LABORATORIO DE ELECTRNICA I

FACULTAD DE INGENIERA
CORPORACIN UNIVERSIDAD DE LA COSTA, C.U.C.
.

EL DIODO SEMICONDUCTOR

Daniel Barros Gutirrez

e-mail:Dbarros9@cuc.edu.co
Max Caete Masson
e-mail:mcanate1@cuc.edu.co
Hernando Buitrago Tomases
e-mail:
Alexander lvarez Navarro
e-mail:

2.2 OBJETIVO ESPECFICOS

RESUMEN:

En la presente experiencia se observaron los efectos
que produce la polarizacin directa e inversa de un
diodo semiconductor configurado en serie con una
resistencia de 1000 ohmios; adems se determin la
curva caracterstica del diodo con los datos obtenidos en
el laboratorio, todo esto con el fin de analizar y
comprobar su operacin elctrica.
PALABRAS CLAVE: polarizacin directa,
polarizacin inversa, semiconductor.
1 INTRODUCCIN
El diodo es considerado como el elemento
semiconductor ms sencillo que existe en la electrnica,
gracias a ello se encuentra en la gran mayora de los
circuitos elctricos y electrnicos. En un principio, estos
eran fabricados de Germanio, pero debido a su alta
sensibilidad a la temperatura, los cientficos de la poca
decidieron fabricarlos de otro material semiconductor,
este iba a ser el silicio, que actualmente es el ms
utilizado.
El diodo ideal hace las veces de un switch dentro de un
circuito electrnico, es decir que puede tanto como
conducir corriente, como evitar su paso; para ello existen
dos formas de polarizarlo, de manera directa y de
manera inversa. La polarizacin directa conduce la
corriente elctrica, mientras que la polarizacin inversa
evita la conduccin (corto circuito).
- Identificar el tipo de material con el que se
encuentra fabricado el diodo tpico utilizado
para la experiencia.
- Identificar la polarizacin en la que se
encuentra sometido el diodo.
- Observar los efectos de la polarizacin directa e
inversa de un diodo semiconductor.
- Determinar la curva caracterstica de un diodo
semiconductor tpica.
3 BASE TERICA (DEBE LLEVAR EL
TTULO DEL TEMA PRINCIPAL DE LA
EXPERIENCIA)
El ttulo principal debe ser congruente con el tema
de la experiencia a realizar. En l se debe incluir toda la
base terica consultada en los textos o artculos de
apoyo.
4 PROCEDIMIENTO
1. En primera instancia, se configur en serie una
resistencia de carbn de 1000 ohmios y un
diodo semiconductor referencia 1N4007. Su
grafico se expondr a continuacin:
I

Es necesario conocer el funcionamiento real de un diodo

semiconductor de silicio; para ello se debe polarizar de
ambas formas y respecto a los datos arrojados durante magen
la experiencia, compararlos con la teora referenciada en
los libros. De esta manera se comprobar la maniobra 2. Se polariz de manera directa el diodo
elctrica ejercida en el mencionado componente semiconductor; la fuente de voltaje se llev a
electrnico. los valores requeridos para realizar una
experiencia optima, estos fueron:
2 OBJETIVOS - 0.0 (v)
- 0.3 (v)
- 0.5(v)
2.1 OBJETIVO GENERAL - 0.7(v)
- Analizar y comprobar la operacin elctrica del
- 1.0(v)
diodo semiconductor tpico.
- 3.0(v)

1
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- 6.0(v 3.0 0,624 3,11

En cada nivel de voltaje, con ayuda de un 6.0 0,669 6,82
multmetro, se midi tanto el voltaje como el
amperaje en el diodo. Los datos obtenidos para la polarizacin inversa fueron
los siguientes:
3. Se polariz de manera inversa el diodo
semiconductor y se realiz la misma operacin Tabla 2.
que en el tem anterior, solo que en esta
ocasin cambiaron los niveles de voltaje; esta
vez fueron los siguientes:

- 1.0 (v) Vs de la V (V) en el I (mA)

- 2.0 (v) fuente (V) Diodo
- 3.0 (v) 1.0 0.983 0
- 4.0 (v)
- 5.0 (v) 2.0 2.06 0
- 8.0 (v) 3.0 2.998 0
- 10.0 (v) 0
4.0 4
4. Una vez obtenidos todos los datos de voltaje y 5.0 5 0
corriente medidos en el diodo tanto en 8.0 8.01 0
polarizacin directa como inversa, se procede a
calcular el valor de la resistencia directa para 10.0 9.96 0
cada valor de voltaje y corriente. Tambin se
calcul el valor de la resistencia inversa.
5. En ltima instancia, con ayuda de EXCEL, se
graficaron los datos obtenidos. 6 CONCLUSIONES
5 GRFICOS, FOTOGRAFAS Y
TABLAS

Los datos obtenidos para la polarizacin directa fueron

7 BIBLIOGRAFA
los siguientes:
8 Bibliografa
Tabla 1.
[1] R. L. B. -. L. Nashelsky, Electrnica:
Vs de la V (V) en el I (mA)
fuente (V) Diodo Teoria de Circuitos y Dispositivos
0.0 3,7 x 10^-3 0 Electrnicos/ Decima Edicion, Pearson .
0.3 0,3135 0
0.5 0,437 0,07
0.7 0,5 0,24
1.0 0,543 0,6