Impuritati in semiconductori 3D

2 r m e2 m *
1
a*B aB r cu e02
d
este raza Bohr efectiv.; E1 E1 e este
m * e02 m* 40 m0 2r
energia strii fundamentale E1=13,6 eV reprezint energia de ionizare a atomului de hidrogen.
Exemple numerice. Tabelul 1 prezint valorile experimentale pentru nivelele de impuriti puin
adnci n Ge i Si. Pentru Ge de exemplu, cu r 16 i me* 0,2 m0 , se obine E1d 1,07 102 eV,
rezultat care concord bine cu valorile experimentale din tabel, n timp ce pentru siliciu, cu r 11,7 i
me* 0,4 m0 , E1d 4 102 eV. Tabelul arat concordana foarte bun ntre valorile experimentale
obinute pentru P, As, Sb (elemente din grupa a V-a -donori monovaleni pentru Ge i Si), i teoria
prezentat.
Tabelul 1. Energii de ionizare ale donorilor n Ge i Si (valori experimentale)
Impuritatea P As Sb
Energia de ionizare Ge 12 12,7 9,6
(meV) Si 45 49 39

n tabelul urmtor, sunt prezentate valorile maselor efective ale electronilor din banda de conducie
pentru cteva materiale semiconductoare uzuale n optoelectronic.

Semiconductor me* / m0
GaN 0,20
CdS 0,20
CdSe 0,13
CdTe 0,11
GaAs 0,07
PbS 0,10

Pentru GaAs, teoria masei efective d o valoare a energiei de ionizare E1d de 5.715 meV, care
este in concordan experimental cu energia de ionizare a majoritii donorilor din tabelul de mai
jos. Pentru GaP, valorile experimentale difer mult de valoarea teoretic (egala cu 59 meV). Pt
acceptori in GaAs E1a 29.85meV ( me* = 0.067 m0; m*g =0.35m0; r =13.1).

Energii de ionizare ale donorilor in semiconductori AIII BV (valori experimentale, in meV)

Donori din grupa VI Donori din grupa IV
GaAS S 5.584 C 5.913
Se 5.816 Si 5.801
Te 5.786 Ge 5.937
GaP O 897 Si 85
S 107 Ge 204
Se 105 Sn 72
Te 93
GaN O 39 Si 22

Energii de ionizare ale acceptorilor in semiconductori AIII-BV (valori experimentale, in meV)

Acceptori din grupa IV Acceptori din grupa II
GaAs C 27 Be 28
Si 34.8 Mg 28.8
Ge 40.4 Zn 30.7
Sn 167 Cd 34.7
GaP C 54 Be 57
Si 210 Mg 60
Ge 265 Zn 70
Cd 102
GaN Mg 220
 Prezena impuritilor modific puternic proprietile electrice i optice ale semiconductorilor.
Pentru c energia de ionizare este comparabil cu valoarea k BT300 K 26 meV , rezult c
impuritile sunt practic ionizate la temperatura camerei. Prin urmare, la temperaturi sczute
donorii puin adnci sunt neutri, n timp ce la temperaturi mai mari dect temperatura camerei,
impuritile sunt ionizate i particip la conducia electric (Fig. 4). De exemplu adugarea
borului n Si n proporie de un atom la 10 5 atomi de Si mrete conductibilitatea electric la
temperatura camerei de 10 3 ori.

Fig. 4
Un alt efect este modificarea pragului de absorbie optic n semiconductorii extrinseci
pentru c la interactia cu radiaia electromagnetic, pe lng tranziiile band band (absorbie
fundamental), pot s apar i alte tipuri de procese de absorbie: la temperaturi sczute, tranziii
nivel neutru band (figura 5 a) i b)); la temperaturi ridicate T 300 K, tranziii nivel ionizat
band i tranziii ntre nivele (figura 5 c) i d)).

Fig. 5
Figura 6 reprezint coeficientul de absorbie al Si dopat cu B, la temperaturi sczute
(acceptori neutri), pentru energii mici ale fotonilor incideni ( h Eg ). Se observ apariia unui

maxim corespunztor energiei de ionizare a impuritii ( 40 meV) care corespunde unei 30
m, n domeniul infrarou.

Fig. 6

Msurnd valorile coeficientului de absorbie la temperaturi sczute se poate determina

experimental valoarea energiei de ionizare pentru impuriti n semiconductori (metod optic).
Prezena impuritilor n semiconductori determin, de asemenea, o serie de procese de
captur i recombinare specifice. Intr-un semiconductor extrinsec, pe lng recombinarea band-
band vor exista i procese de recombinare band-nivel de impuritate. n figura 7 sunt reprezentate
tranziii radiative la temperaturi sczute: nivel donor band de valen, respectiv band de
conducie nivel acceptor.

Fig. 7

k f ki k foton
Important: regula de conservare se refer la tranziii radiative ntre strile
Bloch ale unui cristal ideal. Prezena impuritilor n semiconductor relaxeaz mult aceast regul.
De exemplu, maximul emisiei pentru GaP dopat cu Zn sau O este la 6990 (rou), dar se
deplaseaz la 5700 (verde) pentru GaP: N.
Pentru GaAs, cele mai utilizate impuriti sunt:
(a) Si, ca donor, cu o energie de activare de 5.9 meV,
(b) Be, ca acceptor, cu energia de 19 meV.
Aliajul AxB1-x
E g xEgA (1 x) E gB bx (1 x ) ; a xa A (1 x )aB ; analog pentru m * si r
AlxGa1-xAs b= 0
GaAs (in la 0 K) Eg=1.521 eV; la 300 K Eg= 1.424 eV ; me* = 0.067 m0; m*g =0.35m0; r =13.1
AlAs (in la 0 K) Eg=2.891 eV; la 300 K Eg= 2.766 eV. ; me* = 0.15 m0; m*g =0.47m0; r =10.1

TEME
1. Calculati energia de activare a unui donor hidrogenoid in AlxGa1-xAs pentru concentratii
x 0.4 ; reprezentati grafic Ed=f(x).
2. Calculati frecventa radiatiei emise in procesele reprezentate in fig. 7 (impuritati hidrogenoide)
pentru AlxGa1-xAs cu concentratia x 0.3 ; comparati cu frecventa radiatiei emise in recombinarea
banda-banda.
 Nanostructuri semiconductoare
Gropi cuantice (QW) ; Fire cuantice (QWW)
Puncte cuantice (QD)

Fig. 1
QW
Important !!!!! Eg = Eg+Ec1+Ev1
Epitaxia cu fascicul molecular (Molecular Beam Epitaxy-MBE)

Este o metod de cretere epitaxial implicnd interacia chimic a unuia sau mai multor
fascicule atomice sau moleculare cu suprafaa unui substrat monocristalin nclzit. A fost inventat
la sfaritul anilor 1960, la Bell Telephone Laboratories, de J.R.Arthur i Alfred Y. Cho.
Epitaxia cu fascicul molecular se produce n vid nalt sau n ultra-nalt ( 10 8 Pa ). Cea mai
important caracteristic a tehnicii este rata foarte mic de cretere (ntre 1 i 300 nm pe
minut).. Controlul computerizat al obturatoarelor celulelor de efuzie permite un excelent control al
grosimilor straturilor cristalizate. Controlabilitatea extrem a metodei a fcut posibil obinerea
nanostructurilor de tipul gropilor cuantice multiple, firelor cuantice i punctelor cuantice.
Asemenea structuri sunt azi parte component a dispozitivelor semiconductoare moderne,
incluznd diodele luminiscente i laserele cu semiconductori.
 Fig. 3. Schema instalaiei de epitaxie cu fascicul molecular

n gropile cuantice procese radiative se pot obine prin:

Fig. 4
1 tranziii intraband (intre nivele discrete din BC sau BV; regula de selectie n nr. impar);
2 tranziii interbenzi (intre nivele discrete din benzi diferite; regula de selectie n 0 );
3 tranziii nivel impuritate nivel de subband.

Controlul emisiei in groapa cuantica prin:

a) Alegerea geometriei structurii cuantice (Eg, largime, forma)
b) Cmpuri externe (electric, magnetic, laser)
c) Impurificare
d) Variatia temperaturii si a presiunii externe

Particula n groapa cuantic semiconductoare. Nivele de energie

Functia de unda ntr-o structur bidimensional (groap cuantic) este de forma
k r expik r z

(1)

unde este vectorul de und perpendicular pe direcia de cretere (aleasa ca axa Oz), iar z se
k

numete funcie nfurtoare. Aceast alegere a funciei de und k r ine seama de faptul c
electronii i golurile se pot deplasa liber n planul xOy (perpendicular pe direcia de cretere).
Funcia z verific ecuaia unidimensional:
 2 d2
V z z E z (2)
2 m* d z 2

Teme
1. In aproximatia gropii de potential cu pereti infiniti din GaAs, calculati frecventa radiatiei
emise la temp. scazute (Eg=1.521 eV ) in tranzitiile notate cu 1 si 2 in fig. 4 pentru L 1.5 a*B
.