos seales de
baja frecuencia que, inyectadas a los puertos IF y LO, se mezclan para generar
a la salida RF una seal cuya frecuencia es la suma de ambas. No obstante,
deberemos asegurar que el diseo del mezclador sea muy lineal para evitar in-
termodulaciones, sobre todo en aplicaciones de banda ancha donde coexisten
varios canales adyacentes. Adems, habr que controlar los niveles de seal de
LO para asegurar un funcionamiento homogneo y tambin ser importante
que el mezclador tenga un buen aislamiento entre puertos para evitar estas
intermodulaciones. El nivel de LO, no obstante, debe ser moderado, pues si
no es suficientemente elevado el nivel de compresin disminuye y con l se
degrada la deseada linealidad del dispositivo.
4)Multiplicadoresdefrecuencia
Suele ser la estrategia ms utilizada en la generacin de seal de microondas.

Los multiplicadores de frecuencia siempre sern una alternativa vlida para la
generacin de seales a las frecuencias ms altas.
La figura 69 muestra el diagrama de bloques bsico de un multiplicador de

frecuencia genrico.
Figura 69. Diagrama de bloques de circuito multiplicador de frecuencia
En l distinguimos un primer bloque consistente en un filtro paso-bajo, LPF,

que elimina cualquier harmnico de una seal de entrada a la frecuencia fun-
damental fin. Esta seal pasa por el dispositivo no lineal, NL, diseado para que
se generen harmnicos de esta, optimizando tan solo uno de ellos en concreto
que, sin embargo, seleccionamos adems con un filtro paso-banda, BPF, para
discriminar todava ms cualquier otro harmnico a la salida que no sea de
nuestro inters, obtenindose nicamente el harmnico, deseado:
5.279
donde n se conoce como factordemultiplicacin.
Se necesita un dispositivo, NL, que tenga una caracterstica I-V (corriente-ten-

sin) o C-V (capacidad-tensin) nolineal con objeto de poder generar har-
mnicos de mayor orden. Normalmente, cuando se desee un multiplicador de
banda ancha se utilizar una caracterstica I-V no lineal, pero cuando sea ms
importante la eficiencia se optar por una caracterstica C-V no lineal.
El principal inconveniente del multiplicador de frecuencia es que, aun en el

caso de que se tratara de un dispositivo ideal que no introduce ruido, el proceso
de multiplicacin inherentemente hace incrementar de forma inevitable el
ruido de fase de la seal a la salida, debido a que el multiplicador de frecuencia
es, en realidad, un multiplicador de fase, por lo que cualquier desviacin de
fase de la seal de baja frecuencia, fin, se ver incrementada n veces en la seal
a la salida.
La mnima degradacin en la relacin portadora a ruido, CNR, causada por un

multiplicador ideal es:
5.280
siendo n el factor de multiplicacin.
Esto significa que un multiplicador doblador de frecuencia degrada la CNR de

la seal a su entrada en 6 dB como mnimo, o uno con factor de multiplicacin
n = 4 degrada la CNR en 12 dB como mnimo.
No obstante, en la prctica, una fuente de seal de baja frecuencia, fin, que sea
muy estable todava puede producir seales de microondas con mejor ruido de
fase que producindolas directamente con un oscilador a la frecuencia n*fin.
Ejemplo 18
Comparar el ruido de fase de una seal a 2,4 GHz generada a partir de un oscilador a cristal
muy estable de 10 MHz con un ruido de fase de 170 dBc/Hz @ 100 KHz del centro de
la portadora con el de una seal generada directamente con un oscilador con resonador
LC diseado a 2,4 GHz.
Solucin
El factor de multiplicacin ser:
5.281
Segn la ecuacin 5.280, el incremento en ruido de fase ser:
5.282
Por tanto, el ruido de fase de la seal de salida ser:
5.283
Si lo comparamos con un oscilador con resonador LC a 2,4 GHz, este tiene un ruido de
fase tpico de 100 dBc/Hz @100 KHz, lo que significa que est 22 dB por encima del
ruido de fase conseguido con el multiplicador. Por lo tanto, la tcnica del multiplicador
de frecuencia es vlida para obtener seales de microondas con un buen nivel de ruido
de fase.
6.2. Formas de onda
Cualquier forma de onda distinta a una sinusoide que se repita indefinida-

mente contiene energa en los harmnicos de su frecuencia fundamental.
Segn este principio, podemos optimizar el factor de multiplicacin mediante

la forma de onda. Atendiendo a la forma de las seales de la figura 70, tendre-
mos los coeficientes siguientes en los harmnicos de sus respectivos desarro-
llos en serie de Fourier:
1)
5.284
2)
5.285
3)
5.286
4)
5.287
Observamos los siguientes detalles:
Las formas de onda con cambios bruscos tienen mayor nivel de harmni-
cos de alta frecuencia.
Los harmnicos de las formas de onda sin cambios bruscos tienen n en

2
el denominador, mientras las que s tienen cambios bruscos tienen n en

el denominador.
Figura 70. Formas de onda. a) Seal cuadrada con ciclo de trabajo /T. b) Seal triangular. c)
Sinusoidal rectificada. d) Rampa
La seal triangular (b) solo tiene harmnicos impares, mientras que la se-
al sinusoidal rectificada (c) solo tiene harmnicos pares.
El ciclo de trabajo, /T, del tren de pulsos determina los harmnicos que
sern predominantes. La seal cuadrada (a) puede verse como la convo-
lucin de un pulso de amplitud A y de duracin con un tren de deltas
separadas un tiempo T:
5.288
La transformada de Fourier de un pulso de duracin es una sinc:
5.289
Por tanto, la transformada de Fourier del tren de pulsos ser:
5.290
Teniendo en cuenta que:
5.291
los coeficientes de cada harmnico tendrn este valor:
5.292
La figura 71 muestra el tren de pulsos en el dominio temporal (a) y en el do-

minio de la frecuencia (b). Se observa que los nulos de la funcin sinc se pue-
den controlar mediante la duracin del pulso . Jugando con este parmetro se
pueden anular ciertos harmnicos a voluntad. La amplitud de los harmnicos
tambin se puede controlar de la misma manera.
Figura 71. Tren de pulsos y su espectro en funcin de yT
Ejemplo 19
Determinar el ciclo de trabajo, /T, necesario para que una seal en forma de tren de
pulsos tenga un espectro sin harmnicos pares. Lo mismo para que no tenga harmnicos
impares. Cul es el ciclo de trabajo aproximado de la seal de la figura 71?
Solucin
Segn puede observarse en la figura 71 y de la ecuacin 5.292, deducimos que los nulos
de la funcin sinc se producen cuando:
5.293
siendo n y k nmeros enteros.
Entonces, el primer nulo ser para k = 1. En estas condiciones deber cumplirse:
5.294
5.295
Si queremos eliminar los harmnicos pares, el primero de ellos, n = 2, deber coincidir

con el primer nulo de la funcin sinc:
5.296
Por tanto el ciclo de trabajo debe ser del 50%.
Si queremos eliminar los harmnicos impares, el primero de ellos, n = 3, deber coincidir

con el primer nulo de la funcin sinc:
5.297
Por tanto el ciclo de trabajo debe ser del 33%.
Finalmente, de la figura 71 se deduce que el primer nulo de la funcin sinc se sita en n =

3,3 aproximadamente. Por tanto, el ciclo de trabajo del tren de pulsos debe ser del 30%.
6.3. Figuras de mrito de un multiplicador de frecuencia
Antes de entrar a analizar circuitos bsicos multiplicadores de frecuencia, es

conveniente detenerse para hacer un repaso de las principales figuras de mrito
que caracterizan estos dispositivos. Con objeto de comparar una estructura
multiplicadora con otra, habr que analizar qu caractersticas son mejores y

cules son peores para cada una de ellas. Veamos, pues, una descripcin de
las ms importantes.
1)Prdidasdeconversin
Este parmetro es una medida de la eficiencia del multiplicador y nos permite

valorar la energa que necesitaremos para generar el harmnico deseado y la
que se va a perder.
Se define como prdidasdeconversin a la relacin entre el nivel de

potencia de seal al harmnico deseado entregado a la carga a la salida,
PhL, y el nivel de potencia disponible de la fuente de la entrada, Pinav.
5.298
Este parmetro tambin se conoce como eficienciadeconversin, cuando la

relacin de potencias es a la inversa y se calcula en lineal y se da en porcentaje
o tanto por ciento, en lugar de dB.
El objetivo en el diseo de multiplicadores de frecuencia ser el de obtener las

mnimas prdidas de conversin posibles, de lo contrario, la mayor parte de
la potencia inyectada a la entrada se disipar en el dispositivo.
2)Potenciamximaalaentrada,Pin
La mxima potencia a la entrada del multiplicador estar limitada por el dis-

positivo o dispositivos no lineales que lo conforman y debe especificarse cla-
ramente.
3)Impedanciasdefuenteydecarga,ZSyZL
Una de las condiciones para tener las mnimas prdidas de conversin posibles
es que debe proveerse al diodo o transistor del multiplicador con las impedan-
cias ptimas de fuente y de carga. En caso de no poder cumplir con este requi-
sito, debern disearse las respectivas redes de adaptacin para conseguirlo a
las frecuencias de trabajo tambin respectivas de la entrada y de la salida.
4)Anchodebanda,BW
El ancho de banda es el rango de frecuencias a la entrada o a la salida en que

las prdidas de conversin estn dentro de los lmites especificados.
5)Harmnicos
Adems del o de los harmnicos deseados, el multiplicador generar otra serie

de harmnicos indeseados, que pueden afectar seriamente al funcionamiento
correcto del sistema en que el multiplicador est inmerso.
6)Conversinderuido
Los multiplicadores de frecuencia aaden su propio ruido al sistema y debe

tenerse en cuenta para predecir el espectro de ruido resultante a la salida.
7)Conversinderuidodefase
Todo multiplicador de frecuencia incrementa el ruido de fase por el mismo

factor, n, por el que est multiplicando, debido a que son multiplicadas tanto
la frecuencia como la fase. El valor en dB ya lo hemos visto en la ecuacin
5.280.
8)Eficienciaenergtica
Este parmetro mide la relacin entre la potencia de microondas entregada a

la carga y la potencia en continua de alimentacin del circuito, en el caso de
multiplicador activo.
Adems de estas figuras de mrito, como cualquier otro dispositivo de micro-

ondas, habr otros parmetros a tener en cuenta, como la resistencia trmica,
los efectos parsitos del encapsulado, margen de temperaturas de funciona-
miento, etc.
6.4. Multiplicadores de frecuencia con diodos
Vamos a describir en este apartado diferentes estructuras multiplicadoras im-

plementadas mediante un diodo como dispositivo bsico no lineal. Bsica-
mente, existen dos tipos principales de multiplicadores con diodos: los que
utilizan un varistor y los que utilizan un varactor.
6.4.1. Multiplicador simple con varistor
El multiplicador simple con varistor utiliza la caracterstica I-V no lineal de un

diodo, generalmente del tipo Schottky, para distorsionar una seal sinusoidal
a su entrada y generar de este modo harmnicos a frecuencias superiores a su
salida.
Se trata, por tanto, de un multiplicador basado en una resistencia no lineal,

por lo que se va a caracterizar por dos propiedades fundamentales:
1)Bajaeficiencia: El hecho de ser resistivo implica que parte de la potencia de

seal aplicada a la entrada se disipar en el diodo. Un doblador ideal presenta 6
dB de prdidas de conversin (debido a n2 del denominador segn la ecuacin
5.286), aunque implementaciones reales suelen tener unos 10 dB de prdidas
de conversin.
2)Anchodebandaelevado: Por el mismo motivo anterior, al no presentar

una impedancia reactiva, su comportamiento en frecuencia ser bastante ho-
mogneo, por lo que se hacen muy indicados en aplicaciones que requieran
de un amplio ancho de banda.
La figura 72 muestra el esquema de dos ejemplos de multiplicadores simples

con diodo varistor.
Figura 72. Ejemplos de multiplicador simple con varistor (diodo Schottky). a) Con componentes
discretos. b) Con componentes distribuidos
Podemos observar que, en el caso de la izquierda (a), los resonadores LC son

ideales porque cortocircuitan los harmnicos indeseados, mientras que a su
frecuencia de resonancia (f0 a la entrada y 2f0 a la salida) su impedancia es
elevada, permitiendo el paso de los harmnicos de inters.
En el circuito de la derecha (b) se ha realizado la implementacin mediante

tecnologa microstrip. Se aprecian inversores de impedancia en 0/4 tanto a la
entrada como a la salida con objeto de adaptar impedancias, pero lo ms ca-
racterstico son los dos stubs que hay junto al diodo. Un stub, el de entrada,
est cortocircuitado a masa y tiene una longitud 0/4 a la frecuencia de entra-
da f0. De esta manera, la seal a la frecuencia de entrada f0 no se ve afectada
por su presencia, pues, como ya hemos visto en anteriores ocasiones, un stub
en /4 es un inversor de impedancias, y es transferido ntegramente al diodo,
mientras que a la frecuencia doble, 2f0, es visto como un cortocircuito, por lo
que eliminaremos cualquier vestigio de la seal de salida, evitando realimen-
tacin y generacin de intermodulaciones que empeoraran la eficiencia del
multiplicador. En cambio, el stub a la salida es terminado en circuito abierto,
de manera que afecta poco a la seal de salida a 2f0 y obliga a reflejarse hacia
el diodo la seal de entrada a f0, pues esta ver un cortocircuito.
6.4.2. Multiplicador simple con varactor
El multiplicador simple con varactor utiliza la caracterstica C-V no lineal de

un diodo para distorsionar una seal sinusoidal a su entrada y generar de este
modo harmnicos a frecuencias superiores a su salida.
Se trata, por tanto, de un multiplicador basado en una reactancia no lineal,

por lo que se va a caracterizar por dos propiedades fundamentales:
1)Altaeficiencia: El hecho de ser reactivo implica que idealmente ninguna

fraccin de la potencia de seal aplicada a la entrada se disipar en el diodo.
2)Anchodebandareducido: Por el mismo motivo anterior, al presentar una

impedancia reactiva, su comportamiento en frecuencia har que solamente
pueda funcionar en un estrecho margen.
Estos diodos presentan adems otra serie de caractersticas especficas:
Son muy sensibles a cualquier variacin en el resto del circuito que hace
cambiar de forma importante la potencia a la salida.
Hacer que un multiplicador de este tipo funcione requiere de muchos en-

sayos de sintonizacin empricos.
Generan muy poco ruido.
La potencia disponible viene limitada por la tensin de ruptura.
Siempre habr una resistencia parsita serie que disipar parte de la po-
tencia.
Son relativamente inestables, por lo que es necesario tomar precauciones

en este sentido.
El ruido de fase depende fuertemente del nivel de seal a la entrada.
La figura 73 muestra el esquema de un ejemplo de multiplicador triplicador

simple con diodo varactor.
Figura 73. Multiplicador simple con diodo varactor
Fuente: Extrado de R. Zingg. (2001). Varactor Frequency Tripler. University of Colorado at Boulder.
Se pueden apreciar los resonadores LC a las diferentes frecuencias:
fr a la entrada, cortocircuitando el resto de harmnicos.
2fr a la salida, en configuracin serie, para cortocircuitar el segundo har-

mnico, dado que queremos triplicar la frecuencia.
3fr a la salida, en configuracin paralelo, para dejar pasar solamente al

tercer harmnico.
La resistencia en paralelo con el diodo servir para polarizarlo y, al mismo

tiempo, permite estabilizar el dispositivo.
6.4.3. Multiplicador equilibrado con diodos
Los multiplicadores simples con un solo diodo son indicados para aplicacio-
nes de bajo coste o bajos requerimientos de calidad, o bien en estructuras de
gua de ondas altamente selectivas en frecuencia que rechazan sin problemas
cualquier harmnico indeseado generado por el diodo. No obstante, tenemos
la opcin de recurrir a una estructura ms sofisticada como es el multiplica-
dorequilibrado. Esta estructura consiste en la utilizacin de dos o ms dio-
dos configurados de tal manera que inherentemente rechazan una serie de
harmnicos indeseados sin necesidad de filtros. Adems, mejoran el nivel de
potencia a la salida, dado que al repartirse la seal de entrada entre varios dio-
dos, el nivel de linealidad se ve incrementado proporcionalmente.
La estructura ms simple como multiplicador equilibrado es la conocida como

pardediodosantiparalelos. Consiste en colocar dos diodos en paralelo de
forma asimtrica, tal como se observa en la figura 74.
Figura 74. Multiplicador equilibrado con diodos PIN antiparalelos
Fuente: Extrado de Agilent Technologies (1999). Low Cost Frequency Multipliers Using Surface Mount PIN Diodes. Application
Note 1054. Inc. 5966-4998E (11/99)
Esta estructura tiene la propiedad inherente de suprimir los harmnicos pares Figura 74
y en potenciar los harmnicos impares, gracias a la configuracin inversa de
En el ejemplo de la figura 74
ambos diodos, que hace que cada diodo cortocircuite al otro en los harmnicos entramos una seal de 100
pares. Adems, esta estructura permite eliminar la resistencia de polarizacin. MHz para ser multiplicada a la
salida por 5, obtenindose 500
Sin embargo no elimina el harmnico fundamental, por lo que habr que MHz. Se observa el filtro de sa-
lida y la estructura antiparalela
mantener un filtrado a la salida. de los diodos.
Debido a que la estabilidad de un multiplicador con varactores es muy sensible

a pequeas variaciones que puedan existir entre ambos diodos, raramente se
utiliza este tipo de diodos con esta estructura antiparalela. Normalmente se
utilizan diodos PIN para este tipo de estructura.
Otra posible estructura de multiplicador equilibrado es la mostrada en la figura

75.
Figura 75. Multiplicador equilibrado. a) Mediante transformador balun. b) Mediante balun

microstrip
Fuente: Extrado de M. Faber, J. Chramiec, M. Adamski. (1997). Microwave and Millimeter-Wave Diode Frequency Multipliers.
Artech House.
En la implementacin de la izquierda (a) vemos un multiplicador equilibrado

utilizando un transformador, con una topologa muy similar a la utilizada en
una fuente de suministro de continua, con la diferencia que en este ltimo
caso se filtra solamente la componente continua, mientras que aqu filtramos
solo el segundo harmnico, cortocircuitando la continua con la bobina de
choque. A la derecha (b) un ejemplo de implementacin mediante tecnologa
microstrip.
Otro circuito multiplicador equilibrado es el puenterectificador de la figu-

ra 76. A la izquierda podemos ver su versin como doblador y a la derecha
su versin como triplicador de frecuencia, ms conocido como el puentede
Wenzel, en honor a su diseador.
No hay que confundir esta estructura con el puente de diodos que vimos en el
apartado "El mezclador", si nos fijamos en detalle, los diodos no estn orien-
tados de la misma manera.
Figura 76. a) Doblador de frecuencia, mediante puente de diodos. b) Triplicador de frecuencia,

mediante puente de diodos
Fuente: Extrado de M. Faber, J. Chramiec, M. Adamski. (1997). Microwave and Millimeter-Wave Diode Frequency Multipliers.
Artech House.
El puente rectificador de la izquierda (a) es un mtodo prctico para imple-

mentar dobladores de frecuencia. Las tensiones y corrientes en este circuito
son exactamente las mismas que las que se obtienen en un rectificador de on-
da completa en una fuente de alimentacin continua dc. La corriente a la sa-
lida resulta en un tren de pulsos de media sinusoide, tal como los vistos en la
figura 70c, cuya respuesta en frecuencia est ausente de harmnicos impares,
mientras que los pares decaen en amplitud proporcionalmente a la inversa de
n2, siendo n el factor de multiplicacin, en este caso n = 2, segn vimos en la
ecuacin 5.286, por lo que a la salida, el harmnico principal con mayor nivel
ser el segundo, y a continuacin vendr el cuarto pero con un nivel conside-
rablemente inferior, que requerir de poco filtrado o incluso en algunos casos
no ser necesario.
Sin embargo, si analizamos el circuito de la figura 76 de la derecha (b), dise-

ado por Charles Wenzel, y por el que fue galardonado con diversos premios,
incluyendo algunas modificaciones, al puente rectificador se consigue imple-
mentar un triplicador de frecuencia. El alma de este circuito es convertir una
sinusoide de entrada en una onda cuadrada a la salida, mediante un puente de
diodos de barrera Schottky de onda completa y un inductor que cortocircuita
los terminales de continua, que se elige de un valor suficientemente alto como
para que presente una elevada impedancia a la frecuencia de trabajo, de ma-
nera que una entrada alterna resulte en una seal continua en la inductancia.
Esta tensin continua polariza alternativamente cada par de diodos, debido a
la alternancia de la seal de entrada. Dado que los diodos conmutan justo en
el cruce por cero de la seal de entrada, habr mnima distorsin de la seal
a la salida.
Con esta estructura se consigue una ganancia de conversin similar a la obte-

nida con diodos dobladores simples pero ahora obtenemos un factor de mul-
tiplicacin ms elevado.
6.5. Multiplicadores de frecuencia activos
La principal razn de recurrir a multiplicadores activos es la de conseguir ma-

yor eficiencia y ganancia de conversin.
Si en los multiplicadores con diodos siempre tenamos prdidas de conversin,

los multiplicadores de frecuencia activos nos proporcionan ganancia de con-
versin positiva, ya sean implementados con transistor MESFET o BJT, en un
amplio ancho de banda y obteniendo tambin una buena eficiencia entre la
alimentacin continua y el nivel de seal de microondas a la salida. Sin em-
bargo, normalmente su figura de ruido no es muy buena, comparada sobre
todo con multiplicadores de diodo varactor.
Al igual que en amplificadores, los multiplicadores activos pueden adoptar es-

tructuras de diferentes clases, siendo la ms apropiada la clase B, la cual resulta
ser la ms estable y permite obtener unos buenos niveles de ganancia, eficien-
cia y potencia de seal a la salida.
Un multiplicador activo simple con transistor MESFET genera harmnicos a

base de rectificar una seal de microondas sinusoidal a su entrada gracias a
su polarizacin cercana a la tensin de pinch-off, que es la tensin en la que
el transistor pasa de su estado de corte a saturacin (OFF-ON) de manera que
el transistor conduce solamente durante una parte del ciclo de la seal de
entrada.
La condicin de conduccin del transistor se consigue polarizando adecuada-

mente el drenador del transistor y con una tensin negativa adecuada a su
puerta.
Entonces, jugando con estas tensiones, ajustamos el ciclo de trabajo de la seal Ved tambin
de entrada para maximizar los harmnicos deseados.
Vase el subapartado "Formas
de onda" del presente mdulo.
En general, cuanto mayor sea el harmnico que hay que maximizar, menor
ser el ciclo de trabajo que deberemos ajustar, segn se deduce de la ecuacin
5.292. Para conseguir un doblador, haremos que el ciclo de trabajo sea del
25% mientras que si queremos un triplicador deberemos ajustarlo alrededor
del 16%.
La figura 77 muestra una implementacin prctica de circuito multiplicador

con transistor FET.
Figura 77. Multiplicador activo mediante

transistor MESFET
Fuente: Extrado de E. Camargo. (1995). Design of FET Frequency

Multipliers and Harmonic Oscillators. Artech House.
El stub de salida se disea para que en el harmnico n se vea un circuito abierto,

mientras que en el resto de harmnicos se vea un cortocircuito, especialmente
en la frecuencia de excitacin de entrada, f0.
La tensin de puerta, Vg, en un multiplicador MESFET eficiente, debe ser igual

o menor a la tensin umbral, Vt, de manera que el transistor solo conduce
durante el ciclo positivo de la seal de excitacin a la entrada y en el drenador
obtenemos pulsos en forma de coseno rectificado.
Podemos variar el ciclo de trabajo modificando la tensin de polarizacin Vg,

de tal manera que si hacemos Vg = Vt, el ciclo de trabajo es del 50% y si Vg <
Vt, entonces disminuimos el ciclo de trabajo por debajo del 50%.
No obstante, la generacin de harmnicos en un multiplicador activo con

MESFET no solo es posible implementarla controlando el ciclo de trabajo de
la seal de entrada, tambin se puede recurrir a la tcnica de mezclar el har-
mnico fundamental con alguno de los harmnicos generados, haciendo que
estos se reflejen de nuevo hacia el transistor, bien hacia el drenador o bien
hacia la puerta.
En cualquier caso, el primer paso en todo diseo de multiplicador activo es

analizar las prestaciones del dispositivo activo a la frecuencia fundamental, en
particular viendo cul es su transconductancia, gm, su frecuencia de transicin,
ft, y su mxima frecuencia de oscilacin, fmx. La primera tiene un impacto
directo en la ganancia de conversin del multiplicador final, mientras que las
otras dos marcan el lmite mximo en el que el multiplicador es funcional.
6.5.1. Varios ejemplos de multiplicadores activos
Para finalizar el apartado de multiplicadores, se describen aqu varias imple-

mentaciones de este tipo de circuitos. En concreto, se muestra la implemen-
tacin de un circuito doblador de frecuencia, otro triplicador y, finalmente,
un circuito multiplicador activo equilibrado. A partir de estos circuitos bsicos

pueden construirse otros ms complejos con el objetivo de mejorar algn pa-
rmetro del multiplicador, que sea necesario para alguna aplicacin especfica.
1)Circuitoactivodobladordefrecuencia
La figura 78 muestra la implementacin de un multiplicador activo con MES-

FET doblador de frecuencia. Se observa cmo a la entrada se ha dispuesto una
red de adaptacin para mejorar las prdidas de retorno a la entrada y obtener
la mxima transferencia de potencia posible.
Figura 78. Multiplicador activo con MESFET doblador de frecuencia
Fuente: Extrado de E. Camargo. (1995). Design of FET Frequency Multipliers and Harmonic Oscillators. Artech House.
En la salida se dispone un filtro diseado para cortocircuitar el drenador a la

frecuencia fundamental y a los harmnicos indeseados. A continuacin se ob-
serva un transformador de impedancias cuyo objetivo es adaptar la impedan-
cia de salida. Se trata de una cascada en serie de lneas de transmisin alter-
nando con alta (Z) y baja (Z) impedancia caracterstica, pero cada seccin
de longitud 0/4 a la frecuencia fundamental, f0. En cambio pasan a ser de
/2 a la frecuencia deseada, 2f0, para pasar a medir 3/4 a la frecuencia 3f0, de
manera que las frecuencias ms rechazadas por este filtro sern los mltiplos
impares de /4, es decir, f0 y 3f0, mientras que el harmnico menos rechazado
ser el deseado 2f0.
2)Circuitoactivotriplicadordefrecuencia
La figura 79 muestra la implementacin de un circuito activo triplicador de

frecuencia.
Figura 79. Multiplicador activo con MESFET triplicador de frecuencia
La dificultad ms importante que hay que salvar en un triplicador de frecuen-

cia es la necesidad de cortocircuitar la salida del drenador a los harmnicos
indeseados. En un doblador ya hemos visto que es relativamente sencillo, pues
un stub en /4 soluciona el problema al ser cortocircuito a f0 y circuito abierto
a la frecuencia doble, pero ahora no cuadran tan bien las cosas. La figura 79
muestra una posible solucin consistente en un doble stub.
Este doble stub est diseado para resolver al mismo tiempo varias necesida-
des del multiplicador. En primer lugar, sirve de red de adaptacin a la frecuen-
cia 3f0 deseada. En segundo lugar, filtran parcialmente el segundo harmnico
indeseado. Finalmente, su funcin tambin es rechazar el harmnico funda-
mental. Dado que no es posible rechazar el primer y segundo harmnicos sin
afectar en parte al tercero, que es el deseado, este diseo debe llegar a un com-
promiso entre los tres intereses.
3)Circuitoactivomultiplicadorequilibrado
Las principales razones para utilizar multiplicadores equilibrados son:
Presentan una mejor adaptacin a la entrada en un amplio rango de fre-

cuencias.
Tienen un mejor aislamiento cuando se enlazan en serie varios de estos

multiplicadores.
Son muy estables dado que el dispositivo est terminado a 50 en un

amplio rango de frecuencias.
La figura 80 muestra un ejemplo de implementacin de este tipo de circuitos.

Figura 80. Multiplicador activo con MESFET equilibrado
El acoplador hbrido de la entrada introduce un desfase de 90, mientras que

el de la salida hace lo propio. De esta manera, los harmnicos impares se su-
man en contrafase, anulndose en el puerto de salida y disipndose en la ter-
minacin del acoplador de la salida. Por el contrario, los harmnicos pares se
suman en fase a la salida. De esta manera, con un multiplicador equilibrado
se puede conseguir 3 dB ms de potencia a la salida que con uno simple.
Resumen
Finaliza aqu este extenso mdulo dedicado bsicamente a los dispositivos no

lineales de microondas y a sus aplicaciones en dispositivos ms avanzados. Se
ha analizado en los primeros apartados los dispositivos de microondas bsicos,
como son el diodo (Schottky, PIN, IMPATT) y el transistor (MESFET y BJT) y
se ha visto cmo, polarizndolos adecuadamente en un punto de trabajo, se
puede aprovechar su caracterstica I-V no lineal para generar harmnicos, ya
sea de una seal, ya sea de varias seales mezcladas.
Se han analizado las ventajas e inconvenientes de los diodos Schottky y PIN,

as como sus aplicaciones ms importantes, como desfasadores, rectificadores,
etc. Tambin se ha descrito el principio de funcionamiento del diodo IMPATT
como dispositivo de resistencia negativa, lo cual facilita la implementacin de
osciladores a frecuencias muy elevadas.
Asimismo, se ha analizado la caracterstica I-V de los transistores MESFET y BJT,

vindose que en el primero se obtiene una caracterstica cuadrtica mientras
que en el segundo es exponencial. Tambin se han analizado las magnitudes
ms relevantes que caracterizan a ambos transistores.
Los primeros apartados pueden verse como el anlisis de los dispositivos bsi-
cos de microondas, que son la base para implementar circuitos ms avanzados
y complejos, analizados en los siguientes apartados: el mezclador (o conversor
de frecuencia), el oscilador (o generador de frecuencia) y los multiplicadores
de frecuencia.
En el captulo "El mezclador" hemos abordado las nociones bsicas para com-
prender los mezcladores de microondas como dispositivo avanzado, cules
son sus principales caractersticas, las diferentes clases que podemos encontrar
y sus principales aplicaciones en los circuitos de microondas.
Para empezar, hemos visto el diagrama de bloques genrico de cualquier dis-

positivo mezclador, compuesto por una seccin de circuito combinador que
nos permite inyectar dos seales de diferente frecuencia a la entrada de un
dispositivo no lineal, que es el centro y la clave de cualquier mezclador, pues
gracias a su caracterstica no lineal es posible obtener harmnicos de las dos
seales a la salida, de los que seleccionaremos el que ms nos interese median-
te el filtro adecuado. Por supuesto, como en cualquier circuito de microondas,
deberemos incluir en cada puerto las redes de adaptacin adecuadas que nos
permitan maximizar la eficiencia del dispositivo a las frecuencias de inters.
Hemos visto que el dispositivo no lineal poda ser un diodo o un transistor,

tanto bipolar como FET, polarizados adecuadamente en una zona no lineal
(a diferencia de lo que hacamos en amplificadores, donde se polarizaban en
zona lineal), con objeto de generar harmnicos de las dos seales de entrada
y optimizar la mezcla deseada que, tras hacer un anlisis no lineal, vimos que,
en general, se suele escoger la mezcla cuadrtica flo fr, siendo flo la frecuencia
de la seal inyectada en el puerto LO y fr la frecuencia de la seal inyectada
en el puerto RF.
El mezclador es entonces un conversor a baja frecuencia o downconverter si

se elige la mezcla flo fr, mientras que es un conversor a alta frecuencia o
upconverter si se elige la mezcla flo + fr.
Hemos repasado las figuras de mrito que caracterizan a un mezclador, entre

las ms importantes destacan la ganancia de conversin, GC o su homloga de
prdidas de conversin, LC, el concepto de aislamiento entre puertos, el nivel
de adaptacin, el factor de ruido, el nivel de cancelacin AM, la linealidad del
mezclador encarnada en el P1dB y el IIP3, etc.
A continuacin, hemos descrito y analizado las tres clases bsicas de estructu-

ras mezcladoras: el mezclador simple, el mezclador equilibrado y el mezclador
doblemente equilibrado. Las tres pueden utilizar tanto diodos como transisto-
res ya sean BJT o FET como dispositivos no lineales. En los simples, se utiliza
tan solo un nico dispositivo no lineal, lo que les confiere su nombre, y vimos
las dos condiciones de diseo para el caso de utilizar un transistor BJT: defi-
nir un nivel de distorsin mximo y un nivel de seal LO para maximizar la
ganancia de conversin. Para el caso de mezclador simple con transistor FET,
vimos que se obtena la misma ganancia para gran seal que para pequea se-
al y resultaba ser el doble que la ganancia de conversin, GC. Tambin vimos
que la tensin de polarizacin ptima era VGSoff/2.
El mezclador equilibrado consista en combinar dos mezcladores simples me-

diante un acoplador hbrido, por lo que requieren dos dispositivos no lineales.
Con esta estructura se mejora la cancelacin de AM y se consigue eliminar los
harmnicos impares a la salida del mezclador. Adems, si el acoplador hbrido
es de 90, se consigue un nivel de adaptacin excelente, mientras que si es de
180, se consigue un aislamiento entre puertos RF-LO muy elevado.
Por ltimo, el mezclador doblemente equilibrado combina un mnimo de cua-

tro dispositivos no lineales, y su principal ventaja es mejorar la linealidad del
mezclador gracias al uso de pares diferenciales que, al procesar cada elemento
del par la mitad de potencia, el mezclador en conjunto soportar el doble de
nivel de seal a su entrada respecto a las otras clases de mezclador anteriores,
por lo que sus parmetros P1dB o IIP3 sern como mnimo 6 dB superiores en
igualdad de condiciones. Esta estructura tambin consigue eliminar los har-
mnicos pares tanto de RF como de LO, gracias a la simetra de los pares dife-
renciales. Otra ventaja es que consiguen funcionar con similares caractersti-
cas en un mayor ancho de banda.
Por el contrario, ser ms difcil obtener una buena adaptacin en los puertos,
y la ganancia de conversin suele ser menor en comparacin a los otros tipos
de mezcladores. Analizamos el caso pasivo de mezclador en puente de diodos,
que nos daba una , y el caso activo de clula de Gilbert con
transistores FET, que permite tener GC > 0 y mejorar la linealidad del mezcla-
dor.
Hasta aqu vimos las estructuras bsicas de mezclador, pasando a analizar otras
estructuras que intentan mejorar algn parmetro especfico, como era el caso
del mezclador con supresin de frecuencia imagen. Este mezclador combina dos
mezcladores equilibrados adecuadamente con varios acopladores hbridos, de
manera que nos permite separar la LSB de la USB, es decir, separar la frecuen-
cia imagen de la que consideremos seal til, con una discriminacin tpica-
mente superior a 20 dB, lo que hace innecesario utilizar complicados filtros
selectivos para eliminar la frecuencia imagen. Tambin analizamos otro tipo
de mezcladores llamados subharmnicos, cuyo objetivo es permitir la utiliza-
cin de osciladores locales con una frecuencia menor a la que realmente se
est utilizando en la mezcla, para as facilitar los diseos a muy alta frecuencia,
donde la implementacin de un oscilador estable, fiable y econmico es cada
vez ms difcil cuanto mayor es la frecuencia. Vimos la estructura simple y la
equilibrada, esta ltima minimiza los harmnicos pares y mejora el nivel de
cancelacin AM.
Finalmente hicimos un repaso a las principales aplicaciones de los mezcladores

en los circuitos de microondas, entre las ms destacadas, como conversor de
frecuencia, tanto hacia arriba como hacia abajo, modulador, demodulador y
detector de fase.
Realmente no hay un mezclador que sea mejor que los dems en todas las
caractersticas. Para cada aplicacin especfica deberemos escoger el mezclador
que optimice el parmetro que ms nos interesa para esa aplicacin concreta.
Los circuitos osciladores de microondas consisten en disear, utilizando como

elemento bsico un dispositivo no lineal de microondas, ya sea un diodo o
un transistor, un circuito que le provoque un efecto de resistencia negativa,
lo cual permitir mantener la oscilacin que otro circuito resonador obligar
a que se produzca a una frecuencia determinada. Se ha analizado el caso de
implementacin de oscilador mediante dispositivo de estado slido, como el
diodo IMPATT, y el caso de oscilador mediante dispositivo activo, como el
transistor MESFET, utilizando como caso particular el resonador dielctrico. Se
expone un repaso de los principales parmetros que caracterizan a un oscila-
dor, haciendo especial hincapi en el ruido de fase.
Al igual que en los mezcladores y en los osciladores, los multiplicadores de

frecuencia utilizan como elemento bsico uno o varios dispositivos no linea-
les, ya sea diodos o transistores. Se analizan los diferentes mtodos que exis-
ten para generar seales de microondas, entre los que figura el multiplicador,
solucin interesante sobre todo para generar seales de muy alta frecuencia.
Tras analizar varias formas de onda y su contenido en frecuencia, se da un
repaso a las diferentes figuras de mrito que caracterizan al multiplicador. Para
terminar, se hace un anlisis cualitativo de diferentes estructuras multiplica-
doras, las simples, ya sea con diodo varistor o con varactor, las equilibradas
y las activas.
Ejercicios de autoevaluacin
1. Un diodo Schottky...
a) no es indicado para aplicaciones donde se precise tiempos de conmutacin bajos, de menos

de 1 us.
b) presenta un mejor comportamiento en frecuencia que otro tipo de diodos dado que se
caracteriza por tener una capacidad de difusin muy baja, .
c) se caracteriza por presentar una elevada resistencia serie Rs en su modelo de pequea seal.
d) no es adecuado como rectificador debido a su elevada tensin de codo.
2. Un desfasador conmutado de microondas...
a) no se puede implementar con diodos PIN debido al pobre aislamiento entre entrada y
salida que los caracteriza.
b)se puede implementar combinando lneas de transmisin de diferente longitud elctrica
conmutadas mediante diodos PIN.
c)no puede tener cualquier valor de desfase.
d)funciona siempre con las mismas caractersticas a cualquier frecuencia.
3. Respecto al diodo de avalancha IMPATT,...
a)es muy utilizado en osciladores de microondas de muy alta frecuencia debido a que pueden
disearse para que su caracterstica I-V presente un desfase de 180, obtenindose un efecto
de resistencia negativa, facilitando la implementacin de osciladores.
b)se considera que el tiempo de trnsito ptimo es la dcima parte del periodo de la seal
que se pretende generar, cuando el diodo forma parte de un oscilador.
c)la separacin entre las zonas p+ y n+ es irrelevante para determinar la frecuencia ptima
de operacin del dispositivo como oscilador.
d)se disea para que el campo elctrico mximo en la unin semiconductora est muy lejos
del campo de ruptura de la zona N intermedia, de manera que sea muy difcil que el diodo
entre en avalancha.
4. Determinad cul de las afirmaciones siguientes acerca del transistor MESFET es falsa:
a)Este tipo de transistor se caracteriza por presentar una caracterstica I-V de tipo exponen-
cial, por lo que es poco indicado para ser utilizado como mezclador.
b)Es muy utilizado en microondas por su capacidad de operar hasta frecuencias muy eleva-
das, de hasta 100 GHz o ms.
c)Valores tpicos de la capacidad drenador-surtidor de su modelo de pequea seal estn
en torno a 0,1 pF.
d)La capacidad entre la puerta y el drenador de su modelo de pequea seal es del orden de
0,01 pF, es decir, muy pequea, lo cual les hace muy indicados para el diseo de dispositivos
unilaterales.
5. En el transistor bipolar BJT,...
a)se presenta una caracterstica I-V de tipo cuadrtica, lo que favorece el diseo de mezcla-
dores sin harmnicos.
b)se presentan valores tpicos de transconductancia claramente menores a los transistores
MESFET, por lo que se conseguirn ganancias mucho menores.
c)se da el caso de que suele ser mucho ms caro que un transistor MESFET.
d)las capacidades de su circuito equivalente de pequea seal son comparativamente ma-
yores a las presentadas por el transistor MESFET, por lo que su utilizacin queda limitada a
bajas frecuencias.
6. En un mezclador, al inyectar dos seales de diferente frecuencia a la entrada,...
a)se obtiene a la salida una rplica exacta de ambas seales amplificadas o atenuadas, de-
pendiendo de si el mezclador es activo o pasivo, y no aparece a la salida ninguna otra seal
a otra frecuencia.
b)se obtiene a la salida multitud de combinaciones de harmnicos de ambas frecuencias de
entrada, de las cuales filtramos la que nos interesa.
c)a la salida se obtiene nicamente una seal cuya frecuencia es la diferencia entre las fre-
cuencias de las seales de entrada.
d)cuando la diferencia entre las frecuencias de las seales de entrada es negativa, se dice que
el mezclador acta como upconverter.
7. Determinad cul de las afirmaciones siguientes acerca del mezclador simple con diodo es
falsa:
a)Este tipo de mezcladores es indicado para circuitos de microondas a frecuencias elevadas,

donde la simplicidad del circuito y el coste sean prioritarias, por encima de las caractersticas
tcnicas.
b)El diagrama de bloques del mezclador consta de una primera etapa combinadora de las
seales de entrada, una etapa adaptadora de impedancias, el diodo debidamente polarizado
y, finalmente, un filtro de salida que seleccione la combinacin de harmnicos deseada.
c)Interesa polarizar el diodo en la zona lineal de su caracterstica I-V.
d) El diodo puede polarizarse en continua utilizando tcnicas microstrip tales como la del
stub en /4 a la frecuencia de funcionamiento, terminado en una lnea de baja impedancia
caracterstica, por la que inyectamos la corriente continua de polarizacin.
8. Determinad cul de las afirmaciones siguientes acerca de los mezcladores es falsa:
a) La ganancia de conversin del mezclador simple con transistor MESFET depende de las
caractersticas del transistor (VGSoff e IDSS), pero tambin del nivel de seal de oscilador local.
b) El nivel ptimo de seal de oscilador local en un mezclador simple con transistor MESFET
es
c) Un mezclador simple con transistor bipolar BJT se caracteriza por presentar un mejor nivel
de rechazo a la modulacin AM en el puerto de oscilador local que un mezclador equilibrado
implementado con el mismo tipo de transistor.
d) El mezclador equilibrado permite mejorar el aislamiento entre los puertos RF y LO respecto
a un mezclador simple implementado con el mismo tipo de dispositivo no lineal.
9. Determinad cul de las afirmaciones siguientes acerca de los mezcladores es verdadera:
a)El mezclador doblemente equilibrado no es capaz de mejorar el nivel de harmnicos a la

salida, ni siquiera el de los harmnicos impares.
b)En un mezclador pasivo a puente de diodos en anillo obtenemos a la salida solamente los
harmnicos 2nlo s, siendo lo y s las frecuencias de las seales de oscilador local y de
entrada respectivamente, y n un nmero entero.
c)En un mezclador pasivo a puente de diodos en anillo se suelen obtener prdidas de con-
versin del orden de 6 dB.
d)La seal a la frecuencia imagen es fcilmente eliminable mediante un filtro paso-banda,
antes de que alcance la entrada del mezclador.
10. De entre los tipos y aplicaciones de mezcladores, podemos afirmar que...
a)los mezcladores con rechazo a la frecuencia imagen incorporan un filtro paso-banda para
eliminar esta seal indeseada.
b)el mezclador subharmnico permite utilizar frecuencias ms elevadas en el oscilador local,
lo cual mejora la ganancia de conversin.
c)es mejor un mezclador subharmnico que un mezclador con rechazo a la frecuencia ima-
gen, pero no es tan bueno como la clula de gilbert.
d) el mezclador puede utilizarse como detector de fase, como demodulador de FM, como
modulador BPSK, como upconverter, etc.
Se quiere disear un oscilador mediante un transistor configurado de tal manera que su

crculo de estabilidad es el de la figura 81. Sabemos que los parmetros S en esta configuracin
son los siguientes:
5.299
Figura 81. Circulo de estabilidad del transistor Q
11. Determinad cul de las afirmaciones siguientes es correcta:
a)La zona interna del crculo de estabilidad, coloreada de amarillo, es la zona inestable.
b) Debemos seleccionar un punto interno del crculo de estabilidad como coeficiente de
reflexin de la red de terminacin para que as obtengamos resistencia negativa a la entrada
del transistor.
c)Es mejor seleccionar T que T2 para conseguir una resistencia negativa elevada.
d)La zona estable es la interna al crculo de estabilidad (en amarillo) y una buena eleccin
para el coeficiente de reflexin de la terminacin es T2.
12. Determinad cul de las afirmaciones siguientes es verdadera:
a)El parmetro S11 es muy elevado y hace pensar que el transistor puede ser inestable.
b)Interesa seleccionar un valor de T en el interior del crculo de estabilidad para garantizar
que el diseo sea lo ms estable posible.
c)El parmetro S21 es el ms elevado, lo cual hace pensar que el transistor puede ser inestable.
d)El parmetro S12 es elevado, lo cual hace pensar que el transistor es muy estable.
13. En un oscilador con resonador dielctrico,...
a)el resonador dielctrico suele presentar un factor de calidad inferior a 50.

b)si la lnea de transmisin microstrip est terminada en circuito abierto a una distancia de
/4 del resonador, se consigue maximizar, duplicndolo, el factor de acoplamiento, g.
c)el factor de acoplamiento, g, es muy difcil de medir y no basta con saber el coeficiente de
reflexin , ya que se requiere de sofisticada instrumentacin.
d)no es posible implementar una estructura de realimentacin serie porque sera inestable.
14. Determinad cul de las afirmaciones siguientes acerca de multiplicadores de frecuencia

no es correcta:
a)El multiplicador simple con varistor incorpora a la entrada del diodo un stub en /4 a la
frecuencia de entrada fin a masa y, a la salida del diodo otro stub en /4 a la frecuencia de
salida n*fin en circuito abierto.
b)El multiplicador simple con varactor es ms eficiente pero presenta un menor ancho de
banda que el multiplicador simple con varistor, debido a su impedancia reactiva.
c)El multiplicador equilibrado con diodos PIN antiparalelos tiene la propiedad de eliminar
los harmnicos pares.
d)Un multiplicador que rectifica una seal sinusoidal a su entrada solo genera harmnicos
impares.
15. Determinad la afirmacin incorrecta sobre un multiplicador activo con MESFET:
a)Se basa en rectificar la seal sinusoidal a su entrada con un ciclo de trabajo que se puede
controlar a un valor inferior al 50% mediante la tensin aplicada a la puerta del transistor
MESFET.
b)Si queremos obtener un doblador de frecuencia, controlaremos el ciclo de trabajo para
que sea del 25%.
c)En caso de obtener el doblador de frecuencia, la mnima degradacin en la relacin por-

tadora a ruido, CNR, a la salida respecto a la de la entrada ser de 6 dB.
d)Si queremos obtener un triplicador de frecuencia controlaremos el ciclo de trabajo para
que sea del 33%.
Solucionario
Ejercicios de autoevaluacin
1.b
2.b
3.a
4.a
5.d
6.b
7.c
8.c
9.c
10.d
11.d
12.a
13.b
14.d
15.d
Abreviaturas
AGC m Automatic gain control
AM f Amplitude modulation
BJT m Bipolar junction transistor
BPF m Band pass filter
BPSK f Binary phase shift keying
CAD m Computer aided design
CNR m Carrier to noise ratio
DRO m Dielectric resonator oscillator
DSB m Double sided band
FM f Frequency modulation
FMCW m Frequency modulated constant wave
HBT m Heterojunction bipolar transistor
HEMT m High electron mobility transistor
HPF m High pass filter
IF f Frecuencia intermedia
IMPATT m Impact avalanche and transmit time
LO m Oscilador local
LPF m Low pass filter
LSB m Lower side band
MESFET m Metal semiconductor field effect transistor
PLL m Phase locked loop
ppm f pl Partes por milln
RF f Radiofrecuencia
ROE f Relacin de onda estacionaria
SFDR m Spurious free dynamic range
SNR m Signal to noise ratio
SSB m Single side band
USB m Upper side band
VSWR m Voltage standing wave ratio
ZCE f Zona de carga espacial

Bibliografa
Camargo, E. (1998). Design of FET Frequency Multipliers and Harmonic Oscillators. Artech
House.
Collin, R. E. (2001). Foundations for Microwave Engineering. John Wiley & Sons.
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Dispositivos activos de microondas

Încărcat de

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Dispositivos activos de microondas

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Mezcladores,

3. El transistor bipolar BJT................................................................. 36

4.7.1. Adaptacin y aislamiento entre puertos ....................... 70

6. Multiplicadores de frecuencia........................................................ 116

Ejercicios de autoevaluacin.................................................................. 139

Adems de dispositivos pasivos y lineales, para completar las posibilidades de

En el presente mdulo se presentan los dispositivos activos bsicos utilizados

Para analizarlos se recomienda, en primer lugar, repasar la estructura y funcio-

En el apartado "Diodos de microondas" se analizan las principales caracte-

A continuacin se analiza, en los apartados "El transistor MESFET" y "El tran-

En el apartado "El mezclador" nos detendremos en el anlisis de este disposi-

Veremos diferentes estructuras para construir un mezclador y las ventajas e

En el apartado "Osciladores de microondas" se presentan los principales facto-

En el diseo del oscilador habr que tener en cuenta, en primer lugar, a qu

Finalmente, en el apartado "Multiplicadores de frecuencia" se analiza otra apli-

Con el estudio de este mdulo se persiguen los objetivos siguientes:

1. Describir el funcionamiento y propiedades de los principales tipos de dio-

2. Analizar los modelos en pequea seal de los tipos de transistor ms uti-

3. Mostrar las principales clases de mezcladores utilizadas para la conversin

4. Introducir los conceptos bsicos para el diseo de osciladores y presentar

5. Introducir los conceptos bsicos de los multiplicadores de frecuencia y des-

tora, en este apartado estaremos en disposicin de analizar los diodos ms co-

1.1. Diodo de barrera Schottky

El diododebarreraSchottky recibe su nombre del fsico alemn Wal-

La figura 1 muestra imgenes de encapsulados de diodos Schottky comerciales.

Figura 1. Imgenes de encapsulados de diodos Schottky comerciales

Los encapsulados para diodos de microondas y, en general, para cualquier componente de

donde es el factordeidealidad y posee un valor entre 1 y 2. Para diodos

Tambin se explica que el diodo Schottky polarizado en inversa presenta un

siendo Vb el llamado potencial de la unin, que suele estar por debajo de

La figura 2 muestra la caracterstica I-V (corriente en funcin de la tensin) de

Figura 2. Caracterstica I-V tpica del diodo Schottky

1.1.1. Ventajas e inconvenientes del diodo Schottky

Las ventajas que presenta el diodo Schottky son las siguientes:

Presentan un mejorcomportamientoenfrecuencia que otro tipo de dio- Ved tambin

se consiguen tiempos de conmutacin muy bajos, del orden de 1 ns, lo que

Tensindecodobaja: permite obtener un mejor comportamiento como

Resistenciaserie,RS: se pueden conseguir valores menores que en diodos

Los inconvenientes que presenta el diodo Schottky son los siguientes:

La tensinderuptura,VA,esmenor que en otro tipo de diodos. Habr

La corrienteinversadepolarizacin,IS, esrelativamentemayor que en

1.1.2. Algunas aplicaciones del diodo Schottky

Aplicacin como rectificador y detector de microondas

La figura 3 ilustra el concepto de circuito rectificador en los dominios temporal

Figura 3. Concepto de circuito rectificador en tiempo y en frecuencia

En cualquier aplicacin del diodo en circuitos de microondas, deberemos

Podemos definir una constante de sensibilidaddecorriente como la rela-

Las ecuaciones las encontraris

En la figura 4 se muestra una posible implementacin del circuito rectificador

Figura 4. Circuito rectificador y espectro de la seal de salida

Primero podemos empezar calculando la sensibilidad del rectificador segn la ecuacin

A continuacin, podemos aplicar la ecuacin 5.5 para encontrar la variacin de corriente

Siguiendo el mismo procedimiento para cada potencia a la entrada:

En el ejemplo vemos cmo para 10 mW de seal de microondas la variacin de corriente

Figura 5. Relacin lineal entre potencia de seal de microondas a la

Aplicacin como demodulador de AM

La figura 6 ilustra el concepto de demodulador de AM, en el dominio temporal

Figura 6. Concepto de demodulador de AM en tiempo y frecuencia

Si la seal de entrada analizada anteriormente no fuera una portadora pura

porcional a la seal de entrada, no ser ahora una seal plenamente

El espectro, segn se puede ver en la figura 7, ser el mismo que en el caso

Figura 7. Circuito y espectro de la seal a la salida del demodulador AM

Aplicacin como conmutador rpido